薄膜晶体管及显示装置的制造方法

技术特征：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源-漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的所述栅极绝缘膜是硅氧化膜，其中的氢浓度被控制在0.667原子％以上4原子％以下，将各金属元素相对于除了氧的所有金属元...