专利名称：半导体器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件，更具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法。
背景技术：
在要求存储器件具有低功耗的情况下，已经研究了具有非易失性和非刷新性的下一代存储器件。作为这种下一代存储器件的实例的相变随机存取存储器(PCRAM)利用施加到相变层(例如，硫族化物化合物)的电脉冲所产生的相变层的非晶态和晶态之间的电阻差异来储存数据。在现有的PCRAM中，使用MOS晶体管或PN 二极管作为开关元件。当使用MOS晶体管作为开关元件时，在PCRAM的集成上的改进有所限制。当使用PN二极管作为开关元件时，多个PN 二极管经由形成在有源区的表面中的N+区而彼此电连接。因而，由于N+区的大电阻的缘故，单元的驱动电流彼此不同。因此，需要一种具有改进设计的PCRAM以及制造这种改进的PCRAM的方法。近年来，一般使用肖特基二极管作为现有PCRAM的开关元件。现有的PCRAM使用半导体衬底上的金属字线和形成在字线上的肖特基二极管。肖特基二极管包括与字线接触的阻挡金属层(barrier metal layer)和形成在阻挡金属层上的P+多晶硅层。在使用肖特基二极管的现有PCRAM中，必须要增加阻挡金属层的高度以控制关态电流，而为了增加阻挡金属层的高度必须要降低阻挡金属层的功函数。在制造现有PCRAM时，用于字线或阻挡金属层的金属可以包括铝(Al)、钨(W)、氮化钛(TiN)或铜(Cu)。然而，由于后续的热处理要在700° C或更高的温度执行，所以难以使用诸如Al或Cu的金属材料。因而通常使用TiN作为用于字线或阻挡金属层的金属。然而，TiN具有大的功函数，例如大约4.7eV，这降低了 PCRAM的性能。
发明内容
本发明的一个或更多个示例性实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件能够通过改善作为形成半导体器件的材料中的一种的金属氮化物层的特性来增强其可靠性。根据示例性实施例的一个方面，提供一种半导体器件。所述半导体器件可以包括:半导体衬底，其中形成有字线区；以及阻挡金属层，所述阻挡金属层由金属氮化物形成、被布置在字线区上、并引起产生肖特基结，所述阻挡金属层包括:由硝化的第一材料形成的第一氮化物材料；以及由硝化的第二材料形成的第二氮化物材料，其中所述阻挡金属层由第一氮化物材料和第二氮化物材料的混合物形成，并且其中第一材料或第二材料中的任何一种富含用于形成金属氮化物的金属。根据示例性实施例的另一个方面，提供一种半导体器件。所述半导体器件可以包括:半导体衬底，其中形成有字线区；以及阻挡金属层，所述阻挡金属层由金属氮化物形成、被布置在字线区上、并引起产生肖特基结，所述字线区包括由硝化的第一材料形成的第一氮化物材料；以及由硝化的第二材料形成的第二氮化物材料，其中所述字线区由第一氮化物材料和第二氮化物材料的混合物形成，并且其中第一材料或第二材料中的至少一种富含用于形成金属氮化物的金属。根据示例性实施例的另一个方面，提供一种制造半导体器件的方法。所述方法可以包括以下步骤:提供形成有字线区的半导体衬底；将第一材料沉积在字线区上；通过将第一材料硝化来形成第一氮化物材料；判定第一氮化物材料是否具有期望的厚度，其中如果第一氮化物材料具有期望的厚度，则将第二材料沉积在第一氮化物材料上、通过将第二材料硝化来形成第二氮化物材料、并判定第二氮化物材料是否被沉积到期望的厚度，其中如果第二氮化物材料具有期望的厚度，则将P+多晶硅层沉积在第二氮化物材料上，并且其中第一材料或第二材料富含用于形成第一氮化物材料或第二氮化物材料的材料。根据示例性实施例的另一个方面，提供一种制造半导体器件的方法。所述方法可以包括以下步骤:提供半导体衬底；将第一材料沉积在半导体衬底上；将第一材料硝化以形成第一氮化物材料；判定第一氮化物材料是否具有期望的厚度，其中如果第一氮化物材料具有期望的厚度，则将第二材料沉积在第一氮化物材料上、将第二材料硝化以形成第二氮化物材料、并判定第二氮化物材料是否被沉积到期望的厚度，其中如果第二氮化物材料具有期望的厚度，则在第二氮化物材料上形成阻挡金属层；以及将P+多晶硅层沉积在阻挡金属层上，其中第一材料和第二材料中的至少一种富含用于形成第一氮化物材料或第二氮化物材料的金属。在以下标题为“具体实施方式
