发光器件封装件的制作方法

发光器件封装件的制作方法
【专利摘要】本申请涉及一种发光器件封装件。所述发光器件封装件包括其中形成有过孔的封装件衬底。电极层在穿过所述过孔之后延伸至封装件衬底的两个表面。发光器件布置在封装件衬底上并连接至电极层。荧光膜包括填充过孔的内部空间的至少一部分的第一部分和覆盖发光器件的至少一部分的第二部分。
【专利说明】发光器件封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年2月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2013-0019376的优先权，该申请的公开内容全文以引用方式并入本文。
【技术领域】
[0003]本发明涉及一种发光器件封装件，并且更具体地说，涉及一种包括其中形成有过孔的封装件衬底的发光器件封装件。
【背景技术】
[0004]发光二极管(LED)是一种通过化合物半导体的PN结将电信号转换为光的半导体发光器件。随着LED的使用领域延伸至诸如室内和室外照明、汽车前灯、显示装置的背光单元(BLU)、医疗装置等多种领域，需要这样一种LED封装件，其具有低的单位制造成本，并确保产品的可靠性和长期稳定性。
[0005]近来，为了提高LED封装件的集成化程度并减小形状因数(form factor),已尝试利用穿过穿透封装件衬底的过孔形成的竖直电极来外部电连接LED芯片。然而，穿透封装件衬底的过孔会为LED封装过程中所用的材料提供不期望的路径，因此，过孔可变为LED封装件或制造设施的污染起因。

【发明内容】

[0006]本发明提供了一种发光器件，其所具有的结构可防止污物运动通过穿透封装件衬底的过孔。
[0007]根据本发明的一方面，提供了一种发光器件封装件。所述器件封装件包括其中形成有过孔的封装件衬底。电极层穿过过孔并沿着封装件衬底的两个表面延伸。发光器件布置在封装件衬底上并连接至电极层。荧光膜包括填充过孔的内部空间的至少一部分的第一部分和覆盖发光器件的至少一部分的第二部分。
[0008]根据本发明的另一方面，提供了一种发光器件封装件。所述封装件包括封装件衬底，该封装件衬底包括安装表面、与所述安装表面相对的背面以及第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和第二过孔分别由从安装表面延伸至背面的倾斜侧壁限定。第一电极层穿过第一过孔并沿着安装表面和背面延伸。第二电极层穿过第二过孔并沿着安装表面和背面延伸。发光器件布置在封装件衬底的安装表面上的第一电极层和第二电极层中的至少一个上。荧光膜包括:第一部分，其填充第一过孔的内部空间的至少一部分；第二部分，其填充第二过孔的内部空间的至少一部分；以及第三部分，其覆盖发光器件的至少一部分。
[0009]在下面的说明中将在某种程度上阐述另外的优点和新颖特征，并且基于以下内容和附图的审视，对于本领域技术人员来说，所述额外的优点和新颖特征将在某种程度上变得清楚，或者可通过实例的制备和操作习得。本教导的优点可通过实践或使用在下面讨论的详细实例中所提出的方法、手段和组合的多个方面来实现和获得。【专利附图】

