专利名称：芯片接合薄膜的烧蚀加工方法
芯片接合薄膜的烧蚀加工方法
技术领域：
本发明涉及对芯片接合薄膜(DAF)照射激光光束来施以烧蚀加工的芯片接合薄膜的烧蚀加工方法。
背景技术：
对于表面形成有通过预定分割线(分割予定9 4 > )分开的1C、LS1、LED等多种器件的硅晶片、蓝宝石晶片等晶·片，利用切削装置或激光加工装置等加工装置将其分割成单个的器件，所分割出的器件广泛用于移动电话、个人电脑等各种电子设备中。在晶片的分割中，广泛采用的的切割方法是使用被称为切割锯的切削装置的切割方法。在该切割方法中，使利厚度为3(^111左右的切削刀以30000印111左右的高速旋转向晶片切入来对晶片进行切削，将晶片分割成单个的器件，其中，所述切削刀是用金属或树脂固定了金刚石等磨料粒而成的。近年来，对于移动电话、个人电脑等电子设备，进一步要求轻量化、小型化，要求有更薄的器件。作为将晶片分割成更薄的器件的技术，开发出了被称为所谓先切割法的分割技术并进行了实用化(例如，参照日本特开2002-118081号公报)。该先切割法为下述技术:沿着预定分割线自半导体晶片的表面起形成规定深度(与器件的成品厚度相当的深度)的分割槽，其后，对于在表面形成有分割槽的半导体晶片的背面进行磨削，使分割槽在该背面露出，从而分割成单个的器件；其可将器件的厚度加工至100 μ m以下。为了将这样地利用先切割法进行了分割的器件搭载至引线框架，多采用下述方法:在器件的背面粘接被称为芯片接合薄膜(DAF)的芯片粘贴用粘接膜，藉由DAF将器件安装至引线框架。在该安装方法中，由于通过先切割法被分割成单个器件的晶片通过贴付在其表面的保护带而呈一体化，因而在分割成单个器件的晶片背面贴付DAF，将DAF贴付在经环状框架支持的胶带上。然后剥离贴付在晶片表面的保护带。随后对下述这样的技术进行了研究，该技术中，利用激光加工装置的卡盘工作台来对经环状框架支持的带有DAF的晶片进行吸附保持，藉由晶片上所形成的分割槽对DAF照射激光光束，按照每个器件来对DAF进行分割。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2002-118081号公报
发明内容发明所要解决的课题但是，在分割成单个器件的晶片的背面贴付有DAF(芯片接合薄膜)，即使沿着分割槽进行激光光束的照射来对应于单个器件进行DAF的分割，也存在激光光束的能量未充分传递至DAF、无法确实地进行分割这样的问题。本发明是鉴于这样的方面而进行的，其目的在于提供可确实地进行将DAF对应单个器件分割的DAF的烧蚀加工方法。解决课题的手段根据本发明，提供了一种芯片接合薄膜的烧蚀加工方法，其为对芯片接合薄膜照射激光光束来施以烧蚀加工的芯片接合薄膜的烧蚀加工方法，该方法的特征在于，其具备保护膜形成工序与激光加工工序，在保护膜形成工序中，在至少芯片接合薄膜要进行烧蚀加工的区域涂布混入了对于激光光束的波长具有吸收性的氧化物微粉末的液态树脂涂布，形成惨入有该微粉末的保护I吴；在激光加工工序中，在实施了该保护I吴形成工序之后，对芯片接合薄膜的形成了该保护膜的区域照射激光光束来施以烧蚀加工。优选氧化物微粉末的平均粒径小于激光光束的光斑径。优选激光光束的波长为355nm以下，氧化物的微粉末含有选自由Fe203、ZnO、TiO2, CeO2, CuO, Cu2O和MgO组成的组中的金属氧化物，液态树脂含有聚乙烯醇。发明的效果由于本发明的芯片接合薄膜的烧蚀加工方法中将混入了对于激光光束的波长具有吸收性的氧化物微粉末的液态树脂涂布至芯片接合薄膜的至少要进行烧蚀加工的区域来形成保护膜，因而激光光束被氧化物微粉末所吸收并达到带隙能量，原子的结合力被破坏，从而对芯片接合薄膜施以连锁性烧蚀加工，可确实地对应器件芯片来进行接合薄膜的分割。
