电容器和电容器的制造方法
【专利摘要】本发明提供耐电压特性优异的多孔电容器及其制造方法。本发明的电容器具备电介质层、第一外部电极层、第二外部电极层、第一内部电极和第二内部电极。电介质层由具有结晶结构的金属氧化物构成，具备第一面、与第一面相反侧的第二面、和连通第一面与第二面的多个贯通孔。第一外部电极层配置于第一面。第二外部电极层配置于第二面。第一内部电极形成在多个贯通孔中，与第一外部电极层连接。第二内部电极形成在多个贯通孔中，与第二外部电极层连接。
【专利说明】电容器和电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及多孔电容器。
【背景技术】
[0002]近年来，作为新型的电容器开发出多孔电容器。多孔电容器是利用形成在铝等金属表面的金属氧化物形成多孔(细孔的贯通孔)结构的性质而在多孔内形成内部电极，将金属氧化物作为电介质形成的电容器。
[0003]在电介质的正面和背面分别层叠外部导电体，在多孔内形成的内部电极与正面的外部导电体和背面的外部导电体的任意一方连接。与和内部电极不连接的一侧的外部导电体之间，利用空隙或绝缘性材料绝缘。由此，内部电极作为隔着电介质相对的相对电极(正极或负极)发挥功能。
[0004]例如，专利文献I和专利文献2中公开了具有这样结构的多孔电容器。在任一个专利文献中，内部电极均形成在多孔内，内部电极的一端与一方的导电体连接，另一端与另一方的导电体绝缘。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本专利4493686号公报
[0008]专利文献2:日本特开2009 - 76850号公报
【发明内容】
[0009]发明所要解决的课题
[0010]如上所述，多孔电容器为形成在多孔内的内部电极隔着电介质相对的结构，电介质由金属氧化物构成，其结构不致密。因此，存在位于内部电极之间的电介质的耐电压特性产生不均的问题。
[0011]鉴于上述情况，本发明的目的在于提供耐电压特性优异的多孔电容器及其制造方法。
[0012]用于解决课题的方法
[0013]为了达到上述目的，本发明的一个方式的电容器包括电介质层、第一外部电极层、第二外部电极层、第一内部电极和第二内部电极。
[0014]上述电介质层由具有结晶结构的金属氧化物构成，包括第一面、与上述第一面相反侧的第二面、和连通上述第一面与上述第二面的多个贯通孔。
[0015]上述第一外部电极层配置于上述第一面。
[0016]上述第二外部电极层配置于上述第二面。
[0017]上述第一内部电极形成在上述多个贯通孔中且与上述第一外部电极层连接。
[0018]上述第二内部电极形成在上述多个贯通孔中且与上述第二外部电极层连接。【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1是本发明的实施方式的电容器的立体图。
[0020]图2是该电容器的剖面图。
[0021]图3是该电容器的电介质层的立体图。
[0022]图4是该电容器的电介质层的剖面图。
[0023]图5是形成该电容器的电介质层的金属氧化物的XRD测定结果。
[0024]图6是该电容器的绝缘耐压试验的结果。
[0025]图7是表不该电容器的制造工序的不意图。
[0026]图8是表不该电容器的制造工序的不意图。
[0027]图9是表不该电容器的制造工序的不意图。
[0028]图10是表不该电容器的制造工序的不意图。
[0029]图11是表示该电容器的制造工序的示意图。
[0030]图12是表示该电容器的制造工序的示意图。
[0031]图13是表示该电容器的电介质层中的贯通孔的排列的剖面图。
[0032]图14是表示该电容器的电介质层中的贯通孔的排列的剖面图。
[0033]图15是表示该电容器的电介质层中的贯通孔的排列的剖面图。
[0034]图16是表示该电容器的电介质层中的贯通孔的排列的剖面图。
