发光单元和显示装置的制作方法

专利名称：发光单元和显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有多种发光元件的发光单元，该发光元件具有不同的发光波长，以及具有发光单元的显示装置。
背景技术：
近年来，使用LED (发光二级管)作为显示像素的LED显示器作为轻和薄的显示器而受到注目。LED显示器不具有对比度或者色调根据视角而变化的视角依赖性，并当颜色变化时具有快速响应速度。然而，必须以良好的生产率将数百万LED芯片安装在配线衬底上，并连接它们的配线。由于此原因，需要一种能以高生产率实现简单和容易的处理的方法。例如，在日本未审查专利申请公开No. 2007-19467中公开的方法中，首先，彩色 LED以相同的节距转写(transcribe)在转写衬底上，并且多个颜色的LED中的每个被树脂覆盖以形成发光单元。此后，每个发光单元以矩阵形式转写在显示面板衬底上。这样做，显示面板以方便和容易的方式制造。

发明内容
然而，在日本未审查专利申请公开No. 2007-19467中公开的发光单元中，从每个LED产生的光从发光单元的表面输出到外部，并在发光单元的树脂中传播。此时，在树脂中传播的光是波长较短的蓝光的情况下，如果蓝光入射在红色LED上，则包括在红色LED中的材料(例如，聚酰亚胺)恶化，使得存在红色LED的光学输出变化的问题。此外，在树脂中传播的光是绿光的情况下，如果绿光入射在红色LED中，红色LED会被绿光激发而发光。结果，存在诸如在显示的图像上形成串扰，色温变化并且色再现范围降低的问题。需要提供一种发光单元和具有该发光单元的显示装置，该发光单元能减小由发光单元的树脂中传播的光引起的不良影响。根据本发明的实施例，提供一种发光单兀，其包括多种具有不同发光波长的发光元件。在多种发光元件中，至少一种发光元件包括半导体层，其通过层叠第一导电层、活性层和第二导电层而构造。发光元件包括电连接到第一导电层的第一电极和电连接到第二导电层的第二电极。此外，由于导电层具有暴露出第一导电层、活性层和第二导电层的侧表面，发光元件包括第一绝缘层，其接触半导体层的表面中至少活性层的露出表面；以及金属层，其接触第一绝缘层的表面中至少与活性层的露出表面相对的表面。金属层与第一电极和第二电极电分离。根据本发明的显示装置包括具有多个发光单元的显示面板和用于基于图像信号驱动每个发光单元的驱动电路。在本发明的显示装置中，每个发光单元具有与以上发光单元相同的部件。在根据本发明的发光单元和显示装置中，在多种发光元件当中至少一种发光元件的侧表面处，安装接触至少活性层的露出表面的第一绝缘层和接触第一绝缘层的表面中至少与活性层的露出表面相对的表面的金属层。这样做，在从活性层产生的光当中，朝着层叠表面的内侧传播的光可以被安装在发光兀件的侧表面处的金属层反射以妨碍向相邻发光兀件入射的光。此处，由于金属层从第一电极和第二电极电分离，第一电极和第二电极通过金属层而短路的可能性几乎没有。由于此原因，设置在侧表面处的金属层对发光元件的耐压性施加不良影响的可能性几乎没有。然而，在本发明中，第一绝缘层和金属层优选地覆盖至少发光元件的整个侧表面。在此情况下，在从活性层产生的光当中，不仅是朝着层叠表面的内侧传播的光而且在倾斜方向上传播的光被安装在发光元件的侧表面处的金属层反射，使得可以进一步妨碍向相邻发光兀件入射的光。此外，在本发明中，第一电极是在第一导电层的表面上出现的金属电极，并形成为接触与活性层相反一侧的表面，并且第一绝缘层和金属层可以形成为从与侧表面相对的区域到达与第一电极相对的区域。在此情况下，由于第一电极的一部分和金属层的一部分在 第一绝缘层置于之间的情况下彼此重叠，来自活性层的光不会容易地通过第一电极和金属层之间的间隙(间隔)而直接泄漏出去。 此外，在本发明中，在第一绝缘层的与第一电极相对的区域中形成的部分的表面的一部分优选地变成未被金属层覆盖的露出表面，使得第二绝缘层形成为从露出表面到达金属层的表面。此外，在以上情况下，第一电极的表面的一部分优选地变成未被第一绝缘层、金属层和第二绝缘层覆盖的露出表面，使得垫电极形成为从露出表面到达第一绝缘层的表面和第二绝缘层的表面。在此情况下，由于金属层的一部分和垫电极的一部分在第二绝缘层置于之间的情况下彼此重叠，来自活性层的光基本上不通过第一电极和金属层之间的间隙(间隔)和第一电极和垫电极之间的间隙(间隔)而泄漏出去。此外，在本发明中，在多种发光元件包括发出蓝色的发光元件、发出绿色的发光元件和发出红色的发光元件，在这三种发光元件当中，至少发出蓝色的发光元件和发出绿色的发光元件优选地具有金属层。根据本发明实施例的发光单元和显示装置，由于在从活性层产生的光当中，朝着层叠表面的内侧传播的光被安装在发光兀件的侧表面处的金属层反射以妨碍向相邻发光元件入射的光，可以降低由在发光单元中传播的光引起的不良影响。具体地，在第一绝缘层和金属层覆盖至少发光元件的整个侧表面的情况下，在从活性层产生的光当中，不仅是朝着层叠表面的内侧传播的光而且在倾斜方向上传播的光也可以在金属层处反射，因而可以极大地降低由在发光单元的树脂中传播的光引起的不良影响。然而，在本发明实施例的发光单元和显示装置中，为了避免第一电极和金属层短路，间隙(间隔)出现在金属层和第一电极之间。然而，在绝缘层和金属层形成为从半导体层的与侧表面相对的区域到达与第一电极相对的区域的情况下，第一电极的一部分和金属层的一部分在第一绝缘层置于之间的情况下彼此重叠。由于此原因，来自活性层的光不通过第一电极和金属层之间的间隙(间隔)而泄漏出去。这样做，在不对发光元件的耐压性产生不良影响的情况下可以降低由在发光元件中传播的光引起的不良影响。此外，在本发明实施例的发光单元和显示装置中，在第二绝缘层形成为从第一绝缘层的露出表面到达金属层的表面并且此外垫电极形成为从第一电极的露出表面到达第一绝缘层的表面和第二绝缘层的表面的情况下，由于金属层的一部分和垫电极的一部分在第二绝缘层置于之间的情况下彼此重叠，来自活性层的光通过第一电极和金属层之间的间隙(间隔)和金属层和垫电极之间的间隙(间隔)而泄漏出去的可能性几乎没有。这样做，可以更可靠地防止金属层和第一电极(或者垫电极)之间的短路，并进一步降低由在发光单元中传播的光引起的不良影响。


