专利名称：集成电路及制造方法
技术领域：
背景技术：
常规集成电路具有裸片，裸片为小型电路，其电性及/或机械地连接到引线框或其它连接机构。在裸片与引线框之间的电性连接通常由连接在所述裸片上的导电衬垫与所述引线框上的导体之间的结合线组成。所述结合线非常小而且非常易损，使得在结合线上 施加较小的力就能对其造成损害。因此，在处置具有与其相连的结合线的电路时必须格外小心。除了非常易损，还要花时间连接结合线，因此其增加了成本及制造集成电路的时间。许多高速高频电路应用需要将裸片连接到引线框的短的引线。短引线减少裸片受到电磁干扰的概率，且其影响与引线相关联的寄生电感和电容。结合线相对较长并增加到连接在裸片与集成电路的引线框之间的寄生电容和电感上。结合线还易于受到电磁干扰。在常规裸片连接到引线框之后，所述集成电路用囊封剂囊封。囊封过程通常处于制造集成电路的最后或接近最后的阶段。囊封剂防止污染物干扰集成电路。举例来说，囊封剂防止水分损害裸片。囊封剂还防止结合线受到损害。在集成电路被囊封前，裸片、结合线和其它组件容易因为与污染物接触而失效。因此在制造过程期间必须格外小心以防止集成电路在囊封之前被损害。
发明内容
本文掲示集成电路及制造集成电路的方法。集成电路的一个实施例包含具有侧的裸片，其中导电螺柱相对于所述侧实质上垂直延伸。具有第一侧和第二侧的电介质层位于接近于所述裸片的所述侧处，以使所述电介质层的第一侧邻近于所述裸片的所述侧。所述导电螺柱延伸进所述电介质层的第一侧。第一通孔在所述导电螺柱与所述电介质层的第二侧之间延伸。具有第一侧和第二侧的导电层位于邻近于所述电介质层的第二侧处，其中所述导电层的第一侧位于邻近于所述电介质层的第二侧。所述导电层的至少一部分电性连接到所述第一通孔。
图1是集成电路的实施例的侧面剖视图。图2是图1中附接到裸片的电路的印刷线路板的一部分的放大图。图3是在图2中的印刷线路板中使用的导电螺柱的实施例。
图4是描述制造图1中的电路的方法的实施例的流程图。图5是正处于制造过程中且其中裸片已经被囊封的图1中的电路的侧面正视图。图6是图5中的电路的仰视平面图。图7是描述将第一电介质层附加到图1中的电路的方法的实施例的流程图。图8是附着到牺牲载体的第一电介质层的侧面正视图。图9是附加到图5中的电路的图8中的电介质层与牺牲载体的侧面正视图，其中 裸片上的导电螺柱刺穿电介质层。图10是牺牲载体被移除且通孔的孔形成在第一电介质层中的图9中的电路的侧面正视图。图11是具有被应用到第一电介质层的导电层(其中导电层连接到通孔)的图10中的电路的侧面正视图。图12是具有附加第二电介质层的图11中的电路的侧面正视图。图13是具有通过第二电介质层而形成的通孔的图12中的电路的侧面正视图。图14是描述制造图1中的裸片的另一实施例的流程图。图15是描述制造图1中的裸片的另一实施例的流程图。
具体实施例方式本文掲示了集成电路(本文仅指“电路”)和制造电路的方法。图1是电路100的侧面剖视图。电路100包含囊封剂106、裸片108、印刷线路板110和连接机构112。以下更详细地描述了用于制造电路100的方法的实施例。囊封剂106可为通常用于囊封集成电路或电子装置的常规囊封剂。在一些实施例中，囊封剂106通过转移成型过程而被涂覆。囊封剂106具有第一侧120和位于第一侧120对面的第二侧122。如以下更详细描述的，经改变大小以接纳裸片108的空隙124位于第一侧120中。在许多实施例中，囊封剂106在裸片108周围被模制，因此空隙124为囊封过程期间在裸片108的位置形成的囊封剂106的凹进部分。裸片108可为通常在集成电路中使用的常规裸片。裸片108具有第一侧126及对面的第二侧128。裸片108的第一侧126与囊封剂106的第一侧120 —起形成实质上连续的平坦表面。电路及/或电子装置(未图示)可以常规方式位于裸片108中或其上。举例来说，电子装置可在第二侧128上被制造。多个导电衬垫130可位于第一侧126上。导电衬垫130用来将裸片108电性连接到外部装置或导体。在一些实施例中，导电衬垫130为电性及/或机械地将物体连接到裸片108的接触点或类似物的点。