专利名称：显示器、制造显示器的方法以及电子设备的制作方法
技术领域：
本公开涉及到采用有源层由氧化物半导体制成的薄膜晶体管(TFT)的显示器以及制造该显示器的方法。
背景技术：
作为基础技术，TFT被广泛应用到液晶显示器、有机EL显示器等。通常，用作TFT有源层的半导体层由非晶硅(a-Si H)或多晶硅制成，但是近年来，可采用磁控溅射法等廉价设备形成的诸如金属氧化物的氧化物半导体也用于形成这样的半导体层。然而，如果光(特别是420nm或更短的紫外光)照射在由氧化物半导体制成的半导体层上，由于光诱导可能改变其TFT特性，或更具体地讲，其阀值电平电压(Vth)可能偏移到负(_)方向。为了解决这个问题，例如，日本未审查专利申请公布No. 2007-115902公开了采用·在基板背面设置的遮光膜的TFT。此外，例如，日本未审查专利申请公布No. 2009-224354公开了采用在栅极和有源层之间设置的光吸收层的底栅型TFT，以及日本未审查专利申请公布No. 2007-150157公开了采用由波长比带隙能量短的光的透光率为10%或者更小的材料制成的基材(基板)的TFT。
发明内容
利用上面提到的公开于日本未审查专利申请公布号2007-115902、2009-224354以及2007-150157的TFT，可遮蔽来自基板背侧的入射到有源层上的光；然而，可能不能充分地遮蔽从基板侧方向照射的光。近年来，期望在显示器中，尤其是移动显示器，具有较窄的框，并且设置在周边区(框区)中的端子部和设置在显示区(像素区)中的像素之间的距离被显著地缩短。在这种情况下，问题是，从框区侧(即倾斜方向)的照射光进入TFT的半导体层(氧化物半导体层)，导致TFT特性的劣化。期望提供防止光进入到用作有源层的氧化物半导体层以抑制TFT特性劣化的显示器和电子设备，以及显示器的制造方法。根据本技术的实施方式，所提供显示器包括树脂、晶体管、以及位于树脂和晶体管之间的遮光材料。遮光材料被配置为用于抑制晶体管上的入射光。根据本技术的实施方式，提供制造显示器的方法。该方法包括形成树脂、晶体管以及遮光材料。遮光材料位于树脂和晶体管之间，并且遮光材料被配置为用于抑制薄膜晶体管上的入射光。根据本技术的实施方式，提供的电子设备包括树脂、晶体管、以及位于树脂和晶体管之间的遮光材料。遮光材料被配置为用于抑制晶体管上的入射光。在根据本技术实施方式的显示器、制造显示器的方法以及电子设备中，在形成薄膜晶体管和发光器件之后，薄膜晶体管的侧面、发光器件的侧面、以及发光器件顶面的一部分被遮光膜所覆盖。这样，从斜向(尤其是从框区)进入薄膜晶体管的光被遮蔽。此外，因为薄膜晶体管的侧面、发光器件的侧面、以及发光器件顶面的一部分被遮光膜所覆盖，所以可以遮蔽来自斜向的光，尤其是来自框区的光，由此可以抑制薄膜晶体管特性的劣化。应理解，上述的总体描述和以下的详细描述是示例性的，并且旨在对所要求保护的技术提供进一步的说明。
所包括的附图用于提供对本公开的进一步理解，其合并到本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了实施方式，并且连同说明书一起用于说明本技术原理的实施方式。图I示出了根据本公开的实施方式的显示器的示例性构造的截面图。图2A和图2B是图I中示出的显示器的平面图。图3A到图3C是示出了材料的紫外线透过率的特性图。·图4是示出了紫外照射量和阈值电平之间关系的特性图。图5是图I中示出的显示器的框图。图6是图5中示出的显示器的示例性像素驱动电路的图。图7是图I中示出的显示器一部分的截面图。图8是示出了图I中示出的制造显示器的方法的流程图。图9A到图9D按工序顺序地示出了图8中示出的制造方法的截面图。图IOA到图IOD示出了继图9D的工序之后的工序的截面图。图IlA到图IlC示出了继图IOD的工序之后的工序的截面图。图12是根据比较例的TFT的特性图。图13是根据比较例的显示器的示意图。图14是根据本公开实施方式的显示器的TFT的特性图。图15是示出了包括实施方式的显示器的模块的示意性构造的平面图。图16示出了应用例I的外观的透视图。图17A示出了当从前侧来观察时应用例2的外观的透视图，而图17B示出了当从背侧来观察时应用例2的外观的透视图。图18示出了应用例3的外观的透视图。图19示出了应用例4的外观的透视图。图20A是应用例5在打开状态下的正视图，图20B是其侧视图，图20C是折叠状态下的正视图，图20D是左视图，图20E是右视图，图20F是俯视图，图20G是底视图。
具体实施例方式将参考图来详细地描述本公开的实施方式。要注意的是，将以下面的顺序给出描述。I.实施方式1-1.总体构造1-2.显示器的总体构造1-3.制造方法2.应用例
I.实施方式(1-1.总体构造)图I示出了根据本公开的实施方式的显示器I的一部分的截面构造。在显示器I中，在基板11的像素区2上,多个像素(未示出)矩阵状(格子状)地排列。像素包括红色像素R、绿色像素G以及蓝色像素B,线状地排列各个颜色。每个像素(R、G、以及B)设置有输出相应颜色的有机EL器件20 (发光器件)。在用于器件的驱动的薄膜晶体管10上形成各个有机EL器件20。要注意的是，在这种情况下，红色像素R、绿色像素G、以及蓝色像素B的组合配置成一个显示像素(像素)。框区3设置在像素区2的周围，端子部4设置在框区3的周边部。在本实施方式的显示器I中，如图I和图2A所示，在框区3(在像素区2和端子部4之间)中设置遮光膜5。遮光膜5由通过散射或吸收光(尤其是具有420nm或更短波长的光(紫外光))而具有遮光功能的材料制成。遮光膜5形成为覆盖在像素区2中设置的TFT10以及有机EL器件20的侧面以及有机EL器件20的顶面的一部分。因此，在稍后描述的显示器I的制造过程中，在对端子部4设置防水加强材料35A和35B的时候所输出的紫外(UV)光向TFT的入射被抑制。