专利名称：显示衬底、制造显示衬底的方法以及具有显示衬底的液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明的实施方式涉及具有改进布线结构的显示衬底、制造具有改进布线结构的显示衬底的方法和具有包括改进布线结构的显示衬底的液晶显示装置。
背景技术：
液晶显示装置可包括包括像素电极的薄膜晶体管阵列衬底、包括公共电极的滤色器衬底、以及设置于二者之间的液晶层。根据液晶层中的液晶分子的定向通过改变像素电极与公共电极之间所产生的电场来控制光的透射，液晶显示装置可显示图像。最近，为了增加侧面可视性，已经开发出具有构图竖直对准(PVA,patterned vertical alignment)模式或平面转换(IPS, in-plane switching)模式的液晶显示装置。然而，具有PVA模式的液晶显示装置会具有某些缺点，诸如残像问题或增强侧面可视性的限制。具有IPS模式的液晶显示装置会具有诸如低亮度的缺点。考虑到上述问题，例如，如第10-2010-0103010号韩国专利申请中所公开，已经开发出具有面线转换(PLS,plane to line switching)模式的液晶显示装置来增加侧面可视性和亮度。具有传统PLS模式的液晶显示装置在数据线与公共电极之间可包括较厚有机绝缘层，从而能够减小栅极信号与数据信号之间的不良耦合电容，以实现稳定的像素充电。然而，在具有传统PLS模式的液晶显示装置中，在约400°C的相对较高温度下进行的后续处理期间，有机绝缘层会被破坏，使得公共电极与数据线之间会出现耦合电容并且需要附加接触部来将像素电极连接至薄膜晶体管。
发明内容
一些实施方式提供了显示衬底，该显示衬底通过改进的布线结构(诸如栅极线、数据线和电极)防止或减小数据线与公共电极之间的耦合电容，从而防止信号延迟并增加孔径比。—些实施方式提供了制造显示衬底的方法，该显示衬底通过改进的布线结构防止或减小数据线与公共电极之间的耦合电容，从而防止信号延迟并增加孔径比。一些实施方式提供了液晶显示装置，该液晶显示装置包括显示衬底，该显示衬底通过改进的布线结构可防止或减小数据线与公共电极之间的耦合电容，从而防止信号延迟并增加孔径比。根据一个方面，提供了一种显示衬底，包括衬底；开关装置，设置在所述衬底上，所述开关装置包括有源图案，包括第一杂质区域、沟道区域和第二杂质区域，栅极绝缘层，栅电极，源电极，以及漏电极；栅极线，电连接至所述源电极；数据线，电连接至所述栅电极；像素电极，电耦合至所述漏电极；以及多个公共电极，设置在所述像素电极之上。所述栅极绝缘层可覆盖所述有源图案，所述栅极线位于所述栅极绝缘层上。该显示装置还可包括设置在所述栅极绝缘层上的绝缘层，其中所述绝缘层被配置为覆盖所述栅极线和所述栅电极。所述源电极可在所述绝缘层上从所述第一杂质区域延伸至所述栅极线。所述源电极的第一部分可电连接至所述第一杂质区域，所述源电极的第二部分可电耦合至所述栅极线。 所述源电极的所述第一部分可穿过所述绝缘层和所述栅极绝缘层，以接触设置在所述第一杂质区域上的第一接触部，所述源电极的所述第二部分可穿过所述绝缘层，以接触位于所述栅极线上的第二接触部。所述源电极可与所述第一接触部和所述第二接触部一体形成。所述漏电极的第一部分可与所述第二杂质区域电接触，所述漏电极的第二部分可在所述绝缘层上延伸，所述像素电极可与所述漏电极的第二部分电接触。所述漏电极可穿过所述绝缘层和所述栅极绝缘层，以接触设置在所述第二杂质区域上的第三接触部。所述数据线可穿过所述绝缘层，以接触设置在所述栅电极上的第四接触部。所述数据线可与所述第四接触部一体形成。所述开关装置可设置在所述显示衬底的像素区域的中央部分中，所述数据线可与所述像素区域的所述中央部分相邻设置。所述开关装置可设置在相邻像素区域的外围部分，所述数据线可设置在相邻像素区域之间。所述公共电极包括可多个第一公共电极和多个第二公共电极，所述第一公共电极和所述第二公共电极以所述开关装置为中心彼此间隔开。所述第一公共电极与所述第二公共电极之间的距离可大于相邻的第一公共电极或相邻的第二公共电极之间的距离。根据另一方面，提供了制造显示衬底的方法。在该方法中，可在衬底上形成有源图案，所述有源图案包括第一杂质区域、沟道区域和第二杂质区域。可在所述衬底上形成栅极绝缘层了，以覆盖所述有源图案。可在所述栅极绝缘层上形成栅极线和栅电极。可在所述栅极绝缘层上形成第一绝缘层，以覆盖所述栅极线和所述栅电极。可在所述第一绝缘层上形成源电极、数据线和漏电极，所述源电极电连接至所述栅极线，所述数据线电连接至所述栅电极，所述漏电极电连接至所述第二杂质区域。可在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，以覆盖所述源电极、所述数据线和所述漏电极。可在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极电连接至所述漏电极。在形成所述源电极、所述数据线和所述漏电极的步骤中，可部分移除所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层，以形成暴露所述第一杂质区域的第一接触孔、暴露所述栅极线的第二接触孔、暴露所述第二杂质区域的第三接触孔、以及暴露所述栅电极的第四接触孔。可在所述第一绝缘层上形成第一传导层，以填充所述第一接触孔、所述第二接触孔、所述第三接触孔和所述第四接触孔。可对所述第一传导层进行构图，以分别在所述第一接触孔、所述第二接触孔、所述第三接触孔和所述第四接触孔中形成第一接触部、第二接触部、第三接触部和第四接触部，并在所述第一绝缘层上形成所述源电极、所述数据线和所述漏电极。所述源电极、所述第一接触部和所述第二接触部可同时形成，所述漏电极和所述第三接触部可同时形成，所述数据线和所述第四接触部可同时形成。形成所述有源图案的步骤还可包括在所述栅极绝缘层上形成存储电容器的第一电极，并且形成所述栅极线和所述栅电极的步骤还可包括在所述栅极绝缘层上形成所述存储电容器的第二电极。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每一个均可使用硅化合物形成。在形成所述像素电极的步骤中，可部分移除所述第二绝缘层，以形成暴露所述漏电极的第五接触孔。可在所述第二绝缘层上形成第二传导层，以填充所述第五接触孔。可 对所述第二传导层进行构图，以在所述第五接触孔中形成第五接触部并在所述第二绝缘层上形成所述像素电极。