导电衬垫130相对于电路100的其它组件可为非常薄的，然而，为了说明的目的，它们展示为实质上厚的。导电螺柱132电性及/或机械地连接到导电衬垫130。图2中展示图1中的裸片108的略微不同的实施例的放大图。裸片108具有连接到其的导电螺柱132。导电螺柱132可实质上类似于铜柱或铜凸块，且可通过铜凸块エ艺(copper bump process)而制造。导电螺柱132每ー者都有从导电衬垫130测量到螺柱132的远端的高度135。图3中展示将螺柱132附接到裸片108的第二且类似的实施例。在图3的实施例中，没有位于裸片108上的导电衬垫130。相反，这个实施例中的导电螺柱132直接附加到裸片108。举例来说，凸块下金属(under bump metal)(未图示)可被施加到裸片108以将螺柱132连接到裸片108。在图3的实施例中，螺柱132从裸片108的表面126延伸了距离135。或者，导电螺柱132可为类似于或等同于那些在裸片和集成电路冷却时使用的铜柱。印刷线路板110附着到或制造到裸片108的第一侧126，且还可附着到或制造到囊封剂106的第一侧120。印刷线路板110可含有若干层。在图1到3的实施例中，印刷线路板110具有三个层第一电介质层134、导电层136和第二电介质层138。印刷线路板110可与电路100分开制造，且可作为完整的组合件应用到裸片108和囊封剂106。在其它实施例中，印刷线路板110被制造到裸片108和囊封剂106上。下文描述了两种制造方法。參考图2和3，第一电介质层134具有第一侧140和第二侧142。在图1中，第一侧140附接到或附着到裸片108的第一侧126，且也可附接或附着到囊封剂106的第一侧120。导电层136可实质上类似于裸片中的重新分配层。导电层136包含导电材料144(例如铜)，其用作迹线和位于导电迹线之间的不导电材料146。导电材料144可为金属(例如 类似于或等同于在减性处理时使用的铜箔的铜箔)，或以半加性或全加性形式镀敷的金属。铜箔的实例包含一个半到两个盎司的铜箔。在其它实施例中，导电材料144可为具有若干层的箔(例如铜/铝/铜箔)。导电层136具有第一侧148和第二侧150，其中第一侧148附接到或附着到第一电介质层134的第二侧142。不导电材料146可为第一电介质层或者第二电介质层138的部分。第二电介质层138具有第一侧152和第二侧154，其中第一侧152附接到或附着到导电层136的第二侧150。第一电介质层134和第二电介质层138两者都可为通常在电路中使用的绝缘材料。印刷线路板110用来电性及/或机械地将裸片108连接到连接机构112。为了实现电性连接，多个迹线和通孔可位于印刷线路板110内以将裸片108电性连接到连接机构112。如图1到3中所示的，第一电介质层134具有在第一导电螺柱132与第二侧142之间延伸的多个通孔156。通孔156将裸片108上的导电螺柱132电性连接到印刷线路板110的导电层136中的导电材料144。导电螺柱132使通孔156在不损害裸片108的情况下而形成。举例来说，在一些实施例中，用于通孔156的孔被钻进第一电介质层134。钻孔过程将引起与导电螺柱132而不是裸片108的接触。在其它实施例中，使用化学物质来形成用于通孔156的孔。另外，化学物质将蚀刻导电螺柱132而不蚀刻裸片108。在两个实施例中，通过与导电螺柱132而不是裸片108接触而避免与裸片108的紧密接触。因为导电螺柱132从裸片108的表面126延伸，所以导电螺柱132可在钻孔或蚀刻不影响裸片108的情况下被略微钻孔或蚀刻。导电层136通过导电材料144在特殊位置为连接机构112提供电性导电点。在图1到3的实施例中，通孔158延伸穿过导电层136与第二电介质层138的第二侧154之间的第二电介质层138。应注意，连接机构112电性连接到通孔158。因此，连接机构112电性连接到导电衬垫130或裸片108上的其它电性接触点。连接机构112可包含电性和机械地连接到多个导体162的多个焊球160。导体162可实质上类似于在半导体制造中使用的凸块下金属层。