刻蚀剂组合物、阵列基板以及制造阵列基板的方法
【专利摘要】本发明涉及刻蚀剂组合物，阵列基板以及制造阵列基板的方法。所述刻蚀剂组合物用于Cu-基金属膜，基于该组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包括A）过氧化氢（H2O2）、B）pH调节剂以及C）水。当利用本发明的刻蚀剂组合物刻蚀由Cu-基金属膜组成的单层形式或多层形式的金属层时，能够经由分批刻蚀形成图案，经刻蚀的Cu-基金属膜不发生界面变形，并且能够得到具有良好线性的锥形轮廓。
【专利说明】刻蚀剂组合物、阵列基板以及制造阵列基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2012年11月12日递交的韩国专利申请10_2012_0127269的权益，因此，该申请通过引用而整体并入本申请。
【技术领域】
[0003]本申请涉及一种刻蚀剂组合物，一种利用所述刻蚀剂组合物形成布线的方法以及一种制造用于液晶显示器(LCD)的阵列基板的方法；其中，所述刻蚀剂组合物能够分批刻蚀(batch etching)包括Cu-基金属膜的单层或多层形式的金属层,可能不会引起刻蚀的Cu-基金属膜的界面变形，可得到具有良好线性的锥形轮廓(taper profile)，且不会产生残渣，因此避免了包括电短路、不理想布线、降低的亮度等的问题。
【背景技术】
[0004]在半导体器件中的基板上形成金属布线的工序通常包括:利用溅射等形成金属膜、涂覆光刻胶、进行曝光和显影，从而在选择的区域上形成光刻胶且进行刻蚀；其中，在实施每个独立过程之前或之后，进行清洗过程。所述刻蚀过程涉及利用光刻胶作为掩模，能够将金属膜留在选择的区域中，并且刻蚀过程典型地包括利用等离子体或类似物的干刻蚀或利用刻蚀剂组合物的湿刻蚀。
[0005]目前，这种半导体器件的主要关注点是金属布线的电阻。这是因为，在薄膜晶体液晶显示器(TFT-LCD)的情况下，解决RC信号延迟问题被认为对增加面板的尺寸和得到高分辨率而言是重要的，其中，这种RC信号延迟主要是由电阻所引起的。因此，为了降低RC信号延迟其本质需要增加TFT-1XD的尺寸，必须发展具有低电阻的材料。为此，已经普遍使用的Cr (电阻率:12.7Χ10-8 Ω`.m)、Mo (电阻率:5Χ10-8Ω.m)、Al (电阻率:2.65 X 10-8 Ω.m)以及它们的合金难以用于大尺寸的TFT-LCD的栅极布线和数据布线中。
[0006]在这种背景下,一种具有低电阻的新型金属膜,例如，Cu-基金属膜(例如Cu膜和Cu-Mo膜)和用于该金属膜的刻蚀剂组合物受到关注。尽管目前可得到各种用于Cu-基金属膜的刻蚀剂组合物，然而它们不能满足用户的需求。
[0007]就这一点而言，韩国专利申请
【发明者】崔容硕, 权五柄, 金童基 申请人:东友 Fine-Chem 股份有限公司