晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆及其制备方法、晶体硅太阳电池及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆及其制备方法，以向光面种子层银浆的总质量为基准，所述向光面种子层银浆中含有30~50wt%的导电银粉、5.0~20wt%的空心玻璃粉和40~60wt%的有机载体；其中，所述空心玻璃粉的中粒径为5.0~10μm，平均壁厚为1.0~3.0μm。本发明还提供了采用该向光面种子层银浆制备晶体硅太阳电池的方法以及由该方法制备得到的晶体硅太阳电池。本发明提供的向光面种子层银浆中含银量少，印刷体积大，烧结后形成物质量少，得到的烧结残余物窄细、密实，与硅的接触电阻小，因此非常适合后续的光诱导电镀工艺，使得晶体硅太阳电池的材料成本大大降低，且光电转化效率无明显降低。
【专利说明】晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆及其制备方法、晶体硅太阳电池及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及太阳能电池【技术领域】，具体涉及一种晶体硅太阳能电池的向光面种子层银浆及其制备方法、和一种晶体硅太阳电池及其制备方法。
【背景技术】
[0002]当前关于太阳能电池的研究非常活跃，太阳能电池有望成为未来电力供应的主要支柱，晶体硅太阳能电池是PV (光伏)市场上的主导产品。导电浆料是电池片上除硅材料以外最大的材料成本项，降低电池单位功率浆料用量，尤其向光面银浆用量是降低材料成本的一个重要措施。
[0003]目前降低向光面银浆用量的措施主要有几个方面，一是改进银浆性能和印刷工艺，例如印刷更薄的膜层，采用更细密的丝网，电极主栅采用镂空技术等。另一个方案是变换传统单纯地采用丝网印刷制作向光面电极的工艺，采用丝印和光电镀结合的方法，具体工艺为:先通过丝网印刷一层种子层银浆，烘干并烧结后，再在种子银上采用光诱导电镀工艺(LIP)电镀一层金属银。由于丝网印刷的种子层银浆的用量较少，而电镀银时则采用纯银棒做阳极，而纯银的价格比银浆要低得多，因此该方案在一定程度上降低了向光面电极的制作成本。并且，纯银的导电性能比银浆烧结后的残余物的导电性能好。因此，该工艺得到的电极的体电阻比单纯丝印的要小，电池的填充因子也有一定的提高。但是，目前采用的种子层银浆均为普通的向光面银浆，采用此种浆料丝印后，得到的种子层栅线的细密度达不到设计要求，导致光诱导电镀后的向光面电极栅线的宽度增加过大，遮光面积增大，电池的短路电流下降，因此虽然电镀会对填充因子有所提升，但整体上最终得到的太阳电池的光电转换效率提升并不理想，有时甚至有下降的趋势。因此，寻求一种合适的光诱导电镀前用的种子层银浆已成为当务之急。
【发明内容】
[0004]本发明解决了现有技术中直接采用普通向光面银浆作为种子层浆料进行印刷然后结合LIP工艺制作太阳电池存在的电极栅线达不到要求、光电转化效率低的技术问题，并提供一种晶体硅太阳能电池的向光面种子层银浆及其制备方法、和一种晶体硅太阳电池及其制备方法。
[0005]具体地，本发明提供了一种晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆，以向光面种子层银浆的总质量为基准，所述向光面种子层银浆中含有3(T50wt%的导电银粉、5.0^20wt%的空心玻璃粉和4(T60wt%的有机载体；其中，所述空心玻璃粉的中粒径为5.(TlOMm，平均壁厚为1.0~3.0Mm。
[0006]进一步地，本发明提供了所述的晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆的制备方法，包括将空心玻璃粉先分散于有机载体中，然后分批加入导电银粉，研磨至浆料细度小于5 μ m,得到所述晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆。