可在所述第二绝缘层上形成第三绝缘层，以覆盖所述像素电极。可在所述第三绝缘层上形成多个第一公共电极和多个第二公共电极，所述第一公共电极和所述第二公共电极对应于所述像素电极。根据另一方面，提供了液晶显示装置，包括第一衬底；开关装置，设置在所述第一衬底上，所述开关装置包括有源图案、栅极绝缘层、栅电极、源电极和漏电极，其中所述有源图案包括第一杂质区域、沟道区域和第二杂质区域；栅极线，电连接至所述源电极；数据线，电连接至所述栅电极；像素电极，电连接至所述漏电极；多个公共电极，设置在所述像素电极上；液晶层，设置在所述公共电极上；参照电极，设置在所述液晶层上；以及第二衬底，设置在所述参照电极上。该液晶显示装置还可包括设置在所述栅极绝缘层上的绝缘层，其中所述绝缘层覆盖所述栅极线和所述栅电极。在所述绝缘层上的所述源电极可从所述杂质区域延伸至所述栅极线，所述源电极的第一部分可电连接至所述第一杂质区域，所述源电极的第二部分可电连接至所述栅极线。所述源电极的所述第一部分可穿过所述绝缘层和所述栅极绝缘层，以接触设置在所述第一杂质区域上的第一接触部，所述源电极的所述第二部分可穿过所述绝缘层，以接触位于所述栅极线上的第二接触部，所述数据线可穿过所述绝缘层，以接触位于所述栅电极上的第四接触部。所述开关装置可设置在像素区域的中央部分中或相邻像素区域的外围部分中，所述数据线与所述像素区域的所述中央部分可相邻设置，或设置在相邻像素区域之间。
根据结合附图的以下描述，能够更详细地理解特定实施方式，在附图中图I是示出显示衬底的一个实施方式的平面图；图2是示出显示衬底的一个实施方式的截面图；图3是示出显示衬底的一个实施方式的平面图；图4至7是示出制造显示衬底的方法的一个实施方式的截面图；以及
图8是示出液晶显示装置的一个实施方式的截面图。
具体实施例方式下文中将参照示出某些实施方式的附图更加全面地描述各种实施方式。然而，本发明可以具体化为不同形式，并且不应被解释为受本文所阐明的实施方式的限制。恰恰相反，对本领域技术人员来说，这些实施方式被设置，从而该范围将是彻底和完整的，并且将完全覆盖本发明的范围。在附图中，为了清晰起见可能对层和区域的尺寸以及相对尺寸进行放大。应该理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、或者“连接至”或“耦合至”另一元件或层时，该元件或层可直接在该另一元件或层上、直接连接或耦接至该另一元件或
层，或者可存在中间元件或层。当元件被称为“直接在......上”、“直接连接至”或“直接
耦合至”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。在全文中，相同或相似的参考标号表示 相同或相似元件。本文中所使用的术语“和/或”包括所列举的相关项目中的一个或多个的任意组合和全部组合。应该理解，虽然本文中可以使用术语第一、第二、第三等描述不同元件、组件、区域、层和/或段，但是这些元件、组件、区域、层和/或段不应该受到这些术语的限制。这些术语只是用来将一个元件、组件、区域、层或段与另一区域、层或段区分开。因此，以下讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一段可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二段，而不违背示例性实施方式的教导。本文中可以使用空间上相对的术语，例如“在......之下”、“在.......下方”、
“下方”、“上方”、“上部”等，以便于描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的相对关系。应当理解，空间上相对的术语旨在包含设备在使用或操作时除了附图中所描述的定位之外的不同定位。例如，如果附图中的设备翻转，则被描述成“在其他元件或特征下方”或“在其他元件或特征之下”的元件将被定向成“位于其他元件或特征上方”。因而，示
例性的术语“在......下方”能够包含上方方向和下方方向。设备可以其他方式定向(转
动90度或处于其他方位)，从而相应地解释本文中使用的空间上相对的描述语。本文使用的术语出于描述特定示例性实施方式的目的，而非旨在限制。如本文中所使用的，单数形式的“一个(a或an)”和“该(the) ”也旨在包括复数形式，除非上下文中另有明确说明。还应该理解，当在本文中使用时，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising) ”表示存在所描述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或附加有一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。本文中，特定实施方式参照截面图进行描述，这些截面视图是本发明的理想化的示例性实施方式(以及中间结构)的示意图。同样，例如制造和/或容差所导致的图示形状的差异也是预期的。因此，示例性实施方式不应被解释为对本文所示的区域的特定形状的限制，而是包括例如由于制造而导致的形状的偏离。例如，被示为矩形的注入区域在其边缘处通常将具有圆形或弧形特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区域二元变化。类似地，通过注入而形成的隐埋区可在埋入区与注入发生的表面之间的区域中的产生某些注入。图中所示的因此，图中所示区域实际上是示意性的，而且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，并且不旨在限制本发明的范围。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)与本发明概念所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同。还应该理解，诸如常用字典中所定义的那些术语应该被解释为具有与其相关领域中含义相一致的含义，并且除非本文明确地定义，不能以理想化或过于正规的方式对其进行解释。图I是示出显示衬底的一个实施方式的平面图，图2是示出显示衬底的一个实施方式的截面图。例如，图2所示的显示衬底可以通过在图I中沿线I-II截取显示衬底而获得。参照图I和图2，显示衬底可包括第一衬底100、开关装置、存储电容器、栅极线135、数据线165、多个绝缘层150、170和180、像素电极175、第一和第二公共电极185和190。