导体162电性连接到通孔158。因此电性连接件在焊球160与裸片108上的导电衬垫130之间延伸。应注意焊球160和导体162为用来将通孔158连接到外部装置和其它装置的装置(例如引脚或结合线)的实例，其可被用来将通孔158电性连接到外部装置。已经描述了电路100的结构，现在将描述电路100的制造方法。參考图4的流程图300，其描述ー种制造电路100的方法。以下还将进一步描述其它制造方法。由流程图300所描述的方法包含首先在步骤304中提供裸片108，然后在步骤306中囊封裸片108。如步骤308中所示，第一电介质层134被应用到裸片108以使裸片108上的导电螺柱132刺进第一电介质层134。导电层136形成在如步骤309处所示的第一电介质层134上。如步骤312所示第二电介质层138附着到导电层136。在步骤314，通孔158形成在第二电介质层138中。在步骤316，所述方法以将连接机构112附接到第二电介质层138而结束。因此已经总体论述制造电路100的方法，现将详细描述所述方法。电路100的制造从提供裸片108开始，如图4中的流程图300的步骤304处所描述。裸片108是制造于晶片或衬底上的常规电路。裸片108可与通常在集成电路中使用的类型类似。裸片108可以是完整的电路(就是说不需要进ー步的电路制造)。然而，裸片108不需要电性连接到连接机构112，以给裸片108供电并发送和接收以下所描述的信号。如上文所描述，裸片108具有或连接到导电螺柱132 (其用来将裸片108电性连接到连接机构112)。
如前所述，导电螺柱132可与常规用于冷却裸片和集成电路的类型的铜凸块或铜 柱实质上类似。在其它实施例中，可将导电螺柱132附加到或制造于导电衬垫130上或裸片108上的其它电性接触点上，以将其电性及/或机械地连接到裸片108。导电螺柱132可从裸片108的表面126延伸图3中的距离135，其中距离135等于或略微少于第一电介质层134的厚度133。在一些实施例中，第一电介质层具有介于10到50微米之间的厚度133。在此类实施例中，导电螺柱132可从裸片108的表面126延伸8到45微米的距离135。裸片108用囊封剂106来囊封，如步骤306中所描述。图5中展示被囊封的裸片108，其为裸片108和囊封剂106的侧面剖视正视图。图6中展示图5中的被囊封的电路100的仰视平面图。囊封剂106可以是制造集成电路时所使用的常规囊封剂。在一些实施例中，使用转移成型技术来囊封裸片108。在这个制造阶段囊封裸片108是独特的。在常规电路中，在电性连接到连接器或其它连接装置之前裸片是不被囊封的。举例来说，在制造倒装晶片时，在印刷线路板附加到裸片之前，囊封过程是不会发生的。通过在电路100的这个制造阶段囊封裸片108，可在受损害的可能性较低的情况下处置或以其它方式操纵裸片108。被囊封的裸片108也比较不可能被污染物损害。在本文所描述的实施例中，除了第一侧126外整个裸片108都被囊封。通过在制造期间的这点处囊封除第一侧126之外的裸片108，裸片108得到保护并且导电螺柱132为可进入的以便将裸片108连接到连接机构112。如图5及6所示，囊封剂106可横向延伸到裸片108的边缘125、127之外，使得完整电路100紧密配合在较大的封装中。囊封剂的第ー边缘172和裸片108的第一边缘125间隔距离170。如图6中所示，囊封剂106的第二边缘176与裸片108的第二边缘127隔开一段距离174。距离170、174确定囊封剂106的第一侧120的大小，其可实质上为平面的。裸片108可以裸片108的第一侧126与囊封剂106的第一侧120形成实质上平面且连续的表面的方式位于囊封剂106中。囊封剂106可以不同的方法涂覆到裸片108。举例来说，液体囊封剂可在裸片108上模制并以常规方式固化。在其它实施例中，可用位于其中的空隙124来形成固体囊封剂。裸片108可紧固在空隙124内，使得裸片108由囊封剂106有效囊封。在其它实施例中，囊封剂106与印刷线路板110或印刷线路板110中的组件同时固化。