[0007]本发明还提供了一种晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:先在硅片背光面依次印刷背面银导电浆料和背场铝浆料，烘干后在硅片向光面印刷本发明提供的向光面种子层银浆，入隧道炉烘干并烧结后在硅片向光面形成种子层电极栅线，然后在种子层电极栅线表面进行光诱导电镀镍或银，最后再电镀铜，得到所述晶体硅太阳电池。
[0008]最后，本发明提供了一种晶体硅太阳电池，其特征在于，所述晶体硅太阳电池由本发明提供的制备方法制备得到。
[0009]本发明提供的晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆，其中所采用的玻璃粉为空心玻璃粉，其振实密度相对传统玻璃粉大大降低，因此在同样的体积转移印刷量下，所采用的浆料的用量降低。另外，空心玻璃粉在后续烧结形成种子层电极栅线时会熔融塌陷，得到的烧结残余物窄细、密实，与硅的接触电阻小，因此非常适合后续的光诱导电镀工艺。采用本发明提供的向光面种子层银浆和制备方法制备得到的晶体硅太阳电池，在后续光诱导电镀时，电镀镍或银会先有效填充种子银层中的孔隙，从而阻止后续电镀铜层对硅片基底的扩散，使得光电转化效率无明显变化的同时能有效降低向光面银用量，从而大大降低电池制作成本。
【具体实施方式】
[0010]本发明提供了一种晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆，以向光面种子层银浆的总质量为基准，所述向光面种子层银浆中含有3(T50wt%的导电银粉、5.0^20wt%的空心玻璃粉和4(T60wt%的有机载体；其中，所述空心玻璃粉的中粒径为5.(TlOMm，平均壁厚为1.0~3.Ομιτ?ο
[0011]本发明提供的晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆，其中所采用的玻璃粉为空心玻璃粉，其振实密度相对传统玻璃粉大大降低，因此在同样的体积转移印刷量下，所采用的浆料的用量降低。另外，空心玻璃粉在后续烧结形成种子层电极栅线时会熔融塌陷，得到的烧结残余物窄细、密实，与硅的接触电阻小，得到的种子层电极栅线非常适合后续的光诱导电镀工艺。优选情况下，所述空心玻璃粉的振实密度为2.0-4.0g/cm3，软化点温度为400~600。C。
[0012]本发明中，所述空心玻璃粉仅形状为中空结构，其材质可直接采用现有技术中玻璃粉常用的各种共烧氧化物。作为本发明的一种优选实施方式，所述空心玻璃粉为A-B-C
三元共烧氧化物，其中A选自PbO或Bi2O3的一种，B为S12, C选自B2O3' Zn。、T12' Ba。、Al2O3中的至少一种，但不局限于此。更优选情况下，以所述空心玻璃粉的总质量为基准，其中A的含量为75~85wt%，B的含量为5.(Tl5wt%，C的含量为5.(Tl5wt%。所述空心玻璃粉可以自制，也可以商购得到。
[0013]所述导电银粉可直接采用现有的导电银浆中常用的各种球形银粉。优选情况下，所述导电银粉的中粒径为0.1~3.0 μ m，比表面积为0.5~3.5m2/g，振实密度为2.5~6.0g/cm3.
[0014]所述有机载体中含有有机溶剂、增稠剂和助剂。其中，所述有机溶剂可以采用现有技术中常用的多种溶剂的组合，例如可选自醇酯、松油醇、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、丁基卡必醇、松节油、丁基卡必醇醋酸酯、乙二醇丁醚、乙二醇乙醚醋酸酯中的一种或多种。所述增稠剂选自乙基纤维素、硝化纤维素、醇酸树脂、酚醛树脂类粘结剂中的一种或多种。所述助剂选自聚酰胺粉末、氢化蓖麻油、十六醇、十八醇中的一种或多种。以所述有机载体的总质量为基准，其组成为:85~95wt%的有机溶剂，3.(TlOwt%的增稠剂和0.5~5.0wt%的助剂。所述有机载体的制备方法是将增稠剂、助剂添加至上述有机溶剂中，在5(T70°C下使其充分溶解并搅拌均匀，即得有机载体。
[0015]进一步地，本发明提供了所述的晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆的制备方法，包括将空心玻璃粉先分散于有机载体中，然后分批加入导电银粉，搅拌研磨至浆料细度小于5 μ m,得到所述晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆。