在某些实施方式中，多个绝缘层150、170和180可包括无机材料，诸如 硅化合物。例如，显示衬底可以不包括有机绝缘层，而传统显示衬底包括至少一个有机绝缘层。第一衬底100可包括透明绝缘材料。例如，第一衬底100可包括玻璃衬底、石英衬底、透明树脂衬底、透明陶瓷衬底等。在第一衬底100上可设置有缓冲层105。缓冲层105可防止金属原子和/或杂质在形成显示衬底的连续处理中从第一衬底100扩散。此外，当衬底100的上表面可能不规则时，缓冲层105可改善衬底100的上表面的平整度。缓冲层105可具有相对较大的厚度。例如，缓冲层105可基于第一衬底100的顶面而具有约1000 A至约3000A的厚度。缓冲层105可包括硅化合物。例如，缓冲层105可包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、硅碳氧化物(SiOxCy)、硅碳氮化物(SiCxNy)、等等。这些硅化合物可单独使用或组合使用。缓冲层105可具有单层结构或包括硅化合物的多层结构。在某些实施方式中，根据第一衬底100的材料和/或第一衬底100的上表面的条件,可不在第一衬底100上设置缓冲层105。第一衬底100或缓冲层105上可设置有开关装置和存储电容器。开关装置可以与存储电容器间隔预定距离。开关装置可包括有源图案110、栅极绝缘层130、栅电极140、源电极155、以及漏电极160。存储电容器可包括第一电极115、栅极绝缘层130、以及第二电极 145。在某些实施方式中，开关装置可设置在显示衬底的像素区域的中央部分中。在这些实施方式中，开关装置可包括薄膜晶体管(TFT)。开关装置的有源图案110可位于第一衬底100或缓冲层105上。存储电容器的第一电极115可设置在第一衬底100或缓冲层105上，其中第一电极115可与有源图案110间隔预定距离。开关装置的有源图案110可包括第一杂质区域118、第二杂质区域120和沟道区域125。有源图案110可包括硅。例如，有源图案110的沟道区域125可包括多晶硅、非晶硅、部分结晶的硅、微晶体硅、等等。第一和第二杂质区域118和120可包括可掺杂有η型杂质或P型杂质的多晶硅、非晶硅、部分结晶的硅、微晶体硅。第一和第二杂质区域118和120可分别对应晶体管的源极区域和漏极区域。存储电容器的第一电极115也可包括硅。例如，该第一电极115可包括多晶硅、非晶硅、部分结晶的硅、微晶体硅、等等。在某些实施方式中，第一电极115可包括与有源图案110的材料基本相同或基本相似的材料。在其它一些实施方式中，第一电极115可包括与有源图案110的材料不同的材料。有源图案110和第一电极115中的每一个均可具有相对较小的厚度。例如，有源图案110和第一电极115中的每一个均可具有约300 A至约700 A的厚度。缓冲层105或第一衬底110上可设置有覆盖有源图案110和第一电极115的栅极绝缘层130。栅极绝缘层130可包括硅化合物、金属氧化物、等等。例如，栅极绝缘层130可包括硅氧化物、铪氧化物(HfOx)、铝氧化物(AlOx)、钛氧化物(TiOx)、锆氧化物(ZrOx)、钽氧化物(TaOx)、等等。这些化合物可单独使用或组合使用。栅极绝缘层130可具有相对较小的厚度。例如，栅极绝缘层130可具有约500 A至约1500 A的厚度。在某些实施方式中，栅极绝缘层130可充分覆盖有源图案110和第一电极115，并且可具有基本水平的表面。在其它一些实施方式中，栅极绝缘层130可具有由有源图案110和/或第一电极115的轮廓所造成的阶梯部。在某些实施方式中，栅极线135可与开关装置的源电极115电连接，并且数据线165可与开关装置的栅电极140电连接。例如，在显示衬底的像素区域中，栅极线135和数据线165可分别耦合至源电极115和栅电极140。此外，在显示衬底的外围区域中，晶体管的栅电极和源电极可分别耦合至栅极线140和数据线165。因此，第一公共电极185、第二公共电极190和数据线165之间的耦合电容可大幅减小，从而防止数据线165的信号延迟。 此外，可修改数据线165和栅极线135的布局以改善显示衬底的孔径比。如图I所示，栅极线135可在栅极绝缘层130上沿着第一方向延伸。在邻近开关装置的显示衬底的像素区域中，栅极线135的中央部分可弯曲预定角度。数据线165可在第一绝缘层150上沿着基本垂直于第一方向的第二方向延伸，其中第一绝缘层150可基本覆盖栅极线135。数据线165可与栅极线135的弯曲部相邻设置。栅极线135可设置在邻近有源图案110的栅极绝缘层130上。数据线165可位于第一绝缘层150上，并且栅电极140可设置在第一绝缘层150下方。栅极绝缘层130上可设置有栅极线135、开关装置的栅电极140和存储电容器的第二电极145。栅极线135和第二电极145可位于栅极绝缘层130上,从而以栅电极140为中心彼此间隔开。栅极线135、栅电极140和第二电极145中的每一个均可具有相对较大的厚度。例如，栅极线135、栅电极140和第二电极145中的每一个均可具有范围从约2000 A至约4000 A的厚度。此外，栅极线135、栅电极140和第二电极145中的每一个均可包括金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物、透明传导材料、等等。例如，栅极线135、栅电极140和第二电极145中的每一个均可包括钥(Mo)、含钥合金、铝(Al)、含铝合金、铝氮化物(AlNx)、银(Ag)、含银合金、钨(W)、钨氮化物(WNx)、铜(Cu)、含铜合金、镍(Ni)、铬(Cr)、铬氮化物(CrNx)、钛(Ti)、钛氮化物(TiNx)、钼(Pt)、钽(Ta)、钽氮化物(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、锶钌氧化物(SRO)、锌氧化物(ZnOx)、铟锡氧化物(ITO)、锡氧化物(SnOx)、铟氧化物(InOx)、镓氧化物(GaOx)、铟锌氧化物(IZO)、等等。这些化合物可单独使用或组合使用。在某些实施方式中，栅极线135、栅电极140和第二电极145可包括基本相同的材料。在其它一些实施方式中，栅极线135、栅电极140和第二电极145可分别包括不同的材料。栅极绝缘层130上可设置有覆盖栅极线135、栅电极140和第二电极145的第一绝缘层150。第一绝缘层150可具有相对较大的厚度。例如，第一绝缘层150可基于栅极绝缘层130的顶面而具有约5000 A至约10000A的厚度。第一绝缘层150可包括硅化合物。例如，第一绝缘层150可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、等等。这些硅化合物可单独使用或组合使用。