[0035]图17是表示该电容器的电介质层中的贯通孔的排列的剖面图。
[0036]图18是表示该电容器的电介质层中的贯通孔的排列的剖面图。
[0037]图19是表示该电容器的电介质层中的贯通孔的排列的剖面图。
【具体实施方式】
[0038]本发明的一个实施方式的电容器包括:电介质层、第一外部电极层、第二外部电极层、第一内部电极和第二内部电极。
[0039]上述电介质层由具有结晶结构的金属氧化物构成，上述电介质层包括第一面、与上述第一面相反侧的第二面、和连通上述第一面与上述第二面的多个贯通孔。
[0040]上述第一外部电极层配置于上述第一面。
[0041 ] 上述第二外部电极层配置于上述第二面。
[0042]上述第一内部电极形成在上述多个贯通孔中且与上述第一外部电极层连接。
[0043]上述第二内部电极形成在上述多个贯通孔中且与上述第二外部电极层连接。
[0044]根据该结构，第一内部电极和第二内部电极隔着由具有结晶结构的金属氧化物构成的电介质层相对。具有结晶结构的金属氧化物比不具有结晶结构(即，无定形结构的)金属氧化物更致密，因此在第一内部电极与第二内部电极之间不会产生耐电压特性的不均，能够提高电容器的耐电压特性。其中，具有结晶结构的金属氧化物包括仅由结晶结构构成的金属氧化物和在无定形(非晶质)结构中存在结晶结构的金属氧化物。
[0045]上述电介质层可以包括通过阳极氧化作用产生贯通孔的材料。
[0046]根据该结构，能够通过阳极氧化工序形成具有贯通孔的电介质层，能够制造上述结构的电容器。
[0047]上述电介质层可以包括氧化铝。[0048]对铝进行阳极氧化生成的氧化铝，在氧化的过程中通过自组装作用产生贯通孔。即，通过对铝进行阳极氧化，能够形成具有贯通孔的电介质层。
[0049]上述电介质层可以包括具有α相、Θ相、δ相和Υ相中的任意结晶相的氧化招。
[0050]氧化铝根据结晶化的条件能够形成α相、Θ相、δ相和Υ相的结晶相。S卩，作为具有结晶结构的金属氧化物，可以利用具有α相、Θ相、δ相和Υ相中任意结晶相的氧化招。
[0051]本发明的一个实施方式的电容器的制造方法通过使金属氧化，形成具有多个贯通孔的金属氧化物。
[0052]将上述金属氧化物加热，使上述金属氧化物结晶化。
[0053]在上述多个贯通孔中形成第一内部电极和第二内部电极。
[0054]将与上述第一内部电极连接的第一外部电极层和与上述第二内部电极连接的第二外部电极层配置在上述金属氧化物上。
[0055]根据该制造方法，能够制造具备由具有结晶结构的金属氧化物构成的电介质层的电容器。其中，在使金属氧化物结晶化的工序中，既可以使金属氧化物全部结晶化，也可以使金属氧化物部分结晶化。
[0056]上述金属氧化物为氧化铝，在使上述金属氧化物结晶化的工序中，也可以将上述氧化铝加热到800°C以上。
[0057]当氧化铝加热到800°C以上时，就会产生结晶相。即，根据该制造方法，能够制造具备由具有结晶结构的氧化铝构成的电介质层的电容器。
[0058]以下，参照附图，说明本发明的实施方式。
[0059][电容器的构成]
[0060]图1是本发明的一个实施方式的电容器100的立体图，图2是电容器100的剖面图。如这些图所示，电容器100包括电介质层101、第一外部电极层102、第二外部电极层103、第一内部电极104和第二内部电极105。
[0061]第一外部电极层102、电介质层101和第二外部电极层103依次层叠，即电介质层101被第一外部电极层102和第二外部电极层103夹着。如图2所不,第一内部电极104和第二内部电极105形成于在电介质层101中所形成的贯通孔IOla的内部。此外，电容器100中也可以设置除了这里所示的结构以外的结构，例如可以设置分别与第一外部电极层102和第二外部电极层103连接的配线等。