[0016]制备所述向光面种子银浆的具体步骤为:将按比例称量好的有机载体置于高速分散机的不锈钢罐中，在搅拌的同时加入空心玻璃粉，搅匀；分批次加入导电银粉，每次加入先搅匀，再加下一次；全部加完后，高速搅匀；再用三辊研磨机进行多次研磨至浆料细度5 μ m,即可得到所述向光面种子银浆。
[0017]本发明还提供了一种晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:先在硅片背光面依次印刷背面银导电浆料和背场铝浆料，烘干后在硅片向光面印刷本发明提供的向光面种子层银浆，入隧道炉烘干并烧结后在硅片向光面形成种子层电极栅线，然后在种子层电极栅线表面进行光诱导电镀镍或银，最后再电镀铜，得到所述晶体硅太阳电池。
[0018]本发明中，所述背面银导电浆料、背场铝浆料均为本领域技术人员常用的各种常规浆料，本发明没有特殊限定，此处不再赘述。所述硅片可为单晶硅片或多晶硅片，本发明没有特殊限定。
[0019]采用本发明提供的向光面种子层银浆对硅片正面(即向光面)进行丝网印刷，烧结后形成种子层电极栅线(即种子银层)，然后在种子层电极栅线表面进行光诱导电镀镍或银形成壁垒层，最后电镀铜形成向光面电极，即得到晶体硅太阳电池。采用本发明提供的向光面种子层银浆和制备方法制备得到的晶体硅太阳电池，在后续光诱导电镀时，电镀镍或银能有效填充种子银层中的孔隙，阻止后续电镀铜层对硅片基底的扩散，使得光电转化效率无明显变化的同时能有效降低向光面电极的银用量，从而大大降低电池制作成本。
[0020]其中，印刷种子层浆料的方法优选为丝网印刷，例如可以采用400目、线宽为50μπι的网版进行，但不局限于此。优选情况下，印刷湿重为3(T50mg。根据本发明的制备方法，印刷向光面种子层银浆后，即可将硅片整体送入隧道炉中进行烘干烧结。其中，烘干温度为20(T40(TC，烧结峰值温度为91(T930°C，整个过隧道炉的时间为1.5^2.5min，峰值区域温度下烧结时间为0.5^2.0s。烧结后形成的种子层电极栅线的厚度为1.0-5.0Mffl。
[0021]光诱导电镀银的工艺为本领域技术人员所公知，本发明没有特殊限定。例如，当在种子层电极栅线表面进行光诱导电镀镍时，采用硫酸镍或氯化镍水溶液作为电镀液，温度为4(T60°C。更优选情况下，此电镀液中Ni2+含量为8(Tl50g/L，电镀时阴极电流密度为
1.0~8.0A/dm2。
[0022]当在种子层电极栅线表面进行光诱导电镀银时，采用硝酸银水溶液作为电镀液，温度为3(T45°C。更优选情况下，此电镀液中Ag+含量为2(T50g/L，电镀时阴极电流密度为
1.0~8.0A/dm2。
[0023]光诱导电镀形成镍或银壁垒层时，发明人发现，壁垒层的厚度对晶体硅太阳电池的成本和最终性能有较大影响。具体地，当壁垒层为光诱导电镀镍层时，虽然其致密均匀，但是镍层与烧结得到的种子银层之间存在较大的内应力差异，镍层越厚，差异越大，该内应力差异可能导致种子银层与硅片衬底之间的附着性能下降，从而影响整个向光面电极与硅片衬底之间的附着力，因此，镍层的厚度不宜过大。优选情况下，光诱导电镀层为镍层时，其厚度为0.1-1.0Mm。
[0024]而当壁垒层为光诱导电镀银层时，该层与种子银层之间的内应力差异则较小，因此电镀银层的厚度相对电镀镍层来说，其厚度可以适当增加；当电镀银层太厚又会大幅度增加成本。因此，优选情况下，光诱导电镀层为银层时，其厚度为0.3^3.0Mm。
[0025]最后，根据本发明的制备方法，在光诱导电镀形成的壁垒层表面继续电镀铜，形成电极表面构成层。所述电镀铜的方法为本领域技术人员所公知，例如所采用的电镀液为硫酸铜水溶液，温度为4(T65°C。优选情况下，电镀铜时该电镀液中Cu2+含量为8(Tl80g/L，阴极电流密度为2.(TlOA/dm2。发明人发现，电镀铜层太薄对降低电极成本不利，并可导致向光面电极的体电阻增大，从而影响电池的效率，而太厚则可能导致电镀铜层对壁垒层的附着力下降，优选情况下，电镀铜层的厚度为5.0-l5Mm。