在此类实施例中，囊封剂106可在这个制造阶段固化到阶段B或胶状状态。在印刷线路板110附接到裸片108和囊封剂106之后，囊封剂和印刷线路板110中的组件可接着同时固化。所述同时固化可增强印刷线路板110与囊封剂106之间的结合。举例来说，囊封剂106和第一电介质层134能够在其胶状状态一起流动并因此一起充分固化。以下将描述将印刷线路板110应用到裸片108的若干不同的实施例。应注意，印刷线路板110代替常规结合线。因此，本文所描述的电路100的实施例中没有一个实施例需要裸片108与连接机构112之间的结合线或类似物。因此，印刷线路板110的所有实施例使得裸片108与连接机构112之间的距离非常短，其减少与裸片108和连接机构112之间的电性连接件相关联的寄生电容和电感。如流程图300的步骤308处所描述，将印刷线路板110应用到电路100的第一实施例以将第一电介质层134施加到电路开始。在图7的流程图350中更详细地描述了步骤308处的第一电介质层134的施加。參看图8，其展示附着到牺牲载体177的第一电介质层134，如流程图350的步骤352中所描述。第一电介质层134可通过常规低温真空层压エ艺而层压到牺牲载体177。第一电介质层134可为非纤维电介质材料，例如由日本的Ajinomoto高科技公司和美国新泽西州李福特Ajinomoto北美有限公司生产的Ajinomoto积聚膜(ABF)。第一电介质层134可具有10到50微米之间的厚度。在第一电介质层134中所使用的材料在固化之前具有较低的粘度。为了在第一电介质层134处于具有较低粘度的状态时保持其不从牺牲层177滑落，第一电介质层134可固化到其中第一电介质层134具有胶状粘度的B阶段。如以下所描述，此固化使得第一电介质层134能够通过牺牲载体177传送并附着到囊封剂105和裸片108。牺牲载体177可为金属，例如铜箔。在一些实施例中，牺牲载体177是ー个半到两个盎司的铜箔。在其它实施例中，牺牲层177可为具有若干层的箔(例如铜/铝/铜箔)。牺牲载体177具有第一侧178和第二侧179，其中第一侧178附着到或位于邻近于第一电介质层134的第二侧142处。牺牲载体177通过形成用以支撑第一电介质层134的刚硬载体而用于将第一电介质层134施加到囊封剂106和裸片108，以使其能够压靠在囊封剂106和裸片108上。在这个制造阶段，第一电介质层134附着到牺牲载体177。第一电介质层134可通过使用牺牲载体177而接着传送或处置，其降低在处置期间对第一电介质层134造成损害的可能性。第一电介质层134的胶状状态使其应用到电路100 (如流程图350的步骤354处所描述)，其产生图9中所展示的电路100。举例来说，裸片108和囊封剂106可压在第ー电介质层134上。应注意,在一些实施例中，一大片第一电介质层附着到多个裸片(其在稍后的制造阶段期间单独分开)。当第一电介质层134和牺牲载体177压在裸片108上吋，导电螺柱132刺穿第一电介质层134。在一些实施例中，导电螺柱132以接近牺牲载体177的距离刺穿第一电介质层134。第一电介质层134的部分固化的胶状状态使其易于附着到或位于邻近于所有的裸片108和囊封剂106处，并降低或消除表面之间的空隙的电势。更确切地说，如果囊封剂106处于胶状状态，那么第一电介质层134和囊封剂106可一起流动以更好的粘合。导电衬垫130可嵌入于胶状的第一电介质层134中。如流程图350的步骤356处所描述，第一电介质层134和囊封剂106可接着同时固化。在制造过程中这点处的电路100具有与附着到裸片108及/或囊封剂106的第一电介质层134 —起固化的第一电介质层134和囊封剂106。如流程图350的步骤358中所描述，牺牲载体177接着被移除。在一些实施例中，牺牲载体177通过常规的蚀刻过程被蚀刻棹。图10中展示所得电路100。如图所示，电路100具有附加到其上的第一电介质层134和已经移除的牺牲层177。如图10中展示，用于通孔156的孔形成在接近导电衬垫130的第一电介质层134中，如流程图350的步骤360中所描述。