专利名称：薄膜磁头滑块的abs加工方法
技术领域：
本发明涉及薄膜磁头滑块的ABS加工方法，形成产生浮力用的ABS凹凸形状和降低粘滞(stiction)用的多个突起。
背景技术：
浮起式薄膜磁头具备组装有磁阻效应元件或感应元件等的滑块、和在自由端粘接固定了该滑块的由可挠性的金属薄板构成的可挠件、以及固定了该可挠件的承载杆；当记录介质停止时，滑块的下表面利用承载杆的弹力与记录介质表面接触；当记录介质启动时，气流被沿着该记录介质的移动方向导入滑块与记录介质表面之间，受到该气流引起的浮起力后滑块从记录介质表面浮起。保持浮起姿态，薄膜磁头进行再生记录动作。
这种薄膜磁头在滑块的与介质相对的面上具备ABS凹凸形状和突起这两者。ABS凹凸形状用于在该滑块与记录介质表面之间产生气流引起的浮起力；突起用于当该薄膜磁头在记录介质表面上静止时，降低该薄膜磁头与记录介质表面之间起作用的吸附力以及伴随该吸附力的障碍(粘滞)。
专利文献(日本)特开2003-263712号公报以往，具备上述产生浮力用的ABS凹凸形状和降低粘滞用的突起的滑块，它的与介质相对的面通过如下工序形成。首先，在作为滑块的与介质相对的面的面上，顺序地层叠形成第1硅膜、第1碳膜、第2硅膜、第2碳膜。接着，在第2碳膜上形成用于规定突起形状的抗蚀剂图形，通过反应性离子蚀刻(RIE)除去不被该抗蚀剂图形覆盖的第2碳膜以及第2硅膜。在蚀刻气体中使用O2和CF4，在RIE后除去抗蚀剂图形。这样一来，在第1碳膜上能够得到由第2硅膜和第2碳膜构成的突起。接着，使用光刻技术，在作为滑块的与介质相对的面的面上形成ABS凹凸形状。具体举例，在包含突起的第1碳膜上整面地形成抗蚀剂膜后，进行曝光以及显影，形成用于规定ABS凹凸形状的抗蚀剂图形，通过蚀刻除去不被该抗蚀剂图形覆盖的第1碳膜以及第1硅膜。进一步除去抗蚀剂图形。这样一来，能够得到包含突起的ABS凹凸形状。
但是，上述以往的制造方法，在形成ABS凹凸形状的工序中，存在抗蚀剂图形浮起、被剥离的问题。当在抗蚀剂图形被剥离的状态下显影时，通过蚀刻不能得到正确的ABS凹凸形状，成为使薄膜磁头浮起特性恶化的要因。
发明内容
本发明基于对以上问题的认识，目的在于提供薄膜磁头滑块的ABS加工方法，能使抗蚀剂的密合性提高，精度良好地规定ABS凹凸形状。
本发明的技术方案发现作为ABS凹凸形状用抗蚀剂图形的形成面的第1碳膜的表面通过使用了CF4的RIE工序被氟化，因此抗蚀剂的密合性恶化，通过用其他的碳膜来覆盖被氟化的第1碳膜而重新设置不被氟化的表面，在该不被氟化的碳面上形成抗蚀剂。
即，本发明是在薄膜磁头滑块的与介质相对的面上形成ABS凹凸形状和突起的方法，其特征在于具备以下工序在与介质相对的面上，顺序地层叠形成第1硅膜、第1碳膜、第2硅膜、以及第2碳膜的工序；在第2碳膜上，形成突起抗蚀剂图形的工序，上述抗蚀剂图形规定应形成突起的位置以及形状；将第1碳膜作为蚀刻阻止层进行使用O2以及CF4的反应性离子蚀刻，除去不被突起抗蚀剂图形覆盖的第2碳膜以及第2硅膜的工序；在第2碳膜以及第2硅膜的除去部分露出的第1碳膜上，形成覆盖该第1碳膜的第3碳膜的工序；除去突起抗蚀剂图形，使由第2硅膜以及第2碳膜构成的突起露出的工序；在突起以及第3碳膜露出的表面上，形成ABS抗蚀剂图形的工序，上述ABS抗蚀剂图形规定应形成ABS凹凸形状的位置以及形状；加工从该ABS抗蚀剂图形中露出的表面，赋予ABS凹凸形状的工序。
