薄膜晶体管基板的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在该基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、透明导电层及金属层；提供一光阻层，该光阻层覆盖在该金属层上，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，以形成图案化光阻层，该图案化光阻层邻近半导体层的部分较厚，远离半导体层的部分较薄，再对金属层进行蚀刻，直到暴露出部分蚀刻阻挡层；去除剩余的较薄部分的光阻层，以暴露出部分金属层；对暴露在外的金属层进行蚀刻，以暴露出部分该透明导电层；以及去除该光阻层。
【专利说明】薄膜晶体管基板的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法。
【背景技术】
[0002] 现有的薄膜晶体管基板的制造方法一般包括如下步骤：步骤一：形成栅极金属 层；步骤二：形成栅极电极；步骤三：形成栅极绝缘层；步骤四：形成一个半导体层在该栅 极绝缘层上；步骤五：形成一个蚀刻阻挡层在该半导体层上；步骤六：形成一个透明导电 层；步骤七：形成一个像素电极；步骤八：形成源/漏极电极；步骤九：形成一钝化层的图案 层在该像素电极、源/漏极电极上。
[0003] 该薄膜晶体管基板需要采用多道光罩制程，而光罩制程通常较为复杂且成本较 1?，从而使得制造成本较
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种制程简单的薄膜晶体管基板的制造方法。
[0005] -种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在该基板上依次形成栅 极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、透明导电层及金属层；提供一光阻层，该光阻层覆 盖在该金属层上，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，以形成图案化光阻层，该图案化光 阻层邻近半导体层的部分较厚，远离半导体层的部分较薄，再对金属层进行蚀刻，直到暴露 出部分蚀刻阻挡层；去除剩余的较薄部分的光阻层，以暴露出部分金属层；对暴露在外的 金属层进行蚀刻，以暴露出部分该透明导电层；以及去除该光阻层。
[0006] 在上述薄膜晶体管基板的制造方法中，源极、漏极的形成以及像素电极的形成只 需要一次光阻层，从而节省了一次光阻层的使用，制程简化，有效地降低了成本。进一步地， 由于透明导电层是位于金属层与栅极绝缘层之间，因此可阻挡金属层的金属元素扩散到栅 极绝缘层内，从而提升产品的品质。
【专利附图】
【附图说明】
[0007] 图1到图7是本发明实施方式提供的薄膜晶体管基板的制造方法的剖面示意图。
[0008] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括： 提供一基板； 在该基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、透明导电层及金属 层； 提供一光阻层，该光阻层覆盖在该金属层上，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，以 形成图案化光阻层，该图案化光阻层邻近半导体层的部分较厚，远离半导体层的部分较薄， 再对金属层进行蚀刻，直到暴露出部分蚀刻阻挡层； 去除剩余的较薄部分的光阻层，以暴露出部分金属层； 对暴露在外的金属层进行蚀刻，以暴露出部分该透明导电层；以及 去除该光阻层。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该半导体层包括非 晶氧化半导体材料。
3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该透明导电层为铟 锡氧化物薄膜。
4. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该光罩为半色调网 点光罩。
5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，透明导电层位于金 属层与半导体层之间。
6. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，在步骤"去除该光阻 层"之后，进一步包括如下步骤：形成一个保护层，以覆盖该金属层、透明导电层以及暴露在 外的蚀刻阻挡层。
【文档编号】H01L21/84GK104253091SQ201310253860
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2013年6月25日 优先权日:2013年6月25日
【发明者】安生健二 申请人:业鑫科技顾问股份有限公司, 新光电科技有限公司