在某些实施方式中，第一绝缘层150可具有包括硅氧化物层和硅氮化物层的多层结构。在这些实施方式中，硅氧化物层可具有约IOOOA至约2000A的厚度，硅氮化物层可具有约4000 A至约8000A的厚度。此外，第一绝缘层150可具有基本水平的表面。例如，可通过在第一绝缘层150周围进行平坦化处理而使第一绝缘层150的上表面平坦化。可在第一绝缘层150上设置源电极155、漏电极160和数据线165。源电极155、漏电极160和数据线165中的每一个均可包括金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物、透明传导材料、等等。例如，源电极155、漏电极160和数据线165中的每一个均可包括钥(Mo)、含钥合金、铝(Al)、含铝合金、铝氮化物(AlNx)、银(Ag)、含银合金、钨(W)、钨氮化物(WNx)、铜(Cu)、含铜合金、镍(Ni)、铬(Cr)、铬氮化物(CrNx)、钛(Ti)、钛氮化物(TiNx)、钼(Pt)、钽(Ta)、钽氮化物(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、锶钌氧化物(SRO)、锌氧化物(ZnOx)、铟锡氧化物(ITO)、锡氧化物(SnOx)、铟氧化物(InOx)、镓氧化物(GaOx)、铟锌氧化物(IZO)、等等。这些化合物可单独使用或组合使用。在某些实施方式中，源电极155、漏电极160和数据线165可包括基本相同的材料。在其它一些实施方式中，源电极155、漏电极160和数据线165 可分别包括不同的材料。源电极155、漏电极160和数据线165中的每一个可具有相对较大的厚度。例如，源电极155、漏电极160和数据线165中的每一个均可具有约2000 A至约4000A的厚度。在某些实施方式中，源电极155可从第一绝缘层150的第一部分延伸至第一绝缘层150的第二部分，第一杂质区域118可位于该第一部分下方，栅极线135可位于该第二部分下方。在这些实施方式中，源电极155的第一部分可通过第一接触部电连接至有源图案110的第一杂质区域118，源电极155的第二部分可通过第二接触部电连接至栅极线135。例如，源电极155的第一部分可穿过第一绝缘层150和栅极绝缘层130，从而被设置在位于第一杂质区域118上的第一接触部上。源电极155的第二部分可穿过第一绝缘层150，从而被设置在位于栅极线135上的第二接触部上。在某些实施方式中，源电极155可与第一接触部和第二接触部一体形成。在其它一些实施方式中，源电极155可在不形成第一和第二接触部的情况下直接接触第一杂质区域118和栅极线135。漏电极160的第一部分可通过第三接触部电连接至第二杂质区域120。例如，漏电极160的第一部分可穿过第一绝缘层150和栅极绝缘层130，从而被设置在位于第二杂质区域120上的第三接触部上。在某些实施方式中，漏电极160的第一部分和第三接触部可以一体形成。在其它一些实施方式中，漏电极160的第一部分可在不通过第三接触部的情况下与第二杂质区域120直接接触。漏电极160的第二部分可设置在第一绝缘层150上，以基本沿着向存储电容器的方向延伸。数据线165可通过第四接触部电耦合至开关装置的栅电极140。例如，数据线165可穿过第一绝缘层150，从而被设置在位于栅电极140上的第四接触部上。在某些实施方式中，数据线165可与第四接触部一体形成。在其它一些实施方式中，数据线165可在不通过第四电极的情况下直接接触栅电极140。如上所述，数据线165可沿着基本垂直于第一方向的第二方向延伸。当开关装置被设置于显示衬底的像素区域的中央部分中时，数据线165可与像素区域的中央部分相邻设置以基本横穿像素区域。例如，穿过像素区域的数据线165可与栅极线135的弯曲部相邻设置。第一绝缘层150上可设置有覆盖源电极155、数据线165和漏电极160的第二绝缘层170。第二绝缘层170可包括硅化合物，诸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化、等等。第二绝缘层170可具有相对较大的厚度。例如，第二绝缘层170可具有范围为约1000 A至约3000A的厚度。在某些实施方式中，第二绝缘层170可沿着源电极155、数据线165和漏电极160的轮廓具有均匀厚度。因此，第二绝缘层170可具有邻近于源电极155、数据线165和漏电极160的阶梯部。像素电极175可设置在第二绝缘层170上，并可电连接至漏电极160。例如，像素电极175可穿过第二绝缘层170，从而被设置在位于漏电极160上的第五接触部上。在某些实施方式中，像素电极175可与第五接触部一体形成。在其它一些实施方式中，像素电极175可在不通过第五接触部的情况下与漏电极160直接接触。像素电极175可包括透明传导材料。例如，像素电极175可包括锌氧化物、铟锡氧化物、锡氧化物、铟氧化物、镓氧化物、铟锌氧化物、等等。这些化合物可单独使用或组合使用。如图I所示，像素电极175可基本覆盖显示衬底的像素区域。在某些实施方式中，像素电极175可具有中央部分，与栅极线135的中央部分基本类似，像素电极175的中央部 分能够弯曲预定角度。像素电极175可具有相对较小的厚度。例如，像素电极175可具有范围从约350 A至约550 A的厚度。第二绝缘层170上可设置有覆盖像素电极175的第三绝缘层180。第三绝缘层180可具有相对较大的厚度。例如，从第二绝缘层170的顶面测量，第三绝缘层180可具有约1000 A至约3000 A的厚度。此外，第三绝缘层180可包括硅化合物。例如，第三绝缘层180可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、等等。在某些实施方式中，第三绝缘层180可沿着第二绝缘层170的轮廓具有均匀厚度，从而第三绝缘层180可具有由像素电极175的轮廓所造成的阶梯部。如图I所示，第三绝缘层180上可设置有与像素电极175基本相对的第一和第二公共电极185和190。