图IA和图IB是示出根据本发明第一实施例的发光单元的构造的示例的立体视图和横截面视图；图2A和图2B是示出图IA和图IB的光学元件的构造的示例的横截面视图；图3A和图3B是示出图IA和图IB的光学元件的构造的另一示例的横截面视图；图4A和图4B是示出根据本发明第二实施例的发光单元的构造的示例的立体视图和横截面视图；图5A和5B是图4A和图4B的光学元件的构造的示例的横截面视图； 图6A和图6B是示出图4A和图4B的光学元件的构造的另一示例的横截面视图；图7A和图7B是示出图4A和图4B的光学元件的构造的修改的横截面视图；图8是示出根据本发明第三实施例的显示装置的构造的示例的立体视图；以及图9是示出图8的安装衬底的表面的布局的示例的平面视图。
具体实施例方式以下，将参照附图详细描述本发明的实施例。此外，将以下列顺序进行描述I.第一实施例(发光单兀)元件电极安装在上下表面处的示例。2.第二实施例(发光单元)元件电极仅仅安装在下表面处的示例。3.第三实施例(显示装置)以上实施例的发光单元作为像素安装的示例。I.第一实施例构造首先，将描述根据本发明第一实施例的发光单元I。图IA是示出发光单元I的一般构造的示例的立体视图。图IB示出了图IA的发光单元沿着箭头方向IB-IB的横截面构造的示例。发光单元I可以非常有用地应用为显示装置(其为所谓的LED显示器)的显示像素，并且是多个发光元件被薄树脂包围的小封装。发光元件10如图IA所示，发光单元I具有三个发光元件10。每个发光元件10是从其表面发出预定波长范围的光的固体发光元件，并且具体地是LED芯片。LED芯片表示通过切割已经生成晶体的晶片而获得的芯片，并且不是由模制树脂等包围的封装类型。LED芯片由于其具有例如5 μ m以上和IOOmm以下的尺寸而称为微LED。LED芯片的平面形状例如大致正方形。LED芯片具有薄膜形状，并且LED芯片的纵横比(高度/宽度)例如等于或者大于O. I并小于I。每个发光元件10设置在发光单元I中，并且例如，如图IA所示，在与其他发光元件10之间具有预定间隙(间隔)的状态下按列设置在一起。此时，发光单元I例如具有在发光元件10的阵列方向上延伸的细长形状。两个相邻发光元件10之间的间隙例如等于或者大于每个发光元件10的尺寸。此外，在一些情况下，间隙可以小于每个发光元件10的尺寸。发光元件10分别构造成发出不同波长范围的光。例如，如图IA所示，三个发光元件10由发出绿色波段的光的发光元件10G、发出红色波段的光的发光元件IOR和发光元件IOB组成。例如，在发光单元I具有在发光元件10的阵列方向延伸的细长形状的情况下，发光元件IOG例如设置在发光元件I的短边侧附近，并且发光元件IOB例如设置在发光单元I中非发光元件IOG附近的短边侧的短边侧附近。发光元件IOR例如设置在发光元件IOG和发光元件IOB之间。此外，发光元件10RU0G和IOB的位置分别不受以上限制，而是以下，其他部件的位置关系可以假定发光元件10RU0G和IOB设置在以上位置处来描述。如图2A所示，例如，每个发光元件10具有第一导电层11、活性层12和第二导电层13A依次层叠的半导体层。在发光元件IOG和IOB中，第一导电层11、活性层12和第二导电层13例如由氮化铟镓(InGaN)基半导体材料制成。同时，在发光兀件IOR中，第一导电层11、活性层12和第二导电层13例如由磷化铝镓铟(AlGaInP)基半导体材料制成。第二电极15安装在第二导电层13的表面(即，发光表面S2)处。对于发光兀件IOG和10B，第二电极15例如由Ti (钛)/Pt (白金)/Au(金)制成。对于发光元件10R，第二电极15例如由AuGe (金和锗的合金)/Ni (镍)/Au制成。第二电极15接触第二导电层13，并且电连接到第二导电层13。换言之，第二电极15与第二导电层13欧姆接触。同时，在第一导电层11的下表面处，安装第一电极14。第一电极14是金属电极。对于发光兀件IOG和10B,第一电极14例如由Ti/Pt/Au制成。对于发光兀件10R,第一电极14例如由AuGe/Ni/Au制成。第一电极14接触第一导电层11,并电连接到第一导电层11。换言之,第一电极14与第一导电层11欧姆接触。第一电极14和第二电极15可以一起构造为单个电极，或者可以构造为多个电极。此外，以下，如图2A所示，假定第一电极14和第二电极15 —起作为单个电极。第一电极14和第二电极15可以构造成包括例如诸如Ag(银)、A1(铝)等的具有高反射性的金属材料。 如图2A所示，每个发光元件10 (具体地，半导体层)的侧表面SI例如是与层叠方向交叉的倾斜表面，详细地是相应的发光元件10的横截面具有倒梯形的倾斜表面。如上所述，由于侧表面SI具有渐缩形状，可以向前方向的发光效率。此外，如图2B所示，侧表面SI例如可以与层叠方向垂直的垂直表面。如图2A和2B所示，每个发光单元10例如具有由第一绝缘层16、金属层17、第二绝缘层18和垫电极19组成的层叠体。层叠体是形成为从半导体层的侧表面SI到达下表面的层。在层叠体中，至少第一绝缘层16、金属层17和第二绝缘层18分别是例如通过诸如CVD、沉积、溅射等薄膜形成处理而形成的薄层。换言之，在层叠体中，至少第一绝缘层16、金属层17和第二绝缘层18不是通过诸如旋转涂覆、树脂模制、封装(potting)等的厚膜形成处理而形成。