[0062]电介质层101是作为电容器100的电介质发挥功能的层。电介质层101由具有结晶结构的金属氧化物构成。“具有结晶结构的金属氧化物”包括仅由结晶结构构成的金属氧化物、和在无定形结构中存在结晶结构的金属氧化物。金属氧化物中的结晶结构的有无能够通过后述的结晶结构分析确认。
[0063]另外，构成电介质层101的金属氧化物为后述的能够形成贯通孔(多孔)的材料，特别优选一旦被阳极氧化就通过自组装作用而产生多孔的材料。作为这样的材料，可以举出氧化铝(Al2O3)15另外，除此以外，电介质层101也可以由阀金属(Al、Ta、Nb、T1、Zr、Hf、Zn、W、Sb)的氧化物构成。
[0064]氧化铝的结晶结构中具有Y相、δ相、Θ相和α相。即，“具有结晶结构的金属氧化物”更具体而言，可以是具有Y相、5相、Θ相和α相中的任意结晶相的氧化铝。即使在电介质层101由其他金属氧化物构成的情况下，电介质层101可以由具有该金属氧化物能够形成的结晶结构的金属氧化物构成。
[0065]电介质层101的厚度没有特别限定，例如可以设为数μπι?数百μπι。图3是电介质层101的立体图，图4是电介质层101的剖面图。如这些图所示，在电介质层101形成有多个贯通孔101a。将电介质层101的与层面方向平行的表面设为第一面101b，将其相反侧的面设为第二面IOlc时，贯通孔IOla沿着与第一面IOlb和第二面IOlc垂直的方向(电介质层101的厚度方向)形成，以与第一面IOlb和第二面IOlc连通的方式形成。此外，图3等所示的贯通孔IOla的数量和大小是为了方便表示，实际的情况要更小且更多。
[0066]如图2所示，第一外部电极层102配置在电介质层101的第一面IOlb上。第一外部电极层102能够采用导电性材料，例如、Cu、N1、Cr、Ag、Pd、Fe、Sn、Pb、Pt、Ir、Rh、Ru、AUTi等纯金属或这些金属的合金。第一外部电极层102的厚度例如能够设为数十nm?数μπι。另外，第一外部电极层102能够采用以层叠多层导电性材料的方式配置而成的层。
[0067]如图2所示，第二外部电极层103配置在电介质层101的第二面IOlc上。第二外部电极层103能够采用由与第一外部电极层102同样的导电性材料构成的层，其厚度例如能够设为数nm?数μπι。第二外部电极层103的构成材料可以与第一外部电极层102的构成材料相同也可以不同。另外，第二外部电极层103能够采用以层叠多层导电性材料的方式配置而成的层。
[0068]第一内部电极104作为电容器100的一方的相对电极发挥功能。第一内部电极104能够采用导电性材料，例如、In、Sn、Pb、Cd、B1、Al、Cu、N1、Au、Ag、Pt、Pd、Co、Cr、Fe、Zn 等纯金属或这些金属的合金。如图2所示，第一内部电极104形成在贯通孔IOla内，与第一外部电极层102连接。另外，第一内部电极104与第二外部电极层103离开地形成，与第二外部电极层103绝缘。第一内部电极104与第二外部电极层103之间的间隙中可以填充有绝缘体(未图示)。
[0069]第二内部电极105作为电容器100的另一方的相对电极发挥功能。第二内部电极105能够形成为由与第一内部电极104相同的导电性材料构成的电极。第二内部电极105的材料可以是与第一内部电极104相同的材料，也可以是不同的材料。如图2所示，第二内部电极105形成在贯通孔IOla内，与第二外部电极层103连接。另外，第二内部电极105与第一外部电极层102离开地形成，与第一外部电极层102绝缘。第二内部电极105与第一外部电极层102之间的间隙中可以填充有绝缘体(未图示)。
[0070]此外，图2等中所示的第一内部电极104和第二内部电极105为每隔一个地交替地绘制，这是为方便表示，实际上也可以不是交替地存在。