第一和第二公共电极185和190中的每一个均可包括透明传导材料。例如，第一和第二公共电极185和190中的每一个均可包括锌氧化物、铟锡氧化物、锡氧化物、铟氧化物、镓氧化物、铟锌氧化物、等等。这些化合物可单独使用或组合使用。此外，第一和第二公共电极185和190中的每一个均可具有相对较小的厚度。例如，第一和第二公共电极185和190可具有约350 A至约550 A的厚度。在某些实施方式中，显示衬底可包括能够以像素区域的中央部分为中心彼此间隔开的多个第一公共电极185和多个第二公共电极190。例如,第一公共电极185与第二公共电极190能够以栅极线135的弯曲部为中心间隔第一距离。相邻的第一公共电极185能够以第二距离彼此间隔开，并且相邻的第二公共电极190能够以第三距离彼此间隔开。在这些实施方式中，第一距离可以基本大于第二距离和第三距离，第二距离可与第三距离基本相等或基本相近。第一和第二公共电极180和190可设置在第三绝缘层180上，以沿着可与栅极线135的方向基本近似的方向延伸。图3是示出显示衬底的一个实施方式的平面图。图3所示的显示衬底可具有与参照图I和2所描述的显示衬底的结构基本相同或基本相似的结构，除了开关装置、数据线的布置和像素电极的形状有所不同之外。参照图3，显示衬底可包括开关装置、栅极线235、数据线265、像素电极275、第一和第二公共电极285和290、以及存储电容器(未示出)。
在某些实施方式中，开关装置可以设置在相邻像素区域的外围部分，并且数据线265可以设置在相邻像素区域之间。例如，开关装置可从一个像素区域的外围部分延伸至相邻像素区域的外围部分。相邻像素区域可以共享该开关装置。开关装置可设置在第一衬底(未示出)上。开关装置可包括有源图案210、栅电极240、以及漏电极260。在这些实施方式中，有源图案210可包括第一杂质区域218、第二杂质区域220和沟道区域。如图3所示，栅极线235可通过第一接触部电连接至源电极255，源电极255可通过第二接触部电连接至第一杂质区域。在某些实施方式中，栅电极235和源电极255可在不通过第一和第二接触部的情况下分别耦合至源电极255和第一杂质区域。栅极线235可在显示衬底的像素区域的中央部分中初步弯曲，并且可在相邻像素区域之间再次弯曲。
像素电极275可通过第三接触部电连接至漏电极260。在某些实施方式中，像素电极275可在不通过第三接触部的情况下与漏电极260直接接触。像素电极275可基本覆盖显示衬底的像素区域。像素电极275可以不位于开关装置的源电极255之上。例如，像素电极275可在源电极255之上被打开，从而像素电极275可以不设置在可设置源电极255的第二绝缘层(未示出)上。此外，数据线265可通过第四接触部电耦合至栅电极240。然而，数据线265可在不通过第四接触部的情况下连接至栅电极240。第一绝缘层(未示出)可设置在数据线265与栅极线235之间，从而数据线265可设置在栅极线235的弯曲部之上的相邻像素区域之间。例如，数据线265可在显示衬底的相邻像素区域之间穿过。在某些实施方式中，开关装置可设置在相邻像素区域之间，从而像素电极275和/或第一和第二公共电极285和290可以基本不与数据线265交叠。因此，可以防止和/或大幅减小数据线265与第一和第二公共电极285和290之间的耦合电容。此外，像素电极275可以不设置在开关装置的源电极255上，从而在源电极255与像素电极275之间不形成附加绝缘层的情况下，源电极255可以不与像素电极275电连接。图4至7是制造显示衬底的方法的一个实施方式的截面图。通过图4至7中所示的方法获得的显示衬底可具有与参照图2所描述的显示衬底的构造基本相同或基本相似的构造。然而，本领域技术人员可适当且简单地修改该方法，以制造参照图3所描述的显示衬底。参照图4，可在第一衬底300上形成缓冲层305。第一衬底300可包括透明绝缘材料。例如，第一衬底300可使用玻璃、石英、透明树脂、透明陶瓷等形成。缓冲层305可使用硅化合物形成，诸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、等等。此外，缓冲层305可通过化学气相沉积(CVD)工艺、等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺、高密度等离子化学气相沉积(HDP-CVD)工艺、旋转涂布工艺等形成于第一衬底300上。在某些实施方式中，缓冲层305可具有单层结构或包括至少一个硅化合物层的多层结构。在其他一些实施方式中，根据第一衬底300的材料和/或第一衬底300的上表面的条件,缓冲层305可以不形成于第一衬底300上。可在缓冲层305上形成半导体图案310和第一电极315。半导体图案310可与第一电极315间隔预定距离。在某些实施方式中，可在缓冲层305上形成半导体层(未示出)，并且可通过光刻工艺或使用附加蚀刻掩模的蚀刻工艺对半导体层进行构图，从而在缓冲层305上形成初始半导体图案(未示出)和初始第一电极(未示出)。在这些实施方式中，可以使用非晶硅、掺有杂质的非晶硅等来形成半导体层。此外，可通过化学气相沉积工艺、等离子增强化学气相沉积工艺、高密度等离子化学气相沉积工艺、溅射工艺等形成半导体层。可以在初始半导体图案和初始第一电极附近进行结晶化处理，以使半导体图案310和第一电极315能够被设置在缓冲层305上。该结晶化处理可包括激光照射处理、热处理工艺、使用催化剂的热处理工艺、等等。这里，半导体图案310和第一电极315中的每一个均可包括多晶娃、惨有杂质的多晶娃、部分结晶化的娃、微结晶娃、等等。在某些实施方式中，可在缓冲层305上形成半导体层和/或初始半导体图案和初始第一电极，并且可在半导体层和/或初始半导体图案和初始第一电极附近进行脱氢处理。因此，可以减小半导体层中和/或初始半导体图案中和初始第一电极中的氢浓度，从而改善半导体图案310和第一电极315的电特性。参照图5，可在缓冲层305上形成栅极绝缘层330，以覆盖半导体图案310和第一电极315。栅极绝缘层330可使用硅化合物、金属氧化物等形成。此外，栅极绝缘层330可通过化学气相沉积工艺、旋转涂布工艺、等离子增强化学气相沉积工艺、溅射工艺、真空蒸发工艺、高密度等离子化学气相沉积工艺、印刷工艺等形成于缓冲层305上。在某些实施方 式中，栅极绝缘层330可充分覆盖半导体图案310和第一电极315，并且栅极绝缘层330可具有基本水平的表面。可在栅极绝缘层330上形成栅极线340、栅电极345和第二电极350。