专利名称：一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。
背景技术：
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)行业中，主要是通过像素电极和公共电极之间产生的电场，来控制液晶分子的转动，达到所要显示画面的效果。像素电极的电位能否达到要求值，主要是由TFT(ThinFilm Transistor,薄膜场效应晶体管，简称薄膜晶体管)的开启电流Im决定的，理论上
权利要求
1.一种薄膜晶体管，包括基板、所述基板上的栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的有源层，在所述有源层上方形成有源极和漏极，覆盖所述源极和漏极的保护层，其中在所述源极和漏极之间形成有第一沟道，其特征在于， 所述漏极和所述源极为通过两次构图工艺制作形成。
2.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括位于所述漏极上方或所述漏极下方的辅助漏极，其中所述源极与所述辅助漏极之间形成有第二沟道。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述漏极之间的第一沟道的长度小于所述源极与所述辅助漏极之间的第二沟道的长度。
4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述辅助漏极为经过一次构图工艺制作形成。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求I 4所述的任一薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极和所述像素电极经过一次构图工艺制作形成。
7.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求5或6所述的阵列基板。
8.一种薄膜晶体管的制造方法，包括在基板上形成栅极，在所述栅极上方形成栅绝缘层，在所述栅绝缘层上形成有源层，其特征在于，还包括 制作覆盖所述有源层的第一导电材料层，通过一次构图工艺形成漏极或源极； 制作第二导电材料层，通过一次构图工艺形成对应所述漏极的源极或对应所述源极的漏极； 在所述源极和所述漏极之间形成第一沟道； 在所述源极和漏极上方形成保护层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括通过和形成所述源极的同一次构图工艺形成辅助漏极，其中所述源极和所述辅助漏极之间形成有第二沟道。
全文摘要
本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，涉及显示器制造领域，通过两次曝光分别形成源极和漏极，可以实现沟道长度减小，达到提高薄膜晶体管充电能力的目的。一种薄膜晶体管，包括基板、所述基板上的栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的有源层，在所述有源层上方形成有源极和漏极，覆盖所述源极和漏极的保护层，其中在所述源极和漏极之间形成有第一沟道，所述漏极和所述源极为通过两次构图工艺制作形成。本发明实施例应用于薄膜晶体管及阵列基板制造。
文档编号H01L29/78GK102723365SQ20121018969
公开日2012年10月10日 申请日期2012年6月8日 优先权日2012年6月8日
发明者其他发明人请求不公开姓名, 李小和, 金在光 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司