在一个实施例中，使用激光来形成孔。在其它实施例中，钻孔或使用化学物质形成用于通孔156的孔。相比于其它电路来说，电路100的ー个好处就是仅针对导电螺柱132而不针对裸片108形成用于通孔156的孔。因此，在形成孔期间可能影响导电螺柱132而不影响裸片108。因为导电螺柱132为长的，所以相比于裸片108自身原本所耐受的时段来说，其能承受与激光、钻孔设备和化学物质更长时段的接触。用于通孔156的孔被电镀或以其它方式用导电材料填充，如流程图350的步骤362中所描述。举例来说，电镀材料可涂覆到第一电介质层134以在通孔156中形成导电路径。也可使用其它方法来提供导电材料以形成通孔156。举例来说，在一些实施例中，在导电层136被应用到第一电介质层134的时候形成用于通孔156的导电材料。在所有实施例中，通孔156仅在导电螺柱132与第一电介质层134的第二侧142之间延伸。因此已经參看图7中的流程图350详细描述图4中的步骤308的一个实施例，现将从步骤310开始描述图4中的方法300的剩余部分。在步骤310中，导电层136被应用到第一电介质层。导电层136可以类似于重新分配层被应用到集成电路的方式应用。举例来说，电阻(未图示)可应用到第一电介质层134的第二侧142。应注意，如果用于通孔156的孔还没有被电镀，那么就不可在接近所述孔处应用电阻。导电层136可通过常规技术(例如电镀)接着应用到第一电介质层134的第二侧142。图2中的导电材料144将附着到第一电介质层134的不存在电阻的位置处(其可包含用于通孔156的孔)。图11中展示所得电路100，其展示导电层136中连接到通孔156的导电材料144。在一些实施例中，如图11所展示的电路100是完整的。电路100具有多功能，且可通过印刷线路板110连接到其它装置。举例来说，导体可连接到导电层136以便将电路100电性连接到其它组件。 在电路100的其它实施例中，第二电介质层138附加到导电层136，如流程图300的步骤312中所描述且如图12中所示。如以上描述，第二电介质层138具有第一侧152和第二侧154，其中第一侧152附着到或附接到导电层136。第二电介质层138可为与第一电介质层134实质上相同的材料。第二电介质层138用来保护导电层136在处置期间不受损害以及不受可使导电层134短路或以其它方式损害导电层134的碎屑或其它物质的影响。除此之外，第二电介质层138用来支撑连接机构112。通孔158形成在第二电介质层138中，如流程图300的步骤314中所描述且如图12所不。通孔158在第二电介质层138的第一侧152与第二侧154之间延伸。通孔158通过形成穿过第二电介质层138的孔而制造，其中孔接触导电层136的导电材料144的具体部分。所述孔可以与形成在第一电介质层134中的孔相同的方式而形成以制造通孔156。同样，以与形成通孔156的方式类似的方式使用导电材料填充所述孔或执行电镀以形成通孔 158。电路100现具有囊封的裸片108，其具有从裸片108到第二电介质层138的第二侧154的电性连接。连接机构112现可附加到第二电介质材料138的第二侧154，如流程图300的步骤316中所描述，且如图1中所示。连接机构112电性及/或机械地将电路100连接到其它装置。举例来说，连接机构112可向裸片108提供输入和输出信号且可形成裸片108。连接机构112也可使电路100以物理方式附接到衬底(未图示)，例如印刷电路板或其它物理结构。如以上所概述的，连接机构112可包含多个附接到第二电介质层138的第二侧154的导体162。导体162电性连接到通孔158以向裸片108提供电性连接。导体162可为常规金属层，例如通常用来支撑焊球160的凸块下金属层。焊球160可以常规方式附接到导体 162。相比于常规集成电路，电路100具有许多优点。举例来说，电路100在制造过程中被较早囊封。因此，电路100可在剰余的制造过程期间以较低的受损可能性被处置和操纵。此外，电路100在制造期间比较不易于受到污染物的损害。
