专利名称：一种led芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED技术领域，特别地，涉及一种LED芯片。
背景技术：
作为目前全球最受瞩目的新一代光源，LED因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点，被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。随着全球LED市场需求的进一步加大，未来我国LED产业发展面临巨大机遇。从芯片来看，目前最普遍的是水平式芯片，比较高端的厂商则研发垂直式芯片与覆晶型芯片，原先水平式LED使用蓝宝石基板，散热能力较差，且在高电流驱动下，光取出效率下降幅度也较大。因此，为了降低LED成本，高电流密度的芯片设计便以获取更多的光输出为主要研究方向，在这样的考虑下，使用垂直式封装的芯片便成为下一课题，此类芯片使用硅等高散热基板，在高电流操作下有更好的散热效率，所以也有更高的光输出，但由于制作流程复杂，工艺良率过低，以致于无法达到理想的高性价比。因此，提升芯片良率是行业内的共同技术需求。
实用新型内容本实用新型目的在于提供一种LED芯片，以解决业内芯片良率过低的技术问题。为实现上述目的，本实用新型提供了一种LED芯片，在芯片正面设置有白膜和铁环，所述铁环相接触芯片；所述芯片背面设置有麦拉膜，所述麦拉膜的厚度为70— 80 μ m。优选的，所述芯片规格为7*9mil。优选的，所述芯片厚度为95±3 μ m，所述芯片背面的紫外线切割深度为所述芯片厚度的25-35%。优选的，所述紫外线切痕为V型。本实用新型具有以下有益效果:本实用新型的在芯片背面增设了 70-80 μ m的麦拉膜，增强芯片的抗劈裂性；从而在研磨一抛光一紫外切割一劈裂的工艺过程中，使得芯片劈裂后的外观良率提升5%。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。
构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:图1是本实用新型优选实施例的结构示意图；图2是本实用新型优选实施例的劈裂试验原理示意图；其中，1、白膜，2、铁环，3、芯片，4、麦拉膜，5、劈裂刀，6、击锤。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。参见图1，一种LED芯片，在芯3正面设置有白膜I和铁环2，所述铁环2相接触芯片3 ;所述芯片3背面设置有麦拉膜4，所述麦拉膜4的厚度为70— 80 μ m。麦拉膜4又称麦拉纸或者绝缘带，是一种聚酯薄膜，常用于电机线圈的捆扎。本实用新型将其贴在芯片背面，使用正恩劈裂机完成劈裂试验。在进行该芯片的劈裂试验前，使用NTS研磨、抛光设备把芯片加工至95 ± 3 μ m，并在芯片背面切割深度为30±3 μ m “V”型切痕，而后在芯片背表面贴上70— 80 μ m麦拉膜。参见图2，再利用劈裂机击锤6垂直下落至劈裂刀5，对芯片3造成冲击，记录统计冲击后外观保持完好的芯片数量。将同一制令的400片芯片，一分为二各200片，采用四种不同的厚度的麦拉膜进行劈裂对比，试验结果显示:使用厚度为70-80 μ m麦拉膜的外观良率提高5%左右，具体数据参见下表。
权利要求1.一种LED芯片，其特征在于，在芯片正面设置有白膜和铁环，所述铁环与芯片相接触；所述芯片背面设置有麦拉膜，所述麦拉膜的厚度为70— 80 μ m。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述芯片规格为7*9mil。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述芯片厚度为95±3μ m，所述芯片背面的紫外线切割深度为所述芯片厚度的25-35%。
4.根据权利要求3所述的一种LED芯片，其特征在于，所述紫外线切痕为V型。
专利摘要本实用新型提供了一种LED芯片，在芯片正面设置有白膜和铁环，所述铁环相接触芯片；所述芯片背面设置有麦拉膜，所述麦拉膜的厚度为70—80μm。本实用新型的在芯片背面增设了厚度较大的麦拉膜，增强芯片的抗劈裂性；从而在研磨--抛光--紫外切割--劈裂的工艺过程中，使得芯片劈裂后的外观良率提升5%。
文档编号H01L33/44GK203071119SQ201320031748
公开日2013年7月17日 申请日期2013年1月22日 优先权日2013年1月22日
发明者马青会 申请人:湘能华磊光电股份有限公司