发光二极管晶粒的制作方法
【专利摘要】一种发光二极管晶粒，包括基板、形成在基板上的电学层及设置在电学层上的两电极，所述电学层包括一承载面，所述承载面上形成若干微结构，每一微结构沿电学层形成方向上的剖面呈三角形，所述微结构包括一顶面，所述顶面相对所述承载面为一斜面。本发明通过在电学层的承载面上进一步形成若干剖面呈三角形的微结构，与传统平台状的微结构相比，当自电学层发出的光线进入微结构后，由于顶面由水平面变为斜面，使得与顶面垂直的法线角度发生变化，部分原本发生全反射的光线与法线之间的入射角减小至小于全反射临界角，使得该部分光线不会发生全反射进而从微结构的顶面出射，从而提高所述发光二极管晶粒的出光效率。
【专利说明】发光二极管晶粒
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体元件，尤其涉及一种发光二极管晶粒。
【背景技术】
[0002] 发光二极管（Light Emitting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围 的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动 简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
[0003] 现有的发光二极管晶粒通常包括基板以及在基板表面形成的半导体发光结构，该 半导体发光结构包括一承载面。为了避免光线在到达承载面时发生全反射现象而被反射回 发光二极管晶粒内部，业界通常会利用黄光制程在发光二极管晶粒的承载面上制作图案化 结构，以破坏承载面的全反射条件，提高出光效率。然而上述结构存在以下问题：传统的黄 光制程仅能将该承载面制作成平台状图案，半导体发光结构发出的光线仍会容易在平台顶 面处发生全反射而无法出射，从而无法大幅度提升发光二极管晶粒的出光效率。
【发明内容】
[0004] 鉴于此，有必要提供一种具有较高出光效率的发光二极管晶粒。
[0005] -种发光二极管晶粒，包括基板、形成在基板上的电学层及设置在电学层上的两 电极，所述电学层包括一承载面，所述承载面上形成若干微结构，每一微结构沿电学层形成 方向上的剖面呈三角形，所述微结构包括一顶面，所述顶面相对所述承载面为一斜面。
[0006] 本发明通过在电学层的承载面上进一步形成若干剖面呈三角形的微结构，与传统 平台状的微结构相比，当自电学层发出的光线进入微结构后，由于顶面由水平面变为斜面， 使得与顶面垂直的法线角度发生变化，部分原本发生全反射的光线与法线之间的入射角减 小至小于全反射临界角，使得该部分光线不会发生全反射进而从微结构的顶面出射，从而 提1?所述发光-极管晶粒的出光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0007] 图1为本发明的发光二极管晶粒一较佳实施例的示意图。
[0008] 图2为图1所示发光二极管晶粒的局部放大示意图。
[0009] 图3为本发明所示发光二极管晶粒另一较佳实施例的示意图。
[0010] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种发光二极管晶粒，包括基板、形成在基板上的电学层及设置在电学层上的两电 极，所述电学层包括一承载面，其特征在于：所述承载面上形成若干微结构，每一微结构沿 电学层形成方向上的剖面呈三角形，所述微结构包括一顶面，所述顶面相对承载面为一斜 面。
2. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述微结构自电学层的承载面 向外凸伸形成。
3. 如权利要求2所述的发光二极管晶粒，其特征在于：每一微结构包括位于该承载面 上的一底面和与该底面相接的侧面，所述顶面连接所述底面和侧面，所述电学层发出的光 线经底面进入所述微结构，并经所述顶面和侧面出射。
4. 如权利要求3所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述微结构沿电学层形成方向 上的剖面呈直角三角形，所述底面与所述侧面垂直。
5. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述电学层包括依次形成在基 板上的第一半导体层、发光层、第二半导体层及导电层，所述两电极分别设置在第一半导体 层和导电层上，所述导电层的表面形成所述承载面。
6. 如权利要求5所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一半导体层为N型氮化 镓层，所述发光层为多重量子阱层，所述第二半导体层为P型氮化镓层，所述导电层为氧化 铟锡层。
7. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述电学层包括依次形成在基 板上的第一半导体层、发光层、第二半导体层、导电层及电绝缘层，所述两电极分别设置在 第一半导体层和导电层上，所述电绝缘层的表面形成所述承载面。
8. 如权利要求7所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一半导体层为N型氮化 镓层，所述发光层为多重量子阱层，所述第二半导体层为P型氮化镓层，所述导电层为氧化 铟锡，所述电绝缘层为二氧化硅。
9. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述微结构为透明结构，所述微 结构采用硅氧化物、氮硅化合物、氧化铟锡、环氧材料、硅材料制成。
【文档编号】H01L33/44GK104112804SQ201310135533
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2013年4月18日 优先权日:2013年4月18日
【发明者】沈佳辉, 洪梓健 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司