在本实施方式中，遮光膜5 (5A和5B ;参见图10)不仅设置在TFT 10的侧面、有机EL器件20的侧面以及有机EL器件20的顶面的一部分，还设置在从TFT 10的端部延伸形成的并构成有机EL器件20的层上，从而将有机EL器件20夹在中间。应注意的是，这不是限制性的，并且，例如，如果遮光膜5被设置为覆盖有机EL器件20的至少部分顶面或侧面、以及从有机EL器件20的侧面到基板11的进一步的延伸线，则可抑制上述TFT 10上的紫外光的入射。此外，如图2B中所示，在本实施方式中，在遮光膜5的表面(参见图I，在基板11上和有机EL器件20的顶面上)上设置一个或多个凹部5a。通过设置这 种凹部5a，除了由构成遮光膜5的材料的特性所提供的对紫外光的遮光功能之外，还外加了通过形状(或凹部5a)所提供的反射功能，由此更加确保了遮蔽从斜向到TFT 10上的紫外光入射。构成遮光膜5的材料的实例是氧化钛(TiO2)以及氧化锌(ZnO)。一般金属诸如铝(Al)、铜(Cu )、钨(W)、金(Au)、钽(Ta)、钴(Co)及其硅化物也可以用作遮光膜5。也可以使用诸如氮化钛(TiN)和氮化钽(TaN)的阻挡金属(barrier metal)。只要获得上述对紫外光的遮光功能,也可以使用其他材料。此外，遮光膜5可包括具有遮光功能的材料之外的材料。遮光膜5的膜厚度优选为380nm或以上。例如，如图3A到图3C中所示，与ITO(图3A)和硅石(图3C)相比，TiO2 (图3B)具有在紫外区中遮光的功能。特别是，当膜厚度是500nm时，获得90%的紫外遮光能力。在固化上述的防水加强材料的情况下，因为典型的紫外光的照射量大约是lOOOmJ/cm2，所以当通过具有500nm膜厚度的TiO2膜遮光的时候，允许大约10% (100mJ/cm2)的紫外光从其通过。图4示出了紫外照射量和在紫外照射后TFT10的阈值电平(Vth)的变化量(AVth)之间的关系。如图4中所示，当100mJ/cm2的紫外光照射时，阈值电平(Vth)偏移大约0. IV。通常，TFT的可接受AVth是0. 2V或之下。参考图4，在紫外照射量是175mJ/cm2时，Λ Vth变为0. 2V。另一方面，在紫外入射光的强度由Ltl表示的情况下，发射光的强度L具有L (t)=L0X Jlt的关系，其中每单位长度(膜厚度)的透过率由Π表示。假定，入射光Ltl的强度是施加到防水加强材料35Α和35Β (在固化它们的时候)的紫外照射量(lOOOmJ/cm2)，并且每单位长度(膜厚度)的透过率η是与500nm的膜厚度相应的透过率，也就是说，n=10%=0. I。此外，如果透射光的强度L (t)是TFT的可接受的AVth (0.2V)，那么175=1000X0. I (t/5°°)，并且t=378. 5nm。具体地讲，用于有效地抑制TFT 10上的紫外入射光的遮光膜5的膜厚度，优选地是378. 5nm或以上，并更优选地，380nm或以上。(1-2.显示器的总体构造)接着，描述显示器I的截面构造。图5示出了根据本实施方式的显示器I的模块构造。例如，显示器I用作有机EL电视等。如上所述，矩阵状排列的多个有机EL器件20(20R、20G和20B)的像素区2，形成于基板11上，框区3布置为包围像素区2。框区3设置有作为图像显示的驱动器的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130。在像素区2中，设置像素驱动电路140。图6示出了像素驱动电路140的示例。像素驱动电路140是形成在稍后描述的下部电极21的下层中的有源型驱动电路。换句话说，像素驱动电路140包括驱动晶体管Trl、写入晶体管Tr2、设置在晶体管Trl和Tr2之间的电容器Cs、以及在第一电源线(Vcc)和第二电源线(GND)之间串联连接到驱动晶体管Trl·的红色有机EL器件20R (或绿色有机EL器件20G、或蓝色有机EL器件20B)。每个驱动晶体管Trl以及写入晶体管Tr2均由普通TFT配置而成，其构造没有特别的限制，例如，可以是反向交错结构(所谓的底栅型)，或者是交错结构(顶栅型)。在像素驱动电路140中，多个信号线120A在列方向上排列，而多个扫描线130A在行方向上排列。在信号线120A和扫描线130A之间的每个交叉点，对应于红色有机EL器件20R、绿色有机EL器件20G和蓝色有机EL器件20B之一。信号线120A连接到信号线驱动电路120，图像信号从信号线驱动电路120经由信号线120A而提供至写入晶体管Tr2的源电极。扫描线130A连接到扫描线驱动电路130，扫描信号从扫描线驱动电路130经由扫描线130A连续地提供至写入晶体管Tr2的栅电极。图7示出了显示器I的一部分的截面构成。在显示器I中，由例如有源矩阵系统驱动的TFT 10设置在基板11上，而包括与像素(R、G以及B)对应的发光层23C的有机EL器件20 (20R、20G、以及20B)设置在TFT 10上。(TFT)TFT 10是所谓的底栅型TFT，并且它的沟道(有源层)是由例如氧化物半导体制成。在TFT 10中，栅电极12、栅绝缘膜13、氧化物半导体层14、沟道保护膜15、源/漏电极16A和16B以该顺序形成在由玻璃等制成的基板11上。被配置在基板11的整个面上用于将TFT 10的凹凸部平坦化的平坦化膜18形成在源电极16A和漏电极16B上。通过施加到TFT 10的栅电压，栅电极12在氧化物半导体层14中起控制载流子密度(这里是电子密度)的作用。栅极12被配置为由钥(Mo)、铝(Al )、铝合金等之一制成的单层膜或由它们中的两种或更多种制成的层叠膜。需注意的是，例如，铝合金的实例包括铝钕
I=I -Wl o栅绝缘膜13是由Si02、Si3N4、氮化硅氧化物(SiON)、氧化铪(HfO)、氧化铝(A1203)、氧化钽(TaO)、氧化锆(ZrO)等以及它们的氮氧化物之一制成的单层膜。此外，栅绝缘膜13可以是由它们的两种或更多种制成的层叠膜。有了这样的构造，可以改善栅绝缘膜13和氧化物半导体层14之间的边界表面特性，并且防止含在基板11中的杂质扩散到氧化物半导体层14中。栅绝缘膜13的膜厚度为例如200nm到300nm。
