专利名称：发光二极管装置的制作方法
技术领域：
本实用新型具体涉及一种发光二极管装置。
背景技术：
光通量是LED产品的重要性能指标之一。影响光通量的因素主要包括以下几个方面支架，发光二极管芯片，硅胶、树脂等透明封装材料，荧光粉；以及支架结构、反射率等。对于通过反射层来提高LED产品的光通量设计，传统设计中一般是通过提高支架 表面的平整度的方式来间接提高LED产品的反射率，以减少光的吸收，从而实现提高光通量的目的。但是这种设计对产品光通量的改善有限，通常情况下仅能够达到80-90%左右，并且综合考虑成本及材料等局限性因素，通过传统方法来提升LED产品的光通量并没有太大的空间，并且实际生产过程中工艺较为复杂。因此，有必要提供一种提高LED光通量的发光二极管装置，以避免上述缺陷。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种高光通量的发光二极管装置，可以提高LED产品的光通量，同时简化产品的设计工艺。为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案—种发光二极管装置，包括基板，所述基板上设置有绝缘层以及设置在所述绝缘层上的导电层；支架，所述支架形成内凹开口并与所述基板配合形成所述发光二极管装置碗杯结构的投光口 ；发光二极管芯片，所述发光二极管芯片设置在所述基板上并电连接所述导电层；并且所述投光口的内壁上设置有反射层，所述反射层包括位于所述投光口底部的第一反射层和所述投光口侧壁的第二反射层，所述第一反射层和所述第二反射层的邻接处设置有绝缘部；所述反射层光反射率高于所述支架的光反射率。作为一种优选的技术方案，所述反射层光反射率高于所述支架的光反射率。作为一种优选的技术方案，所述第一反射层电连接所述导电层，所述发光二极管芯片通过所述第一反射层电连接所述导电层。作为一种优选的技术方案，所述第二反射层的反射率大于所述第一反射层的反射率。由于采用了上述技术方案一种发光二极管装置，包括基板，所述基板上设置有绝缘层以及设置在所述绝缘层上的导电层；支架，所述支架形成内凹开口并与所述基板配合形成所述发光二极管装置碗杯结构的投光口 ；发光二极管芯片，所述发光二极管芯片设置在所述基板上并电连接所述导电层；并且所述投光口的内壁上设置有反射层，所述反射层包括位于所述投光口底部的第一反射层和所述投光口侧壁的第二反射层，所述第一反射层和所述第二反射层的邻接处设置有绝缘部；所述反射层光反射率高于所述支架的光反射率。相比于现有技术，由于在所述投光口的内壁上设置有反射层，并且所述反射层包括位于所述投光口底部的第一反射层和所述投光口侧壁的第二反射层，所述第一反射层和所述第二反射层的邻接处设置有绝缘部，提高了 LED产品的光通量，并且第一反射层和第二反射层镀层材料选择的灵活，可以视底部与侧面对产品出光的影响，分别选用不同折射率或价格的材料；并且简化了产品的设计工艺。
图I为本实用新型具体实施方式
发光二极管装置的剖视图；图2为本实用新型具体实施方式
发光二极管装置的俯视图。
具体实施方式下面根据附图，对本实用新型具体实施方式
进行说明图I为本实用新型具体实施方式
发光二极管装置的剖视图；图2为本实用新型具体实施方式
发光二极管装置的俯视图。请参阅图I和图2所示，一种发光二极管装置，包括基板I以及依次设置的绝缘层2和导电层3 ;支架9，支架9形成内凹开口并与基板I配合形成发光二极管装置碗杯结构的投光口 ；发光二极管芯片8，发光二极管芯片8设置在所述基板I上，并且电连接导电层3。在本实施过程中，所述投光口投光口的内壁上设置有反射层，其中反射层包括第一反射层71和第二反射层72，第一反射层72设置在所述投光口底部，第二反射层71设置在投光口的侧壁，在第一反射层71和第二反射层的72的邻接处还设置有绝缘部5。