技术总结
本发明揭露一种可缩放门逻辑非易失性存储器(SGLNVM)元件，是使用传统互补式金属氧化物半导体工艺。具有逻辑门元件的最小栅极长度和宽度的SGLNVM元件的浮动栅极形成浮动栅极金属氧化物半场效晶体管。具最小栅极长度的浮动栅极延伸超过硅主动区域，而该浮动栅极和嵌入至硅基底(井)的控制栅极之间，透过一绝缘介电层产生一电容耦合。该嵌入式控制栅极是由一浅半导体所形成，该浅半导体的电传导型相反于该硅基底或井。复数个SGLNVM单元被配置为一NOR型快闪存储器单元阵列，其中，每一对SGLNVM单元共用连接于一共地线的源极电极，而其二漏极连接至两条不同的位线。透过一虚拟浮动栅极将相邻的二对NOR型SGLNVM单元之间实体分隔及电性隔离以最小化单元尺寸。
技术研发人员：王立中
受保护的技术使用者：闪矽公司
文档号码：201380009685
技术研发日：2013.02.05
技术公布日：2017.04.12