专利名称：Led外延结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及LED技术领域，特别涉及LED外延结构。
背景技术：
自GaN基第三代半导体材料的兴起，蓝光LED外延结构研制成功，LED芯片的发光强度和白光发光效率不断提高。LED光源被认为是下一代进入通用照明领域的新型固态光源，因此得到广泛关注。现有的LED外延结构请参考图1，图1为现有技术的LED外延结构的剖面结构示意图。现有的LED外延结构包括:蓝宝石衬底10 ;缓冲层11，位于所述蓝宝石衬底10上；第一半导体层12，位于所述缓冲层11上，所述第一半导体层12为N型GaN ;多量子阱层13，位于所述N-GaN层12上；第二半导体层14，所述第二半导体层14的材质为P型GaN ; ITO层15，位于所述第二半导体层14上；第一导电电极16，与第一半导体层12电连接；第二导电电极17，与ITO层15电连接。通常，为了将现有的LED外延结构封装制作形成LED芯片，通常，ITO层15上还会覆盖氧化硅等封装材料层(图中未示出)。利用现有的LED外延结构制作的LED芯片的量子效率偏低，有待进一步的提高。
发明内容
本发明实施例解决的问题是提供了一种LED外延结构提高了 LED外延结构的量子效率。为了提高现有LED外延结构的量子效率，本发明提供一种LED外延结构，包括:衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，还包括:透明粗化层，位于所述第二半导体层上，所述透明粗化层用于使得光线透出，所述透明粗化层至少有一个表面为粗糙的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层的折射率介于所述第二半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间以减小光线的全反射。可选地，所述透明粗化层的一个表面为粗糙的表面，所述一个表面为该透明粗化层的上表面。可选地，还包括:第三半导体层，位于所述第二半导体层与透明粗化层之间，所述第三半导体层作为LED外延结构的电流扩展层，所述第三半导体层的导电类型与所述第一半导体层的导电类型相同，所述透明粗化层的折射率介于所述第三半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间。可选地，所述第三半导体层的电阻为第一半导体层的电阻的0.8 1.2倍。可选地，还包括:封装材料层，位于所述透明粗化层上，所述透明粗化层的折射率介于所述第三半导体层与所述封装材料层的折射率之间。可选地，所述封装材料层的材质为氧化硅、环氧树脂或者两者构成的复合材料。可选地，所述透明粗化层的折射率范围为1.6 2.1。
可选地，所述透明粗化层的材质为氧化锡铟、氧化锌、氧化铝锌或者上述材料中的至少两种构成的复合材料。可选地，所述第一半导体层的导电类型和第三半导体层的导电类型为N型，所述第二半导体层的导电类型为P型。可选地，还包括:第一重掺杂半导体层，位于所述第二半导体层与所述第三半导体层之间。可选地，所述第一重掺杂半导体层与所述第二半导体层的导电类型相同。可选地，所述第一重掺杂半导体层的导电类型为P型，所述第一重掺杂半导体层的掺杂离子的浓度为所述第二半导体层的掺杂离子浓度的100倍以上。可选地，所述第一重掺杂半导体层的掺杂离子为Mg离子。可选地，还包括:第二重掺杂半导体层，位于所述第一重掺杂半导体层与第三半导体层之间，所述第二重掺杂半导体层的导电类型与所述第三半导体层的导电类型相同。可选地，所述第二重掺杂半导体层的导电类型为N型，所述第二重掺杂半导体层的掺杂离子的浓度为所述第三半导体层的掺杂离子的浓度的100倍以上。可选地，所述第二重掺杂半导体层的掺杂离子为Si离子。可选地，所述衬底的材质为蓝宝石、氧化锌、碳化硅、硅或上述材料的两种以上材料构成的复合材料。可选地，所述第一半导体层的材质为N型氮化镓，所述第二半导体层的材质为P型氮化镓，所述第三半导体层的材质为N型氮化镓。可选地，所述透明粗化层包括两层:低速沉积层，以较低的沉积速率形成，以提高所述低速沉积层与下方的材料层的结合的强度；高速沉积层，以较高的沉积速率形成，以使得形成的高速沉积层的上表面为粗糙的表面，所述高速沉积层形成于所述低速沉积层的上方，且所述高速沉积层的沉积速率大于所述低速沉积层的沉积速率。