氧化物半导体层14含有例如铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)和钛的一种或多种氧化物作为主要成分。氧化物半导体层14通过栅电压的施加，在源/漏电极16A和16B之间形成沟道。氧化物半导体层14的膜厚度是例如5nm到200nm。沟道保护膜15形成在氧化物半导体层14上，并且被配置用于防止沟道在形成源/漏电极16A和16B的时候被损坏。沟道保护膜15的厚度是例如20nm到300nm。此外，作为沟道保护膜15的材料，可使用类似于栅绝缘膜13的材料的任何材料。例如，每个源/漏电极16A和16B是由诸如Mo、Al、铜(Cu)和钛、它们的合金的金属、以及诸如ITO和TiO的导电材料制成的单层膜，或由它们的两种或更多种制成的层叠膜。例如，期望使用三层膜分别由Mo、Al和Mo制成，分别具有50nm、500nm和50nm的膜厚度，并按该顺序层叠而成，或者，为含氧的金属化合物以及与氧形成弱键的诸如ITO和氧化钛的金属或金属化合物。有了这样的构造，可稳定地维持氧化物半导体的电特性。例如，平坦化膜18由诸如Al203、Ti02、以及其氮化物的无机绝缘材料制成。平坦化 膜18的厚度是例如20nm到200nm，优选地50nm以下。当平坦化膜18具有3. Og/cm3以上的膜密度的时候，提供对氧和氢的高阻挡性能。有机EL器件20的下部电极21形成在平坦化膜18上。(有机EL器件)有机EL器件20是顶部发光型的发光器件，其被配置为从基板11的相反侧(阴极电极侧)提取光(当从下部电极21 (阳极电极)注入的空穴和从上部电极(阴极电极)注入的电子在发光层23C中复合时产生的光)。通过使用顶部发光型的有机EL器件20，改进了显示器的发光部的开口率(aperture ratio)。需注意的是,本公开的有机EL器件20的构造不局限于此，并且，也可采用例如从基板11提取光的透射型发光器件，即底部发光型。在显示器I是例如顶部发光型的情况下，在有机EL器件20中，由诸如铝、钛和铬的高反射材料制成的下部电极21形成在平坦化膜18上。另一方面，在显示器I是透射型的情况下，使用诸如ITO、IZO以及IGZO的透明材料。在这种情况下，稍后描述的在下部电极21和上部电极24之间的确保绝缘性质的隔壁22设置在下部电极21和平坦化膜18上。隔壁22设置在TFT 10的栅/源电极16A和16B与下部电极21之间的连接部上。例如，隔壁22是由诸如聚酰亚胺和酚醛清漆的有机材料制成，具体地讲，诸如正型感光聚酰亚胺的感光树脂，并通过施加等离子处理，可对其赋予疏水性。如图7中所示，例如，有机层23具有空穴注入层23A、空穴输送层23B、发光层23C以及电子输送层23D以该顺序从下部电极21侧层叠而成的构造。通过真空沉积方法、旋转涂布法等形成有机层23，并将在稍后给出其中的详细说明。有机层23的顶面被上部电极24所覆盖。而构成有机层23的层的膜厚度、构成材料等没有特别的限制，在下面说明膜厚度、构成材料等的实例。空穴注入层23A是增强到发光层23C的空穴注入效率并且防止泄漏的缓冲层。例如，空穴注入层23A的厚度优选为5nm到200nm，更优选为8nm到230nm。空穴注入层23A的构成材料可以适当地根据电极和相邻层的材料关系来选择，空穴注入层23A的构成材料的实例包括聚苯胺、聚噻吩、聚卩比咯、聚亚苯基乙烯撑(polyphenylenevinylene)、聚噻吩基乙烯撑(polythieny leneviny Iene)、聚喹啉、聚喹喔啉和其衍生物、包括在主链或侧链中含有芳胺结构的导电聚合物、诸如铜酞菁的金属酞菁、以及碳。导电聚合物的具体的实例包括诸如苯胺低聚物(oligoaniline)和聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的聚二氧噻吩。空穴输送层23B增强了到发光层23C的输送效率。尽管取决于器件的总体构造，但是空穴输送层23B的厚度优选为例如5nm到200nm，更优选为8nm到230nm。作为用于构成空穴输送层23B的材料，可使用可溶于有机溶剂的发光材料，诸如聚乙烯咔唑、聚芴、聚苯胺、聚硅烷和其衍生物、在主链或侧链中含有芳胺结构的聚硅氧烷的衍生物、聚噻吩和其衍生物、聚吡咯以及Alq3。当电场施加到发光层23C时，引起电子和空穴的复合来产生光。虽然取决于器件的总体构造，发光层23C的厚度优选为例如IOnm到200nm，更优选为20nm到230nm。发光层23C可具有单层结构或层叠结构之一。具体地讲，不仅可以如在本实施方式的有机EL器件20的情况下一样，采用对应于红色、绿色和蓝色的发光层23CR、23CG和23CB分别在空穴输送层23B上设置为单层的构造，而且例如，也可采用蓝色发光层中被设置作为有机EL器 件20R、20G以及20B的公共层的构造。在这种情况下，在红色有机EL器件20R中，蓝色发光层23CB是层叠在红色发光层23CR上，而在绿色有机EL器件20G中，蓝色发光层23CB是层叠在绿色发光层23CG上。此外，虽然在这里未示出，但是可层叠红色发光层23CR、绿色发光层23CG以及蓝色发光层23CB，通过层叠这些层，形成白色有机EL器件。作为用于配置发光层23C的材料，可使用对应于各自的发射颜色的任何材料，并且这样的材料包括聚芴高分子衍生物、(聚)对苯乙烯撑衍生物、聚亚苯基衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚噻吩衍生物、二萘嵌苯颜料、香豆灵颜料、若丹明颜料、以及掺杂有机EL材料的任何上述的聚合物。