本实施过程的这种设计，由于在所述投光口的内壁上设置有反射层，并且所述反射层包括位于所述投光口底部的第一反射层和所述投光口侧壁的第二反射层，所述第一反射层和所述第二反射层的邻接处设置有绝缘部，提高了 LED产品的光通量，并且第一反射层和第二反射层镀层材料选择的灵活，可以视底部与侧面对产品出光的影响，分别选用不同折射率或价格的材料；简化了产品的设计工艺。作为优选的方案,本实施过程中的第一反射层71电连接导电层3,发光二极管芯片8通过第一反射层71电连接所述导电层3，这种设计除了实现本实用新型创造的技术效果外，产品的电路连接等产品设计更为简单。进一步，优选的方案是，本实施过程中的第一导电层71为金属镀层,第一反射层7的材料可以为镀金层等金属。第一导电层71可以通过电镀等工艺设置在发光二极管装置上，工艺更为简单。作为优选的方案,本实施过程中第一反射层71和导电层3之间设置有电镀第一导电层71的基底层4。设置基底层4可以便于采用电镀等工艺形成第一导电层71在工艺上的简化和便于制作，基底层4可以选择镍等金属。作为优选的方案，第二反射层72的反射率大于第一反射层71的反射率。第二反射层72的反射率大于第一反射层71的反射率，可以根据产品的光线分布来实现产品更高的光通量。另外，在本实施过程中，基板I是由刚性并且良好散热性的材料如铝、镍、玻璃环氧树脂等构成；导电层3包括阴极和阳极两个电极，两个电极之间通过绝缘层6电绝缘；在导电层3上还设有基底层4 ;另外，在第一反射层71上搭载有发光二极管芯片8，发光二极管芯片8可以为蓝色氮化镓系半导体，其上面上的两个电极分别通过第一反射层71电连接到的导电层3上的两个电极。此外，在基板I和支架9形成的碗杯状投光口中，还填充有高透光性的硅胶或者环氧树脂等热硬化透明的密封树脂层6，在密封树脂层6内可以根据需要添加所需重量百分比的荧光粉。 以上仅为本实用新型实施案例而已，并不用于限制本实用新型，但凡本领域普通技术人员根据本实用新型所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。
权利要求1.ー种发光二极管装置，包括 基板，所述基板上设置有绝缘层以及设置在所述绝缘层上的导电层； 支架，所述支架形成内凹开ロ并与所述基板配合形成所述发光二极管装置碗杯结构的投光ロ ； 发光二极管芯片，所述发光二极管芯片设置在所述基板上并电连接所述导电层； 其特征在于 所述投光ロ的内壁上设置有反射层，所述反射层包括位于所述投光ロ底部的第一反射 层和所述投光ロ侧壁的第二反射层，所述第一反射层和所述第二反射层的邻接处设置有绝缘部；所述反射层光反射率高于所述支架的光反射率。
2.根据权利要求I所述的发光二极管装置，其特征在于 所述第一反射层电连接所述导电层，所述发光二极管芯片通过所述第一反射层电连接所述导电层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在干 所述第一导电层为金属镀层。
4.根据权利要求3所述的发光二极管装置，其特征在干 所述第一镀层和所述导电层之间设置有电镀所述第一导电层的基底层。
5.根据权利要求I至4任ー权利要求所述的发光二极管装置，其特征在于 所述第二反射层的反射率大于所述第一反射层的反射率。
专利摘要本实用新型公开了一种发光二极管装置，包括基板，基板上设置有绝缘层以及设置在绝缘层上的导电层；支架，支架形成内凹开口并与基板配合形成发光二极管装置碗杯结构的投光口；发光二极管芯片，发光二极管芯片设置在基板上并电连接导电层；并且投光口的内壁上设置有反射层，反射层包括位于投光口底部的第一反射层和投光口侧壁的第二反射层，第一反射层和第二反射层的邻接处设置有绝缘部；反射层光反射率高于支架的光反射率。这种设计第一反射层和第二反射层镀层材料选择的灵活，可以视底部与侧面对产品出光的影响，分别选用不同折射率或价格的材料；并且简化了产品的设计工艺。
文档编号H01L33/60GK202423381SQ20122000128
公开日2012年9月5日 申请日期2012年1月4日 优先权日2012年1月4日
发明者安国顺, 陈柏仁 申请人:歌尔声学股份有限公司