[0071]电容器100具有如上所述的构成。第一内部电极104和第二内部电极105隔着电介质层101相对,形成电容器。S卩，第一内部电极104和第二内部电极105作为电容器的相对电极(正极或负极)发挥功能。此外，第一内部电极104和第二内部电极105中的任意一方可以为正极。第一内部电极104经由第一外部电极层102与向外部的配线或端子等连接，第二内部电极105经由第二外部电极层103与向外部的配线或端子等连接。
[0072][关于金属氧化物的结晶结构]
[0073]如上所述，电容器100的电介质层101包含具有结晶结构的金属氧化物。金属氧化物是否具有结晶结构，可以通过XRD (X-ray diffraction:X射线衍射)等的结晶结构分析确认。
[0074]图5是氧化铝的XRD测定结果。图5所示的测定结果是将在750°C、800°C、90(rC、1000°C、1100°C、1250°C的任意温度中保持了 4小时的氧化铝(块体)作为测定试样测定得到的结果。测定试样能够以使测定对象的试样的面成为同一面的方式排列在试样台上。另外，可以将测定试样用研钵等粉碎，形成粉末状后，整理测定面设置于试样台。测定中使用的测定装置为X’pert MRD (PANalytical公司制)，测定条件为测定范围(2 Θ ):10°?90。、管电压:45kV、管电流:40mV、对阴极:Cu、使用单色器、扫描步长:0.01°。
[0075]在图5中表示被鉴定为α相、Θ相、δ相或Υ相的峰和米勒指数。对于加热到750°的试样，与非加热(RT)的试样同样没有观察到显著的峰，可知氧化铝具有无定形结构。对于加热到800°C以上的试样，能够确认来自Y相的峰。并且随着加热温度升高,观察到来自S相、Θ相的峰，对于加热到1250°C的试样，仅观察到来自α相的峰。
[0076]这样，氧化铝通过加热到800°C以上而产生结晶结构，能够通过XRD确认结晶结构的有无。另外，其他金属氧化物也同样通过加热到规定温度以上而产生结晶结构。金属氧化物中结晶结构的有无，除了 XRD以外，也可以通过EELS (Electron Energy-LossSpectroscopy:电子能量损失谱)或其他分析方法，宏观地或局部地确认。
[0077][电容器的效果]
[0078]具有如上所述构成的电容器100具有如下效果。如图2所示，第一内部电极104和第二内部电极105隔着电介质层101相对。因此,如果在第一内部电极104与第二内部电极105之间施加电压，则位于它们之间的电介质层101的耐电压特性就会产生问题。
[0079]假设电介质层101为不具有结晶结构的(S卩，无定形结构的)金属氧化物的情况下，由于在其结构中存在不致密的部分，所以耐电压特性产生不均。但是，如上所述，在电介质层101由具有结晶结构的金属氧化物构成的情况下，由于致密的结晶结构而不会产生耐电压特性的不均。即，电容器100能够具有高的耐电压特性。
[0080]图6是表不电容器的绝缘耐压试验的结果的表。在该试验中，将按表中记载的各温度加热的金属氧化物(氧化铝)作为电介质层，除此以外，具有上述构成(参照图2)的电容器每个制作1000个，测定产生绝缘破坏的施加电压。此外，电容器能够根据后述的制造方法制作。
[0081]使施加电压每次上升0.5V，将10秒钟没有发生绝缘破坏的电容器，判断为在该施加电压不发生绝缘破坏。如图6所示，在不加热的情况(RT)或加热温度低的情况下，在低于IOV的施加电压时发生电容器的绝缘破坏。相对于此，在加热温度高的情况下，在低于IOV的施加电压时没有观察到发生绝缘破坏的电容器。
[0082]从该结果可知，通过加热金属氧化物而使金属氧化物结晶化，电容器的耐电压特性提高。另外，在金属氧化物为氧化铝时，加热温度优选为800°C以上，更优选为900°C以上。
[0083][电容器的制造方法]
[0084]对于本实施方式的电容器100的制造方法进行说明。并且，下面所示的制造方法为一个例子，电容器100也可以通过与下面所示的制造方法不同的制造方法制造。图7到图12是表不电容器100的制造工序的不意图。[0085]图7 (a)表不作为电介质层101的基础的第一基材301。第一基材301是成为电介质层101的金属氧化物的氧化前的金属，金属氧化物为氧化铝时，第一基材301为铝。