第3碳膜最好以5以上的膜厚形成，以便确实能覆盖第1碳膜。
第2碳膜以及第2硅膜实际形成为比第1碳膜以及第1硅膜更厚。
根据本发明，可以得到一种薄膜磁头滑块的ABS加工方法，能使抗蚀剂的密合性提高，精度良好地规定ABS凹凸形状。
图1是表示作为本发明的ABS加工方法的适用对象的薄膜磁头滑块的与介质相对的面的立体图。
图2是表示本发明的ABS加工方法的一个工序图，图2(A)是剖面图、图2(B)是俯视图。
图3是表示图2所示工序的下一工序的图，图3(A)是剖面图、图3(B)是俯视图。
图4是表示图3所示工序的下一工序的图，图4(A)是剖面图、图4(B)是俯视图。
图5是表示图4所示工序的下一工序的图，图5(A)是剖面图、图5(B)是俯视图。
图6是表示用本发明的ABS加工方法形成的薄膜磁头滑块的与介质相对的面的立体图。
符号说明1薄膜磁头滑块
1a与介质相对的面(作为与介质相对的面的面)11第1硅膜12第2硅膜21第1碳膜22第2碳膜23第3碳膜R1突起抗蚀剂图形R2ABS抗蚀剂图形具体实施方式
参照图1～图6，对应用本发明的薄膜磁头滑块的ABS加工方法的一个实施方式进行说明。在图2～图5中，(A)表示薄膜磁头滑块的ABS加工工序的剖面图；(B)从薄膜磁头滑块的与介质相对的面的一侧看表示同一工序的俯视图。
首先，准备如图1所示的薄膜磁头滑块1。薄膜磁头滑块1是由氧化铝钛碳化物(AlTiC)构成的大致长方体的浮起式滑块，具有磁阻效应元件或感应元件等。
接着，如图2所示，在作为薄膜磁头滑块1的与介质相对的面的面1a上，顺序地层叠形成第1硅膜11、第1碳膜21、第2硅膜12、以及第2碳膜22。第1硅膜11是提高滑块1(AlTiC)和第1碳膜21密合性的密合层，最好是10左右的膜厚。第1碳膜21在第1硅膜11与第2硅膜12之间以30左右的膜厚形成，在后工序中作为RIE用的蚀刻阻止层来利用。第2硅膜12以及第2碳膜22分别形成为比第1硅膜11以及第1碳膜21更厚。该第2硅膜12以及第2碳膜22的合计膜厚在本实施方式中约为25nm，与在后工序中所形成的突起30的厚度一致。
接着，如图3所示，在第2碳膜22上形成用于规定突起形状的突起抗蚀剂图形R1，通过RIE除去不被该突起抗蚀剂图形R1覆盖的第2碳膜22以及第2硅膜12，在该除去部分使第1碳膜21露出。若第1碳膜21露出，则使RIE终止。在该RIE工序中，使用O2以及CF4作为蚀刻气体。
RIE工序后，如图4所示，残留着突起抗蚀剂图形R1，在所露出的第1碳膜21上，形成完全覆盖该第1碳膜21的第3碳膜23。露出的第1碳膜21的表面，在前工序的RIE中被氟化的可能性大，但由于用第3碳膜23覆盖，能够形成不被氟化的新的碳面。第3碳膜23的膜厚最好是5左右，以便能完全覆盖第1碳膜21的表面。
若形成了第3碳膜23，则除去突起抗蚀剂图形R1。这样一来，能够得到由第2硅膜12和第2碳膜22构成的多个突起30。在薄膜磁头滑块1与记录介质表面接触时，该多个突起30将该接触面积控制在最小限度，使薄膜磁头滑块1与记录介质表面之间的吸附力降低。本实施方式的突起30，其平面形状是为圆形的圆形突起，形成厚度为25nm左右。无论突起30的形状。