第一绝缘层16、金属层17和第二绝缘层18至少覆盖整个侧表面SI以形成为从与侧表面SI相对的区域到达与第一电极14相对的区域的一部分。第一绝缘层16是用于金属层17和半导体层之间的电绝缘。在侧表面SI当中，第一绝缘层16形成为从发光元件10的发光表面S2 —侧的端部到达第一电极14的表面的外周。换言之，第一绝缘层16形成为接触发光元件10的整个侧表面SI，并进一步形成为接触第一电极14的表面的外周。第一绝缘层16由对从活性层12产生的光透明的材料制成，例如，5102、51队么1203、1102、1^等。第一绝缘层16例如具有大致均一的约O. I μ m到I μ m的厚度。此外，第一绝缘层16可以具有由于制造误差而引起的不均一的厚度。金属层17用于覆盖或者反射从活性层12产生的光。金属层17形成为接触第一绝缘层16的表面。金属层17从第一绝缘层16的表面在发光表面S2 —侧的端部形成到从第一绝缘层16的表面在第一电极14 一侧的端部略后退的地方。换言之，第一绝缘层16在与第一电极14相对的部分处具有未被金属层17覆盖的露出表面16A。金属层17在发光表面S2 —侧处的端部形成在与第一绝缘层16的在发光表面S2 一侧的端部相同的表面处(换言之，与发光表面S2相同的表面)。同时，金属层17在第一电极14 一侧的端部形成在与第一电极14相对的区域处以，在第一绝缘层16置于之间情况下与金属层17局部重叠。换言之，金属层17通过第一绝缘层16而从半导体层、第一电极 14和第二电极15绝缘(电分离)。在金属层17的第一电极14 一侧的端部和第一电极14之间，出现与第一绝缘层16一样厚的间隙(间隔)。然而，由于金属层17的在第一电极14 一侧的端部与第一电极14在第一绝缘层16置于之间的情况下彼此重叠，间隙(间隔)不会在层叠的方向(即，厚度方向)上可视地识别。此外，第一绝缘层16的厚度最多几μπι。因而，从活性层12产生的光基本上不通过间隙(间隔)直接发射到外部。金属层17由覆盖或者反射从活性层12产生的光的材料制成，例如，Ti、Al、Cu、Au、Ni或者它们的合金。金属层17具有例如约O. Iym到Iym的厚度，基本上厚度均一。此夕卜，金属层17可以具有由于制造误差而引起的不均一的厚度。第二绝缘层18用于当发光单元I安装到安装衬底(未示出)时防止将垫电极19和安装衬底彼此接合的导电材料(例如，焊料、板、溅射金属)与金属层17短路。第二绝缘层18形成为接触金属层17的表面和第一绝缘层16的表面(露出表面16A)。第二绝缘层18形成在金属层17的整个表面上，并形成在第一绝缘层16的露出表面16A的全部或者一部分上。换言之，第二绝缘层18形成为从第一绝缘层16的露出表面16A到达金属层17的表面，使得金属层17被第一绝缘层16和第二绝缘层18覆盖。第二绝缘层18例如由Si02、SiN、Al203、Ti02、TiN等制成。此外，第二绝缘层18可以由以上材料当中的多个材料制成。第二绝缘层18例如具有大致均一的约O. I μ m到I μ m的厚度。此外，第二绝缘层18可以具有由于制造误差而引起的不均一的厚度。垫电极19是从第一电极14引出的电极(S卩，引出电极)。垫电极19形成为从第一电极14的露出表面14A到达第一绝缘层16的表面和第二绝缘层18的表面。垫电极19电连接到第一电极14，使得垫电极19的一部分在第二绝缘层18置于之间的情况下与金属层17的一部分重叠。换言之，垫电极19通过第二绝缘层18而从金属层17绝缘(电分离)。垫电极19由以高反射率反射从活性层12产生的光的材料制成，例如，Ti、Al、Cu、Au、Ni或者它们的合金。此外，垫电极19可以由以上材料当中多个材料形成。在垫电极19的端部和金属层17之间，出现和第二绝缘层18的厚度一样厚的间隙(间隔)。然而，由于垫电极19的端部和金属层17的在第一电极14 一侧的端部彼此重叠，间隙(间隔)在层叠方向上(即，在厚度的方向上)不会被视觉地识别。此外，第二绝缘层18的厚度仅仅最多几μ m。此外，由于第一电极14的端部、金属层17在第一电极14 一侧的端部和垫电极19的端部彼此重叠，从活性层12通过第一绝缘层16和第二绝缘层18而与外部连通的通道以S形状弯曲。换言之，从活性层12产生的光会通过的通道以S形状弯曲。以上，用于对金属层17进行绝缘的第一绝缘层16和第二绝缘层18可以是从活性层12与外部连通的通道，但是此通道可以识别为构造成使得从活性层12产生的光可以基本上不泄露出去，因为其极其窄并具有S形状。此外，从防止从活性层12产生的光直接入射在另一发光元件10上的观点看，如果金属层17形成在第一绝缘层16的表面上以接触至少第一绝缘层16的与露出表面相对的表面，金属层17可以不覆盖活性层12的非露出表面的部分。此时，如果第一绝缘层形成在半导体层的表面上以覆盖至少活性层12的露出表面，则第一绝缘层16可以不覆盖整个侧表面SI。此外,如果金属层17不覆盖侧表面SI中至少相邻发光兀件10 —侧的表面,金属层17可以不整个侧表面SI。此时，如果第一绝缘层16不覆盖侧表面SI中至少相邻发光元 件10—侧的面，则第一绝缘层16可以不覆盖整个侧表面SI。此外，从防止第一导电层11和第二导电层13通过金属层17而短路的观点来看，在任何情况下，优选地金属层17不在第一绝缘层16的表面引出。此外，在包括在发光元件I中的三个发光元件10是发光元件10R、IOG和IOB的情况下，优选地所有发光元件10具有以上层叠体，但是任意发光元件10可以不具有以上层叠体。例如，在三个发光元件10当中，发出最短波长的光的发光元件IOB可以具有以上层叠体。此外，例如，在三个发光元件10当中，除了发出最长波长的光的发光元件IOR之外的发光元件10 (详细地，发光元件IOG和10B)可以具有以上层叠体。图3A和图3B示出了未安装以上层叠体的发光元件10的横截面构造的示例。此夕卜，在图3A和图3B中，发出最长波长光的发光元件IOR被举例为未安装以上层叠体的发光元件10。如图3A和3B所示，发光元件10例如构造成使得金属层17和第二绝缘层18从以上层叠体去除。此外，在一些情况下，发光元件10可以甚至去除第一绝缘层16和垫电极19,使得整个第一电极14露出。绝缘体20和端子电极31和32如图IA所示,发光单元I包括覆盖每个发光元件10的芯片型绝缘体20和电连接到每个发光元件10的端子电极31和32。端子电极31和32设置在绝缘体20的底表面侧处。绝缘体20至少在每个发光元件10的侧表面处包围和保持每个发光元件10。绝缘体20例如由诸如硅、丙烯醛基、环氧等树脂材料制成。绝缘体20可以部分地包括诸如聚酰亚胺等其他材料。绝缘体20形成为接触每个发光元件10的侧表面和每个发光元件10的表面当中未形成第二电极15的区域。绝缘体20具有在每个发光元件10的阵列方向延伸的细长形状(例如，长方形形状)。绝缘体20的高度大于每个发光元件10的高度，并且绝缘体20的横向宽度(短边方向的宽度)比每个发光元件10的宽度更宽。绝缘体20的尺寸例如是Imm或者更小。绝缘体20具有薄膜形状。当发光单元I被转写使得发光元件I不躺着时，绝缘层20的纵横比(最大高度/最大横向宽度)减小，以成为例如1/5或者更小。
