避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法
【专利摘要】本发明涉及一种避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法。所述方法包括：在一基板上形成一无机层；在所述无机层形成一开孔，以曝露所述基板的一部分；在所述无机层上形成一金属层，所述金属层包括两条金属线路分别位于所述开孔的两边；在所述金属层的所述两条金属线路上形成一有机层；以及在所述有机层上形成一氧化铟锡层。本发明通过在所述无机层形成所述开孔的方式，确保所述金属线路之间不会发生短路的情况。
【专利说明】避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机发光二极管显示设备领域，特别是涉及一种避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode ;0LED)显示装置具有自发光、低耗电以及广视角的优点，因此被视为未来极具发展潜力的显示设备。
[0003]请参阅图1及图2，图1为现有技术中有机发光二极管显示装置部份元件布局的上视图，图2为图1沿着线段AA’的剖面图。
[0004]制造所述有机发光二极管显示装置的过程是先在一基板(未图示)上制造若干个薄膜晶体管以作为开关元件，然后再制造有机发光二极管作为发光元件。
[0005]制造薄膜晶体管及有机发光二极管的主要步骤包括:首先在所述基板(未图示)上形成一闸极层(未图示)及一半导体层(未图示)，接着形成一无机层100，然后在所述无机层100上形成一金属层，所述金属层包括金属线路102、104，分别用于传送独立的信号，亦即用于传送不同的信号，接着在所述金属线路102、104上形成一有机层106，然后在所述有机层106上形成一氧化铟锡层(Indium Tin Oxide ；ΙΤ0) 108,所述氧化铟锡层108用于作为有机发光二极管的阳极，接着于所述氧化铟锡层108上形成一发光层(未图示)以及一阴极(未图示)。
[0006]然而，在上述有机发光二极管显示装置的制造过程中，沉积完所述氧化铟锡层108并在所述氧化铟锡层108形成一光阻层(未图示)之后，由于所述有机层106的厚度太厚，在执行曝光步骤时，所述氧化铟锡层108的底部会被所述有机层106的顶部遮住而照不到光线，亦即所述有机层106会产生阴影效应，因此执行蚀刻步骤再去除所述光阻层(未图示)之后，会如图2所示，造成所述氧化铟锡层108的残留，进而导致图1的金属线路102、104短路。
[0007]因此需要对现有技术中氧化铟锡层108的残留导致金属线路102、104短路的问题提出解决方法。
【发明内容】
[0008]本发明的目的在于提供一种避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法，其能解决现有技术中氧化铟锡层的残留导致金属线路短路的问题。
[0009]为解决上述问题，本发明提供的一种避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法包括:
[0010]在一基板上形成一无机层；
[0011]在所述无机层形成一开孔，以曝露所述基板的一部分；
[0012]在所述无机层上形成一金属层，所述金属层包括两条金属线路分别位于所述开孔的两边；[0013]在所述金属层的所述两条金属线路上形成一有机层；以及
[0014]在所述有机层上形成一氧化铟锡层。
[0015]在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，在所述无机层形成所述开孔，以曝露所述基板的一部分的步骤中包括:
[0016]在所述无机层上涂布一负光阻层；
[0017]以一光罩对所述负光阻层进行曝光，使对应所述开孔位置的所述负光阻层未被光照射；
[0018]对所述负光阻层进行显影，以去除对应所述开孔位置的所述负光阻层；以及
[0019]蚀刻以移除对应所述开孔位置的所述无机层。
[0020]在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，在蚀刻以移除对应所述开孔位置的所述无机层的步骤之后进一步包括:
[0021]剥离所述无机层上的所述负光阻层。
[0022]在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，所述两条金属线路作为源极。
[0023]在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，所述两条金属线路作为汲极。
[0024]在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，所述有机层至少覆盖所述两条金属线路的一部分。
[0025]在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，所述两条金属线路以湿蚀刻方法形成。
[0026]相较于现有技术，本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法通过在所述无机层形成所述开孔的方式，确保所述金属线路之间不会发生短路的情况。
[0027]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下:
【专利附图】
【附图说明】
[0028]图1为现有技术中有机发光二极管显示装置部份元件布局的上视图；
[0029]图2为图1沿着线段AA’的剖面图；
[0030]图3为根据本发明实施例的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法流程图；
[0031]图4为根据本发明实施例的有机发光二极管显示装置部份元件布局的上视图；
[0032]图5为图4沿着线段BB’的剖面图；以及
[0033]图6为图5中步骤S306的具体步骤。
【具体实施方式】
[0034]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。[0035]请参阅图3至图5，图3为根据本发明实施例的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法流程图。图4为根据本发明实施例的有机发光二极管显示装置部份元件布局的上视图，图5为图4沿着线段BB’的剖面图。
