发光二极管的封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种发光二极管的封装结构，包括晶片以及固定该晶片的支架，所述晶片底面的阳极焊垫和阴极焊垫与所述支架的阳极接线和阴极接线接触并通过金属导电胶固定连接导通，其特征在于：还包括荧光粉层，该荧光粉层涂覆在所述晶片的表面；所述支架、阳极接线和阴极接线正对所述晶片底面的区域开设有若干个用于接纳多余下溢的金属导电胶的凹陷部。本实用新型通过荧光粉层直接对晶片进行封装，减少了封胶的生产工艺并节省了荧光粉的用量。此外，在支架结构上设置凹陷部，可以避免多余的金属导电胶包覆晶片进而影响晶片发光效率及自身的散热性，延长了发光二极体的使用寿命，达到节能环保的目的。
【专利说明】发光二极管的封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及发光二极管封装【技术领域】，特别涉及一种发光二极管的封装结构。
【背景技术】
[0002]发光二极管是将电能转化为光能的半导体器件。在正向电流的作用下，其PN中的空穴和电子在扩散过程中复合，发出特定波长范围的光子。
[0003]发光二极管的封装是指发光芯片的封装，相比集成电路封装有较大不同。发光二极管的封装不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光。目前产业上形成可发出白光的发光二极管通常是采用荧光粉转换白光的方式，即在发光二极管晶体外涂覆荧光粉，荧光粉吸收发光二极管发出的一部分光而发出与发光二极管发出的光具有不同波长的光，这些具有不同波长的光再合成得到白光。一种常见的发光二极管封装结构是在发光二极管芯片外包覆一层采用树脂等材料制成的封胶层，再在封胶层上涂覆荧光粉层，这种涂覆方式由于是在封胶层上涂覆荧光粉层，因此会耗费较多的荧光粉。
[0004]此外，发光二极管封装过程中的固晶方式，晶片通过金属导电胶将晶片底面的阳极焊垫和阴极焊垫与支架的阳极片和阴极片固定连接并导通，无需焊导线，无需封胶，降低了成本。但是这种固晶方式，会因金属导电胶过多而包覆在晶片周围，进而影响晶片的发光效率及散热性能，缩短了发光二级体的使用寿命。
【发明内容】
[0005]本实用新型的目的是提供一种无需封胶的发光二极管的封装结构。
[0006]为达到上述目的，本实用新型提供了一种发光二极管的封装结构，包括晶片以及固定该晶片的支架，所述晶片底面的阳极焊垫和阴极焊垫与所述支架的阳极接线和阴极接线接触并通过金属导电胶固定连接导通，其特征在于:还包括荧光粉层，该荧光粉层涂覆在所述晶片的表面；所述支架正对所述晶片底面的区域开设有若干个用于接纳多余下溢的金属导电胶的凹陷部。
[0007]所述接纳多余下溢的金属导电胶的凹陷部是贯通所述阳极接线至所述支架底部电路和贯通所述阴极接线至所述支架底部电路的导通孔。
[0008]所述接纳多余下溢的金属导电胶的凹陷部是对所述阳极接线和阴极接线与所述阳极焊垫和阴极焊垫的接触面经过表面粗化或蚀刻花纹后形成凹凸纹理。
[0009]所述荧光粉层均匀涂覆在所述晶片的侧面及顶面上。
[0010]所述荧光粉层与所述支架上表面粘合，使所述荧光粉层与支架形成包围所述所述晶片、阳极焊垫、阴极焊垫和金属导电胶的密闭空间。
[0011]在所述晶片底面与阳极焊垫和阴极焊垫顶面之间设置有发光层。
[0012]所述支架的底部电路延伸至所述支架的侧面或正面。
[0013]所述支架的阳极接线和阴极接线为液态金属。[0014]本实用新型通过荧光粉层直接对晶片进行封装，减少了封胶的生产工艺并节省了荧光粉的用量。此外在支架结构上设置凹陷部，可以避免多余的金属导电胶包覆晶片进而影响晶片发光效率及自身的散热性，延长了发光二极体的使用寿命，达到节能环保的目的。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]参照附图，本实用新型将得到更好的理解。附图如下:
[0016]图1是本实用新型发光二级管的封装结构第一种实施方式示意图；
[0017]图2是本实用新型发光二级管的封装结构第二种实施方式示意图；
[0018]图3是本实用新型发光二级管的封装结构第三种实施方式示意图；
[0019]图4是本实用新型发光二级管的封装结构第四种实施方式示意图。
【具体实施方式】
[0020]为了使本实用新型的目的、技术方案、有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型做进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本实用新型。
[0021]以下结合具体实施例对本实用新型的实现进行详细描述:
[0022]图1所示为本实用新型发光二极体的晶片I的剖面图，该晶片I为四边形，晶片I底面分别设有阳极焊垫3和阴极焊垫4，该阳极焊垫3和阴极焊垫4位于同一平面上。晶体I的阳极焊垫3和阴极焊垫4之间具有一间隙，该间隙内设置一用于绝缘的绝缘层7，绝缘层7的横截面积为倒立的T型。晶片I通过金属导电胶8将晶片I底面的阳极焊垫3和阴极焊垫4与支架9的阳极接线5和阴极接线6固定并导通。为了能够达到更好的发光效果，在晶片I底面与阳极焊垫3、阴极焊垫4顶部之间设置有发光层2，可使晶片I往下发散的光向上反射，使光线完全向上发散，增加了发光效率。晶片I的侧面及顶面上均匀涂覆有荧光粉层10，该荧光粉层10为具有凹形空腔的罩状结构，晶片I位于该罩状结构内并紧贴罩状结构的荧光粉层10的内侧。所述荧光粉层10为方形或半球形。荧光粉层10可以不与支架9相粘合，但是为了达到更好的封装效果，荧光粉层10与支架9上表面相粘合，使所述荧光粉层10与支架9形成包围所述晶片1、阳极焊垫3、阴极焊垫4和金属导电胶8的密闭空间，如图2、3所示。所述支架9的阳极接线5和阴极接线6优选为液态金属。
[0023]所述支架9、阳极接线5和阴极接线6正对所述晶片I底面的区域开设有若干个用于接纳多余下溢的金属导电胶的凹陷部。如图4所示，支架9、阳极接线5和阴极接线6正对晶片I底面的区域开设有若干贯通至所述支架9的底部电路的用于接纳多余下溢的金属导电胶的导通孔13，导通孔13形成上述用于接纳多余金属导电胶的凹陷部。为了能够具有更好的发光效率，支架9的底部电路延伸至所述支架9的侧面或正面。支架9的阳极接线5和阴极接线6与所述晶片I底面的的阳极焊垫3和阴极焊垫4的接触面也可以经过表面粗化或蚀刻花纹后形成凹凸纹理，该凹凸纹理形成用于接纳多余金属导电胶的凹陷部。这种情况下，支架9上的电路设置于支架9的顶面，如图1至图3所示。
[0024]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种发光二极管的封装结构，包括晶片(I)以及固定该晶片(I)的支架(9)，所述晶片(I)底面的阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)与所述支架(9)的阳极接线(5)和阴极接线(6)接触并通过金属导电胶(8)固定连接导通，其特征在于:还包括荧光粉层(10)，该荧光粉层(10)涂覆在所述晶片(I)的表面；所述支架(9)正对所述晶片(I)底面的区域开设有若干个用于接纳多余下溢的金属导电胶的凹陷部。
2.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于:所述接纳多余下溢的金属导电胶的凹陷部是贯通所述阳极接线(5)至所述支架(9)底部电路和贯通所述阴极接线(6)至所述支架(9)底部电路的导通孔(13)。
3.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于:所述接纳多余下溢的金属导电胶的凹陷部是对所述阳极接线(5)和阴极接线(6)与所述阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)的接触面经过表面粗化或蚀刻花纹后形成凹凸纹理。
4.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于:所述荧光粉层(10)均匀涂覆在所述晶片(I)的侧面及顶面上。
5.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于:所述荧光粉层(10)与所述支架(9)上表面粘合，使所述荧光粉层(10)与支架(9)形成包围所述所述晶片(I )、阳极焊垫(3)、阴极焊垫⑷和金属导电胶(8)的密闭空间。
6.如权利要求2至5任一权利要求所述的发光二极管的封装结构，其特征在于:在所述晶片(I)底面与阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)顶面之间设置有发光层(2)。
7.如权利要求2所述的发光二极管的封装结构，其特征在于:所述支架(9)的底部电路延伸至所述支架(9)的侧面或正面。
8.如权利要求1至5任一项所述的发光二极管的封装结构，其特征在于:所述支架(9)的阳极接线(5)和阴极接线(6)为液态金属。
【文档编号】H01L33/62GK203406327SQ201320456320
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年7月30日 优先权日:2013年7月30日
【发明者】简稚文, 詹世雄 申请人:简稚文, 詹世雄