可选地，所述低速沉积层的厚度范围为10 800埃，所述高速沉积层的厚度范围为500 2000埃。可选地，所述低速沉积层的厚度小于所述高速沉积层的厚度。可选地，所述低速沉积层的沉积速率为0.5 2埃每秒，所述高速沉积层的沉积速率不小于10埃每秒。可选地，所述透明粗化层的材质为氧化铟锡。可选地，所述透明粗化层对波长为450 475纳米的光线的吸收率不超过15%。与现有技术相比，本发明具有以下优点:本发明提供的LED外延结构包括:衬底、位于衬底上的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和透明粗化层，所述透明粗化层作为光线的出光层，其折射率介于第二半导体层和其上方的介质的折射率之间，并且该透明粗化层具有粗化的表面，因而减小了光线在所述粗化的表面处的全反射，提高了该透明粗化层的出光效率，提高了 LED外延结构的外量子效率；进一步优化地，本发明实施例在所述透明粗化层与所述第二半导体层之间设置第三半导体层，所述第三半导体层作为电流扩展层，通过该第三半导体层使得外延结构的扩展电流(包括第二半导体层和第三半导体层中的电流)的分布更加均匀，解决了第二半导体层的电流分布不均匀而影响LED外延结构的内量子效率的问题，从而提高了外延结构的扩展电流的均匀性，提高了 LED外延结构的内量子效率，并且，由于额外设置了该第三半导体层，本发明实施例实现了将电流扩展层与光线出光层分离，透明粗化层无需像现有的ITO层一样(现有的ITO层需要同时作为电流扩展层和光线出光层)，而透明粗化层只需要作为光线出光层即可，从而本领域技术人员可以对透明粗化层的结构和制作方法进行改进以提高光线透过率，而无需考虑其对扩展电流的影响；进一步优化地，所述第三半导体层的电阻为第一半导体层的电阻的0.8 1.2倍从而进一步提高了外延结构的扩展电流分布的均匀性；进一步优化地，在所述第二半导体层和第三半导体层之间设置第一重掺杂半导体层，所述第一重掺杂半导体层的导电类型与第二半导体层或第三半导体层的导电类型相同从而降低了 LED外延结构制作的LED芯片的阈值电压；进一步优化地，在所述第二半导体层和第三半导体层之间设置导电类型相反的第一重掺杂半导体层和第二重掺杂半导体层，在外延结构中形成隧道结(tunnel junction),有助于进一步降低LED外延结构制作的LED芯片的阈值电压；进一步优化地，所述透明粗化层包括以较低的沉积速率形成的低速沉积层与以较高的沉积速率形成的高速沉积层，一方面保证了透明粗化层与下方的材料层的结合的强度；另一方面也保证了透明粗化层的上表面为粗糙的表面。
图1是现有的LED外延结构的剖面结构示意图；图2是本发明一个实施例的LED外延结构的剖面结构示意图。图3是本发明又一实施例的LED外延结构的剖面结构示意图。
具体实施例方式利用现有的LED外延结构的量子效率低，发明人经过研究发现，现有的ITO层在作为电流扩展层的同时还作为光线出光层，现有的ITO层作为光线出光层的出光效率不够高，从而影响了 LED外延结构的外量子效率。具体地，请结合图1，ITO层15的折射率通常为2.0左右，其下方的各层(包括第二半导体层14和多量子阱层13)的折射率通常在2.2以上，而ITO层15上方的封装材料层(图中未示出)的折射率通常在1.5左右，光线在第二半导体层17与ITO层15的界面以及在ITO层15与封装材料层之间的界面处容易发生全反射，使得光线不容易从ITO层15透出，从而会影响ITO层作为光线出光层的出光效率。为了提高ITO层15作为光线出光层的出光效率，使得更多的光线从该层透过，发明人考虑对ITO层的下表面(ΙΤ0层朝向第二半导体层一侧的表面)和上表面(ΙΤ0层朝向封装材料层一侧的表面)分别进行粗化处理，以减小光线的全反射，增大从ITO层透出的光线的数目，从而提高ITO层作为光线出光层的出光效率。为了解决上述问题，本发明提供一种LED外延结构，包括:衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，还包括:
透明粗化层，位于所述第二半导体层上，所述透明粗化层用于使得光线透出，所述透明粗化层至少有一个表面为粗糙的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层的折射率介于所述第二半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间以减小光线的全反射。发明人考虑，在透明粗化层的下表面(即透明粗化层的朝向第二半导体层一侧的表面)进行粗化处理会降低该透明粗化层与第二半导体层之间的附着力，使得透明粗化层容易从第二半导体层脱落。因此，较为优选地，所述透明粗化层具有一个粗化的表面，该粗化的表面位于透明粗化层的上表面(即透明粗化层的远离所述第二半导体层一侧的表面)，由于透明粗化层的折射率介于第二导电层与透明粗化层上方的材料层的折射率之间，且该透明粗化层的上表面为粗化的表面，因此本发明能够减小光线在该透明粗化层的粗化的表面处的全反射，从而提高了该透明粗化层作为光线出光层的出光效率，提高LED外延结构的外量子效率。具体地，作为本发明的一个实施例，所述透明粗化层在作为光线出光层使光线透过的同时，还作为电流扩展层，即电流通过该透明粗化层向其下方的第二半导体层扩展、均匀分布。但是以透明粗化层用作电流扩展层，由于其表面进行了粗化处理，其作为电流扩展层的电流扩展的效果会受到影响，这使得该透明粗化层作为电流扩展层的电流扩展的均匀性不够好，这会降低LED外延结构的内量子效率。如果能够实现电流扩展与光线出光的两个功能的分离，只需要将透明粗化层作为光线出光层，在LED外延结构中额外设置专门的电流扩展层，则不需要考虑透明粗化层的粗化处理对电流扩展效果的影响，从而可以进一步提高具有透明粗化层的LED外延结构的内量子效率。具体地，作为本发明的一个实施例，本发明提出在透明粗化层与第二半导体层之间额外设置第三半导体层，利用该第三半导体层作为电流扩展层，透明粗化层仅作为光线出光层，这样就可以在满足提高透明粗化层的出光效率、提高外延结构的外量子效率的同时，满足外延结构对于扩展电流的均匀性的要求，提高外延结构的内量子效率。下面结合实施例对本发明的技术方案进行更为详细的说明。为了更好地说明本发明的技术方案，请结合图2所示的本发明一个实施例的外延结构的示意图。作为一个实施例，衬底100上形有缓冲层101，所述衬底100的材质为蓝宝石。在其他的实施例中，所述衬底100的材质还可以为碳化硅、氧化锌、碳化硅、硅，或者所述衬底100的材质还可以为上述多种材料中至少两种材料以一定的比例混合而成的复合材料，或所述衬底100的材质还可以为碳化硅层、氧化锌层、碳化硅层、硅层中的至少两种堆叠形成的材料。作为一个实施例，所述缓冲层101的材质为GaN。所述缓冲层101的厚度范围为30纳米到3微米。所述缓冲层101上形成有第一半导体层102。所述第一半导体层102的导电类型为N型。所述第一半导体层102上形成有多量子阱层103和第一电极109。所述第一电极109与所述第一半导体层102电连接，所述第一电极109与所述多量子阱层103之间具有间隙。作为一个实施例，所述多量子阱层103为InGaN层和GaN层构成的复合结构，所述多量子阱层103的厚度范围为100纳米到I微米。作为其他的实施例，所述多量子阱层103还可以为InAlGaN层和InAlGaN层构成的复合结构。所述多量子阱层103上依次形成有第二半导体层104、第一重掺杂半导体层105、第二重掺杂半导体层106、第三半导体层107、透明粗化层108、第二电极110。所述第二半导体层104的导电类型与第一半导体层102的导电类型相反，本实施例中，所述第二半导体层104的导电类型为P型，其厚度范围为100纳米到300纳米。作为一个实施例，所述第一重掺杂半导体层105的导电类型与所述第二半导体层104的导电类型相同。本实施例中，所述第一重掺杂半导体层105的导电类型为P型。所述第一重掺杂半导体层105的掺杂离子为Mg离子，其浓度范围为lE18/cm3 9E21/cm3。所述第一重掺杂半导体层105的厚度范围为I 15纳米。所述第一重掺杂半导体层105的掺杂离子的浓度是第二半导体层104的掺杂离子浓度的100倍以上，从而有利于降低LED外延结构的阈值电压。所述第二重掺杂半导体层106的导电类型与第一重掺杂半导体层105的导电类型相反。本实施例中，所述第二重掺杂半导体层106的导电类型为N型，其掺杂离子为Si离子，掺杂离子的浓度范围为lE19/cm3 9E21/cm3。所述第二重掺杂半导体层106的厚度范围为I 15纳米。所述第二重掺杂半导体层106的掺杂离子的浓度为所述第三半导体层107的掺杂离子的浓度的100倍以上，从而一方面可以利用该第二重掺杂半导体层106提高第三半导体层107中的电流分布的均匀性，另一方面，该第二重掺杂半导体层106与第一重掺杂半导体层105之间能够形成隧道结，从而使得电子更容易通过该隧道结，有利于进一步降低LED外延结构的阈值电压。