作为掺杂材料，可使用红荧烯、二萘嵌苯、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆灵6等。需注意的是，作为用于构成发光层23C的材料，也可将两种以上的上述材料混合使用。此外，上面提到的高分子量材料并不是限制性的，并也可使用低分子量材料的组合。低分子量材料的实例包括轻质汽油、苯乙烯胺、三苯胺、叶啉、三亚苯、氮杂苯并、四氰基醌二甲烧(tetracyanoquinodimethane)、三唑、咪唑、卩惡二唑、聚芳基烯烃、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪和其衍生物、诸如硅烷化合物、乙烯咔唑类化合物、噻吩类化合物和苯胺类化合物的杂环共轭体系的单体或低聚物。除上面提到的材料之外，作为用于配置发光层23C的材料，具有高发光效率的任何低分子荧光材料以及诸如磷光颜料和金属络合物的有机的发光材料，可以用作发光性客体材料(guest material)。需注意的是，例如，发光层23C可以是也用做上述空穴输送层23B的空穴输送性发光层，此外，可以是也用于稍后描述的电子输送层23D的电子输送性发光层。电子输送层23D增强了到发光层23C的电子输送效率。虽然取决于器件的总体构造，但是电子输送层23D的总的膜厚度优选地是例如5nm到200nm,更优选为IOnm到180nm。优选把高电子输送能力的有机材料用为电子输送层23D的材料。通过增强到发光层23C的电子输送效率，可抑制在发光颜色由于电场强度的变化。具体地，优选使用芳基吡啶衍生物、苯并咪唑衍生物等。有了这样的构造，即使以低的驱动电压，也可维持在电子供应的高效率。电子输送层23D的材料的实例包括碱金属、碱土金属、稀土金属和它们的氧化物、复合氧化物、氟化物、碳酸盐等。例如，上部电极24被配置为具有大约IOnm的厚度，并由具有适合的光透过率和低功函数的材料制成。此外，也可通过用氧化物形成透明导电层来确保光提取。在这样的情况中，可使用ZnO、ITO、IZnO、InSnZnO等。此外，尽管上部电极24可以是单层，但是在此情况下的上部电极24具有例如第一层、第二层以及第三层(均未示出)以该顺序从下部电极21侧层叠的结构。第一层的材料优选地是具有低功函数和适合的光透过率的材料。具体地，第一层的材料的实例包括诸如钙(Ca)和钡(Ba)的碱土金属、诸如锂(Li)和铯(Cs)的碱金属、铟(In) JM(Mg)和银(Ag)。该材料的实例还包括诸如Li20、Cs2Co3、Cs2S04、MgF、LiF和CaF2的碱金属氧化物、碱金属氟化物、碱土金属氧化物和碱土氟化物。第二层由具有光透过率和合适的导电性材料制成，例如，由薄膜形式的镁银电极、钙电极等构成。第三层优选由透明的镧系元素氧化物制成，以便抑制电极的劣化。有了这样的构造，第三层可以用作可从顶面提取光的密封电极。此外，在有机EL器件20是底部发·光类型的情况下，金(Au)、钼(Pt)、AuGe等被用作第三层的材料。需注意的是，通过真空沉积方法、磁控溅射法、等离子CVD方法等形成第一层、第二层以及第三层。此外，在采用这种发光器件的显示器的驱动系统是有源矩阵系统的情况下，可以在由覆盖了下部电极21的一部分的隔壁22和有机层23来将上部电极24与下部电极21绝缘的状态下，以固态膜的形式在基板11上形成上部电极24以用作像素的公共电极。此外，上部电极24可以是含有诸如铝喹啉络合物、苯乙烯基胺衍生物、以及酞菁衍生物的有机光发射材料的混合层。在这种情况下，与第三层(未示出)一样，上部电极24可单独地包括由具有高光透过率的MgAg制成的层作为第三层(未示出)。此外，上部电极24不局限于上面提到的层叠结构，自然，根据要形成的器件的结构，可以采用任何合适的组合和层叠结构。例如，上面提到的本实施方式的上部电极24的构造是层叠结构，其电极层的功能彼此分离，即，用于促进电子注入到有机层23里的无机层(第一层)、支配(rule)电极的无机层(第二层)、以及用于保护电极的无机层(第三层)彼此分离。然而，用于促进电子注入到有机层23里的无机层也可用作支配电极的无机层，并且这些层可被配置为单层结构。此外，在有机EL器件20具有腔结构的情况下，上部电极24优选由半透明和半反射的材料制成。有了这样的构造，受到下部电极21侧上的光反射面和上部电极24侧上的光反射面之间的多种干涉的光，从上部电极24侧被提取。在这种情况下，假定根据要提取光的波长来定义下部电极21侧上的光反射面和上部电极24侧上的光反射面之间的光学距离，并且假定层的厚度被设置为满足该光学距离。通过在这样的顶部发射型的光反射装置中积极地使用这种腔结构，使得提高向外部的光提取效率和控制发光光谱成为可能。保护膜25被配置用于防止水渗入到有机层23中，并且由低透过性和低渗水性的材料制成，具有厚度为例如2 ii m到3 ii m。保护膜25可由任何绝缘材料和导电材料制成。作为绝缘材料，优选的使用诸如非晶硅(a-Si)、非晶碳化硅(a-SiC)、非晶氮化硅(a -SUx)和无定形碳(a -C)的无机非晶绝缘材料。因为这样的无机非晶绝缘材料不会产生颗粒(grain，晶粒)，可获得有低渗水性的良好保护膜。在有机EL器件20的上部电极24侧上设置密封基板27，其与粘结层26结合，用以密封有机EL器件20。密封基板27由对有机EL器件20产生的光透明的材料(例如玻璃)制成。密封基板27设置有例如彩色滤光片27A和黑色矩阵27B。密封基板27提取有机EL器件20产生的光，并吸收有机EL器件20之间的配线所反射的外部光，以改善对比度。例如，彩色滤光片27A和黑色矩阵27B设置在密封基板27上。彩色滤光片27A包括红色滤光片27AR、绿色滤光片27AG以及蓝色滤光片27AB，并分别布置在相应的有机EL器件20R、20G以及20B上。例如，每个红色滤光片27AR、绿色滤光片27AG以及蓝色滤光片27AB具有矩形形状，并且形成为在它们之间没有间隙。