[0026]最后，本发明提供了一种晶体硅太阳电池，其特征在于，所述晶体硅太阳电池由本发明提供的制备方法制备得到。本发明提供的晶体硅太阳电池，其向光面电极外观良好，电极与光伏焊带的焊接强度高，电池的串联电阻无明显升高，在光电转化效率无明显降低的同时,大大降低电池制作成本。
[0027]综上，本发明提供的的向光面种子层银浆中含银量少，印刷体积大，烧结后形成物质量少；通过光诱导电镀形成的壁垒层可有效填充种子银层中的孔隙，阻止后续电镀铜层对娃片衬底的扩散，向光面电极的含银量很少，大大降低了电池的材料成本，并且，电池的光电转换效率无明显降低。
[0028]为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。实施例及对比例中所采用原料均通过商购得到，本发明没有特殊限定。
[0029]实施例1
(1)有机载体制备
按照质量比松油醇:丁基卡必醇=70:30的比例混合均匀，得到混合溶剂。取93.5质量份的混合溶剂，加入5.0质量份的乙基纤维素STD-100 (陶氏公司生产，粘度为100)，0.5质量份的氢化蓖麻油，1.0质量份的十六醇，加热到65°C，使其充分溶解，并搅拌均匀，得到本实施例的有机载体。
(2)空心玻璃粉制备
空心玻璃粉氧化物组成:取82重量份PbO，8重量份S12, 7重量份ZnO，3重量份Ti02。制备得到中粒径D5tl为7.0-8.0Mm的空心玻璃粉，其平均壁厚为1.5^1.7Mm，测得该空心玻璃粉的软化点为510°C。
(3)向光面种子层银浆Jl制备
取50质量份步骤(1)制备的有机载体置于高速分散机的不锈钢罐中，一边搅拌，一边加入10质量份步骤(2)制备的空心玻璃粉，然后加入40质量份的中粒径D5q为0.40±0.25Mfli的球形银粉(日本昭荣公司生产的Ag-202A牌号银粉，比表面积为
2.5±0.70m2/g，振实密度为4.0±1.0g/cm3。)，其中银粉分3次加入，每次加入先搅匀，再加下一次；全部加完后，高速搅匀；再用0150的三辊研磨机进行研磨61次，至浆料细度小于5Mm，得到本实施例的向光面种子层银浆Jl。
(4)晶体硅太阳电池SI制备
多晶硅片规格为:156 X 156mm，厚度为200 μ m (腐蚀前)，印刷前厚度为180 μ m。在将硅片制绒、制PN结、镀氮化硅减反射膜后，先采用280目丝网印刷背面银浆(Dupont公司的PV505银浆)，背银浆的印刷湿重为40±5.0mg，烘干，在背银浆余下背光面部分，同样采用280目丝网印刷背场铝浆(台湾硕禾科技108C铝浆)，铝浆的印刷湿重为1.30±0.10g，烘干。然后采用400目、线宽为50 μ m的网版将步骤(3)制备的向光面种子层银浆Jl印刷在硅片的向光面上，印刷湿重为40±5.0mg，入隧道炉中烘干烧结，隧道炉内分九个区，各区温度依次为 300 V，350 V，400 V，530 V，570 V，630 V，690 °C, 855 °C, 920 V，整个过隧道炉的时间约为2min，920°C下烧结时间约为I秒，烧结完成后形成种子层电极栅线。然后采用光诱导电镀工艺在种子层电极栅线上电镀镍，电镀镍时采用的电镀液为硫酸镍水溶液，温度控制在45°C，Ni2+浓度为105g/L，阴极电流密度3.3A/dm2，电镀时间为48秒，得到镀镍层厚度为0.50±0.10Mm。然后再在该镀镍层上电镀铜，电镀液为硫酸铜水溶液，温度控制在50°C，Cu2+浓度为120g/L，阴极电流密度4.5A/dm2，电镀时间为8.5min，得到的铜层厚度为10 + 1.0Mm0
通过上述步骤，得到本实施例的成品晶体硅太阳电池片，记为SI。
[0030]实施例2
采用与实施例1相同的步骤制备本实施例的向光面种子层银浆J2和晶体硅太阳电池片S2，不同之处在于: 步骤(2)中，空心玻璃粉的氧化物组成:82重量份Bi2O3, 5重量份S12,9重量份B2O3,4重量份BaO。制备得到中粒径D5tl为5.0-6.0Mm的空心玻璃粉，其平均壁厚为1.(Tl.2Mm,测得该空心玻璃粉的软化点为450°C。
[0031]实施例3
采用与实施例1相同的步骤制备本实施例的向光面种子层银浆J3和晶体硅太阳电池片S3，不同之处在于:
步骤(2)中，空心玻璃粉氧化物组成:取80重量份Bi2O3,10重量份S12,，6重量份B2O3,4重量份Al2O315制备得到中粒径D5tl为9.(TlOMm的空心玻璃粉，其平均壁厚为2.8^3.0Mm,测得该空心玻璃粉的软化点为560°C。
[0032]实施例4
采用与实施例1相同的步骤制备本实施例的向光面种子层银浆J4和晶体硅太阳电池片S4，不同之处在于:
步骤(4)中，在种子层电极栅线上镀镍改为电镀银，电镀液为硝酸银水溶液。温度控制在35°C，镀液中Ag+浓度为30g/L，阴极电流密度4.0A/dm2,电镀时间为1.5min，得到镀银层厚度为2.0±0.5Mm，然后采用相同的步骤继续电镀铜。
[0033]对比例I
多晶硅片规格为:156 X 156mm，厚度为200 μ m (腐蚀前)，印刷前厚度为180 μ m。在将硅片制绒、制PN结、镀氮化硅减反射膜后，先采用280目丝网印刷背面银浆(Dupont公司的PV505银浆)，背银浆的印刷湿重为40±10 mg，烘干，在背银浆余下背光面部分，同样采用280目印刷背场铝浆(台湾硕禾科技108C铝浆)，铝浆的印刷湿重为1.30±0.10g，烘干。然后采用360目、线宽为70μπι的网版将向光面电极银浆(Dupont公司的17A银浆)印刷在硅片的向光面上，印刷湿重为120±10mg，入隧道炉中烘干烧结，隧道炉内分九个区，各区温度依次为 300 V，350 V，400 V，530 V，570 V，630 V，690 V，855 V，920 V，整个过隧道炉的时间约为2min，920°C下烧结时间约为I秒，烧结完成后得到本对比例的成品晶体硅太阳电池片，记为DSl。
[0034]对比例2
采用与对比例I相同的步骤制备本对比例的成品晶体硅太阳电池片DS2，不同之处在于:采用360目、线宽为60 μ m的网版将Dupont公司的17A向光面电极银浆印刷在硅片的向光面上，印刷湿重为70±10mg，入隧道炉中烘干烧结，隧道炉内分九个区，各区温度依次为 300 V，350 V，400 V，530 V，570 V，630 V，690 V，855 V，920 V，整个过隧道炉的时间约为2min，920°C下烧结时间约为I秒，烧结完成后形成种子层银层。然后再采用光诱电镀银工艺在种子层银层上进行电镀银，电镀液为硝酸银水溶液，温度控制在35°C镀液中Ag+浓度为30g/L，阴极电流密度4.0A/dm2,电镀时间为4.5min,测试得到的电镀银层厚度为
6.0±1.0Mm,出槽后将电池片采用热风吹干，得到本对比例的成品晶体硅太阳电池片，记为DS2。
[0035]性能测试
本发明采用200片电池进行试验，测得的数据取平均值。
[0036](I)表面状况:用10倍放大镜观察向光面电极表面是否有沙眼或针孔,若表面光滑、无积点与孔洞等现象，则记为0K，否则记为NG。
[0037](2)焊接强度:选用上海胜陌2mmX0.2mm锡铅焊带，用汉高X32-10I型助焊剂浸泡后烘干，然后在330°C对电极主栅线进行手工焊接。待自然冷却后，使用山度SH-100推拉力计沿135°方向对焊带剥离测试，测其平均剥离力，单位为N/mm。
[0038](3)串联电阻(Rs)、光电转化效率(Eta):采用单次闪光模拟测试仪器对各电池进行测试得到。测试条件为标准测试条件(STC):光强:1000W/m2 ;光谱:AM1.5 ?’温度:25°C。测试方法按照IEC904-1进行。
[0039]测试结果如下表1所示。
表1
【权利要求】
1.一种晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆，其特征在于，以向光面种子层银浆的总质量为基准，所述向光面种子层银浆中含有3(T50wt%的导电银粉、5.0^20wt%的空心玻璃粉和4(T60wt%的有机载体；其中，所述空心玻璃粉的中粒径为5.(TlOMm，平均壁厚为1.0~3.Ομιτ?ο
2.根据权利要求1所述的向光面种子层银浆，其特征在于，所述空心玻璃粉的振实密度为2.0~4.0g/cm3，软化点温度为40(T600°C。