”的部分来描述这些以及其它的特点、方面和实施例。
从如下结合附图的详细描述中将更加清楚地理解本发明主题的上述的以及其它的方面、特征和其它优点:图1是说明根据本发明的一个示例性实施例的半导体器件的一部分的示图；图2是说明根据本发明的一个示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图；图3是说明根据本发明的一个示例性实施例的制造富Ti的氮化钛的方法的流程图；图4是说明根据本发明的一个示例性实施例的制造氮化铝的方法的流程图；图5是说明经由图4和图5中所示的制造工艺而形成的T1-Al-N的成分范围的示图；图6是说明根据本发明的一个示例性实施例的制造氮化钛的方法的流程图；图7是说明根据本发明的一个示例性实施例的制造富Al的氮化铝的方法的流程图8是说明经由图6和图7所示的制造工艺而形成的T1-Al-N的成分范围的示图；以及图9是说明经由图3和图7所示的制造工艺而形成的T1-Al-N的成分范围的示图。
具体实施例方式在下文中，将参照附图更详细地描述示例性实施例。本文参照截面图来描述示例性实施例,截面图是示例性实施例(以及中间结构)的示意性图示。照此，可以预料到图示的形状变化是例如制造技术和/或公差的结果。因而，示例性实施例不应被解释为限于本文所说明的特定形状的区域，而是可以包括例如由于制造引起的在形状上的偏差。在附图中，为了清楚起见，可能对层和区域的长度和尺寸进行了夸大。相同的附图标记在附图中表示相同的元件。还要理解当提及一层在另一层或衬底“上”时，其可以直接在另一层或衬底上，或还可以存在中间层。图1是说明根据本发明的一个示例性实施例的半导体器件的一部分的示图。参见图1，根据本发明的一个示例性实施例的半导体器件100包括字线区120。字线区120包括形成在半导体衬底110上的金属层或金属氮化物层。这里，半导体器件100可以是PCRAM。引起产生肖特基结的阻挡金属层130包括形成在字线区120上的金属氮化物层。绝缘层140形成在阻挡金属层130上，并且P+多晶硅层150形成在绝缘层140中以及与每个单元相对应的阻挡金属层上。在上述半导体器件100中，可以通过将第一氮化物材料和第二氮化物材料混合来形成构成字线区120和阻挡金属层130的金属氮化物层，其中第一氮化物材料是将第一材料硝化，第二氮化物材料是将第二材料硝化。第一材料或第二材料中的至少一种可以富含用作形成金属氮化物层的金属。例如，第一材料可以富含钛(Ti)，第二材料可以富含铝(Al)。然而，第一材料和第二材料不局限于此，而是可以包括能够形成金属氮化物层的任何材料。控制构成字线区120和阻挡金属层130的金属氮化物层的成分的原因是要降低字线区120和阻挡金属层130的功函数。具体地，当阻挡金属层130的功函数降低时，可以减小关态电流，并且可以改善半导体器件的可靠性。以下将详细地描述根据本发明的一个示例性实施例的制造半导体器件100的方法。图2是说明根据本发明的一个示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图。参见图2，根据本发明的一个示例性实施例的制造半导体器件的方法包括提供半导体衬底110 (S210)。在半导体衬底Iio上形成包括金属层或金属氮化物层的字线区120(S220)。然后，在字线区120上形成阻挡金属层130。将描述形成阻挡金属层130的方法。在字线区120上沉积第一材料并将第一材料硝化以形成第一氮化物材料(S230)。如上所述，第一材料可以包括钛(Ti)。第一氮化物材料可以包括富Ti的氮化钛(富Ti的TiN)、或Ti和N以T1:N为1:1的比例混合的氮化钛(TiN)。然后，判断第一氮化物材料是否形成到了期望的厚度(S240)。