如图IA和IB所示，绝缘体20例如在与每个发光元件10的正上方一侧对应的位置处具有开口 20A。在每个开口 20A的底表面处，露出至少第二电极15 (在图IA和图IB中未示出)。此外，如图IA和IB所示,绝缘体20例如在与每个发光元件10的正下方一侧对应的位置处具有开口 20B。在每个开口 20B的底部表面，露出至少垫电极19 (在一些情况下，第一电极14)(在图IA和图IB中未示出)。
垫电极19(或者第一电极14)通过预定的导电构件(例如，焊料和电镀金属)连接到端子电极31。同时，第二电极15通过图IA所示的凸块33和连接部分34而连接到端子电极32。凸块33是埋在绝缘体20中的柱状导电构件，并且连接部分34是形成在绝缘体20的表面上的带状导电构件。此外，第二电极15可以通过除凸块33和连接部分34之外的导电构件而连接到端子电极32。端子电极31和32构造成主要包括例如Cu(铜)。端子电极31和32的表面的一部分可以涂覆有不容易氧化的材料，诸如Au(金)。效果接着，将描述此实施例的发光单元I的效果。在此实施例中，上述层叠体安装在三个发光元件10当中发出最短波长的光的发光元件IOB处。这样做，在从安装了上述层叠体的发光元件10中的活性层12产生的光当中，朝着层叠表面的内侧传播的光可以被安装在发光兀件10的侧表面处的金属层17反射，并妨碍向相邻发光元件10入射的光。结果，可以降低由在发光单元I的绝缘体20中传播的光引起的不良影响(例如，不具有对蓝光耐光性的树脂的恶化)。此外，在上述层叠体安装到三个发光元件10当中至少两个发光元件IOB和IOG的情况下，由从发光元件IOB或者发光元件IOG产生的光引起的发光元件IOR的激励也受到妨碍。因而，会降低色温的变化或者色再现的范围。具体地，在第一绝缘体16和金属层17覆盖至少发光元件10的整个侧表面SI的情况下，在从活性层12产生的光当中，不仅朝着层叠表面的内侧传播的光可以被反射到金属层17，而且在倾斜方向传播的光也可以被反射到金属层17。结果，可以很大地降低在发光单元I的绝缘体20中传播的光引起的不良影响。此夕卜，由于安装在侧表面SI处的金属层17从第一电极14和第二电极15电分离，故第一电极14和第二电极15通过金属层17而短路的可能性几乎没有。由于此原因，安装在侧表面SI处的金属层17对发光元件10的耐压性的不良影响也几乎没有。然而，在此实施例中，为了避免第一电极14和金属层17短路,在金属层17和第一电极14之间出现间隙(间隔)。然而，由于第一绝缘层16和金属层17形成为从半导体层的与侧表面SI相对的区域到达与第一电极14相对的区域，故第一电极14的一部分和金属层17的一部分在第一绝缘层16置于之间的情况下彼此重叠。由于此原因，来自活性层12的光不直接通过第一电极14和金属层17之间的间隙(间隔)而泄露到绝缘体20。这样做，可以在不对发光元件10的耐压性产生不良影响的情况下降低由在发光单元I的绝缘体中传播的光引起的不良影响。此外，在此实施例中，第二绝缘层18形成为从第一绝缘层16的露出表面16A到达金属层17的表面，并且此外，垫电极19形成为从第一电极14的露出表面14A到达第一绝缘层16的表面和第二绝缘层18的表面。这样做，由于金属层17的一部分和垫电极19的一部分在第二绝缘层18置于之间的情况下而彼此重叠，来自活性层12的光通过第一电极14与金属层17之间的间隙(间隔)和金属层17与垫电极19之间的间隙(间隔)而泄露到绝缘体20外的可能性几乎没有。结果，可以更可靠地防止金属层17与第一电极14(或者，垫电极19)之间的短路，并进一步降低由在发光单元I的绝缘体20中传播的光引起的不良影响。2.第二实施例构造 接着，将描述根据本发明第二实施例的发光单元2。图4A是示出发光单元2的一般构造的示例的立体视图。图4B示出图4A的发光单元2沿着箭头方向IVB-IVB的横截面构造的示例。类似于前面实施例的发光单元1，发光单元2会非常适合地应用为作为所谓LED显示器的显示装置的显示像素，并且是被薄的树脂包围的多个发光元件的小封装。发光元件40如图4A所示，发光单元2具有三个发光元件40。每个发光元件40是从其表面发出预定波长范围的光的固体发光元件，并且具体地是LED芯片。LED芯片表示通过切割已经生成晶体的晶片而获得的芯片，并且不是由模制树脂等包围的封装类型。LED芯片由于其具有例如5 μ m以上和IOOmm以下的尺寸而被称为微LED。LED芯片的平面形状例如大致正方形。LED芯片具有薄膜形状，并且LED芯片的纵横比(高度/宽度)例如等于或者大于O. I并小于I。每个发光元件10设置在发光单元2中，并且例如，如图4A所示，在与其他发光元件40之间具有预定间隙(间隔)的状态下按列设置在一起。此时，发光单元2例如具有在发光元件40的阵列方向上延伸的细长形状。两个相邻发光元件40之间的间隙例如等于或者大于每个发光元件10的尺寸。此外，在一些情况下，间隙可以小于每个发光元件40的尺寸。发光元件40分别构造成发出不同波长范围的光。例如，如图4A所示，三个发光元件40由发出绿色波段的光的发光兀件40G、发出红色波段的光的发光兀件40R和发光兀件40B组成。例如，在发光单元2具有在发光元件40的阵列方向延伸的细长形状的情况下，发光元件40G例如设置在发光元件2的短边侧附近，并且发光元件40B例如设置在发光单元2中非发光元件40G附近的短边侧的短边侧附近。发光元件40R例如设置在发光元件40G和发光元件40B之间。此外，发光元件40R、40G和40B的位置分别不受以上限制，而是以下，其他部件的位置关系可以假定发光元件40R、40G和40B设置在以上位置处来描述。