专利名称：一种背面点接触太阳能电池的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种太阳能电池的制备方法。
背景技术：
现代化太阳电池工业化生产朝着高效低成本化方向发展，背面点接触PERC电池作为高效低成本发展方向的代表，其优势在于
(I)优异的背反射器由于电池背面介质膜的存在使得内背反射从常规全铝背场65%增加到92-95%。一方面增加的长波光的吸收，另一方面尤其对未来薄片电池的趋势提供了技术上的保证； (2 )优越的背面钝化技术由于背面介质膜的良好的钝化作用，可以将背面复合速率从全铝背的 1000cm/s降低到100-200cm/s ；
尽管当前国内外众多公司及研究单位都在研制单晶硅背面点接触太阳电池，但目前仍然没有找到低成本可量产的制备方法。另一方面多晶硅背面点接触电池研究仍然处于初期，虽然国外也有公司如Q-Cell已研制出多晶硅背面点接触太阳电池，但始终没有一个低成本可量产的多晶硅背面点接触太阳电池制备方法。
发明内容
发明目的针对上述问题，本发明的目的是提供一种能够有效降低生产成本，可实现批量化生产的背面点接触太阳能电池的制备方法。技术方案为了解决现有技术的不足，本发明提供的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于包括步骤
(a)娃片去损伤并制绒；
(b )憐扩散；
(c)背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗；
Cd)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；
(e)正面减反射薄膜生长；
(f)背面开孔；
(g)丝网印刷背银，背铝，正银；
(h)烧结，测试；
步骤(c)所述的背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗的方法为采用在线滚轮式设备，单面去除PSG。步骤(a)中所述的娃片为P型娃片，电阻率O. 5-6 ohm · cm。所述步骤(b)磷扩散形成η型层，方阻值为30-120ohm/Sq，并在η型层上生长SiNx或SiOx钝化减反射层。所述步骤(d)所述的电池背面背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长采用SiNx、SiCx或TiOx进行钝化。
所述步骤(g)丝网印刷背银，背铝，正银为电池前表面印刷Ag栅线，背表面印刷铝背场及电极。所述步骤(e)的正面减反射薄膜生长为在电池正面印刷Al浆并烘干，直接利用LFC工艺形成背面点接触。
步骤(f)所述的背面开孔为激光开孔或采用 腐蚀浆料刻蚀开孔。步骤(g)中所述的背铝其形成方式为先薄膜开孔铝浆常规炉烧结形成或激光烧结形成。有益效果与现有技术相比，本发明提供的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，通过将背面抛光和背面发射结去除结合成一步实现，简化生产步骤，节约生产时间，提高效率，同时不增加电池每瓦制造成本的情况下大批量生产背面点接触太阳能电池。
图1为背面点接触太阳能电池的结构示意图。图2为背面点接触太阳能电池的测试对比图。图3为背面点接触太阳能电池的测试对比图。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。一种可量产的背面点接触单晶硅太阳电池的制备方法实例，以P型单晶硅片为基体材料，制造方法的具体步骤如下
(a)P型硅片4去损伤并制绒，清洗；
(b)管式磷扩散形成η形层3,扩散方阻75ohm/sq,并在η型层3上生长SiOx钝化减反射层2 ；
(c)采用湿法inline设备将P型硅片4背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗；
(d)在P型硅片4的背表面生长氧化铝钝化膜5，厚度为IOnm；
(e)在P型硅片4的前表面用PECVD的方法生长氧化硅/氮化硅减反膜2厚度为80nm；
(f)在P型硅片4的背表面用PECVD的方法生长氧化硅/氮化硅叠层膜5的厚度为120nm ；
(g)激光开孔；
(h)在硅片的背表面印刷背电极及铝背场6，在硅片的前表面印刷栅线I;
(i)烧结，测试。如图2所示，电池转换效率第三方公正，可以达到19. 9，且光衰减，背场拉力，以及组件端可靠性测试均符合TUV标准。
实施例2
一种可量产的背面点接触多晶硅太阳电池的制备方法实例，以P型多晶硅片为基体材料，制造方法的具体步骤如下
(1)P型硅片4去损伤并制绒，清洗；
(2)P型硅片4管式磷扩散，形成η形层3，扩散方阻75 ohm/sq,并在η型层3上生长SiOx钝化减反射层2 ；
(3)采用湿法inline设备背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗；
(4)在P型硅片4的背表面生长氧化铝钝化膜5厚度为IOnm；
(5)在硅片的前表面用PECVD的方法生长氮化硅减反膜280nm； (6)在娃片的背表面用PECVD的方法生长氧化娃/氮化娃叠层膜120nm；
(7)激光开孔；
(8)在硅片的背表面印刷背电极及铝背场6，在硅片的前表面印刷栅线I;
(9)烧结，测试。如图3所示，多晶电池转换效率批次平均效率达到18%，且光衰减，背场拉力，以及组件端可靠性测试均符合TUV标准。
权利要求
1.一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于包括步骤 (a)娃片(4)去损伤并制绒； (b)憐扩散； (c)背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗； Cd)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长； (e)正面减反射薄膜生长； (f)背面开孔； (g)丝网印刷背铝，正银； (h)烧结，测试； 步骤(c)所述的背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗的方法为采用在线滚轮式设备，单面去除PSG。
2.根据权利要求1所述的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于步骤Ca)中所述的娃片为P型娃片(4),电阻率O. 5-6 ohm · cm。
3.根据权利要求1所述的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于所述步骤(b)磷扩散形成η型层(3)，方阻值为30-120ohm/Sq，并在η型层(3)上生长SiNx或SiOx钝化减反射层(2)。
4.根据权利要求1所述的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于所述步骤(d)所述的电池背面氧化铝/氮化硅叠层(5)薄膜生长采用SiNx、SiCx或TiOx进行钝化。
5.根据权利要求1所述的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于所述步骤(g)丝网印刷正银银、背铝，所述的正银为在电池前表面印刷Ag栅线(1)，背表面印刷铝背场(6)及电极。
6.根据权利要求1所述的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于所述步骤(e)的正面减反射薄膜生长为在电池正面印刷Al浆并烘干，直接利用LFC工艺形成背面点接触。
7.根据权利要求1所述的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于步骤(f)所述的背面开孔为激光开孔或采用腐蚀浆料刻蚀开孔。
8.根据权利要求1所述的一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于步骤(g)中所述的背铝其形成方式为先薄膜开孔铝浆常规炉烧结形成或激光烧结形成。
全文摘要
本发明公开了一种背面点接触太阳能电池的制备方法，包括步骤(1)硅片去损伤并制绒；(2)扩散；(3)背面磷硅玻璃(PSG)去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗；(4)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；(5)正面减反射薄膜生长；(6)背面开孔；(7)丝网印刷背银，背铝，正银；(8)烧结，测试。本发明通过改进太阳能电池的制备方法，有效降低生产成本，适于批量化生产。
文档编号H01L31/18GK103022262SQ20131000224
公开日2013年4月3日 申请日期2013年1月6日 优先权日2013年1月6日
发明者夏正月, 高艳涛, 宫昌萌, 何恬, 孙珠珠, 宋文涛, 陈同银, 刘仁中, 李晓强, 董经兵, 孟津, 陶龙忠, 张斌, 邢国强 申请人:奥特斯维能源(太仓)有限公司