如果第一氮化物材料形成到了期望的厚度，则在第一氮化物材料上沉积第二材料并将第二材料硝化，以形成第二氮化物材料(S250)。如上所述，第二材料可以包括铝(Al)。第二氮化物材料可以包括富Al的氮化铝(富Al的A1N)、或Al和N以A1:N为1:1的比例混合的氮化铝(A1N)。然后，判断第二氮化物材料是否沉积到了期望的厚度(S255)。如果判定第二氮化物材料形成到了期望的厚度，则将P+多晶硅沉积到第二氮化物材料上，以形成P+多晶硅层(S260)。如果判定出第一氮化物材料或第二氮化物材料未形成到期望的厚度，则重复进行沉积第一材料并将第一材料硝化以形成第一氮化物材料的工艺(S230)，或重复进行沉积第二材料并将第二材料硝化以形成第二氮化物材料的工艺(S250)，直到第一氮化物材料或第二氮化物材料达到期望的厚度。在根据本发明的一个示例性实施例的制造半导体器件的方法中，描述的是阻挡金属层130包括成分被控制的金属氮化物层。然而，也可以将成分控制应用于形成字线区120的工艺，如以下所述。经由参照图3至图6详细描述的工艺来形成构成字线区120或阻挡金属层130的
金属氮化物层。图3是说明根据本发明的一个示例性实施例的制造富Ti的氮化钛的方法的流程图。在本发明的一个示例性实施例中，可以例如利用图3中所示的原子层沉积(ALD)方法来制造富Ti的氮化钛(富Ti的TiN)。首先，提供钛(Ti)前驱体(S310)。作为钛(Ti)前驱体，可以使用Ti(NEtMe)4(TEMATi )、四(二甲氨基)钛I(TDMATi )、氯化钛(TiCl4)、碘化钛(TiI4)、或氟化钛(TiF4)。然后，执行净化操作以排出杂质(S320 )。执行氢(H2)等离子体工艺以从钛(Ti)前驱体去除配体(S330)。接着，再次执行净化工艺以排出杂质(S340)。可以多次地执行上述的步骤S310至S340这四个步骤的工艺，以将钛(Ti)形成到期望的厚度，如上所述。随后，执行氨(NH3)气或氨等离子体工艺以将沉积的钛(Ti )硝化(S350)。钛(Ti )的硝化程度基于NH3气的分压或供应时间来确定。富Ti的氮化钛(富Ti的TiN)根据存在在富Ti的氮化钛(富Ti的TiN)中的钛(Ti)的量而具有大约4.3eV至大约4.7eV的功函数。因此，不同于现有技术，可以通过控制钛(Ti)的成分比来降低沉积的富Ti的氮化钛(富Ti的TiN)的功函数。图4是说明根据本发明的一个示例性实施例的制造氮化铝的方法的流程图。在本发明的一个示例性实施例中，也经由ALD方法来制造氮化铝(A1N)，如在图4中所示。首先，提供铝(Al)前驱体(S410)。作为铝(Al)前驱体，可以使用三甲基铝(TMA)、三叔丁基招(tritertiarybutylaluminum, TBA)或氯化招(AlCl3X这里,招(Al)具有大约4eV至大约4.2eV的低功函数。然后，执行净化操作以排出杂质(S420 )。执行NH3气或等离子体工艺以将沉积的铝(Al)硝化(S430)。铝(Al)的硝化程度基于NH3气的分压或供应时间。
接着，执行净化操作以排出杂质(S440 )。图5示出经由图3和图4的制造工艺而形成的T1-Al-N的成分范围。如图5所示，由于根据本发明的一个示例性实施例的金属氮化物层使用富Ti的氮化钛(富Ti的TiN)，所以富Ti的TiN具有大约大于0.5到小于I的钛(Ti)成分比。氮化铝(AlN)中的Al:N的含量是1:1，铝(Al)和氮(N)都具有0.5的成分比。因此，当将富Ti的TiN和AlN混合时，T1-Al-N具有如图5所示的成分范围A。图6是说明根据本发明的一个示例性实施例的制造氮化钛的方法的流程图。在本发明的一个示例性实施例中，如图6所示，经由ALD方法来制造氮化钛(TiN)。首先，提供钛(Ti)前驱体(S610)。作为钛(Ti)前驱体，可以使用TEMAT1、TDMAT1、TiCl4、TiI4*TiF4。执行净化操作以排出杂质(S620)。接着，执行氨(NH3)气或氨等离子体工艺，以将沉积的钛(Ti)硝化(S630)。氨(NH3)不在化学计量上影响钛(Ti)和氮(N)的成分，而是仅减少吸收的钛(Ti)前驱体的量。因此，氨(NH3)气是影响沉积速度的一个因素。再次执行净化操作以排出杂质(S640 )。图7是说明根据本发明的一个示例性实施例的制造富Al的氮化铝的方法的流程图。在本发明的一个示例性实施例中，也经由ALD方法来制造富Al的氮化铝(富Al的AlN),如图7所示。首先，提供铝(Al)前驱体(S710)。作为铝(Al)前驱体，可以使用TMA、TBA或A1C13。