[0086]在例如调整到15°C?20°C的草酸(0.1mol / I)溶液中将第一基材301作为阳极施加电压时，如图7 (b)所示，第一基材301被氧化(阳极氧化)，形成金属氧化物302。此时，通过金属氧化物302的自组装作用，在金属氧化物302中形成孔H。孔H向着氧化的进行方向、即向着第一基材301的厚度方向生长。
[0087]此外，也可以在阳极氧化之前，预先在第一基材301形成规则的凹坑(凹部)，以该凹坑为基点使孔H生长。能够通过该凹坑的配置控制孔H的排列。凹坑例如能够通过对第一基材301按压模具(模型)形成。
[0088]接着，如图7 (C)所示，除去没有被氧化的第一基材301。第一基材301的除去例如能够通过湿式蚀刻进行。以下，将金属氧化物302的形成有孔H—侧的面作为正面302a，将其相反侧的面作为背面302b。
[0089]接着，如图8 Ca)所示，将金属氧化物302从背面302b侧以规定的厚度除去。这能够通过反应性离子蚀刻(RIE:Reactive 1n Etching)进行。此时，以孔H与背面302b连通的程度的厚度，除去金属氧化物302。
[0090]接着，使金属氧化物302结晶化。金属氧化物302能够通过在大气中加热而结晶化，例如可以使用电炉进行加热。在金属氧化物302为氧化铝时，如上所述，通过将加热温度设为800°C以上能够使其结晶化，但当设为900°C以上时，结晶化进一步受到促进，故而优选。加热时间例如可以设为4小时。
[0091]接着，如图8 (b)所示，在金属氧化物302的背面302b配置第二基材303。第二基材303例如可以通过溅射法配置。第二基材303与第一基材301同样地能够由形成电介质层101的金属氧化物的氧化前的金属构成，在金属氧化物为氧化铝时，第二基材303为铝。
[0092]接着，将第二基材303作为阳极，在例如调整为15°C?20°C的草酸(0.1mol / I)溶液中施加电压时，如图8 (c)所示，第二基材303被氧化(阳极氧化)。此时，比形成孔H时增大施加电压。通过自组装形成的孔H的间距由施加电压的大小确定，因此自组装以孔H的间距扩大的方式进行。由此，如图8 (c)所示，一部分孔H，孔的形成继续，与此同时，孔径扩大。另一方面，通过孔H的间距扩大，其他孔H，孔的形成停止。以下，将孔的形成停止的孔H设为孔H1，将孔的形成继续的(孔径扩大的)孔H设为孔H2。
[0093]阳极氧化的条件可以适当设定，例如，图7 (b)所示的第I阶段的阳极氧化的施加电压为数V?数100V，处理时间能够设定为数分?数日。图8 (C)所示的第2阶段的阳极氧化的施加电压时，能够将电压值设为第I阶段的数倍，处理时间能够设定为数分?数十分钟。
[0094]例如，通过将第I阶段的施加电压设为40V，形成孔径为IOOnm的孔H，通过将第2阶段的施加电压设为80V，孔H2的孔径扩大到200nm。通过将第2阶段的电压值设在上述范围内，能够使孔Hl和孔H2的数量大致相等。另外，通过将第2阶段的电压施加的处理时间设在上述范围内，孔H2的间距变换充分结束，并且通过第2阶段的电压施加能够使在底部形成的金属氧化物302的厚度减小。通过第2阶段的电压施加所形成的金属氧化物302在后续工序中被除去，因此优选尽量薄。
[0095]接着，如图9 Ca)所示，除去没有被氧化的第二基材303。第二基材303的除去例如能够通过湿式蚀刻进行。
[0096]接着，如图9 (b)所示，将金属氧化物302从背面302b侧以规定的厚度除去。这能够通过反应性离子蚀刻(RIE:Reactive 1n Etching)进行。此时，以孔H2与背面302b连通，并且孔Hl不与背面302b连通的程度的厚度，除去金属氧化物302。