电路100的裸片108较不可能由于形成第一通孔156而受损害。如以上所描述的，用于第一通孔156的孔仅需要在第一电介质层134的第二侧142与导电螺柱132之间延伸。孔的形成可损害裸片108，因此其不需要延伸到裸片108。由孔的形成所引起的任何损害都可使导电螺柱132缩短而不会损害裸片108。在电性方面，相比于常规集成电路来说电路100具有许多好处。电路100不需要任何结合线。因此，电路100不易于增加与结合线相关联的寄生电容或电感。此外，导电层136使裸片108上的导电衬垫130与连接机构112之间的引线长度非常短。短的距离减少电路100易于受到的电磁干扰。因此电路100更适于在高频、高速和低功率应用中操作。已经描述了制造电路100的一些实施例，现将描述其它实施例。在一些实施例中，第一电介质层134在不使用图8中的牺牲载体177的情况下直接应用到裸片108和囊封剂106。在此类应用中，可定位电路100以使囊封剂106的第一侧120和裸片108的第一侧126面朝上。第一电介质层134可接着应用到囊封剂106的第一表面120和裸片108的第一表面126。第一电介质层134可接着固化，其中固化也可同时固化囊封剂106。电路100的制造可从以上所描述的流程图350的步骤360处继续。在这个实施例中，第一电介质层134制造于裸片108上,其中导电螺柱132位于第一电介质层134中。在制造过程的另ー实施例中，第一电介质层134直接附着到导电层136而不是附着到图8中的牺牲载体177。在这个实施例中不需要移除牺牲载体177。然而，导电层136和(更确切地说)导电层136的导电材料144用作第一电介质层134的载体。导电材料144可接着被蚀刻以形成导电层136。可按以上所描述的来形成通孔156。通孔156也可被电镀以使其与导电层136的导电材料144电性连接。在其它实施例中，散热器与囊封剂106 —起被使用或者作为囊封剂106的替代品而被使用。举例来说，裸片108可在囊封之前位于散热器中。或者，裸片108可位于代替囊封的散热器中。从以上描述应了解，制造电路的方法可包括另外參看图1在图14中的流程图400中所陈述的方法。流程图400的方法在步骤402处以提供裸片108 (其中裸片108具有侧126)开始。导电螺柱132在实质上与侧126垂直的方向上从侧126延伸。所述方法通过将第一电介质层134附加到裸片108的侧126 (其中第一电介质层134具有第一侧140和第二侧142)而在步骤404处继续。第一电介质层134的第一侧140附加到裸片108的侧126,以使导电螺柱132进入第一电介质层134的第一侧140。在步骤405中,第一通孔156被形成穿过导电螺柱132与第一电介质层134的第二侧142之间的第一电介质层134(其中第一通孔156电性连接到导电螺柱132)。通过图15的流程图420描述了制造电路的方法的另ー实施例。所述方法在步骤422处以用囊封剂106囊封除裸片108的第一侧120之外的裸片108开始，其中裸片108的第一侧120具有从其处延伸的至少ー个导电螺柱132。在囊封过程之后，所述方法在步骤424处以将电介质层134附接到裸片108和囊封剂106而结束，其中导电螺柱132延伸进电介质层134。尽管本发明的说明性的和目前优选的实施例已经在本文详细描述，但应了解本发明概念可以其它各种方式被体现和使用，且所附权利要求书是既定解释为包含现有技术所 限制的范围以外的此类变化。
权利要求
1.一种电路,其包括具有侧的裸片，其中导电螺柱相对于所述侧实质上垂直延伸；第一电介质层，其具有第一侧和第二侧，其中所述第一电介质层的所述第一侧位于接近所述裸片的所述侧处，以使所述导电螺柱从所述第一侧延伸进所述第一电介质层；第一通孔，其在所述导电螺柱与所述第一电介质层的所述第二侧之间延伸；以及导电层，其具有第一侧和第二侧，其中所述第一侧位于邻近于所述第一电介质层的所述第二侧处，所述导电层的至少一部分电性连接到所述第一通孔。
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电介质层附着到所述裸片的所述侧。