每个红色滤光片27AR、绿色滤光片27AG以及蓝色滤光片27AB由混合有颜料的树脂制成，并且通过选择颜料，可以调整其透光率，使得红色、绿色或蓝色的所期望波长范围的透光率被设置为高，而其余的波长范围的透光率被设置为低。例如，黑色矩阵27B由混合有黑色着色剂的、具有I以上的光密度的黑色树脂膜构成，或者由利用薄膜干涉的薄膜滤光片构成。如果采用黑色树脂膜，黑色矩阵27B可以廉价地和容易地形成，这是优选的。例如，薄膜滤光片是各自由金属、金属氮化物或金属氧化物制成的一个或以上的薄膜层叠的滤光片，通过利用薄膜的干涉来衰减光。薄膜滤光片的具·体实例包括铬和铬氧化物(III) (Cr2O3)交替层叠的薄膜滤光片。此外，除上面提到的方法外，有机层23可由诸如旋转涂布法、浸溃法、刮板法、放电涂布法以及喷涂法的涂布方法，诸如喷墨法、胶版印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、微凹印涂布法的印刷方法等形成。根据有机层和其他构件的性质，可以同时使用干法工艺和湿法工艺。(1-3.制造方法)例如，显示器I可用下面的方式制造。图8示出了制造显示器I的方法的流程。图9A到图IlC按照工艺次序示出了制造显示器I的方法。首先，如图9A中所示，在像素区2中，将包括TFT 10的像素驱动电路140形成在由上述材料制成的基板11上，而在框区3中(见图I)，形成提取电极31(见图I)(步骤SIODo接着，在TFT 10的框区3侧上，换言之，在像素区2和端子部4之间，形成下部遮光膜5A (步骤S 102)。首先，如图9A中所示，例如，通过例如磁控溅射法或CVD (化学气相沉积)，利用区域掩模(area mask)41在TFT 10的框区2侧的基板11上形成具有500nm的厚度的SiO2膜17。接着，如图9B中所示，将光刻胶膜42通过旋转涂布法涂布到TFT 10和SiO2膜17上，此后，如图9C中所示，使用光掩膜43实施曝光，并利用例如叶片式(paddle-type)显影设备进行显影。接着，如图9D中所示，在加工光刻胶膜42之后，通过例如湿法蚀刻或干法蚀刻来去除暴露的SiO2膜。接着，通过去除剩余光刻胶膜42，形成各自具有例如Φ =IOOOnm的大小的柱形凹部17A(图10A)。接着，如图IOB中所示，利用区域掩模44，例如，在像素区2和端子部4 (框区3)之间，通过例如磁控溅射法或CVD法形成TiO2膜，因而在下部遮光膜5A的底面上和与平坦化膜18接触的顶面上形成的凹凸部。(形成平坦化膜18的工艺)接着，如图10 (C)中所示，在TFT 10上和下部遮光膜5A的一部分上形成平坦化膜18之后，形成有机EL器件20和上部遮光膜5B (步骤S103到S105)。首先，因为绝缘材料具有正型感光性，例如，将聚酰亚胺通过例如旋转涂布法涂布到TFT 10上和下部遮光膜5A的一部分上，所以利用曝光设备进行曝光。接着，利用例如叶片式显影装置进行显影，以形成具有预定形状的聚酰亚胺膜，此后，在例如干净的烘干炉中，热固化聚酰亚胺膜以形成具有2 μ m厚度并包括接触孔18A的平坦化膜18。(形成下部电极21的工艺)接着，例如，由例如铝合金制成的导电薄膜在平坦化膜18上图案化，由此形成用于每个红色有机EL器件20R、绿色有机EL器件20G以及蓝色有机EL器件20B的下部电极21。此时，下部电极21经由平坦化膜18的接触孔18A与晶体管10的漏极16B电连接。具体地，例如，在平坦化膜18上形成的由铝合金制成的膜具有例如200nm的膜厚度，然后通过光刻法图案化以形成下部电极21。(形成隔壁22的工艺)接着，在下部电极21和平坦化膜18上形成隔壁22。具体地，例如，将聚酰亚胺通 过旋转涂布法涂布到下部电极21和平坦化膜18，此后，将聚酰亚胺进行曝光和显影，然后图案化以获得预定的形状，由此形成隔壁22。(形成有机层23和上部电极24的工艺)接着，将由上述的材料制成的空穴注入层23A、空穴输送层23B、发光层23C、电子输送层23D以及上部电极24在下部电极21上顺序地形成。具体地，例如，在将基板11在N2环境下烘烤并通过O2等离子处理，有机层23 (空穴注入层23A、空穴输送层23B、发光层23C以及电子输送层23D)和上部电极24通过例如真空沉积法顺序地形成。需注意的是，例如，作为形成有机层23和上部电极24的方法不仅可以采用真空沉积方法，而且还可以采用旋转涂布法、喷涂法以及狭缝印刷。在形成上部电极24之后，形成保护膜25。具体地，首先，通过成膜粒子的能量小的沉积法和CVD法的膜形成方法，以不影响基底(foundation)的程度形成保护膜25。例如，在形成由SiO2制成的保护膜25的情况下，通过CVD法，形成具有例如5 μ m的膜厚度的膜。此时，为了防止由于有机层23的劣化导致的亮度降低，期望膜形成温度被设成室温，并且，为了防止保护膜25的剥落，期望在膜的应力为最小水平的条件下形成膜。需注意的是，辅助电极(未示出)与下部电极21在相同的工序形成的情况下，在上部电极24形成之前，在辅助电极上形成为固态膜的有机层23可通过诸如激光消融的方法去除。利用这样的构造，上部电极24可以直接地连接到辅助电极，同时提高其连接性。(形成上部遮光膜5B的工艺)在保护膜25形成之后，在有机EL器件20的侧面上和顶面的一部分上形成上部遮光膜5B。具体地，利用区域掩模45，在框区3，通过例如磁控溅射法或CVD法形成具有例如1500nm的厚度的TiO2膜。接着，如图IOD中所示，将光刻胶膜46通过旋转涂布法涂布到保护膜25和TiO2膜上。接着，如图IlA中所示，利用光掩模47进行曝光和显影，并如图IlB中所示地加工光刻胶膜46。接着，如图IlC中所示，通过湿法蚀刻或干法蚀刻，在暴露的TiO2膜中形成凹部5a，此后，去除剩余的光刻胶膜46以形成上部遮光膜5B。以这种方式，完成了遮光膜5，其覆盖的区域范围从TFT 10的侧面到有机EL器件20的顶面的一部分。在顶部的遮光膜5B形成之后，例如，由上述的材料制成的黑色矩阵27B形成在由上述材料制成的密封基板27上。接着，红色滤光片27AR的材料通过旋转涂布法等涂布到密封基板27上。接着，该材料通过照相平版印刷技术图案化并烘烤以形成红色滤光片27AR。接着，如红色滤光片27AR的情况一样，顺序地形成绿色滤光片27AG。此后，粘结层26形成在保护膜25、遮光膜5和基板11上，密封基板27经由粘结层26粘合在其上。