3.根据权利要求1或2所述的向光面种子层银浆，其特征在于，所述空心玻璃粉为A-B-C三元共烧氧化物，其中A选自PbO或Bi2O3的一种，B为S12, C选自B2O3、ZnO, T12,Ba0、Al203中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的向光面种子层银浆，其特征在于，以所述空心玻璃粉的总质量为基准，其中A的含量为75~85wt%，B的含量为5.0~15wt%，C的含量为5.0~15wt%。
5.根据权利要求1所述的向光面种子层银浆，其特征在于，所述导电银粉为球形银粉，其中粒径为0.1~3.0Mm,比表面积为0.5^3.5m2/g，振实密度为2.5~6.0g/cm3。
6.根据权利要求1所述的向光面种子层银浆，其特征在于，所述有机载体的组成为:85~95wt%的有机溶剂，3.(Tl0wt%的增稠剂和0.5~5.0wt%的助剂；其中，所述有机溶剂选自醇酯、松油醇、邻苯二甲酸二丁酯、丁基卡必醇、松节油、丁基卡必醇醋酸酯、乙二醇丁醚、乙二醇乙醚醋酸酯中的一种或多种，所述增稠剂选自乙基纤维素、硝化纤维素、醇酸树脂、酚醛树脂类粘结剂中的一种或多种，所述助剂选自聚酰胺粉末、氢化蓖麻油、十六醇、十八醇中的一种或多种。
7.权利要求1所述的晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆的制备方法，其特征在于，包括将空心玻璃粉先分散于有机载体中，然后分批加入导电银粉，研磨至浆料细度小于 得到所述晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆。
8.一种晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:先在硅片背光面依次印刷背面银导电浆料和背场铝浆料，烘干后在硅片向光面印刷权利要求1-6任一项所述的向光面种子层银浆，入隧道炉烘干并烧结后在硅片向光面形成种子层电极栅线，然后在种子层电极栅线表面进行光诱导电镀镍或银，最后再电镀铜，得到所述晶体硅太阳电池。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，印刷种子层浆料的方法为丝网印刷，印刷湿重为3(T50mg ；烘干温度为20(T400°C，烧结峰值温度为91(T930°C，整个过隧道炉的时间为1.5^2.5min，峰值区域温度下烧结时间为0.5^2.0s。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，光诱导电镀镍所采用的电镀液为硫酸镍或氯化镍水溶液，温度为4(T60°C，电镀液中Ni2+含量为8(Tl50g/L，电镀时阴极电流密度为 1.0~8.0A/dm2。
11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，光诱导电镀银所采用的电镀液为硝酸银水溶液，温度为3(T45°C，电镀液中Ag+含量为2(T50g/L，电镀时阴极电流密度为1.0~8.0A/dm2。
12.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，电镀铜所采用的电镀液为硫酸铜水溶液，温度为4(T65°C，电镀液中Cu2+含量为8(Tl80g/L，阴极电流密度为2.(TlOA/dm2。
13.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，种子层电极栅线厚度为1.0-5.0Mffl,光诱导电镀镍层厚度为0.1~1.0Mm,电镀铜层厚度为5.(Tl5Mm。
14.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，种子层电极栅线厚度为1.0-5.0Mffl,光诱导电镀银层厚度为0.3^3.0Mffl,电镀铜层厚度为5.(Tl5Mffl。
15.一种晶体硅太阳电池，其特征在于，所述晶体硅太阳电池由权利要求8-14任一项所述的制备方法制 备得到。
【文档编号】H01L31/0224GK104078091SQ201310102746
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年3月27日 优先权日:2013年3月27日
【发明者】何龙, 姜占锋, 谭伟华, 赵志强 申请人:比亚迪股份有限公司