[0097]接着，如图9 (C)所示，在正面302a将包括导电性材料的第一导体层304进行成膜。第一导体层304能够通过溅射法、真空蒸镀法等任意的方法成膜。
[0098]接着,如图10 (a)所不,在孔H2内埋入第一镀导体305。第一镀导体305由导电性材料形成，能够将第一导体层304作为种子层对金属氧化物302实施电解电镀而埋入。为了镀液不侵入孔Hl中，在孔Hl内不形成第一镀导体305。
[0099]接着，如图10 (b)所示，将金属氧化物302从背面302b以规定的厚度再次除去。这可以通过反应性离子蚀刻进行。此时，以孔Hl与背面302b连通的程度的厚度除去金属氧化物302。
[0100]接着，如图10 (C)所示，在孔Hl内埋入第二镀导体306，在孔H2内埋入第三镀导体307。第二镀导体306和第三镀导体307由导电性材料形成，能够将第一导体层304作为种子层对金属氧化物302实施电解电镀而嵌入。此外，根据该制造工序，第二镀导体306和第三镀导体307为相同的材料，但也可以利用其它制造工序使它们由不同的材料形成。
[0101]在此，由于在孔H2中通过之前的工序形成有第一镀导体305，所以第三镀导体307的前端比第二镀导体306的前端突出。下面，将第一镀导体305和第三镀导体307 —起作为第四镀导体308。
[0102]接着，如图11 Ca)所示，将金属氧化物302从背面302b以规定的厚度再次除去。这可以通过CMP (chemical mechanical polishing:化学机械抛光)等进行。此时，以第四镀导体308在背面302b露出、第二镀导体306不在背面302b露出的程度的厚度，除去金属氧化物302。
[0103]接着，如图11 (b)所示，在背面302b进行由导电性材料构成的第二导体层309的成膜。第二导体层309能够通过溅射法、真空蒸镀法等任意的方法成膜。
[0104]接着，如图11 (C)所示，除去第一导体层304。第一导体层304的除去能够通过湿式蚀刻法、干式蚀刻法、尚子统削法、CMP法等进行。
[0105]接着，如图12 (a)所示，将第二导体层309作为种子层，对第四镀导体308进行电解蚀刻。第四镀导体308与第二导体层309导通，因此通过电解蚀刻被蚀刻。另一方面，第二镀导体306不与第二导体层309导通，因此不能通过电解蚀刻被蚀刻。
[0106]接着，如图12 (b)所示，在表面302a进行包括导电性材料的第三导体层310的成膜。第三导体层310能够通过溅射法、真空蒸镀法等任意的方法成膜。
[0107]按照如上所述内容能够制造电容器100。此外，金属氧化物302对应于电介质层101，第三导体层310对应于第一外部电极层102，第二导体层309对应于第二外部电极层103。另外,第二镀导体306对应于第一内部电极104,第四镀导体308对应于第二内部电极105。
[0108]此外，金属氧化物302的结晶化(加热)工序接着将孔H开口的工序(图8 (a))实施，但不限于此，也可以在其他工序中实施。但是，在已经形成有上述镀导体、导体层的情况下，需要注意不要使它们熔融。[0109][关于贯通孔的排列]
[0110]在以上的说明中，在电介质层101形成的贯通孔IOla (参照图4)作为沿着电介质层101的厚度方向形成、规则地排列的贯通孔进行了说明。但是，贯通孔IOla也可以如下所述不是规则地排列。图13至图19是电容器100的示意性的剖面图。
[0111]图13表示贯通孔IOla规则地排列的电容器100。由于贯通孔IOla规则地排列，所以在贯通孔IOla的内部形成的第一内部电极104和第二内部电极105也规则地排列。在该情况下，如图13中虚线所示，容易在贯通孔IOla的延伸方向(电介质层101的厚度方向)上开裂，电容器100在该方向上的机械强度不充分。