栅极线340、栅电极345和第二电极350中的每一个均可利用金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物、透明传导材料等形成。在某些实施方式中，可在栅极绝缘层330上形成第一传导层(未示出)。可通过光刻工艺或使用附加蚀刻掩模的蚀刻工艺对第一传导层进行构图，从而在栅极绝缘层330上形成栅极线340、栅电极345和第二电极350。在这些实施方式中，第一传导层可通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积(PLD)工艺、真空蒸发工艺、原子层沉积(ALD)工艺等形成于栅极绝缘层330上。栅极线340和第二电极350能够以栅电极345为中心彼此间隔开。栅极线340可在栅极绝缘层330上沿着第一方向延伸，并且栅极线340可远离栅电极345预定距离设置。在某些实施方式中，栅极线340在显示衬底的像素区域的中央部分中可弯曲预定角度。可在栅极绝缘层330上形成第二电极350，从而包括第一电极315、栅极绝缘层330和第二电极350的存储电容器可设置在缓冲层305上。例如，存储电容器可包括第一电极315、栅极绝缘层330的一部分以及第二电极350。可使用栅电极345作为掩模将杂质注入半导体图案310，以在缓冲层305上形成开关装置的有源图案335。例如，有源图案335可包括第一杂质区域、沟道区域和第二杂质区域。图5中所示的有源图案可具有与参照图2所描述的有源图案110的构造基本相同或基本相似的构造。例如，第一杂质区域和第二杂质区域可分别对应于源极区域和漏极区域。在某些实施方式中，掺杂至半导体图案310中的杂质的传导类型可根据开关装置的传导类型而变化。例如，当开关装置包括N型晶体管时，N型杂质可掺杂至半导体图案310中，以形成第一和第二杂质区域。当开关装置包括P型晶体管时，P型杂质可注入半导体图案310内，以形成第一和第二杂质区域。参照图6，可在栅极绝缘层330上形成第一绝缘层355以覆盖栅极线340、栅电极345和第二电极350。第一绝缘层355可使用硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物等形成。这些化合物可单独使用或组合使用。例如，第一绝缘层355可具有包括硅氧化物层和硅氮化物层的多层结构。此外，第一绝缘层355可通过旋转涂布工艺、化学气相沉积工艺、等离子增强化学气相沉积工艺、高密度等离子化学气相沉积工艺等形成于栅极绝缘层330上。在某些实施方式中，第一绝缘层355可具有基本水平的表面。例如，可通过化学机械研磨(CMP)工艺和/或回蚀工艺使第一绝缘层355平坦化。可部分移除第一绝缘层355和栅极绝缘层330以形成穿过第一绝缘层355的第一接触孔至第四接触孔(未示出)。第一至第四接触孔可通过光刻工艺或使用附加蚀刻掩模的蚀刻工艺形成。在某些实施方式中，第一接触孔可穿过第一绝缘层355和栅极绝缘层330形成，以部分暴露有源图案335的第一杂质区域。第二接触孔可穿过第一绝缘层355形成，以部分暴露栅极线340。此外，第三接触孔可穿过第一绝缘层355和栅极绝缘层330形成，以部分暴露有源图案335的第二杂质区域。第四接触孔可穿过第一绝缘层355形成，以部分暴露栅电极345。可在第一绝缘层355上形成源电极360、数据线370和漏电极365。源电极360、数 据线370和漏电极365中的每一个均可使用金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物、透明传导材料等形成。在某些实施方式中，可在第一绝缘层355上形成第二传导层(未不出)，以填充第一至第四接触孔。可对第二传导层进行构图，以在第一接触孔至第四接触孔中分别形成第一接触部至第四接触部。源电极360、漏电极365和数据线370可同时形成在第一绝缘层355上。例如，源电极360可与第一接触部和第二接触部同时形成，并且漏电极365可与第三接触部同时形成。此外，数据线370可与第四接触部同时形成。第二传导层可通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积工艺、蒸发工艺、原子层沉积工艺、印刷工艺等形成。在某些实施方式中，源电极360、漏电极365和数据线370可在不形成第一接触部至第四接触部的情况下直接形成。如图6所示，源电极360的第一部分可通过第一接触部电连接至有源图案335的第一杂质区域，源电极360的第二部分可通过第二接触部电连接至栅极线340。例如，源电极360可从有源图案335之上延伸至栅极线340之上，并且栅极线340和源电极360可通过第二接触部彼此电连接。漏电极365可通过第三接触部与有源图案335的第二杂质区域电接触。漏电极365可在第一绝缘层355上沿着存储电容器的方向延伸。数据线370可通过第四接触部电连接至栅电极245。数据线370可沿着基本垂直于第一方向的第二方向延伸。数据线370可与栅极线340的弯曲部相邻设置，并且数据线370可越过显示衬底的像素区域设置。可在第一绝缘层355上形成源电极360和漏电极365，从而包括有源图案355的开关装置、栅极绝缘层330、栅电极345、源电极360和漏电极365可设置在第一电极300上。关于开关装置，源电极360和栅电极345可分别电耦合至栅极线340和数据线370。参照图7，可在第一绝缘层355上形成第二绝缘层375，以覆盖源电极360、数据线370和漏电极365。第二绝缘层375可使用硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物等形成。这些化合物可单独使用或组合使用。此外，第二绝缘层375可通过旋转涂布工艺、化学气相沉积工艺、等离子增强化学气相沉积工艺、高密度化学气相沉积工艺等形成于第一绝缘层355上。在某些实施方式中，第二绝缘层375可沿着源电极360、数据线370和漏电极365的轮廓共形地(conformally)形成于第一绝缘层355上。因此,第二绝缘层375可具有与源电极360、数据线370和漏电极365相邻的阶梯部。可在第二绝缘层375上形成像素电极380，并且像素电极380可电耦合至漏电极365。像素电极380可基本覆盖显示衬底的像素区域。像素电极380可使用透明传导材料形成。在某些实施方式中，可通过光刻工艺或使用附加蚀刻掩模的蚀刻工艺部分移除第二绝缘层375，以形成可使漏电极365的延伸部暴露的第五接触孔(未示出)。