所述第三半导体层107位于所述第二重掺杂半导体层106上。所述第三半导体层107与第二电极110电连接。所述第三半导体层107的导电类型与第一半导体层102的导电类型相同。本实施例中，所述第三半导体层107的导电类型为N型。所述第三半导体层107的厚度范围为30 3000纳米。所述第三半导体层107用于使得外延结构的扩展电流均匀分布，从而使得透明粗化层108无需同时具有电流扩展层和光线透过层的两种功能，实现了扩展电流均匀分布。本领域技术人员可以对透明粗化层108的结构和制作工艺进行进一步改良而无需考虑其对外延结构的扩展电流的均匀性的分布，在满足更多光线透过透明粗化层108的同时也提高了外延结构的内量子效率。为了获得更好的电流扩展效果，所述第三半导体层107的电阻应与所述第一半导体层102的电阻接近。作为优选的实施例，所述第三半导体层107的电阻为第一半导体层102的电阻的0.8 1.2倍，比如所述第三半导体层107的电阻可以为第一半导体层102的电阻的0.8倍、0.9倍、1.1倍或1.2倍，较为优选地，所述第三半导体层107的电阻等于所述第一半导体层102的电阻。所述透明粗化层108用于使得光线透出，所述透明粗化层108的上表面为粗化处理的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层108的折射率介于所述第三半导体层107的折射率与所述上表面面对的介质的折射率之间。所述透明粗化层108的材质为氧化锡铟，其折射率范围为1.6 2.1。所述透明粗化层108的厚度不小于50纳米。在其他的实施例中，所述透明粗化层108的材质还可以为氧化锌或氧化铝锌，或者所述透明粗化层108还可以为氧化锌层、氧化铝锌层、氧化锡铟层中的两层或三层堆叠形成的复合材料，或者所述透明粗化层108还可以为氧化铝锌、氧化锡铟、氧化锌中的两种或三种材料以一定的比例混合形成的复合材料。作为可选的实施例，所述透明粗化层108对波长为450 475纳米的光线的吸收率不超过15%，这样减少了多量子阱层103发出的光线在透过所述透明粗化层108时被该透明粗化层108吸收提高LED外延结构的外量子效率。作为可选的实施例，所述透明粗化层108包括至少两层:低速沉积层(图中未示出)，以较低的沉积速率形成，以提高所述低速沉积层与下方的材料层的结合的强度；高速沉积层(图中未示出)，以较高的沉积速率形成，以使得形成的高速沉积层的上表面为粗糙的表面，所述高速沉积层形成于所述低速沉积层的上方，且所述高速沉积层的沉积速率大于所述低速沉积层的沉积速率。采用本发明实施例的透明粗化层的结构，一方面保证了透明粗化层与下方的材料层的结合的强度；另一方面也保证了透明粗化层的上表面为粗糙的表面。作为本发明的一个实施例，所述低速沉积层的沉积速率为0.5 2埃每秒，形成的低速沉积层与下方的材料层紧密结合，所述高速沉积层的沉积速率不小于10埃每秒，保证透明粗化层的上表面的粗糙程度。本实施例中，所述透明粗化层的材质为氧化锡铟。所述低速沉积层的厚度范围为10 800埃，所述高速沉积层的厚度范围为500 2000埃。为了在保证能够较快地形成所述透明粗化层，所述低速沉积层的厚度应小于所述高速沉积层的厚度。作为一个实施例，所述透明粗化层108上还形成有封装材料层(图中未示出)，位于所述透明粗化层108的上表面上。所述封装材料层108的材质为氧化硅、环氧树脂或者两者构成的复合材料。本实施例中，所述封装材料层108的材质为氧化硅，其折射率约为1.5。在本发明的其他实施例中，所述封装材料层108还可以为环氧树脂层与氧化硅层堆叠形成的复合材料或所述封装材料层108还可以为环氧树脂与氧化硅以一定的比例混合形成的复合材料。请结合图3所示的本发明的第二实施例的外延结构的示意图，与前一实施例相同的结构采用相同的标号表示。本实施例与前一实施例的区别在于，本实施例中第二半导体层104和第三半导体层107之间只有第一重掺杂半导体层105。作为一个实施例，所述第一重掺杂半导体层105的导电类型为N型。在本发明的其他实施例中，所述第一重掺杂半导体层105的导电类型也可以为P型。