接着，例如，形成在膜上的各向异性导电膜32被布置并临时固定在包括驱动器IC34等的COF (覆晶薄膜)33上，然后，进行COF 33与在基板11上的端子部4中形成的提取电极31的对准(alignment)。在此状态下，利用各向异性的导电膜32，在被加压的同时加热提取电极31和C0F33，并通过含在各向异性导电膜32中的导电性微粒电连接提取电极31和COF 33的配线，并且COF 33形成在基板11的端子部4中。接着，以如下方式涂布紫外线光固化树脂密封使TFT 10密封的粘结层26、有机EL器件20、设置在粘结层26上的密封基板27的侧面、COF 33的一部分等。此外，在基板11的背面侧上涂布紫外光固化树脂使得密封提取电极31的端面和各向异性导电膜32的端面。此后，施加lOOOmJ/cm2的紫外光(波长365nm)以固化紫外光固化树脂，并因此形成防水加强材料35A和35B。以这种方式，完成图I以及图3A到图5中所示的显示器I。 在显示器I中，扫描信号经由写入晶体管Tr2的栅极从扫描线驱动电路130提供到各个像素，并且从信号线驱动电路120经由写晶体管Tr2提供的图像信号被保持在电容器Cs。具体地，根据电容Cs中所保持的信号，驱动晶体管Trl被导通或截止，由此，驱动电流Id注入到红色有机EL器件20R、绿色有机EL器件20G以及蓝色有机EL器件20B中，借此，空穴和电子复合以产生光。在底部发光的情况下，所产生的光在穿过下部电极21和基板11之后被提取，而在顶部发光的情况下，光在穿过上部电极24和设置在密封基板27上的彩色滤光片27A之后被提取。如前面提到的，在诸如移动显示器的显示器中，所期望的是较窄的框。由于这个原因，在框区中所设置的端子部和在像素区中所设置的像素之间的距离显著地被缩短。在TFT、发光器件等的安装过程中，对端子部设置防水加强料以便防止在压力粘结之后COF的剥落，并防止由于水的渗入引起的端子部的腐蚀。因为这种防水加强料由如上所述的紫外光固化树脂制成，所以紫外光在制造过程中被施加到材料。问题是，在这样的紫外光照射的时候，在窄框的显示器中，所施加的用于固化材料的紫外光穿过防水加强材料，然后进入布置在像素区周边部的TFT的半导体层，导致了 TFT特性的劣化。图12示出了紫外线照射前后，布置在已知显示器100的像素区102的周边部中的TFT的电流和电压特性。如图12中所示，在照射之后的阈值电平电压(Vth)比UV照射之前偏移至负(_)方向。由此，问题是，显示器100中的像素区102的周边部的TFT特性劣化，从而形成如图13中所示的像素区102周边部的亮度减少的亮度下降区102，导致亮度不均。相比之下，本实施方式的显示器I设置有由TiO2 (图3B)等制成的遮光膜5，其覆盖TFT 10的侧面、有机EL器件20的侧面及有机EL器件20的顶面的一部分。图14示出了紫外照射前后，布置在显示器I的像素区2的周边部中的TFT 10的电流和电压特性。如图14中所示，阈值电平电压(Vth)在紫外照射前后未偏移。这样，在TFT 10上形成防水加强材料35A和35B等时，可以抑制从倾斜方向入射到TFT 10上的紫外光，由此可以抑制TFT特性的劣化。如上所述，在本实施方式的显示器I及其制造方法中，在形成TFT 10和有机EL器件20之后，形成覆盖TFT 10的端面等的遮光膜5，因此，可以有效地遮蔽从倾斜方向、尤其从框区3侧入射到TFT上的紫外光。这样，抑制了 TFT特性的劣化，由此减小了在像素区2中亮度不匀的产生。换句话说，可以提供很少引起亮度不均的高质量显示器。此外，因为在本实施方式中，在遮光膜5的表面上设置有凹部5a，所以可以有效地遮蔽来自倾斜方向的紫外光。此外，因为紫外光通过遮光膜5的凹凸部反射到框区3侧，即防水加强材料35A和35B侧，所以可以用更少的紫外光照射量固化构成防水加强材料35A和35B的紫外光固化树脂。2.应用例例如，上述显示器I可安装在下面的应用例I到5中示出的电子单元中。
(模块和应用例)在下文中，将描述在上面提到的实施方式中所描述的显示器I的应用例。上面提到的实施方式的显示器I可应用到各种不同领域中的电子单元的显示器，其将外部输入的视频信号或内部产生的视频信号显示为图像或视频。这样的电子单元的典型实例包括电视、数码相机、笔记本个人电脑、诸如移动电话的移动终端单元以及视频摄像机。(模块)上述的实施方式等的显示器I包含在下述应用例I到5的各种电子单元等中作为例如图15中所示的模块。这个模块包括例如区210，其设置在基板11的一侧并暴露于保护膜和密封基板30。在所暴露的区210中，信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的配线延伸以构成在暴露区210中的外部连接终端(未示出)。外部连接终端可设置有用于输入和输出信号的柔性印刷电路(FPC) 220。(应用例I)图16示出应用了上述实施方式的显示器I的电视的外观。例如，电视设置有包括前面板310和滤光玻璃320的图像显示画面部300，并且图像显示画面部300由根据上述实施方式的显示器I构成。(应用例2)图17A和17B示出应用了上述实施方式的显示器I的数码相机的外观。例如，该数码相机包括用于产生闪光的发光部410、显示部420、菜单开关430和快门按钮440，显示部420由根据上述实施方式的显示器I构成。(应用例3)图18示出应用了上述实施方式的显示器I的笔记本个人电脑的外观。