可在第二绝缘层375上形成第三传导层(未不出)，以填充第五接触孔。在这些实施方式中，第三传导层可通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、印刷工艺、真空蒸发工艺、脉冲激光沉积工艺等形成于第二绝缘层375上。可对第三传导层进行构图，以在第五接触孔中形成第五接触部，并在第二绝缘层375上形成像素电极380。像素电极380可与第五接触部同时形成。在某些实施方式中，像素电极380可在不形成第五接触部的情况下直接形成于漏电极365和第二绝缘层375上。可在第二绝缘层375上形成第三绝缘层385以覆盖像素电极380。第三绝缘层385可使用硅化合物形成，诸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物等。这些化合物可单独使用或组合使用。此外，第三绝缘层385可通过旋转涂布工艺、化学气相沉积工艺、等离子化学气相沉积工艺、高密度化学气相沉积工艺等形成于第二绝缘层375上。在某些实施方式中，第三绝缘层385可沿着像素电极380的轮廓共形地(conformally)形成于第二绝缘层375上。因此，第三绝缘层385可具有与像素电极380和第二绝缘层375的阶梯部相邻的阶梯部。·可在第三绝缘层385上形成多个第一公共电极(未示出)和多个第二公共电极(未不出)。第一和第二公共电极可与像素电极380基本相对。第一和第二公共电极中的每一个均可使用透明传导材料形成。在某些实施方式中，可在第三绝缘层385上形成第四导电层(未示出)，随后可对第四传导层进行构图，以在第三绝缘层385上形成第一和第二公共电极。第四传导层可通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、印刷工艺、真空蒸发工艺、脉冲激光沉积工艺等形成于第三绝缘层385上。第一和第二公共电极可具有与参照图I和2所描述的第一和第二公共电极185和190的构造基本相同或基本相似的构造。图8是示出液晶显示装置的一个实施方式的截面图。图8所示的液晶显示装置可包括与参照图2所描述的显示衬底基本相同或基本相似的显示衬底，从而与图2中的显示衬底的详细描述基本相同或基本相似的图8中所示的显示衬底的元件的详细描述将被省略或简化。此外，图8中所示的液晶显示装置的显示衬底可通过与参照图4至7所描述的工艺基本相同或基本相似的工艺制造。参照图8，液晶显示装置可包括显示衬底、液晶层430和第二衬底400。在某些实施方式中，显示衬底可包括第一衬底100、开关装置、栅极线135、数据线165、多个绝缘层150、170和180、像素电极175、第一公共电极185、第二公共电极190。此外,基本对应于第一和第二公共电极185和190的参照电极420可设置在第二衬底400上。可在第二衬底400与参照电极420之间设置滤色器405，并且可在第二衬底400与参照电极420之间设置遮光层410，在参照电极420下方可设置开关装置。在某些实施方式中，可在第二衬底400上设置多个滤色器405，从光源(未示出)穿过液晶层430产生的光可被过滤为单色光。例如，滤色器405可包括用于红色光的红色滤色器、用于绿色光的绿色滤色器、用于蓝色光的蓝色滤色器、等等。在某些实施方式中，第一偏振板可设置在第一衬底100下方。第一偏振板可具有与液晶层430的光轴基本垂直或基本平行的光轴。此外，可在第二衬底400上设置基本对应于第一偏振板的第二偏振板。第二偏振板可具有与液晶层430的光轴基本垂直或基本平行的光轴。可在参照电极420与第二衬底400之间设置覆盖滤色器405和遮光层410的绝缘层415。在某些实施方式中，绝缘层415可不根据滤色器405和遮光层410的结构设置。液晶层430可包括多个液晶分子，参照电极420可包括透明传导材料。例如，参照电极420可包括锌氧化、铟锡氧化、锡氧化、铟氧化、镓氧化、铟锌氧化、等等。这些化合物可单独使用或组合使用。在某些实施方式中，液晶显示装置可包括显示衬底，该显示衬底能够减小耦合电容并增加其孔径比，从而能够改善该液晶显示装置所显示的图像的亮度、质量和显示速度。
在显示衬底的实施方式中，栅极线可电连接至开关装置的源电极，数据线可电耦合至开关装置的栅电极。因此，能够大幅减小或防止显示衬底的像素区域中的第一公共电极、第二公共电极与数据线之间的耦合电容，从而防止数据线的信号延迟。此外，能够通过改变数据线和栅极线的布局改善显示衬底的孔径比。当液晶显示装置包括该显示衬底的实施方式时，液晶显示装置能够确保图像具有改善的亮度、质量和显示速度。前文示出了示例性实施方式，并且不应理解为对其进行限制。虽然已经描述了一些示例性实施方式，但是本领域技术人员容易理解的是，在实质上不脱离示例性实施方式的新颖教导和各方面的情况下，可以对示例性实施方式进行很多修改。因此，所有这些修改旨在包含在权利要求书所限定的示例性实施方式的范围内。在权利要求书中，任何装置加功能的条款旨在覆盖本文所描述的用于执行所列举功能的结构，并且不仅覆盖结构上的等同，而且覆盖等同结构。因此，应该理解的是，前文示出了示例性实施方式，并且不应理解为对所公开的具体实施方式
进行限制，而且对公开的示例性实施方式以及其他示例性实施方式的修改旨在包含在所附权利要求书的范围内。本发明由所附权利要求书以及其中所包含的权利要求的等同限定。
权利要求
1.显示衬底，包括 衬底； 开关装置，设置在所述衬底上，所述开关装置包括 有源图案，包括第一杂质区域、沟道区域和第二杂质区域， 栅极绝缘层， 栅电极， 源电极，以及 漏电极； 栅极线，电连接至所述源电极； 数据线，电连接至所述栅电极； 像素电极，电耦合至所述漏电极；以及 多个公共电极，设置在所述像素电极之上。
2.如权利要求I所述的显示衬底，其中所述栅极绝缘层覆盖所述有源图案，所述栅极线位于所述栅极绝缘层上。
3.如权利要求2所述的显示衬底，还包括设置在所述栅极绝缘层上的绝缘层，其中所述绝缘层被配置为覆盖所述栅极线和所述栅电极。
4.如权利要求3所述的显示衬底，其中所述源电极在所述绝缘层上从所述第一杂质区域延伸至所述栅极线。
5.如权利要求4所述的显示衬底，其中所述源电极的第一部分电连接至所述第一杂质区域，所述源电极的第二部分电耦合至所述栅极线。
6.如权利要求5所述的显示衬底，其中所述源电极的所述第一部分穿过所述绝缘层和所述栅极绝缘层，以接触设置在所述第一杂质区域上的第一接触部，所述源电极的所述第二部分穿过所述绝缘层，以接触位于所述栅极线上的第二接触部。