综上，本发明提供的LED外延结构包括:衬底、位于衬底上的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和透明粗化层，所述透明粗化层作为光线的出光层，其折射率介于第二半导体层和其上方的介质的折射率之间，并且该透明粗化层具有粗化的表面，因而减小了光线在所述粗化的表面处的全反射，提高了该透明粗化层的出光效率，提高了 LED外延结构的外量子效率；进一步优化地，本发明实施例在所述透明粗化层与所述第二半导体层之间设置第三半导体层，所述第三半导体层作为电流扩展层，通过该第三半导体层使得外延结构的扩展电流(包括第二半导体层和第三半导体层中的电流)的分布更加均匀，解决了第二半导体层的电流分布不均匀而影响LED外延结构的内量子效率的问题，从而提高了外延结构的扩展电流的均匀性，提高了 LED外延结构的内量子效率，并且，由于额外设置了该第三半导体层，本发明实施例实现了将电流扩展层与光线出光层分离，透明粗化层无需像现有的ITO层一样(现有的ITO层需要同时作为电流扩展层和光线出光层)，而透明粗化层只需要作为光线出光层即可，从而本领域技术人员可以对透明粗化层的结构和制作方法进行改进以提高光线透过率，而无需考虑其对扩展电流的影响；进一步优化地，所述第三半导体层的电阻为第一半导体层的电阻的0.8 1.2倍时从而进一步提高了外延结构的扩展电流分布的均匀性；进一步优化地，在所述第二半导体层和第三半导体层之间设置第一重掺杂半导体层，所述第一重掺杂半导体层的导电类型与第二半导体层或第三半导体层的导电类型相同从而降低了 LED外延结构制作的LED芯片的阈值电压；进一步优化地，在所述第二半导体层和第三半导体层之间设置导电类型相反的第一重掺杂半导体层和第二重掺杂半导体层，在外延结构中形成隧道结(tunnel junction),有助于进一步降低LED外延结构制作的LED芯片的阈值电压；进一步优化地，所述透明粗化层包括以较低的沉积速率形成的低速沉积层与以较高的沉积速率形成的高速沉积层，一方面保证了透明粗化层与下方的材料层的结合的强度；另一方面也保证了透明粗化层的上表面为粗糙的表面。虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求
1.一种LED外延结构,包括:衬底,所述衬底上形成有第一半导体层；多量子讲层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，其特征在于，还包括: 透明粗化层，位于所述第二半导体层上，所述透明粗化层用于使得光线透出，所述透明粗化层至少有一个表面为粗糙的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层的折射率介于所述第二半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间以减小光线的全反射。
2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的一个表面为粗糙的表面，所述一个表面为该透明粗化层的上表面。
3.如权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，还包括:第三半导体层，位于所述第二半导体层与透明粗化层之间，所述第三半导体层作为LED外延结构的电流扩展层，所述第三半导体层的导电类型与所述第一半导体层的导电类型相同，所述透明粗化层的折射率介于所述第三半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间。
4.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，所述第三半导体层的电阻为第一半导体层的电阻的0.8 1.2倍。
5.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，还包括:封装材料层，位于所述透明粗化层上，所述透明粗化层的折射率介于所述第三半导体层与所述封装材料层的折射率之间。
6.如权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，所述封装材料层的材质为氧化硅、环氧树脂或者两者构成的复合材料。
7.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的折射率范围为1.6 2.1。
8.如权利要求1或7所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的材质为氧化锡铟、氧化锌、氧化铝锌或者上述材料中的至少两种构成的复合材料。