如图5A所示，例如，每个发光元件40具有第一导电层41、活性层42和第二导电层43依次层叠的半导体层。图5A示出当发光元件40沿着与图4A的线IVB-IVB垂直的方向切割时横截面构造的示例。在发光元件40G和40B中，第一导电层41、活性层42和第二导电层43例如由氮化铟镓基半导体材料制成。同时，在发光元件40R中，第一导电层41、活性层42和第二导电层43例如由磷化铝镓铟基半导体材料制成。在每个发光元件40的半导体层中，第二导电层43的一部分和包括活性层42和第一导电层41的部分变成柱状台部40-1。在半导体层中，在台部40-1的底部一侧，露出第二导电层43的平坦表面扩展，并且第二电极45形成在平坦表面的一部分处。第二电极45是金属电极。对于发光兀件40G和40B,第二电极45例如由Ti/Pt/Au制成。对于发光兀件40R，第二电极45例如由AuGe/Ni/Au制成。第二电极45接触第二导电层43，并电连接到第二导电层43。换言之，第二电极45与第二导电层43欧姆接触。此外，第二导电层43的表面(即，半导体的与台部40-1相对的表面)变成发光表面S4，使得不安装诸如电极的遮光结构。在台部40-1的表面(即，第一导电层41的表面)处,安装第一电极44。第一电极44是金属电极。对于发光兀件40G和40B,第一电极44例如由Ti/Pt/Au制成。对于发光兀件40R,第一电极44例如由AuGe/Ni/Au制成。第一电极44接触第一导电层41,并电连接到第一导电层41。换言之，第一电极44与第一导电层41欧姆接触。第一电极44和第二电极45可以一起构造为单个电极，或者可以构造为多个电极。此外，以下，如图5A所示，假定第一电极44和第二电极45 —起作为单个电极。第一电极44和第二电极45可以构造成包括例如诸如Ag、Al等的具有高反射性的金属材料。
如图5A所示，台部40-1的侧表面例如是与层叠方向交叉的倾斜表面，详细地是台部40-1的横截面具有倒梯形的倾斜表面。如上所述，由于侧表面S3具有渐缩形状，可以改善向前方向的发光效率。此外，如图5B所不,侧表面S3例如可以与层叠方向垂直的垂直表面。如图5A和5B所不,每个发光单兀40例如具有由第一绝缘层46、金属层47和第二绝缘层48组成的层叠体。层叠体是形成为从台部40-1的侧表面S3到达表面的层。第一绝缘层46、金属层47和第二绝缘层48分别是例如通过诸如CVD、沉积、溅射等薄膜形成处理而形成的薄层。换言之，第一绝缘层46、金属层47和第二绝缘层48不是通过诸如旋转涂覆、树脂模制、封装等的厚膜形成处理而形成。第一绝缘层46、金属层47和第二绝缘层48至少覆盖整个侧表面S3以形成为从与侧表面S3相对的区域到达与第一电极44相对的区域的一部分。第一绝缘层46是用于金属层47和半导体层之间的电绝缘。在侧表面S3当中，第一绝缘层46形成为从台部40-1的底部一侧的端部到达第一电极44的表面的外周。换言之，第一绝缘层46形成为接触整个侧表面S3，并进一步形成为接触第一电极44的表面的外周。第一绝缘层46由对从活性层42产生的光透明的材料制成，例如，Si02、SiN、A1203、TiO2, TiN等。第一绝缘层46例如具有大致均一的约O. I μ m到I μ m的厚度。此外，第一绝缘层46可以具有由于制造误差而引起的不均一的厚度。金属层47用于覆盖或者反射从活性层42产生的光。金属层47形成为接触第一绝缘层46的表面。金属层47从第一绝缘层46的表面在发光表面S4 —侧的端部形成到从第一绝缘层46的表面在第一电极44 一侧的端部略后退的地方。换言之，第一绝缘层46在与第一电极44相对的部分处具有未被金属层47覆盖的露出表面46A。金属层47在发光表面S4 —侧处的端部形成在与第一绝缘层46的在发光表面S4一侧的端部。同时，金属层47在第一电极44 一侧的端部形成在与第一电极44相对的区域处，以在第一绝缘层46置于之间情况下与金属层47局部重叠。换言之，金属层47通过第一绝缘层46而从半导体层、第一电极44和第二电极45绝缘(电分离)。在金属层47的第一电极44 一侧的端部和第一电极44之间，出现与第一绝缘层46一样厚的间隙(间隔)。然而，由于金属层47的在第一电极44 一侧的端部与第一电极44彼此重叠，间隙(间隔)不会在层叠的方向(即，厚度方向)上可视地识别。此外，第一绝缘层46的厚度最多几μπι。因而，从活性层42产生的光基本上不通过间隙(间隔)直接发射到外部。
金属层47由覆盖或者反射从活性层42产生的光的材料制成，例如，Ti、Al、Cu、Au、Ni或者它们的合金。金属层47具有例如基本均一的约O. I μ m到I μ m的厚度。此外，金属层47可以具有由于制造误差而引起的不均一的厚度。第二绝缘层48用于当发光单元I安装到安装衬底(未示出)时防止将垫电极52和安装衬底彼此接合的导电材料(例如，焊料、板、溅射金属)与金属层47短路。第二绝缘层48形成为接触金属层47的表面和第一绝缘层46的表面(露出表面46A)。第二绝缘层48形成在金属层47的整个表面上，并形成在第一绝缘层46的露出表面46A的全部或者一部分上。换言之，第二绝缘层48从第一绝缘层46的露出表面46A到达金属层47的表面而形成，使得金属层47被第一绝缘层46和第二绝缘层48覆盖。第二绝缘层48例如由Si02、SiN、A1203、TiO2, TiN等制成。此外，第二绝缘层48可以由以上材料当中的多个材料制成。第二绝缘层48例如具有大致均一的约O. I μ m到I μ m的厚度。此外，第二绝缘层48可以具有由于制造误差而引起的不均一的厚度。 每个发光元件40还包括覆盖台部40-1的埋入层49、形成在埋入层49中的凸块50和51和形成在埋入层49上的垫电极52和53。凸块50电连接到第一电极44，使得凸块50的表面例如形成在与埋入层49的表面相同的表面上。凸块51电连接到第二电极45，使得凸块51的表面形成在与埋入层49的表面相同的表面中。垫电极52接触凸块50以通过凸块50电连接到第一电极44。垫电极53接触凸块51以通过凸块51电连接到第二电极45。