然后，执行净化操作以排出杂质(S720 )。执行氢(H2)等离子体工艺以从铝(Al)前驱体去除配体(S730)。接着，执行净化操作以排出杂质(S740 )。可以多次地执行上述的步骤S710至S740这四个步骤的工艺，以将铝(Al)沉积到期望的厚度，如上所述。随后，执行氨(NH3)气或氨等离子体工艺以将沉积的铝(Al)硝化(S750)。铝(Al)的硝化程度基于NH3气的分压或供应时间。富Al的氮化铝(富Al的AlN)具有大约4.0eV至大约4.2eV的功函数。因此，不同于现有技术，可以通过控制铝(Al)的成分比来降低富Al的氮化铝(富Al的AlN)的功函数。图8示出说明经由图6和图7的制造工艺而形成的T1-Al-N的成分范围的示图。如图8所示，由于根据本发明的一个示例性实施例的金属氮化物层使用富含Al的氮化铝(富Al的A1N)，所以富Al的AlN具有大约大于0.5到小于I的铝(Al)成分比。TiN的T1:N的含量是1:1，钛(Ti)和氮(N)都具有0.5的成分比。因此，当将富Al的AlN和TiN混合时，T1-Al-N具有如图8所示的成分范围A。图9是说明经由图3和图7的制造工艺而形成的T1-Al-N的成分范围的示图。如图9所示，由于根据本发明的一个示例性实施例的金属氮化物层使用富Ti的氮化钛(富Ti的TiN)，所以钛(Ti)的成分具有大约大于0.5到小于I的成分比。由于根据本发明的一个示例性实施例的金属氮化物层使用富Al的氮化铝(富Al的A1N)，所以铝(Al)的成分具有大约大于0.5到小于I的成分比。因此，当将富Ti的氮化钛(富Ti的TiN)和富Al的氮化铝(富Al的AlN)混合时，T1-Al-N具有如图9所示的成分范围A。具体地，通过将具有能够被降低的功函数的富Ti的氮化钛(富Ti的TiN)和具有低功函数的富Al的氮化铝(富Al的AlN)混合来形成图9中所描述的金属氮化物。因此当与现有技术相比时金属氮化物层的功函数可以具有低功函数。根据本发明的示例性实施例的制造金属氮化物层的方法可以应用于制造除了T1-Al-N以外的基于多成分的金属氮化物层(诸如T1-S1-N、Ta-Al-N或Ta-S1-N)的工艺。根据本发明的示例性实施例的半导体器件100及其制造方法通过控制金属氮化物层的成分来降低用于字线区120或阻挡金属层130的金属氮化物层的功函数，使得可以改善半导体器件的可靠性。尽管以上已经描述了某些实施例，但是将要理解的是描述的实施例仅仅是示例性的。因此，不应基于所描述的实施例来限定本文描述的器件和方法。更确切地说，应当仅根据所附权利要求并结合以上描述和附图来限定本文描述的系统和方法。
权利要求
1.一种半导体器件，包括: 半导体衬底，其中形成有字线区；以及 阻挡金属层，所述阻挡金属层由金属氮化物形成、被布置在所述字线区上、并引起产生肖特基结，所述阻挡金属层包括: 第一氮化物材料，所述第一氮化物材料由硝化的第一材料形成；以及 第二氮化物材料，所述第二氮化物材料由硝化的第二材料形成， 其中，所述阻挡金属层由所述第一氮化物材料和所述第二氮化物材料的混合物形成，以及 其中，所述第一材料或所述第二材料中的任何一种富含用于形成所述金属氮化物的金属。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一材料是钛，并且所述第二材料是招。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一氮化物材料和所述第二氮化物材料包括通过原子层沉积而沉积的氮化物材料。