3.根据权利要求1所述的电路，且其进一步包括电性连接到所述导电层的至少一部分的连接机构。
4.根据权利要求1所述的电路，其中所述裸片的至少一部分由囊封剂囊封。
5.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一电介质层的至少一部分接触所述囊封剂。
6.根据权利要求1所述的电路，且其进一步包括具有第一侧和第二侧的第二电介质层，其中所述第一侧位于邻近于所述导电层处，其中所述第二电介质层具有在所述第一侧与所述第二侧之间延伸的第二通孔，且其中所述第二通孔电性连接到所述导电层。
7.根据权利要求6所述的电路，且其进一步包括电性连接到所述第二通孔的连接机构。
8.根据权利要求1所述的电路，其中所述导电螺柱延伸进所述第一电介质层到达接近所述第一电介质层的所述第二侧处的位置。
9.一种制造电路的方法，所述方法包括提供裸片，所述裸片具有侧，其中导电螺柱在与所述侧实质上垂直的方向上从所述侧延伸；将第一电介质层附加到所述裸片的所述侧，所述第一电介质层具有第一侧和第二侧， 其中所述第一电介质层的所述第一侧附加到所述裸片的所述侧，其中所述导电螺柱进入所述第一电介质层的所述第一侧；以及形成穿过所述导电螺柱与所述第二侧之间的所述第一电介质层的第一通孔，其中所述第一通孔电性连接到所述导电螺柱。
10.根据权利要求9所述的方法，且其进一步包括在所述将所述第一电介质层附加到所述裸片的所述侧之前囊封所述裸片，其中所述囊封包括实质上囊封除了所述侧以外的所述裸片。
11.根据权利要求9所述的方法，且其进一步包括将所述裸片定位在接近散热器处。
12.根据权利要求9所述的方法，且其中将所述第一电介质层附加到处于未固化状态的所述裸片，且进一步包括将未固化的囊封剂涂覆到所述裸片；以及同时固化所述囊封剂和所述第一电介质层。
13.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一电介质层具有附加到所述第二侧的导电层，且所述方法进一步包括将所述导电层电性连接到所述第一通孔。
14.根据权利要求13所述的方法，且其进一步包括将第二电介质层附加到所述导电层，所述第二电介质层具有第一侧和第二侧，其中所述第二电介质层的所述第一侧位于邻近于所述导电层处；以及在所述导电层与所述第二电介质层的所述第二侧之间形成第二通孔。
15.根据权利要求14所述的方法，且其进一步包括将连接机构附加到所述第二电介质层的所述第二侧，所述连接机构电性连接到所述第二通孔。
16.根据权利要求9所述的方法,其中所述附加第一电介质层包括将第一电介质材料附加到载体并将具有所述载体的所述电介质材料涂覆到所述裸片的所述侧。
17.根据权利要求16所述的方法，且其进一步包括移除所述载体。
18.—种制造电路的方法，所述方法包括用囊封剂囊封裸片，所述裸片的第一侧除外，其中所述裸片的所述第一侧具有从其延伸的至少一个导电螺柱；以及在所述囊封之后，将电介质层附接到所述裸片和所述囊封剂，其中所述导电螺柱延伸进所述电介质层。
19.根据权利要求18所述的方法，且其进一步包括电性形成穿过所述电介质层到所述至少一个导电螺柱的通孔。
20.根据权利要求19所述的方法，且其进一步包括将导电层附接到所述电介质层，其中所述通孔连接到所述导电层。
全文摘要
本文揭示集成电路和制造集成电路的方法。集成电路的一个实施例包含具有侧的裸片，其中导电螺柱相对于所述侧实质上垂直延伸。具有第一侧和第二侧的电介质层位于接近所述裸片的所述侧处，以使所述电介质层的第一侧邻近于所述裸片的所述侧。所述导电螺柱延伸进所述电介质层的第一侧。第一通孔在所述导电螺柱与所述电介质层的第二侧之间延伸。具有第一侧和第二侧的导电层位于邻近于所述电介质层的第二侧处，其中所述导电层的第一侧位于邻近于所述电介质层的第二侧处。所述导电层的至少一部分电性连接到所述第一通孔。
文档编号H01L23/485GK103021982SQ20121035718
公开日2013年4月3日 申请日期2012年9月21日 优先权日2011年9月23日
发明者伯纳多·加列戈斯, 艾布拉姆·卡斯特罗 申请人:德州仪器公司