例如，该笔记本个人电脑包括主体510、用于输入字母等的键盘520以及用于显示图像的显示部530，并且显示器530由根据上述实施方式的显示器I构成。(应用例4)图19示出应用了上述实施方式的显示器I的视频摄像机的外观。例如，该视频摄像机包括主体部610、用于捕获物体的图像并设置在主体部610前侧的透镜620、用于获取图像的开始/停止开关630以及显示部640，并且显示部640由根据上述实施方式的显示器I构成。(应用例5)图20A到图20G各自示出应用了上述实施方式的显示器I的移动电话的外观。例如，该移动电话包括上部外壳710、下部外壳720、连接上部外壳710和下部外壳720的连接部730 (铰链部分)、显示器74、子显示器750、闪光灯760以及照相机770。显示器740或子显示器750由根据上述实施方式的显示器I构成。在上文，尽管本公开已经参考实施方式进行了描述，但本公开不局限于上述实施方式，并可做出各种更改。例如，在上述实施方式中，设置对应于各像素的红发光层、绿发光层以及蓝发光层作为发光层23C，但这并不是限制性的，可以层叠发光层以构成白色有机EL器件。在这样的情况下，红发光层和绿发光层可以被黄发光层替代。此外，上述实施方式中所描述的各个层的材料和厚度、用于膜形成的方法和条件等不是限制性的，并且也可采用用于膜形成的其他材料和厚度、其他方法和条件。例如，尽管氧化物半导体用作上述实施方式中的沟道，但这不是限制性的，也可以使用硅或有机半导体。此外，尽管上述实施方式中具体地描述了有机EL器件20R、20G、以及20B的构成，但是不一定所有的层都包括在其中，并且可以进一步地包括其它层。例如，可以在空穴注入层23A上直接形成发光层23C而不形成空穴输送层23B，并且也可以在电子输送层23D上设
置电子注入层。·
更进一步地，尽管在上述实施方式中描述的是源矩阵型显示器，但是本公开也可应用于无源矩阵型显示器。更进一步地，用于有源矩阵驱动的像素驱动电路的构成不局限于在上述实施方式中所描述的构成，在必要时，可以加上电容元件和晶体管。在这样的情况下，根据像素驱动电路的改变，除上述信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130之外，可以加入必要的驱动电路。需注意的是，本技术可如下地配置。在实施方式中，显示器包括树脂、晶体管、以及位于树脂和晶体管之间的遮光材料，其中遮光材料被配置用于抑制晶体管上的入射光。在根据实施方式的显示器中，晶体管是薄膜晶体管。在根据实施方式的显示器中，晶体管包括氧化物半导体。在根据实施方式的显示器中，显示器还包括发光器件。发光器件和晶体管处于像素区中，并且遮光材料是在像素区的周边。在根据实施方式的显示器中，遮光材料覆盖面对显示器的周边的晶体管的侧面，并覆盖面对显示器的周边的发光器件的侧面。在根据实施方式的显示器中，显示器还包括发光器件，其中遮光材料覆盖发光器件的上侧。在根据实施方式的显示器中，显示器还包括发光器件以及发光器件和晶体管之间的绝缘层。遮光材料设置在绝缘层的侧面。在根据实施方式的显示器中，显示器还包括发光器件以及设置在在发光器件上方的保护层。遮光材料设置在保护层的上侧和周边侧的至少一个上。在根据实施方式的显示器中，遮光材料包括多个凹部。在根据实施方式的显示器中，在遮光材料的表面上设置凹凸部。在根据实施方式的显示器中，遮光材料是氧化钛、氧化锌、金属和其硅化物、以及具有阻挡金属的材料的至少一种，其中金属和阻挡金属可包括任何合适的材料或材料的组合，例如用做所述金属的Al、Cu、W、Au、Ag、Ta、Co和Ti ;以及用做阻挡金属的钛、钽、氮化钛以及氮化钽。在根据实施方式的显示器中，显示器还包括发光器件，以及与发光器件和晶体管接触的接触层。遮光材料是在等于或高于接触层接触晶体管的位置。
在根据实施方式的显示器中，遮光材料设置在低于晶体管的高度的位置。在根据实施方式的显示器中，显示器还包括覆晶薄膜，其中遮光材料设置在覆晶薄膜和晶体管之间。在根据实施方式的显示器中，显示器还包括绝缘层和发光器件。遮光材料设置在绝缘层的侧面和发光器件的周围。在根据实施方式的显示器中，显示器还包括发光器件，其中，遮光材料设置在发光器件的高度。在实施方式中，制造显示器的方法包括形成树脂、晶体管以及遮光材料。遮光材料位于树脂和晶体管之间，并且遮光材料被配置为用于抑制薄膜晶体管上的入射光。根据实施方式的方法中，晶体管是薄膜晶体管。根据实施方式的方法中，晶体管包括氧化物半导体。根据实施方式的方法中，该方法还包括形成发光器件。在像素区中形成发光器件和晶体管，并且在像素区的周边形成遮光材料。根据实施方式的方法中，放置遮光材料以覆盖面对显示器的周边的晶体管的侧面，并覆盖面对显示器的周边的发光器件的侧面。根据实施方式的方法中，该方法还包括形成发光器件，其中放置遮光材料以覆盖发光器件的上侧。根据实施方式的方法中，该方法还包括形成绝 缘层和发光器件。绝缘层放置在发光器件和晶体管之间，并且遮光材料放置在绝缘层的侧面。根据实施方式的方法中，该方法还包括形成保护层和发光器件。保护层放置在发光器件之上，并且遮光材料放置在保护层的上侧和周边侧中的至少一个上。根据实施方式的方法中，该方法还包括在遮光材料中形成多个凹部。根据实施方式的方法中，在遮光材料的表面上设置凹凸部。根据实施方式的方法中，遮光材料是氧化钛、氧化锌、金属和其硅化物、以及具有阻挡金属的材料中的至少一种，其中金属和阻挡金属可包括任何合适的材料或材料的组合，诸如用做所述金属的铝、铜、钨、金、银、钽、钴以及钛；以及用做所述阻挡金属的钛、钽、氮化钛以及氮化钽。根据实施方式的方法中，该方法还包括形成发光器件并形成与发光器件和晶体管接触的接触层。遮光材料是在等于或高于接触层接触晶体管的位置。根据实施方式的方法中，遮光材料设置在低于晶体管高度的位置。根据实施方式的方法中，该方法还包括形成覆晶薄膜，其中遮光材料放置在覆晶薄膜和晶体管之间。根据实施方式的方法中，该方法还包括形成绝缘层和发光器件，其中遮光材料设置在绝缘层的侧面和发光器件的周围。根据实施方式的方法中，该方法还包括形成发光器件，其中以发光器件的高度设置遮光材料。在实施方式中，电子设备包括树脂、晶体管、以及位于树脂和薄膜晶体管之间的遮光材料。遮光材料被配置用于抑制晶体管上的入射光。根据实施方式的电子设备中，电子设备还包括显示器。