凸块50和51和垫电极52和53通过埋入层49和第二绝缘层48而从金属层47电分离。埋入层49例如由诸如硅、丙烯醛基、环氧等的树脂材料或者诸如Si02、SiN、Al203、Ti02、TiN等的无机材料制成。此外，如果需要可以除去埋入层49。凸块50和51可以例如由诸如铜、焊料等的金属材料制成。此外,如果需要可以除去凸块50和51。垫电极52和53可以例如由诸如Ti、Al、Cu、Ni或者它们的合金等的金属材料制成。此外，垫电极52和53可以是以上材料当中多个材料。垫电极52是从第一电极14引出的电极(S卩，引出电极)。垫电极52至少形成在与第一电极44相対的区域处，并且详细地，形成在包括与第一电极44相対的区域和金属层47的与第一电极44 一侧的端部相対的区域的区域处。換言之，垫电极52的一部分在埋入层49和第二绝缘层48置于其间的情况下与金属层47的一部分重叠。在垫电极52的端部和金属层47之间，出现与埋入层49和第二绝缘层48的厚度一祥厚的间隙(间隔)。然而，由于垫电极52的端部和金属层47的在第一电极44 ー侧的端部彼此重叠，间隙(间隔)在层叠方向上(即，在厚度的方向上)不会被视觉地识别。此夕卜，垫电极52的端部和金属层47之间的距离(即，埋入层49和第二绝缘层48的厚度)仅仅最多几μ m。此外，由于第一电极44的端部、金属层47在第一电极44 一侧的端部和垫电极52的端部彼此重叠，从活性层42通过第一绝缘层46、第二绝缘层48和埋入层49而与外部连通的通道以S形状弯曲。換言之，从活性层42产生的光会通过的通道以S形状弯曲。从以上，用于对金属层47进行绝缘的第一绝缘层46、第二绝缘层48和埋入层49可以是从活性层42与外部连通的通道，但是此通道可以识别为构造成使得从活性层42产生的光可以基本上不泄露出去，因为其极其窄并具有S形状。此外，从防止从活性层42产生的光直接入射在另ー发光元件40上的观点看，如果金属层47形成在第一绝缘层46的表面上以接触至少活性层42的与露出表面相対的表面，金属层47可以不覆盖活性层42的非露出表面的部分。此时，如果第一绝缘层形成在半导体层的表面上以覆盖至少活性层42的露出表面，则第一绝缘层46可以不覆盖整个侧表面S3。此外，如果金属层47不覆盖侧表面S3中至少相邻发光元件40 —侧的表面，金属层47可以不整个侧表面S3。此时，如果第一绝缘层46不覆盖侧表面S3中至少相邻发光元件40ー侧的面，则第一绝缘层46不会覆盖整个侧表面S3。此外，在包括在发光元件2中的三个发光元件40是发光元件40R、40G和40B的情况下，优选地所有发光元件40具有以上层叠体，但是任意发光元件40可以不具有以上层叠体。例如，在三个发光元件40当中，发出最短波长的光的发光元件40B可以具有以上层叠体。此外，例如，在三个发光元件40当中，发光元件40R由于其发出最长波长的光而可以具有以上层叠体。图6A和图6B示出了未安装以上层叠体的发光元件40的横截面构造的示例。此夕卜，在图6A和图6B中，除了发出最长波长光的发光元件40R之外的发光元件40 (详细地，发光兀件40G和发光兀件40B)被举例为未安装以上层叠体的发光兀件40。如图6A和6B所示，发光元件40例如构造成使得金属层47和第二绝缘层48从以上层叠体去除。 绝缘体50和端子电极61和62如图4A所示,发光单元2包括覆盖姆个发光元件40的芯片型绝缘体50和电连接到每个发光元件40的端子电极61和62。端子电极61和62设置在绝缘体50的底表面侧处。绝缘体50至少在姆个发光元件40的侧表面处包围和保持姆个发光元件40。绝缘体50例如由诸如硅、丙烯醛基、环氧等树脂材料制成。绝缘体50可以部分地包括诸如聚酰亚胺等其他材料。绝缘体50形成为接触每个发光元件40的侧表面和每个发光元件40的表面。绝缘体50具有在每个发光元件40的阵列方向延伸的细长形状(例如，长方形形状)。绝缘体50的高度大于每个发光元件40的高度，并且绝缘体50的横向宽度(短边方向的宽度)比每个发光元件40的宽度更宽。绝缘体50的尺寸例如是Imm或者更小。绝缘体50具有薄膜形状。当发光单元2被转写使得发光元件2不躺着吋，绝缘体50的纵横比(最大高度/最大横向宽度)减小，以成为例如1/5或者更小。如图4A和4B所示,绝缘体50例如在与姆个发光元件40的正上方一侧对应的位置处具有开ロ 50A。在每个开ロ 50A的底表面处，露出至少垫电极52(在图4A和图4B中未示出)。垫电极52通过预定的导电构件(例如，焊料和电镀金属)连接到端子电极61。同吋，垫电极53通过预定的导电构件(例如，焊料和电镀金属)连接到端子电极62。端子电极61和62构造成主要包括例如Cu (铜)。端子电极61和62的表面的一部分可以涂覆有不容易氧化的材料，诸如Au (金)。效果接着，将描述此实施例的发光单元2的效果。在此实施例中，上述层叠体安装在三个发光元件40当中发出最短波长的光的发光元件40B处。这样做，在从安装了上述层叠体的发光元件40中的活性层42产生的光当中，朝着层叠表面的内侧传播的光可以被安装在发光兀件40的侧表面处的金属层47反射，并妨碍向相邻发光元件40入射的光。结果，可以降低由在发光单元2的绝缘体50中传播的光引起的不良影响(例如，不具有对蓝光耐光性的树脂的恶化)。此外，在上述层叠体安装到三个发光元件40当中至少两个发光元件40B和40G的情况下，由从发光元件40B或者发光元件40G产生的光引起的发光元件40R的激励也受到妨碍。因而，会降低色温的变化或者色再现的范围。具体地，在第一绝缘体46和金属层47覆盖至少台部40_1的整个侧表面S3的情况下，在从活性层42产生的光当中，不仅朝着层叠表面的内侧传播的光可以被反射到金属层47，而且在倾斜方向传播的光可以被反射到金属层47。结果，可以很大地降低在发光单元2的绝缘体50中传播的光引起的不良影响。然而，由于安装在侧表面S3处的金属层47从第一电极44和第二电极45电分离，第一电极44和第二电极45通过金属层47而短路的可能性几乎没有。由于此原因，安装在侧表面S3处的金属层47对发光元件40的耐压性的不良影响也几乎没有。