[0036]步骤S300，提供一基板410。
[0037]步骤S302，在所述基板410上形成一形成一闸极层(未图示)以及一半导体层(未图示)。
[0038]要说明的是，由于所述闸极层(未图示)以及所述半导体层(未图示)之形成方式与现有技术相同且并非本发明的重点，因此未显示于图中。
[0039]步骤S304，在所述基板410上形成一无机层400。要说明的是，所述无机层400在所述基板410上形成的区域与所述闸极层(未图示)及所述半导体层(未图示)在所述基板410上形成的区域不同。
[0040]步骤S306，在所述无机层400形成一开孔420，以曝露所述基板410的一部分。
[0041]请参阅图6，图6为图5中步骤S306的具体步骤，包括:
[0042]步骤S3060，在所述无机层400上涂布一负光阻层。
[0043]步骤S3062，以一光罩对所述负光阻层进行曝光，使对应所述开孔420位置的所述负光阻层未被光照射。
[0044]步骤S3064，对所述负光阻层进行显影，以去除对应所述开孔420位置的所述负光阻层。
[0045]步骤S3066，蚀刻以移除对应所述开孔420位置的所述无机层400。
[0046]步骤S3068，剥离所述无机层400上的所述负光阻层。
[0047]由于使用负光阻层，因此所述开孔420会呈现如图5所示上窄下宽的形状，亦即呈现菇状结构。
[0048]请再参阅图3至图5，经过上述步骤S306之后进行步骤S308，在所述无机层400上形成一金属层，所述金属层包括至少两条金属线路402、404作为源极或汲极，分别位于所述开孔420的两边并用于传送独立的信号，亦即分别用于传送不同的信号。
[0049]所述两条金属线路402、404例如但不限于以湿蚀刻(wet etching)方法形成。
[0050]步骤S310，在所述金属层的金属线路402、404上形成一有机层406。所述有机层406至少覆盖所述金属线路402、404的一部分。所述有机层406与所述无机层400是作为绝缘层使用，其具有平坦化功能，以增进后续制造有机发光二极管时的品质。
[0051]步骤S312，在所述有机层406上形成一氧化铟锡层(Indium Tin Oxide ；IT0)408,所述氧化铟锡层408用于作为有机发光二极管的阳极。
[0052]要说明的是，有机发光二极管的位置是形成在所述基板410的发光区域(未图示)，而图4及图5所示的是薄膜晶体管区域，因此所述氧化铟锡层408(作为有机发光二极管的阳极)仅需要形成在发光区域(未图示)，而图4及图5所示的薄膜晶体管区域不需要所述氧化铟锡层408，因此必须将位于薄膜晶体管区域的所述氧化铟锡层408移除，而现有技术中因为所述有机层406的阴影效应，导致对薄膜晶体管区域的所述氧化铟锡层408进行曝光、显影及蚀刻步骤之后，无法完全移除所述氧化铟锡层408，使得所述无机层400与所述有机层406的交界处残留所述氧化铟锡层408 (如图2所示)，造成所述金属线路402、404之间短路，本发明在所述无机层400形成所述开孔420 (步骤S306)，因此在形成所述氧化铟锡层408时(步骤S312)，所述氧化铟锡层408在开孔420处会形成一断开结构，亦即图5的所述氧化铟锡层408已经不是连续线路，因此即使所述氧化铟锡层408蚀刻不完全而在所述无机层400与所述有机层406的交界处残留(如图2所示)，也能确保所述金属线路402、404之间不会发生短路的情况。
[0053]步骤S314，依序在发光区域(未图示)的氧化铟锡层上形成一发光层(未图示)以及一阴极(未图示)，完成有机发光二极管的制造。
[0054]要说明的是，由于所述发光层(未图示)以及所述阴极(未图示)之形成方式与现有技术相同且并非本发明的重点，因此未显示于图中。
[0055]综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【权利要求】
1.一种避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法，其特征在于，包括:在一基板上形成一无机层；在所述无机层形成一开孔，以曝露所述基板的一部分；在所述无机层上形成一金属层，所述金属层包括两条金属线路分别位于所述开孔的两边；在所述金属层的所述两条金属线路上形成一有机层；以及在所述有机层上形成一氧化铟锡层。
2.根据权利要求1所述的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法，其特征在于，在所述无机层形成所述开孔，以曝露所述基板的一部分的步骤中包括:在所述无机层上涂布一负光阻层；以一光罩对所述负光阻层进行曝光，使对应所述开孔位置的所述负光阻层未被光照射；对所述负光阻层进行显影，以去除对应所述开孔位置的所述负光阻层；以及蚀刻以移除对应所述开孔位置的所述无机层。
3.根据权利要求2所述的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法，其特征在于，在蚀刻以移除对应所述开孔位置的所述无机层的步骤之后进一步包括:剥离所述无机层上的所述负光阻层。
4.根据权利要求1所述的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法，其特征在于，所述两条金属线路作为源极。
5.根据权利要求1所述的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法，其特征在于，所述两条金属线路作为汲极。
6.根据权利要求1所述的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法，其特征在于，所述有机层至少覆盖所述两条金属线路的一部分。
7.根据权利要求1所述的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法，其特征在于，所述两条金属线路以湿蚀刻方法形成。
【文档编号】H01L51/56GK103441099SQ201310361665
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月19日 优先权日:2013年8月19日
【发明者】柯凯元 申请人:深圳市华星光电技术有限公司