9.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一半导体层的导电类型和第三半导体层的导电类型为N型，所述第二半导体层的导电类型为P型。
10.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，还包括:第一重掺杂半导体层，位于所述第二半导体层与所述第三半导体层之间。
11.如权利要求10所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一重掺杂半导体层与所述第二半导体层的导电类型相同。
12.如权利要求11所述的LED外延结构,其特征在于，所述第一重掺杂半导体层的导电类型为P型，所述第一重掺杂半导体层的掺杂离子的浓度为所述第二半导体层的掺杂离子浓度的100倍以上。
13.如权利要求10 12中任一权利要求所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一重掺杂半导体层的掺杂离子为Mg离子。
14.如权利要求11所述的LED外延结构，其特征在于，还包括:第二重掺杂半导体层，位于所述第一重掺杂半导体层与第三半导体层之间，所述第二重掺杂半导体层的导电类型与所述第三半导体层的导电类型相同。
15.如权利要求14所述的LED外延结构，其特征在于，所述第二重掺杂半导体层的导电类型为N型，所述第二重掺杂半导体层的掺杂离子的浓度为所述第三半导体层的掺杂离子的浓度的100倍以上。
16.如权利要求14或15所述的LED外延结构，其特征在于，所述第二重掺杂半导体层的掺杂离子为Si离子。
17.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述衬底的材质为蓝宝石、氧化锌、碳化硅、硅或上述材料的两种以上材料构成的复合材料。
18.如权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一半导体层的材质为N型氮化镓，所述第二半导体层的材质为P型氮化镓，所述第三半导体层的材质为N型氮化镓。
19.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层包括两层:低速沉积层，以较低的沉积速率形成，以提高所述低速沉积层与下方的材料层的结合的强度；高速沉积层，以较高的沉积速率形成，以使得形成的高速沉积层的上表面为粗糙的表面，所述高速沉积层形成于所述低速沉积层的上方，且所述高速沉积层的沉积速率大于所述低速沉积层的沉积速率。
20.如权利要求19所述的LED外延结构，其特征在于，所述低速沉积层的厚度范围为10 800埃，所述高速沉积层的厚度范围为500 2000埃。
21.如权利要求19所述的LED外延结构，其特征在于，所述低速沉积层的厚度小于所述高速沉积层的厚度。
22.如权利要求19所述的LED外延结构，其特征在于，所述低速沉积层的沉积速率为0.5 2埃每秒，所述高速沉积层的沉积速率不小于10埃每秒。
23.如权利要求19所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的材质为氧化铟锡。
24.如权利要求1或19所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层对波长为450 475纳米的光线的吸收率不超过15%。
全文摘要
本发明提供了一种LED外延结构，包括衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，还包括透明粗化层，位于所述第二半导体层上，所述透明粗化层用于使得光线透出，所述透明粗化层至少有一个表面为粗糙的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层的折射率介于所述第二半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间以减小光线的全反射。本发明提高了LED外延结构的量子效率。
文档编号H01L33/44GK103078037SQ201210276259
公开日2013年5月1日 申请日期2012年8月3日 优先权日2012年8月3日
发明者林翔, 马培培, 陈勇, 梁秉文 申请人:光达光电设备科技(嘉兴)有限公司