半导体制程温度量测装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种半导体制程温度量测装置，包括一受测本体及一温度量测构件，受测本体形成有一凹部，温度量测构件的一感应端连接且热接触于受测本体，且感应端为由黏着于凹部的一黏着对象所包覆，其中受测本体为用于置放半导体的一置物本体，且置物本体为置放半导体而热接触于半导体，或受测本体为半导体，藉此使温度量测构件的感应端稳固地连接于受测本体，以增强半导体制程温度监控的可靠度。
【专利说明】半导体制程温度量测装置
【技术领域】
[0001]本发明系关于一种半导体制程温度量测装置的设计，特别是关于一种可靠度佳的半导体制程温度量测装置。
【背景技术】
[0002]半导体可作为集成电路所用的载体。半导体的制造流程包含了许多种处理方式，包括感光剂涂布、曝光、显影、腐蚀、及渗透等，以制成具有多层线路的组件，并经由检测、封装，而制成实际可用的集成电路成品。
[0003]半导体的制造过程须经过反复进行的热处理，包括热氧化制程、退火处理、Al热压法、热圆滑处理、冷却硬化等，以逐步制造为成品。而为了控制热处理的温度以达到预期制造效果，并且避免温度不当所产生的产品损坏，通常藉由一温度量测装置，以量测半导体制程的温度。
[0004]习知的半导体温度量测装置通常使用一热电耦贴附于一温度待测物的表面。然而，温度待测物常会因热处理过程中的温度变化，而产生热胀冷缩，并进一步导致热电耦自温度待测物脱落，如此不但使得温度监控的可靠度不佳，甚至可能会进一步导致热处理的温度控制不当，而影响到半导体的制造良率。
[0005]鉴于以上所述，如何避免热电耦等温度量测构件脱离原本的量测位置，系为一项重要的研究课题。
【发明内容】
[0006]本发明的主要目的是提供一种半导体制程温度量测装置，有效地于固定位置量测温度，以改善习知技术的问题。
[0007]本发明为解决习知技术的问题所采用的技术手段系为一种半导体制程温度量测装置，包含一受测本体及一温度量测构件。于受测本体上形成有一凹部。温度量测构件的一感应端连接且热接触于受测本体，且感应端为由一黏着对象同时与凹部所包覆。其中受测本体为用于置放半导体的一置物本体，且置物本体为置放半导体而热接触于半导体，或受测本体为半导体。
[0008]在本发明的一实施例中，黏着物件凸起于相邻于凹部的一凸部的上表面。
[0009]在本发明的一实施例中，凹部的形状选自线形、圆形、同心状、多边形、放射状所组成的群组的其中之一或多个。
[0010]在本发明的一实施例中，凹部的宽度在深度方向上由窄渐宽、由宽渐窄、或等宽。[0011 ] 在本发明的一实施例中，多个感应端之间的距离为相同。
[0012]在本发明的一实施例中，单一个黏着对象黏着于多个凹部。
[0013]在本发明的一实施例中，凹部形成于受测本体的表面。
[0014]在本发明的一实施例中，凹部可为以雷射切割方式、蚀刻方式、或铣削方式所形成。
[0015]经由本发明所采用的技术手段，藉由黏着对象黏着于受测本体的凹部，使温度量测构件的感应端为热接触连接于受测本体。藉此使黏着对象与受测本体之间的热应力作用更强，而使黏着对象更为卡合于凹部，以让感应端更有效地固定于受测本体，以增强温度监控的可靠度。再者，藉由本发明的设置方式，更可将感应端固定于难以接着的材料上面，并可具有更宽的可靠温度量测范围。此外，更进一步能使得黏着对象与受测本体的使用寿命较长。藉此而有效地调控半导体的环境温度，以提升制造良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1系显示依据本发明的一实施例的半导体制程温度量测装置的立体图。