[0112]因此，如图14所示，在电介质层101的表层部中，能够使贯通孔IOla不规则地排列。在该情况下，第一内部电极104和第二内部电极105也沿着贯通孔IOla不规则地排列。通过该贯通孔IOla的不规则的排列，如图14中的虚线所示，在电介质层101的厚度方向上易于开裂的方向、位置不同，电容器100在厚度方向上的机械强度增大。此外，图14中，贯通孔IOla的第一外部电极层102侧为不规则的排列，但也可以是第二外部电极层103侧为不规则的排列。
[0113]同样，可以如图15所不,使贯通孔IOla在电介质层101的正背两侧的表层部不规则地排列，也可以如图16所示，使贯通孔IOla在电介质层101的层中央部不规则地排列。另外，还可以如图17至图19所示，贯通孔IOla在厚度方向上分支成多个，或者形成为多个贯通孔IOla合一的排列。在任一种情况下，通过贯通孔IOla的不规则的排列，在电介质层101的厚度方向上易于开裂的方向、位置不同，可以增大电容器100在该方向上的机械强度。
[0114]为了使贯通孔IOla不规则地排列，在上述阳极氧化处理中，调节阳极氧化的条件(施加电压、溶液)即可。例如希望仅在电介质层101的表层部形成贯通孔IOla的不规则排列的情况(图14)下，从阳极氧化处理开始时到规定时间为止，通过在不规则排列条件下的处理形成不规则排列，剩余的区域变更为规则排列条件即可。
[0115]希望在电介质层101的正背两侧的表层部(图15)或者层中央部(图16)形成贯通孔IOla的不规则排列的情况也同样，能够通过在阳极氧化处理中的规定的时间改变处理条件来实现。
[0116]本技术不仅仅限定于上述实施方式，在不脱离本技术的主旨的范围内能够适当变更。
[0117]符号说明
[0118]100…电容器
[0119]101…电介质层
[0120]IOla…贯通孔
[0121]102…第一外部电极层
[0122]103…第二外部电极层
[0123]104…第一内部电极[0124]105…第二内部电极。
【权利要求】
1.一种电容器,其特征在于,包括: 由具有结晶结构的金属氧化物构成的电介质层，所述电介质层包括:第一面；与所述第一面相反侧的第二面；和将所述第一面与所述第二面连通的多个贯通孔； 配置于所述第一面的第一外部电极层； 配置于所述第二面的第二外部电极层； 形成于所述多个贯通孔中且与所述第一外部电极层连接的第一内部电极；和 形成于所述多个贯通孔中且与所述第二外部电极层连接的第二内部电极。
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于: 所述电介质层包括通过阳极氧化作用产生贯通孔的材料。
3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于: 所述电介质层包括氧化铝。
4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于: 所述电介质层包括具有α相、Θ相、δ相和Υ相中的任意结晶相的氧化铝。
5.一种电容器的制造方法，其特征在于: 通过使金属氧化形成包括多个贯通孔的金属氧化物， 加热所述金属氧化物，使所述金属氧化物结晶化， 在所述多个贯通孔中形成第一内部电极和第二内部电极， 将与所述第一内部电极连接的第一外部电极层和与所述第二内部电极连接的第二外部电极层配置在所述金属氧化物上。
6.如权利要求5所述的电容器的制造方法，其特征在于: 所述金属氧化物为氧化铝， 在使所述金属氧化物结晶化的工序中，将所述氧化铝加热到800°C以上。
【文档编号】H01G4/30GK103985541SQ201410045488
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2014年2月8日 优先权日:2013年2月8日
【发明者】武宜成, 增田秀俊 申请人:太阳诱电株式会社