然而，在此实施例中，为了避免第一电极44和金属层47短路,在金属层47和第一电极44之间出现间隙(间隔)。然而，由于第一绝缘层46和金属层47形成为从台部40-1的与侧表面S3相対的区域到达与第一电极44相対的区域，第一电极44的一部分和金属层47的一部分在第一绝缘层46置于之间的情况下彼此重叠。由于此原因，来自活性层42的光不直接通过第一电极44和金属层47之间的间隙(间隔)而泄露到绝缘体50。这样做，可以在不对发光元件40的耐压性产生不良影响的情况下降低由在发光单元2的绝缘体中传播的光引起的不良影响。此外，在此实施例中，第二绝缘层48形成为从第一绝缘层46的露出表面46A到达金属层47的表面,并且此外,垫电极52形成在包括与第一电极44相对的区域和金属层4的在第一电极44 一侧的端部的区域处。这样做，由于金属层47的一部分和垫电极52的一部分在第二绝缘层48和埋入层49置于之间的情况下而彼此重叠，来自活性层42的光通过第一电极44与金属层47之间的间隙(间隔)和金属层47与垫电极52之间的间隙(间隔)而泄露到绝缘体50的可能性几乎没有。结果，可以更可靠地防止金属层47和第一电极44 (或者，垫电极52)之间的短路，并进一歩降低由在发光单元2的绝缘体50中传播的光引起的不良影响。第二实施例的修改在第二实施例中，第一绝缘层46、金属层47和第二绝缘层48主要形成在台部40-1的侧表面S3处，没有安装在发光元件40的整个侧表面处，但是其还可以安装在发光元件40的整个侧表面处。例如，如图7A和图7B所示，第一绝缘层46、金属层47和第二绝缘层48的端部可以在发光兀件40的侧表面的中心处从发光表面S4 一侧的端部到达第一电极44的表面的外周而形成。在第二实施例中，安装覆盖台部40-1的埋入层49，但是可以去除埋入层。例如，如图7A和图7B所示，可以去除埋入层49和凸块50和51，使得垫电极52直接接触第一电极44，并且垫电极53直接接触第二电极45。3.第三实施例构造接着，将描述根据本发明第三实施例的显示装置3。显示装置3包括根据以上实施例的发光单元I或者发光单元2作为显示像素。图8是示出显示装置3的一般构造的示例的立体视图。显示装置3是所谓的LED显示器，并且LED用作显示像素。如图8所示，显示装置3例如包括显示面板310和用于驱动显示面板310的驱动电路(未示出)。显示面板310显示面板310构造成使得安装衬底320和透明衬底330交替放置。透明衬底330的表面变成图像显示表面以在中心部分具有显示区域3A并在其周围具有作为非显示区域的框区域3B。安装衬底320
图9示出安装衬底320在透明衬底330—侧的表面中与显示区域3A对应的区域的布局的示例。在安装衬底320的表面中与显示区域3A对应的区域中，例如，如图9所示，多个数据布线321形成为在预定的方向上延伸，并以预定的节距平行布置。还例如，在安装衬底320的表面中与显示区域3A对应的区域中，多个扫描布线322形成为在与数据布线321相交(例如，垂直)的方向延伸，并以预定的节距平行布置。数据布线321和扫描布线322例如由诸如铜(Cu)等的导电材料制成。扫描布线322例如形成在最外层，例如形成在形成于衬底表面上的绝缘层(未示出)上。此外,安装衬底320的基体材料例如由玻璃衬底、树脂衬底等形成，并且衬底上的绝缘例如由SiN、SiO2或者Al2O3制成。同时，数据布线321形成在除了包括扫描布线322的最外层之外的层(例如，最外层下方的层)中，并且例如，形成在衬底上的绝缘层中。在绝缘层的表面上，除了扫描布线322之外，例如，按照需要安装块。块用于增强对比度，并由吸光材料制成。例如，块形成在绝缘层的表面中未形成后述的垫电极321B和322B的区域处。此外,如果需要可以去除块。数据布线321和扫描布线322的相交部分的附近变成显示像素323，并且多个显示像素323以矩阵的形状设置在显示区域3A中。在每个显示像素323处，安装包括多个发光元件40的发光单元I或者包括多个发光元件40的发光单元2。此外，图9示例性地示出单个显示像素323构造有三个发光元件10R、IOG和IOB或者三个发光元件40R、40G和40B的情况，使得分别地，发光元件IOR或者发光元件40R输出红色的光，发光元件IOG或者发光兀件40G输出绿色的光,并且发光兀件IOB或者发光兀件40B输出蓝色的光。在发光单元I和2处，ー对端子电极31和32或者ー对端子电极61和62安装到发光元件10RU0G和IOB或者发光元件40R、40G和40B的每个。此外，ー个端子电极31或者端子电极61电连接到数据布线321，并且其他端子电极32或者端子电极62电连接到扫描布线322。例如，端子电极31或者端子电极61电连接到分支321A的前端的垫电极321B，该分支321A安装在数据布线321处。此外，例如，端子电极32或者端子电极62电连接到安装在扫描布线322处的分支322A的前端的垫电极322B。每个垫电极321B和322B例如形成在最外层处，并且例如，如图9所示，安装在安装每个发光单元1、2的部分处。此处，垫电极321B和322B例如由诸如Au(金)的导电材料制成。在安装衬底320处，还例如安装用于调节安装衬底320和透明衬底330之间的间隙的多个支撑件(未示出)。支撑件可以安装在与显示区域3A相対的区域内，并且可以安装在与框区域3B相対的区域内。透明衬底330透明衬底330例如由玻璃衬底、树脂衬底等制成。透明衬底330在发光单元1、2ー侧的表面可以平坦的，但是优选地是粗糙的表面。粗糙表面可以跨越与显示区域3A相对的整个区域而安装，或者可以仅仅安装在与显示像素323相対的区域中。粗糙表面具有精细到当从发光元件IORUOG和IOB或者发光元件40R、40G和40B入射到相应的粗糙表面时使入射光散射的不平度。粗糙表面的不平度例如可以通过喷砂、干法蚀刻等制造。驱动电路驱动电路基于图像信号驱动每个显示像素323 (每个发光単元1、2)。驱动电路例如包括用于驱动连接到显示像素323的数据布线321的数据驱动器和用于驱动连接到显示像素323的扫描布线322的扫描驱动器。