[0017]图2系显示依据本发明的另一实施例的半导体制程温度量测装置的立体图。
[0018]图3系显示依据本发明的另一实施例的半导体制程温度量测装置的剖视图。
[0019]图4系显示依据本发明的另一实施例的受测本体的仰视图。
[0020]图5系显示依据本发明的另一实施例的半导体制程温度量测装置的剖视图。
[0021]图6系显示依据本发明的另一实施例的半导体制程温度量测装置的剖视图。
[0022]图7系显示依据本发明的再一实施例的半导体制程温度量测装置的剖视图。
[0023]图8A至图8F系显示依据本发明的各实施例的凹部的侧视图。
[0024]图9A至图9H系显示依据本发明的各实施例的凹部的上视图。
[0025]图1OA至图1OD系显示依据本发明的各实施例的感应端的配置图。
[0026]符号说明
[0027]100、100a、100b、100c、10d半导体制程温度量测装置
[0028]1、lb、lc、Id受测本体
[0029]11凹部
[0030]12凸部
[0031]2温度量测构件
[0032]21感应端
[0033]3黏着物件
[0034]4置物本体
[0035]D1、D2距离
[0036]LULl中心线
[0037]W半导体
【具体实施方式】
[0038]本发明所采用的具体实施例，将藉由以下的实施例及附呈图式作进一步的说明。
[0039]请参阅图1所示，依据本发明的一实施例的一半导体制程温度量测装置100包含一受测本体I及一温度量测构件2，在本实施例中，受测本体I系为一半导体，一置物本体4用于置放受测本体I。受测本体I形成有一凹部11，形成于受测本体I的上表面。
[0040]温度量测构件2的一感应端21连接且热接触于受测本体1，且感应端21为由黏着于凹部11的一黏着物件3所包覆。在本实施例中，温度量测构件2为一热电耦(ThermalCouple)，而黏着物件3为一陶瓷膏。然而，本发明不限于，温度量测构件2也可为其它可量测温度的对象，例如热敏电阻，而黏着对象3也可为焊锡、或其它类似物，只要可以包覆感应端2且将感应端2固定于受测本体I即可。
[0041]温度量测构件2的感应端21藉由黏着对象3的固定而热接触于受测本体1，藉此量测受测本体I的温度，以进一步获得半导体的制程温度。并且黏着对象3为黏着于凹部11之中，所以热处理过程中所对于受测本体I或黏着对象3所产生的热胀冷缩的变形影响，并不容易造成黏着对象3脱落。反而因为在凹部11中，黏着对象3与受测本体I之间的热应力作用更强，而使黏着对象3更为卡合于凹部11，而更有效地固定于受测本体1，并使温度量测构件2的感应端21仍然紧密地热接触于受测本体1，以维持制程温度的量测。
[0042]请同时参阅图2至图4所示，其系显示本发明的另一实施例的半导体制程温度量测装置100a，本实施例的半导体制程温度量测装置10a与半导体制程温度量测装置100大致相同，其差别在于:在本实施例中，受测本体I用于置放一半导体W，且受测本体I热接触于半导体W，受测本体I形成有一凹部11。在本实施例中，受测本体I系为一加热盘。凹部11形成于受测本体I的下表面，而受测本体I的上表面系呈平整状，而使得半导体W为紧密而均匀地热接触于受测本体I。
[0043]更佳地，在本实施例中，由于单一个黏着对象3为黏着于多个凹部11，因此卡合的效果更强。而且黏着对象3凸起的高度高于相邻于凹部11的凸部12的上表面，因此可以完整地包覆温度量测构件2的感应端21，而使固定的效果更佳。当然，本发明不限于此，单一个黏着对象3可只黏着于单一个凹部11，且温度量测构件2的感应端21也可固定且热接触于半导体制程温度量测装置10c的受测本体Ic的凹部11，如图6所示。
