具有特殊支架结构的发光二极体的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种具有特殊支架结构的发光二极体，包括晶片以及固定该晶片的支架，所述晶片底面的阳极焊垫和阴极焊垫与所述支架的阳极片和阴极片接触并通过金属导电胶固定连接导通，其特征在于：所述支架、阳极片和阴极片相对于所述晶片底部或其两侧设置有用于接纳多余下溢的金属导电胶的低洼部。本实用新型在支架结构上设置低洼部，通过金属导电胶将晶片固定在支架上时，多余的金属导电胶下溢至低洼部，避免多余的金属导电胶包覆在晶片周围进而影响晶片发光效率及自身的散热性，延长了发光二极体的使用寿命，达到节能环保的目的。
【专利说明】具有特殊支架结构的发光二极体
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种发光二极体，尤其涉及一种具有特殊支架结构的发光二极体。
【背景技术】
[0002]原有发光二极体的制造方式依序为固晶，烘烤，焊接阴、阳极导电引线，封胶，其制作过程繁琐、耗费时间。为了缩短制作时间，降低生产成本，基于原有技术不足进行了改进，目前固晶时，晶片通过金属导电胶将晶片底面的阳极焊垫和阴极焊垫与所述支架的阳极片和阴极片固定连接并导通，无需焊导线，无需封胶，降低了成本。但是这种固晶方式，会因金属导电胶过多而包覆在晶片周围，进而影响晶片的发光效率及散热性能，缩短了发光二级体的使用寿命。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种能够接纳多余金属导电胶、使发光二极管晶片具有较好发光效率和散热性能的具有特殊支架结构的发光二极体。
[0004]为达到上述目的，本实用新型提供了一种发光二极体，包括晶片以及固定该晶片的支架，所述晶片底面的阳极焊垫和阴极焊垫与所述支架的阳极片和阴极片接触并通过金属导电胶固定连接导通，其特征在于:所述支架相对于所述晶片底部或其两侧设置有用于接纳多余下溢的金属导电胶的低洼部。
[0005]所述支架具有中间高两侧低的结构，所述晶体及其下的阳极焊垫和阴极焊垫位于所述支架中间高的位置，所述支架两侧形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
[0006]所述支架的阳极片和阴极片相对于所述晶片底部的两侧设置有引流槽，该引流槽形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
[0007]所述支架的阳极片和阴极片相对于所述晶片底部设置有若干贯通至所述支架顶部电路的引流孔，该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
[0008]所述支架及其阳极片和阴极片相对于所述晶片底部设置有若干贯通至所述支架底部电路的引流孔，该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
[0009]所述支架底部电路延伸至所述支架的侧面或正面。
[0010]所述阳极片和阴极片与所述阳极焊垫和阴极焊垫的接触面经过表面粗化或蚀刻花纹后形成凹凸纹理，该凹凸纹理形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
[0011]所述支架的阳极片和阴极片为固态金属。
[0012]本实用新型在支架结构上设置低洼部，通过金属导电胶将晶片固定在支架上时，多余的金属导电胶下溢至低洼部，避免多余的金属导电胶包覆晶片周围进而影响晶片发光效率及自身的散热性，延长了发光二极体的使用寿命，达到节能环保的目的。
【专利附图】
【附图说明】[0013]参照附图，本实用新型将得到更好的理解。附图如下:
[0014]图1是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第一种实施方式剖面图；
[0015]图2是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第一种实施方式侧面剖面图；
[0016]图3是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第二种实施方式剖面图；
[0017]图4是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第二种实施方式支架俯视图；
[0018]图5是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第三种实施方式剖面图；
[0019]图6是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第三种实施方式支架俯视图；
[0020]图7是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第四种实施方式剖面图；
[0021]图8是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第四种实施方式支架俯视图。
【具体实施方式】
[0022]为了使本实用新型的目的、技术方案、有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型做进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0023]以下结合具体实施例对本实用新型的实现进行详细描述:
[0024]本实用新型的具有特殊支架结构的发光二极体，包括:包括晶片I以及固定该晶片I的支架9，所述晶片I底面的阳极焊垫3和阴极焊垫4与所述支架9的阳极片5和阴极片6接触并通过金属导电胶8固定连接导通，所述支架9相对于所述晶片I底部或其两侧设置有用于接纳多余下溢的金属导电胶的低洼部。晶片I底部设置有反光层2，晶片I底面的阳极焊垫3和阴极焊垫4之间设置有绝缘层7。支架9的阳极片5和阴极片6为固态金属。
[0025]如图1至图2所示，本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体的第一种实施方式，所述支架9具有中间高两侧低的结构，所述晶体I及其下的阳极焊垫3和阴极焊垫4位于所述支架9中间高的位置，晶体I底部的阳极焊垫3和阴极焊垫4与中间高的位置的阳极片5和阴极片6接触并通过金属导电胶8固定连接，所述支架9两侧形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。当晶片I通过金属导电胶固定在支架9上时，多余的金属导电胶便会流向两侧的低洼凹陷部，避免多余的金属导电胶包覆晶片。