4.一种半导体器件，包括: 半导体衬底，其中形成有字线区`；以及 阻挡金属层，所述阻挡金属层由金属氮化物形成、被布置在所述字线区上、并引起产生肖特基结， 所述字线区包括: 第一氮化物材料，所述第一氮化物材料由硝化的第一材料形成；以及 第二氮化物材料，所述第二氮化物材料由硝化的第二材料形成， 其中，所述字线区由所述第一氮化物材料和所述第二氮化物材料的混合物形成，以及 其中，所述第一材料或所述第二材料中的至少一种富含用于形成所述金属氮化物的金属。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一材料是钛，并且所述第二材料是招。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一氮化物材料和所述第二氮化物材料包括通过原子层沉积而沉积的氮化物材料。
7.—种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤: 提供形成有字线区的半导体衬底； 将第一材料沉积在所述字线区上； 通过将所述第一材料硝化来形成第一氮化物材料； 判断所述第一氮化物材料是否具有期望的厚度，其中，如果所述第一氮化物材料具有期望的厚度，则: 将第二材料沉积在所述第一氮化物材料上， 通过将所述第二材料硝化来形成第二氮化物材料，以及 判断所述第二氮化物材料是否被沉积到期望的厚度，其中，如果所述第二氮化物材料具有期望的厚度，则: 将P+多晶硅层沉积在所述第二氮化物材料上，以及其中，所述第一材料或所述第二材料富含用于形成所述第一氮化物材料或所述第二氮化物材料的材料。
8.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤: 如果判定出所述第一氮化物材料不具有期望的厚度，则重复沉积所述第一材料和形成所述第一氮化物材料；或者 如果判定出所述第二氮化物材料不具有期望的厚度，则重复沉积所述第二材料和形成所述第二氮化物材料。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一材料是钛，并且所述第二材料是铝。
10.如权利要求9所述的方法，其中，沉积所述第一材料和沉积所述第二材料的步骤包括以下步骤:利用原子层沉积来沉积所述第一材料和所述第二材料。
11.如权利要求7所述的 方法，其中，形成所述第一氮化物材料的步骤还包括以下步骤: 在所述半导体衬底的字线区上提供第一材料前驱体； 执行净化以去除杂质； 执行氢工艺以从所述第一材料前驱体去除配体； 执行第二净化以去除杂质；以及 通过利用氨气或氨等离子体工艺将所述第一材料硝化来形成所述第一氮化物材料。
12.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述第一氮化物材料的步骤还包括以下步骤: 在所述半导体衬底的字线区上提供第一材料前驱体； 执行净化以去除杂质； 通过利用氨气或氨等离子体工艺将所述第一材料硝化来形成所述第一氮化物材料；以及 执行第二净化以去除杂质。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一材料前驱体包括选自Ti(NEtMe)4、四(二甲氨基)钛1、氯化钛、碘化钛、或氟化钛中的任何一种。
14.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述第二氮化物材料的步骤还包括以下步骤: 在形成在所述字线区上的所述第一氮化物材料上提供第二材料前驱体； 执行净化以去除杂质； 执行氢工艺以从所述第二材料前驱体去除配体； 执行第二净化以去除杂质；以及 通过利用氨气或氨等离子体工艺将所述第二材料硝化来形成所述第二氮化物材料。
15.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述第二氮化物材料的步骤还包括以下步骤: 在形成在所述字线区上的所述第一氮化物材料上提供第二材料前驱体； 执行净化以去除杂质； 通过利用氨气或氨等离子体工艺将所述第二材料硝化来形成所述第二氮化物材料；以及执行第二净化以去除杂质。