接着，使用光刻技术，在作为薄膜磁头滑块1的与介质相对的面的面1a上形成ABS凹凸形状40。具体地，如图5所示，在包含多个突起30的第3碳膜23上整面地形成抗蚀剂膜后，通过曝光以及显影，形成用于规定ABS凹凸形状的ABS抗蚀剂图形R2。由于第3碳膜23的表面是没被氟化的碳面，因此该第3碳膜23和ABS抗蚀剂图形R2的密合性如众所周知的那样良好，例如即使在曝光时产生氮气也不会发生ABS抗蚀剂图形R2被剥离的情况。接着，通过离子研磨(ionmilling)或反应性离子蚀刻(RIE)、蚀刻等除去不被ABS抗蚀剂图形R2覆盖的第3碳膜23、第1碳膜21以及第1硅膜11，进一步也除去ABS抗蚀剂图形R2。这样一来，如图6所示，能够得到在与介质相对的面1a上具备了多个突起30和ABS凹凸形状40的薄膜磁头滑块1。
上述本实施方式中，由于形成多个突起30时的RIE工序中，在露出的第1碳膜21上形成新的碳膜(第3碳膜23)，因此在不被氟化的碳膜面上形成ABS抗蚀剂图形R2，即使在前工序中实施使用O2和CF4的RIE工序，也能使ABS抗蚀剂图形R2的密合性良好，能够精度良好地规定ABS凹凸形状。
在本实施方式中，在RIE工序露出的第1碳膜21上，以单层形成第3碳膜23，但也可以设置成硅膜和碳膜构成的多层结构。另外，在本实施方式中，以第2硅膜12和第2碳膜22的2层结构形成多个突起30，但突起30也可以是3层以上的多层结构。
权利要求
1.一种薄膜磁头滑块的ABS加工方法，在薄膜磁头滑块的与介质相对的面上，形成ABS凹凸形状和突起，具备以下工序在上述与介质相对的面上，顺序地层叠形成第1硅膜、第1碳膜、第2硅膜、以及第2碳膜的工序；在上述第2碳膜上形成突起抗蚀剂图形的工序，上述突起抗蚀剂图形规定应形成突起的位置以及形状；将上述第1碳膜作为蚀刻阻止层进行使用O2以及CF4的反应性离子蚀刻，除去不被上述突起抗蚀剂图形覆盖的上述第2碳膜以及上述第2硅膜的工序；在上述第2碳膜以及上述第2硅膜的除去部分露出的第1碳膜上，形成覆盖该第1碳膜的第3碳膜的工序；除去上述突起抗蚀剂图形，使由上述第2硅膜以及上述第2碳膜构成的突起露出的工序；在上述突起以及上述第3碳膜露出的表面上形成ABS抗蚀剂图形的工序，上述ABS抗蚀剂图形规定应形成ABS凹凸形状的位置以及形状；加工从该ABS抗蚀剂图形中露出的表面，赋予ABS凹凸形状的工序。
2.根据权利要求1所述的薄膜磁头滑块的ABS加工方法，其特征在于上述第3碳膜以5以上的膜厚形成。
3.根据权利要求1所述的薄膜磁头滑块的ABS加工方法，其特征在于上述第2碳膜以及上述第2硅膜形成为比上述第1碳膜以及上述第1硅膜更厚。
全文摘要
提供薄膜磁头滑块的ABS加工方法，能使抗蚀剂的密合性提高，精度良好地规定ABS凹凸形状。首先，在作为薄膜磁头滑块的与介质相对的面的面上，顺序地层叠形成第1硅膜、第1碳膜、第2硅膜、以及第2碳膜，在该第2碳膜上形成用于形成突起的抗蚀剂图形。接着，进行使用O
文档编号G11B5/60GK1912999SQ200610105858
公开日2007年2月14日 申请日期2006年7月13日 优先权日2005年8月8日
发明者遁所淳, 田中伸一 申请人:阿尔卑斯电气株式会社