7.如权利要求6所述的显示衬底，其中所述源电极与所述第一接触部和所述第二接触部一体形成。
8.如权利要求3所述的显示衬底，其中所述漏电极的第一部分与所述第二杂质区域电接触，所述漏电极的第二部分在所述绝缘层上延伸，所述像素电极与所述漏电极的第二部分电接触。
9.如权利要求8所述的显示衬底，其中所述漏电极穿过所述绝缘层和所述栅极绝缘层，以接触设置在所述第二杂质区域上的第三接触部。
10.如权利要求3所述的显示衬底，其中所述数据线穿过所述绝缘层，以接触设置在所述栅电极上的第四接触部。
11.如权利要求10所述的显示衬底，其中所述数据线与所述第四接触部一体形成。
12.如权利要求I所述的显示衬底，其中所述开关装置设置在所述显示衬底的像素区域的中央部分中，所述数据线与所述像素区域的所述中央部分相邻设置。
13.如权利要求I所述的显示衬底，其中所述开关装置设置在相邻像素区域的外围部分，所述数据线设置在相邻像素区域之间。
14.如权利要求I所述的显示衬底，其中所述公共电极包括多个第一公共电极和多个第二公共电极，所述第一公共电极和所述第二公共电极以所述开关装置为中心彼此间隔开。
15.如权利要求14所述的显示衬底，其中所述第一公共电极与所述第二公共电极之间的距离大于相邻的第一公共电极或相邻的第二公共电极之间的距离。
16.制造显示衬底的方法,包括 在衬底上形成有源图案，所述有源图案包括第一杂质区域、沟道区域和第二杂质区域； 在所述衬底上形成栅极绝缘层了，以覆盖所述有源图案； 在所述栅极绝缘层上形成栅极线和栅电极； 在所述栅极绝缘层上形成第一绝缘层，以覆盖所述栅极线和所述栅电极； 在所述第一绝缘层上形成源电极、数据线和漏电极，所述源电极电连接至所述栅极线，所述数据线电连接至所述栅电极，所述漏电极电连接至所述第二杂质区域； 在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，以覆盖所述源电极、所述数据线和所述漏电极；以及 在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极电连接至所述漏电极。
17.如权利要求16所述的方法，其中形成所述源电极、所述数据线和所述漏电极的步骤包括 部分移除所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层，以形成暴露所述第一杂质区域的第一接触孔、暴露所述栅极线的第二接触孔、暴露所述第二杂质区域的第三接触孔、以及暴露所述栅电极的第四接触孔； 在所述第一绝缘层上形成第一传导层，以填充所述第一接触孔、所述第二接触孔、所述第三接触孔和所述第四接触孔；以及 对所述第一传导层进行构图，以分别在所述第一接触孔、所述第二接触孔、所述第三接触孔和所述第四接触孔中形成第一接触部、第二接触部、第三接触部和第四接触部，并在所述第一绝缘层上形成所述源电极、所述数据线和所述漏电极。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述源电极、所述第一接触部和所述第二接触部同时形成，所述漏电极和所述第三接触部同时形成，所述数据线和所述第四接触部同时形成。
19.如权利要求16所述的方法，其中形成所述有源图案的步骤还包括在所述栅极绝缘层上形成存储电容器的第一电极，并且形成所述栅极线和所述栅电极的步骤还包括在所述栅极绝缘层上形成所述存储电容器的第二电极。
20.如权利要求16所述的方法，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每一个均使用硅化合物形成。
21.如权利要求16所述的方法，其中形成所述像素电极的步骤包括 部分移除所述第二绝缘层，以形成暴露所述漏电极的第五接触孔； 在所述第二绝缘层上形成第二传导层，以填充所述第五接触孔；以及 对所述第二传导层进行构图，以在所述第五接触孔中形成第五接触部并在所述第二绝缘层上形成所述像素电极。
22.如权利要求16所述的方法，还包括 在所述第二绝缘层上形成第三绝缘层，以覆盖所述像素电极；在所述第三绝缘层上形成多个第一公共电极和多个第二公共电极，所述第一公共电极和所述第二公共电极对应于所述像素电极。
23.液晶显示装置,包括 第一衬底； 开关装置，设置在所述第一衬底上，所述开关装置包括有源图案、栅极绝缘层、栅电极、源电极和漏电极，其中所述有源图案包括第一杂质区域、沟道区域和第二杂质区域； 栅极线，电连接至所述源电极； 数据线，电连接至所述栅电极； 像素电极，电连接至所述漏电极； 多个公共电极，设置在所述像素电极上； 液晶层，设置在所述公共电极上； 参照电极，设置在所述液晶层上；以及 第二衬底，设置在所述参照电极上。
24.如权利要求23所述的液晶显示装置，还包括设置在所述栅极绝缘层上的绝缘层，其中所述绝缘层覆盖所述栅极线和所述栅电极。
25.如权利要求24所述的液晶显示装置，其中在所述绝缘层上的所述源电极从所述杂质区域延伸至所述栅极线，所述源电极的第一部分电连接至所述第一杂质区域，所述源电极的第二部分电连接至所述栅极线。
26.如权利要求25所述的液晶显示装置，其中所述源电极的所述第一部分穿过所述绝缘层和所述栅极绝缘层，以接触设置在所述第一杂质区域上的第一接触部，所述源电极的所述第二部分穿过所述绝缘层，以接触位于所述栅极线上的第二接触部，所述数据线穿过所述绝缘层，以接触位于所述栅电极上的第四接触部。
27.如权利要求23所述的液晶显示装置，其中所述开关装置设置在像素区域的中央部分中或相邻像素区域的外围部分中，所述数据线与所述像素区域的所述中央部分相邻设置，或设置在相邻像素区域之间。
全文摘要
用于显示装置的显示衬底包括衬底、开关装置、栅极线、数据线、像素电极、多个公共电极。开关装置包括有源图案、栅极绝缘层、栅电极、源电极以及漏电极。栅极线电连接至源电极，数据线电连接至栅电极。像素电极电连接至漏电极，公共电极设置在所述像素电极上。能够减小和/或防止数据线与公共电极之间的耦合电容，从而防止数据线的信号延迟。此外，能够通过改变数据线和栅极线的布局来改善显示衬底的孔径比。
文档编号H01L27/02GK102916009SQ201210084699
公开日2013年2月6日 申请日期2012年3月27日 优先权日2011年8月5日
发明者文重守, 李东勋, 郑荣培, 李垠澈 申请人:三星显示有限公司