一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法
【专利摘要】一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法，采用KT电子扫描显微镜对源极多晶硅经化学机械研磨后的表面进行检测，KT电子扫描显微镜持续发射原生入射电子对源极多晶硅表面进行扫描，源极多晶硅表面的价电子被激发，形成二次电子，然后KT电子扫描显微镜侦测源极多晶硅表面被激发出的二次电子并成像，异常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。本发明能够简单有效地检测到源极多晶硅的表面异常，降低了晶片受损的可能性。
【专利说明】—种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法。
【背景技术】
[0002]在半导体制造工艺中，对源极多晶硅进行CMP化学机械研磨之后，需要对源极多晶硅表面进行检测，确认表面无异常后，再进行下一步源极多晶硅回刻蚀制程。若直接对具有表面异常的源极多晶硅进行后续制程，会导致源极蚀刻线宽标准差超出可控范围，使得晶片容易损坏，甚至需要重做，增加了成本，降低了效率。
[0003]目前使用Hitachi日立生产的一种量测线宽的量测设备，名为日立电子扫描显微镜来对进行了 CMP化学机械研磨之后的源极多晶硅表面进行检测，日立电子扫描显微镜首先是对需要量测的区域拍照，然后针对照片进行量测。图1是采用日立电子扫描显微镜对源极多晶硅异常表面区域拍摄的照片，与正常表面的拍摄结果没有差异，图1中，中间区域是源极多晶硅，图中波形代表二次电子的强度。，采用日立电子扫描显微镜看不出正常表面和异常表面有明显区别，且在量测过程中没有持续一定时间的电子扫描，因此难以准确分辨出源极多晶硅表面是否存在异常，导致检测结果不可靠。
[0004]因此，急需一种能够简单有效地检测源极多晶硅表面异常的设备和方法。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法，能够简单有效地检测到源极多晶硅的表面异常，降低了晶片受损的可能性。
[0006]为了达到上述目的，本发明提供一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法，采用KT电子扫描显微镜对源极多晶硅经化学机械研磨后的表面进行检测，该方法包含以下步骤:
步骤1、KT电子扫描显微镜发射原生入射电子对源极多晶硅表面进行扫描，源极多晶硅表面的价电子被激发，形成二次电子；
KT电子扫描显微镜持续对源极多晶娃表面进行扫描，持续时间为3-5S ；
步骤2、KT电子扫描显微镜侦测源极多晶硅表面被激发出的二次电子并成像，判断是否存在表面异常。
[0007]异常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。
[0008]本发明能够简单有效地检测到源极多晶硅的表面异常，降低了晶片受损的可能性。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是【背景技术】中采用日立电子扫描显微镜对源极多晶硅表面区域拍摄的照片。
[0010]图2是本发明的原理图。
[0011]图3是本发明拍摄的源极多晶硅异常表面的照片。
[0012]图4是本发明拍摄的源极多晶硅正常表面的照片。
【具体实施方式】
[0013]以下根据图2?图4，具体说明本发明的较佳实施例。
[0014]本发明采用KT电子扫描显微镜对源极多晶硅经化学机械研磨后的表面进行检测。
[0015]KT是厂商名称的缩写，全称是KLA-Tencor (科磊半导体)，KT电子扫描显微镜是一种量测线宽的量测设备。
[0016]如图2所示，该检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法包含以下步骤:
步骤1、ΚΤ电子扫描显微镜发射原生入射电子对源极多晶硅表面(包含原子核和价电子)进行扫描，源极多晶硅表面的价电子被激发，形成二次电子；
ΚΤ电子扫描显微镜持续对源极多晶娃表面进行扫描，持续时间为3-5S ；
步骤2、ΚΤ电子扫描显微镜侦测源极多晶硅表面被激发出的二次电子并成像，判断是否存在表面异常；
当被检测的物源极多晶硅表面有异常时，其表面物质发生变化，所以原子核及价电子与正常表面不同，相同的原生入射电子激发出的二次电子的量也会不同，异常表面被激发出的二次电子的量大于正常表面，因此异常表面的成像亮度会大于正常表面的成像亮度。
[0017]如图3所示，是本发明拍摄的源极多晶硅异常表面的照片，而图4是本发明拍摄的源极多晶硅正常表面的照片。从照片中可以看出，异常表面的亮度明显高于正常表面的亮度。
[0018]尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
【权利要求】
1.一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法，其特征在于，采用KT电子扫描显微镜对源极多晶硅经化学机械研磨后的表面进行检测，该方法包含以下步骤: 步骤1、KT电子扫描显微镜发射原生入射电子对源极多晶硅表面进行扫描，源极多晶硅表面的价电子被激发，形成二次电子； KT电子扫描显微镜持续对源极多晶娃表面进行扫描； 步骤2、KT电子扫描显微镜侦测源极多晶硅表面被激发出的二次电子并成像，判断是否存在表面异常。
2.如权利要求1所述的检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法，其特征在于，KT电子扫描显微镜持续对源极多晶娃表面扫描3-5S。
3.如权利要求1所述的检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法，其特征在于，异常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。
【文档编号】H01L21/66GK104253061SQ201310266284
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2013年6月28日 优先权日:2013年6月28日
【发明者】杨兴 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司