驱动电路例如可以安装在安装衬底320上，或者可以从显示面板310独立地安装，并通过布线(未示出)连接到安装衬底320。显示装置3的操作和效果在此实施例中，发光单元1、2通过设置成简单矩阵图案的数据布线321和扫描布线322而由驱动电路驱动(简单矩阵驱动)。这样做，电流依次供应到安装在数据布线321 和扫描布线322相交部分附近的发光单元1、2，使得图像显示在显示区域3A上。然而，在此实施例中，发光单元1、2用作显示像素323。这样做，可以降低在发光単元I的绝缘体20、50中传播的光引起的不良影响(例如，不具有对蓝色光耐光性的树脂的恶化)，或者可以防止由从发光元件10B、40B产生的光引起的发光元件10R、40R的激励。结果，可以减小色温的变化或者色再现范围的降低，因而，可以减小图像品质的老化。此外，在此实施例中，在透明衬底330的表面是粗糙表面的情况下，从发光单元I、2沿着倾斜方向产生的光被粗糙表面部分地散射。这样做，散射的光部分地通过透明衬底330而发射出，因而可以抑制从发光単元1、2沿着倾斜方向产生的光反射在透明衬底330的后表面上或者被限制在透明衬底330中以产生杂散光的光。因而，可以抑制由透明衬底330引起的发光效果的恶化。至此，已经基于多个实施例和它们的修改而描述本发明，但是本发明不限于这些实施例，而是可以以各种方式进行修改。例如，即使在以上实施例中发光单元1、2具有三个发光元件10、40，它可以仅仅包括两个发光元件10或者四个以上的发光元件10、40。本发明包含与2011年3月I日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2011-043710中公开的主题有关的主题，其全部内容通过引用而包含于此。本领域的技术人员应该理解到，取决于设计要求和其他因素可以进行各种修改、组合、子组合和替换，只要它们在权利要求或者等同的范围内。
权利要求
1.一种发光单兀，其包括多种具有不同发光波长的发光兀件，其中，在所述多种发光兀件中，至少一种发光元件包括 半导体层，其通过层叠第一导电层、活性层和第二导电层而构造，并具有暴露出所述第一导电层、所述活性层和所述第二导电层的侧表面； 第一电极，其电连接到所述第一导电层； 第二电极，其电连接到所述第二导电层； 第一绝缘层，其接触所述半导体层的所述表面中的至少所述活性层的露出表面；以及金属层，其接触所述第一绝缘层的表面中至少与所述活性层的露出表面相对的表面，并与所述第一电极和所述第二电极电分离。
2.根据权利要求I所述的发光单元， 其中，所述第一绝缘层和所述金属层至少覆盖整个所述侧表面。
3.根据权利要求2所述的发光单元，其中，所述第一绝缘层通过CVD(化学气相沉积)、沉积或者溅射形成。
4.根据权利要求I所述的发光单元， 其中，所述第一电极是在所述第一导电层的表面中的与所述活性层相反一侧的表面上出现的并形成为与该表面接触的金属电极，并且 其中，所述第一绝缘层和所述金属层形成为从与所述侧表面相对的区域到达与所述第一电极相对的区域。
5.根据权利要求4所述的发光单元， 其中，在所述第一绝缘层的与所述第一电极相对的区域中形成的部分的表面的一部分变成未被所述金属层覆盖的露出表面，并且 其中，在所述多种发光元件当中，包括所述第一绝缘层和所述金属层的发光元件具有第二绝缘层，所述第二绝缘层形成为从所述第一绝缘层的露出表面到达所述金属层的表面。
6.根据权利要求5所述的发光单元， 其中，所述第一电极具有未被所述第一绝缘层和所述金属层覆盖的露出表面，并且其中，在所述多种发光元件当中，包括所述第一绝缘层和所述金属层的所述发光元件具有垫电极，所述垫电极形成为从所述第一电极的露出表面到达所述第一绝缘层的表面和所述第二绝缘层的表面。
7.根据权利要求5所述的发光单元， 其中，所述第一电极具有未被所述第一绝缘层和所述金属层覆盖的露出表面，并且其中，在所述多种发光元件当中，包括所述第一绝缘层和所述金属层的所述发光元件具有垫电极，所述垫电极电连接到所述第一电极的露出表面，并形成在与所述第一电极相对的区域和与所述金属层的一部分相对的区域处。
8.根据权利要求I所述的发光单元， 其中，所述多种发光元件包括发出蓝光的发光元件、发出绿光的发光元件和发出红光的发光元件，并且 其中，在这三种发光元件中，至少所述发出蓝光的发光元件和所述发出绿光的发光元件具有所述半导体层、所述第一电极、所述第二电极、所述第一绝缘层和所述金属层。
9.根据权利要求I所述的发光单元，还包括用于通过相同构件包围每个发光元件的绝缘体。
10.一种显示装置，其包括 显示面板，其具有多个发光单元；以及 驱动电路，其用于基于图像信号驱动每个发光单元， 其中，每个发光单元具有多种发光元件，所述发光元件具有不同的发光波长，并且 其中，在所述多种发光元件当中，至少一种发光元件包括 半导体层，其通过层叠第一导电层、活性层和第二导电层而构造，并具有暴露出所述第一导电层、所述活性层和所述第二导电层的侧表面； 第一电极，其电连接到所述第一导电层； 第二电极，其电连接到所述第二导电层； 第一绝缘层，其接触所述半导体层的表面中的至少所述活性层的露出表面；以及金属层，其接触所述第一绝缘层的表面中至少与所述活性层的露出表面相对的表面，并与所述第一电极和所述第二电极电分离。
全文摘要
本发明公开一种发光单元和显示装置。发光单元包括多种具有不同发光波长的发光元件，其中，在多种发光元件中，至少一种发光元件包括半导体层，其通过层叠第一导电层、活性层和第二导电层而构造，并具有暴露出第一导电层、活性层和第二导电层的侧表面；第一电极，其电连接到第一导电层；第二电极，其电连接到第二导电层；第一绝缘层，其接触半导体层的表面中的至少活性层的露出表面；以及金属层，其接触第一绝缘层的表面中至少与活性层的露出表面相对的表面，并与第一电极和第二电极电分离。
文档编号H01L33/38GK102655197SQ201210045868
公开日2012年9月5日 申请日期2012年2月23日 优先权日2011年3月1日
发明者友田胜宽, 平尾直树, 琵琶刚志 申请人:索尼公司