根据实施方式的电子设备中，显示器是0LED、电子纸或液晶显示器。根据实施方式的电子设备中，晶体管是薄膜晶体管。根据实施方式的电子设备中，晶体管包括氧化物半导体。根据实施方式的电子设备中，电子设备还包括发光器件。发光器件和晶体管处于像素区中，并且遮光材料是在像素区的周边。根据实施方式的电子设备中，遮光材料覆盖面对显示器的周边的晶体管的侧面，并覆盖面对显示器的周边的发光器件的侧面。根据实施方式的电子设备中，电子设备还包括发光器件，其中遮光材料覆盖发光器件的上侧。根据实施方式的电子设备中，电子设备还包括发光器件，以及发光器件和晶体管 之间的绝缘层。遮光材料设置在绝缘层的侧面。根据实施方式的电子设备中，电子设备还包括发光器件，以及设置在发光器件之上的保护层。遮光材料设置在保护层的上侧和周边侧中的至少一个上。根据实施方式的电子设备中，遮光材料包括多个凹部。根据实施方式的电子设备中，凹凸部设置在遮光材料的表面上。根据实施方式的电子设备中，遮光材料是氧化钛、氧化锌、金属和其硅化物、以及带有阻挡金属的材料的至少一种，其中金属和阻挡金属可包括任何合适的材料或材料的组合，诸如用于金属的铝、铜、钨、金、银、钽、钴以及钛；以及用于阻挡金属的钛、钽、氮化钛以及氮化钽。根据实施方式的电子设备中，电子设备还包括发光器件以及与发光器件和晶体管接触的接触层。遮光材料是在等于或高于接触层接触晶体管的位置。根据实施方式的电子设备中，遮光材料设置在低于晶体管的高度的位置。根据实施方式的电子设备中，电子设备还包括覆晶薄膜。遮光材料设置在覆晶薄膜和晶体管之间。根据实施方式的电子设备中，电子设备还包括绝缘层和发光器件。遮光材料设置在绝缘层侧上和发光器件的周围。根据实施方式的电子设备中，电子设备还包括发光器件，其中遮光材料设置在发光器件的高度。本公开包含2011年8月22日在日本专利局提交的日本在先专利申请JP2011-180778中所公开的主题，该申请之全文以引用的方式并入本文中。本技术领域技术人员能够理解的是，只要在所附权利要求书或其等同技术方案的范围之内，可以根据设计要求和其他因素可进行各种修改、组合、子组合以及变更。
权利要求
1.一种显不器，包括 树脂； 晶体管；和 位于所述树脂和所述晶体管之间的遮光材料，其中，所述遮光材料被配置用于抑制所述晶体管上的入射光。
2.根据权利要求I所述的显示器，其中，所述晶体管是薄膜晶体管。
3.根据权利要求I所述的显示器，其中，所述晶体管包括氧化物半导体。
4.根据权利要求I所述的显示器，还包括 发光器件，其中，所述发光器件和所述晶体管在像素区中，并且 其中，所述遮光材料在所述像素区的周边。
5.根据权利要求4所述的显示器，其中，所述遮光材料覆盖面对所述显示器的周边的所述晶体管的侧面，并覆盖面对所述显示器的周边的所述发光器件的侧面。
6.根据权利要求I所述的显示器， 还包括发光器件， 其中，所述遮光材料覆盖所述发光器件的上侧。
7.根据权利要求I所述的显示器，还包括 发光器件；和 绝缘层，在所述发光器件和所述晶体管之间， 其中，所述遮光材料设置在所述绝缘层的侧面。
8.根据权利要求I所述的显示器，还包括 发光器件；和 保护层，设置在所述发光器件上方， 其中，所述遮光材料设置在所述保护层的上侧和周边侧中的至少一侧。
9.根据权利要求I所述的显示器，其中，所述遮光材料包括多个凹部。
10.根据权利要求I所述的显示器，其中，凹凸部被设置在所述遮光材料的表面上。
11.根据权利要求I所述的显示器，其中，所述遮光材料是氧化钛和氧化锌中的至少一种。
12.根据权利要求I所述的显示器，还包括 发光器件；和 接触层，与所述发光器件和所述晶体管接触， 其中，所述遮光材料是在等于或高于所述接触层接触所述晶体管的位置。
13.根据权利要求I所述的显示器，其中，所述遮光材料设置在低于所述晶体管的高度的位置。
14.根据权利要求I所述的显示器，还包括 覆晶薄膜， 其中，所述遮光材料设置在所述覆晶薄膜和所述晶体管之间。
15.根据权利要求I所述的显示器，还包括 绝缘层，并且 发光器件，其中，所述遮光材料设置在所述绝缘层的侧面以及所述发光器件的周围。
16.根据权利要求I所述的显示器，还包括 发光器件， 其中，以所述发光器件的高度设置所述遮光材料。
17.根据权利要求I所述的显示器，还包括 所述遮光材料由散射和/或吸收420nm以下波长的光的材料制成。
18.一种制造显示器的方法，包括 形成树脂、晶体管以及遮光材料， 其中，所述遮光材料位于所述树脂和所述晶体管之间，并且所述遮光材料被配置为用于抑制所述薄膜晶体管上的入射光。
19.一种电子设备,包括 树脂； 晶体管；和 遮光材料，位于所述树脂和所述薄膜晶体管之间，其中，所述遮光材料被配置为用于抑制所述晶体管上的入射光。
20.根据权利要求19所述的电子设备，还包括 显示器。
21.根据权利要求20所述的电子设备，其中，所述显示器是OLED、电子纸以及液晶显示器中的任何一种。
全文摘要
本发明涉及显示器、制造显示器的方法以及电子设备。该显示器包括树脂、晶体管；以及位于树脂和晶体管之间的遮光材料。遮光材料被配置以抑制入射到晶体管上的光。为了抑制晶体管特性的劣化，防止光进入用作有源层的氧化物半导体层。
文档编号H01L27/32GK102956712SQ201210291459
公开日2013年3月6日 申请日期2012年8月15日 优先权日2011年8月22日
发明者中平忠克 申请人:索尼公司