[0044]请参阅图5所示，本发明的另一实施例的半导体制程温度量测装置10b与半导体制程温度量测装置10a大致相同，故相同的组件以相同的符号表示，其差别在于:在本实施例中，受测本体Ib系为一加热炉箱，半导体W为放置于受测本体Ib之中，而凹部11形成于受测本体Ib的内壁面，并使黏着对象3黏着于凹部11，且温度量测构件2的感应端21固定接触于受测本体Ib的内壁面，藉此以获得半导体W的制程温度。
[0045]请参阅图7所示，本发明的再一实施例的半导体制程温度量测装置10d与半导体制程温度量测装置100大致相同，故相同的组件以相同的符号表示，其差别在于:在本实施例中，受测本体Id系为半导体，藉由使半导体形成有凹部11并使黏着对象3黏着于多个凹部11的方式，使得温度量测构件2的感应端21可以更稳固地接触于半导体，而获得半导体的温度。
[0046]请参阅图8A至图8F所示，凹部11的宽度在深度方向上可以为由等宽(图8A)、由宽渐窄(图8B)、或由窄渐宽(图8C)。或者，凹部11的表面也可为弧面(图8D、图8E)，或其它不规则形状(图8F)等。请参阅图9A至图9H所示，凹部11的形状选自线形、圆形、同心状、多边形、放射状、或其它不规则形状所组成的群组的其中之一或多个。藉此，可以根据不同的需求选择凹部11的形状。并且，凹部11可以为以雷射切割方式、蚀刻方式、或铣削方式所形成的凹部。
[0047]请参阅图1OA至图10D，其系显示本发明的各实施例的感应端的配置图。本发明的温度量测构件2的感应端21可以配置于受测本体I的中心处(图10A)、边缘处(图10B)。或者，感应端21也可以配置沿着受测本体I的中心线L1、L2配置(图10C)，或是以数组方式配置(图10D)。并且较佳地，调整每个感测端21之间的距离(如，距离D1、距离D2为相同)，藉此可均匀地量测半导体的制程温度。
[0048]以上的叙述仅为本发明的较佳实施例说明，凡精于此项技艺者当可依据上述的说明而作其它种种的改良，然而这些改变仍属于本发明的发明精神及所界定的专利范围中。
【权利要求】
1.一种半导体制程温度量测装置，用于量测一半导体的制程温度，其特征在于，该半导体制程温度量测装置包含: 一受测本体，该受测本体形成有一凹部；以及 一温度量测构件，该温度量测构件的一感应端系连接且热接触于该受测本体，且该感应端由黏着于该凹部的一黏着物件所包覆， 其中该受测本体系为用于置放该半导体的一置物本体，且该置物本体为置放该半导体而热接触于该半导体，或该受测本体系为该半导体。
2.如权利要求1所述的半导体制程温度量测装置，其特征在于，该黏着对象系凸起于相邻于该凹部的一凸部的上表面。
3.如权利要求1所述的半导体制程温度量测装置，其特征在于，该凹部的形状系选自线形、圆形、同心状、多边形、放射状所组成的群组的其中之一或多个。
4.如权利要求1所述的半导体制程温度量测装置，其特征在于，该凹部的宽度在深度方向上系由窄渐宽、由宽渐窄、或等宽。
5.如权利要求1所述的半导体制程温度量测装置，其特征在于，单一个该黏着对象系可黏着于一个以上的该凹部。
6.如权利要求1所述的半导体制程温度量测装置，其特征在于，该凹部系形成于该受测本体的表面。
7.如权利要求1所述的半导体制程温度量测装置，其特征在于，该凹部系为以雷射切割方式、蚀刻方式、或铣削方式所形成的凹部。
【文档编号】H01L21/66GK104299925SQ201310308482
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2013年7月22日 优先权日:2013年7月18日
【发明者】林武郎, 郑煌玉, 赖威任, 王陈右, 黄政礼, 陈世敏, 郭明伦, 石玉光 申请人:技鼎股份有限公司