16.如权利要求15所述的方法，其中，所述第二材料前驱体包括选自三甲基铝、三叔丁基铝或氯化铝中的任何一种。
17.—种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤: 提供半导体衬底； 将第一材料沉积在所述半导体衬底上； 将所述第一材料硝化以形成第一氮化物材料； 判断所述第一氮化物材料是否具有期望的厚度，其中，如果所述第一氮化物材料具有期望的厚度，则: 将第二材料沉积在所述第一氮化物材料上， 将所述第二材料硝化以形成第二氮化物材料，以及 判断所述第二氮化物材料是否被沉积到期望的厚度，其中，如果所述第二氮化物材料具有期望的厚度，则: 在所述第二氮化物材料上形成阻挡金属层；以及 将P+多晶硅层沉积在所述阻挡金属层上， 其中，所述第 一材料和所述第二材料中的至少一种富含用于形成所述第一氮化物材料或所述第二氮化物材料的金属。
18.如权利要求17所述的方法，还包括以下步骤: 如果判定出所述第一氮化物材料不具有期望的厚度，则重复沉积所述第一材料和形成所述第一氮化物材料；或者 如果判定出所述第二氮化物材料不具有期望的厚度，则重复沉积所述第二材料和形成所述第二氮化物材料。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述第一材料是钛，并且所述第二材料是铝。
20.如权利要求19所述的方法，其中，沉积所述第一材料和沉积所述第二材料的步骤包括以下步骤:利用原子层沉积来沉积所述第一氮化物材料和所述第二氮化物材料。
21.如权利要求17所述的方法，其中，形成所述第一氮化物材料的步骤还包括以下步骤: 在所述半导体衬底上提供第一材料前驱体； 执行净化以去除杂质； 执行氢工艺以从所述第一材料前驱体去除配体； 执行第二净化以去除杂质；以及 通过利用氨气或氨等离子体工艺将所述第一材料硝化来形成所述第一氮化物材料。
22.如权利要求17所述的方法，其中，形成所述第一氮化物材料的步骤还包括以下步骤: 在所述半导体衬底上形成第一材料前驱体; 执行净化以去除杂质； 通过利用氨气或氨等离子体工艺将所述第一材料硝化来形成所述第一氮化物材料；以及 执行第二净化以去除非所述第一材料的杂质。
23.如权利要求22所述的方法，其中，所述第一材料前驱体包括选自Ti(NEtMe)4、四(二甲氨基)钛1、氯化钛、碘化钛、或氟化钛中的任何一种。
24.如权利要求17所述的方法，其中，形成所述第二氮化物材料的步骤还包括以下步骤: 在所述第一氮化物材料上提供第二材料前驱体； 执行净化以去除杂质； 执行氢工艺以从所述第二材料前驱体去除配体； 执行第二净化以去除杂质；以及 通过利用氨气或氨等离子体工艺将所述第二材料硝化来形成所述第二氮化物材料。
25.如权利要求17所述的方法，其中，形成所述第二氮化物材料的步骤还包括以下步骤: 在所述第一氮化物材料上提供第二材料前驱体； 执行净化以去除杂质； 通过利用氨气 或氨等离子体工艺将所述第二材料硝化来形成所述第二氮化物材料；以及 执行第二净化以去除非所述第二材料的杂质。
26.如权利要求25所述的方法，其中，所述第二材料前驱体包括选自三甲基铝、三叔丁基铝或氯化铝中的任何一种。
全文摘要
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括半导体衬底，其中形成有字线区；以及阻挡金属层，所述阻挡金属层被布置在字线区上并引起产生肖特基结。所述阻挡金属层包括将第一材料硝化的第一氮化物材料和将第二材料硝化的第二氮化物材料。所述阻挡金属层由第一氮化物材料和第二氮化物材料的混合物形成。第一材料或第二材料中的至少一种富含用于形成第一氮化物材料或第二氮化物材料的金属。
文档编号H01L27/24GK103137864SQ20121040760
公开日2013年6月5日 申请日期2012年10月23日 优先权日2011年11月22日
发明者金珍赫, 李 根, 权宁锡 申请人:爱思开海力士有限公司