图1为适于实施本发明的烧蚀加工方法的激光加工装置的立体图。
图2为激光光束照射单元的框图。图3为被分割成经胶带而由环状框架所支持的状态的单个器件的带有DAF的晶片的立体图。图4为图3所示的带有DAF的晶片的截面图。图5为示出第I实施方式的液态树脂涂布工序的立体图。图6为示出各种金属氧化物的分光透过率的曲线图。图7为示出第I实施方式的DAF的烧蚀加工工序的立体图。图8为将DAF沿着分割槽分割的状态的图7所示的带有DAF晶片的截面图。图9为示出第2实施方式的DAF的液态树脂涂布工序的立体图。图10为示出第2实施方式的DAF的烧蚀加工工序的立体图。
具体实施方式下面参照附图详细说明本发明的实施方式。图1示出了适于实施本发明的芯片接合薄膜(DAF)的烧蚀加工方法的激光加工装置的示意性构成图。激光加工装置2含有搭载在静止基台4上的第I滑块6，该第I滑块6可沿X轴方向移动。第I滑块6在由圆头螺栓8和脉冲马达10构成的加工进给单元12的作用下沿着一对导轨14在加工进给方向、即X轴方向移动。
在第I滑块6上搭载有第2滑块16，该第2滑块16可沿着Y轴方向移动。S卩，第2滑块16在由圆头螺栓
权利要求
1.一种芯片接合薄膜的烧蚀加工方法，其为对芯片接合薄膜照射激光光束来施以烧蚀加工的芯片接合薄膜的烧蚀加工方法，该加工方法的特征在于，其具备保护膜形成工序与激光加工工序， 保护膜形成工序中，将混入了对于激光光束的波长具有吸收性的氧化物微粉末的液态树脂涂布至芯片接合薄膜的至少要进行烧蚀加工的区域，来形成掺入有该微粉末的保护膜； 激光加工工序中，在实施了该保护膜形成工序之后，对芯片接合薄膜的形成了该保护膜的区域照射激光光束来施以烧蚀加工。
2.如权利要求1所述的芯片接合薄膜的烧蚀加工方法，其特征在于，所述氧化物微粉末的平均粒径小于激光光束的光斑径。
3.如权利要求1或2的任一项所述的芯片接合薄膜的烧蚀加工方法，其特征在于，所述激光光束的波长为355nm以下；所述氧化物微粉末含有选自由Fe203、ZnO、TiO2, CeO2, CuO,Cu2O和MgO组成的组中的金属氧化物；所述液态树脂含有聚乙烯醇。
全文摘要
本发明涉及芯片接合薄膜的烧蚀加工方法，其目的在于提供可确实地进行与单个器件相对应的DAF分割的DAF烧蚀加工方法。本发明的芯片接合薄膜的烧蚀加工方法为对芯片接合薄膜照射激光光束来施以烧蚀加工的芯片接合薄膜的烧蚀加工方法，该加工方法的特征在于，其具备保护膜形成工序与激光加工工序，在保护膜形成工序中，将混入了对于激光光束的波长具有吸收性的氧化物微粉末的液态树脂涂布至芯片接合薄膜的至少要进行烧蚀加工的区域，来形成掺入有该微粉末的保护膜；在激光加工工序中，在实施了该保护膜形成工序之后，对芯片接合薄膜的形成了该保护膜的区域照射激光光束来施以烧蚀加工。
文档编号H01L21/60GK103077902SQ20121036567
公开日2013年5月1日 申请日期2012年9月27日 优先权日2011年10月6日
发明者北原信康 申请人:株式会社迪思科