技术总结
本发明提供一种LDMOS晶体管及其制造方法，通过在漏极漂移区中形成与源漏极反型的漏极调谐区，使得LDMOS晶体管具有类似于JFET晶体管的结构，漏极调谐区使得LDMOS晶体管的漂移区变窄，从而提高击穿电压，有利于具有更高击穿电压及更小面积的器件芯片的制造；本发明的LDMOS晶体管制造方法不需要额外的掩模板，在重掺杂形成源漏极区的同时就可以形成漏极调谐区，可以与现有的CMOS的制造工艺完全兼容，同时从漏极调谐区引出控制极可以使得LDMOS晶体管具有可调谐性。
技术研发人员：陈乐乐
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201210092227
技术研发日：2012.03.31
技术公布日：2016.12.28