[0026]如图3至图4所示，本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体的第二种实施方式，所述支架9的阳极片5和阴极片6相对于所述晶片I底部的两侧设置有引流槽11，该引流槽11形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。引流槽11为矩形的凹槽，可以理解，弓丨流槽11也可以为圆形、椭圆形或其他不规则形状的凹槽，凹槽的具体形状不受限制。
[0027]如图5至图6所示，本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体的第三种实施方式为，所述支架9的阳极片5和阴极片6相对于所述晶片I底部设置有若干贯通至所述支架9顶部电路的引流孔12，该引流孔12形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。引流孔12可以是圆形孔或是其他形状的孔。该实施方式中，所述支架9的电路布设在所述支架9的顶部。
[0028]如图7至图8所示，本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体的第四种实施方式。该实施方式与第三种实施方式的区别在于:所述支架9的电路布设在所述支架9的底部，所述支架9及其阳极片5和阴极片6相对于所述晶片I底部设置有若干贯通至所述支架9底部电路的引流孔，该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。由于支架9的电路布设在支架9底部，因此引流孔需要贯通支架9及其阳极片5和阴极片6才能连接至支架9的底部电路。为了便于调整发光二极管后续的电源线路连接以及多颗晶片模组的切割加工，支架9底部电路延伸至所述支架9的侧面或正面。
[0029]本实用新型支架9的阳极片5和阴极片6与所述晶片I底面的的阳极焊垫3和阴极焊垫4的接触面经过表面粗化或蚀刻花纹后形成凹凸纹理，该凹凸纹理形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
[0030]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种具有特殊支架结构的发光二极体，包括晶片(I)以及固定该晶片(I)的支架(9)，所述晶片(I)底面的阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)与所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)接触并通过金属导电胶(8)固定连接导通，其特征在于:所述支架(9)相对于所述晶片(I)底部或其两侧设置有用于接纳多余下溢的金属导电胶的低洼部。
2.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体，其特征在于:所述支架(9)具有中间高两侧低的结构，所述晶体(I)及其下的阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)位于所述支架(9)中间高的位置，所述支架(9)两侧形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
3.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体，其特征在于:所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)相对于所述晶片(I)底部的两侧设置有引流槽(11)，该引流槽(11)形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
4.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体，其特征在于:所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)相对于所述晶片(I)底部设置有若干贯通至所述支架(9)顶部电路的引流孔，该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
5.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体，其特征在于:所述支架(9)及其阳极片(5)和阴极片(6)相对于所述晶片(I)底部设置有若干贯通至所述支架(9)底部电路的引流孔，该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
6.如权利要求5所述的具有特殊支架结构的发光二极体，其特征在于:所述支架(9)底部电路延伸至所述支架(9)的侧面或正面。
7.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体，其特征在于:所述阳极片(5)和阴极片(6)与所述阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)的接触面经过表面粗化或蚀刻花纹后形成凹凸纹理，该凹凸纹理形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
8.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体，其特征在于:所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)为固态金属。
【文档编号】H01L33/48GK203406326SQ201320456319
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年7月30日 优先权日:2013年7月30日
【发明者】简稚文, 詹世雄 申请人:简稚文, 詹世雄