【附图说明】
[0010]从以下结合附图的详细描述中，将更加清楚地理解本发明的示例性实施例，其中:
[0011]图1是示出根据本申请的一个实施例的发光器件封装件的构造的剖视图；
[0012]图2是示出根据本申请的另一个实施例的发光器件封装件的构造的剖视图；
[0013]图3是示出根据本申请的另一个实施例的发光器件封装件的构造的剖视图；
[0014]图4是示出根据本申请的另一个实施例的发光器件封装件的构造的剖视图；
[0015]图5A至图51是按照步骤顺序示出根据本申请的一个实施例的制造发光器件封装件的方法的剖视图；
[0016]图6是示出包括根据本申请的一个实施例的发光器件封装件的调光系统的示图；以及
[0017]图7是包括根据本申请的一个实施例的发光器件封装件的光学处理系统的框图。【具体实施方式】
[0018]在以下【具体实施方式】中，为了提供对相关教导的彻底理解，以实施例的方式阐述了许多特定细节。然而，对本领域技术人员来说，应该清楚的是，本教导可在没有这些细节的情况下实施。在其它情况下，为了避免使本教导的各方面不必要地模糊，以相对高度地不带细节地描述了已知的方 法、规程、组件和/或电路。
[0019]如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何和所有组合。当诸如“……中的至少一个”的表达方式出现在一列元素之后时，其修饰整列元素而不修饰所述列中的单独的元素。
[0020]现在将参照附图更加彻底地描述本申请，附图中示出了本申请的示例性实施例。然而，本申请可按照许多不同的形式实现，并且不应被理解为限于本文阐述的实施例；此外，提供这些实施例以使得本公开将变得彻底和完整，并且将把本申请构思完全传递给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区的厚度。附图中的相同的附图标记指示相同的元件，因此将不重复对它们的描述。
[0021]诸如“第一”和“第二”的术语用于描述多种构件、区域、层和/或组件，但是明显的是，所述构件、区域、层和/或组件不受这些术语的限制。这些术语不意味着特定的次序或优先级，而是仅用于将一个构件、区域、区或组件与另一构件、区域、区或组件区分开。因此，在本申请的范围内，将在下面描述的第一构件、第一区域、第一区或第一组件也可被称为第二构件、第二区域、第二区或第二组件。例如，在本申请的范围内，第一组件可被称作第二组件，并且第二组件可被称作第一组件。
[0022]除非另外限定，否则本文所用的包括技术术语和科学术语的所有术语的意义与本领域普通技术人员通常的理解相同。
[0023]当可按照不同方式实施实施例时，可改变特定的过程。例如，两个连续描述的过程可基本同时执行，或者可按照与描述的次序不同的次序执行。
[0024]例如，在附图中示出的形状可根据制造技术和/或公差而改变。因此，本申请的实施例不限于附图中示出的特定形状，而是可在制造工艺中进行修改。[0025]图1是示出根据本申请的一个实施例的发光器件封装件100的构造的剖视图。
[0026]参见图1，发光器件封装件100包括封装件衬底110、形成在封装件衬底110上的第一电极层122和第二电极层124以及布置在第一电极层122和第二电极层124上的发光器件130。
[0027]封装件衬底110包括安装表面110A、作为安装表面IlOA的相对侧的背面110B、从安装表面IlOA延伸至背面IlOB的多个倾斜侧壁110S。所述多个倾斜侧壁IlOS限制了穿透封装件衬底110的第一过孔112和第二过孔114，并构成第一过孔112和第二过孔114的内部侧壁。第一过孔112和第二过孔114可用作发光器件130和形成在发光器件模块的主印刷电路板(PCB)上的电极(未示出)之间的竖直互相连接的路径。
[0028]多个倾斜侧壁IlOS倾斜以具有从每个安装表面IlOA朝着背面IlOB聚拢的形状。因此，在第一过孔112和第二过孔114中，位于封装件衬底110的安装表面IlOA处的入口大于位于背面IlOB处的入口。在一些实施例中，倾斜侧壁IlOS的倾角Θ可在约45°和约85°之间，但本申请不限于此。
[0029]绝缘膜150形成在封装件衬底110的表面上。在一些实施例中，可省略绝缘膜150。在一些实施例中，封装件衬底Iio可由硅、陶瓷或塑料形成。例如，当封装件衬底110由硅形成时，绝缘膜150可由二氧化硅膜形成。当封装件衬底110由陶瓷或塑料形成时，可省略绝缘膜150。
[0030]第一电极层122穿过封装件衬底110上的第一过孔112并延伸至安装表面IlOA和背面110B。第二电极层124穿过封装件衬底110上的第二过孔114并延伸至安装表面IlOA和背面110B。封装件衬底110的背面IlOB的一部分由与第一电极层122和第二电极层124分离的传导层126覆盖。传导层126可排放从发光器件130产生并传输至封装件衬底110的热。在一些实施例中，第一电极层122、第二电极层124和传导层126可由相同的材料形成。例如，第一电极层122、第二电极层124和传导层126可分别由Cu、Au、Ag、N1、W、Cr或者它们的组合形成。
[0031]发光器件130可由发光二极管(LED)形成。LED芯片可根据构成LED芯片的化合物半导体的类型而发射蓝光、绿光和红光等。另外，LED芯片可发射紫外线。在某些实施例中，发光器件130可由紫外(UV) 二极管芯片、激光二极管芯片或有机发光二极管(OLED)芯片形成。然而，发光器件130不限于上述实施例，并且可由多种光学器件形成。
[0032]发光器件130可具有包括朝着相同方向形成的阳电极和阴电极的水平结构。阳电极和阴电极可朝着封装件衬底Iio设置。为了将发光器件130分别电连接至第一电极层122和第二电极层124，第一导电接合层162介于发光器件130的阴电极和阳电极中的一个与第一电极层122之间。此外,第二导电接合层164介于发光器件130的阴电极和阳电极中的另一个与第二电极层124之间。
[0033]第一导电接合层162和第二导电接合层164具有优良的导电性，并可含有可接合(junction-possible)金属材料。在一些实施例中，第一导电接合层162和第二导电接合层164可分别由Au、Sn、Pb、Ag、In、Ge、Si或它们的组合形成。例如，第一导电接合层162和第二导电接合层164可由Au-Sn合金、Pb-Ag-1n合金、Pb-Ag-Sn合金、Pb-Sn合金、Au-Ge合金、Au-Si合金或Au形成。第一导电接合层162和第二导电接合层164可通过利用共晶芯片连接工艺形成。[0034]为了将第一电极层122和第二电极层124电连接至发光器件130，使用如上所述的构成第一导电接合层162和第二导电接合层164的结构，但本申请不限于此。例如，发光器件130可具有包括阴电极和阳电极的竖直结构，所述阴电极和阳电极相对于彼此朝着相反的方向导向，并且为了将第一电极层122和第二电极层124电连接至发光器件130的两个电极，可使用与第一导电接合层162和第二导电接合层164不同的导电接合层、导线、焊料凸块或者它们的组合。
[0035]发光器件130从第一电极层122的上部延伸至第二电极层124的上部，以使得发光器件130在封装件衬底110的安装表面IlOA上分别与第一电极层122和第二电极层124重叠。此外，在安装表面IlOA上，发光器件130布置在沿着水平方向(B卩，沿着从封装件衬底110的主表面延伸的方向)与第一过孔112和第二过孔114间隔开预定距离的位置处。因此，第一过孔112和第二过孔114布置在发光器件130的两侧不与发光器件130重叠的位置处。虽然未示出，但是在另一实施例中，第一过孔112和第二过孔114之一可布置在与发光器件130重叠的位置。
[0036]发光器件130由荧光膜140覆盖。荧光膜140包括:第一填充部分142、第二填充部分144和器件覆盖部分146，第一填充部分142和第二填充部分144用于填充第一过孔112和第二过孔114每一个的内部空间的至少一部分，器件覆盖部分146用于覆盖发光器件130的至少一部分。器件覆盖部分146可覆盖发光器件130的发光表面。图1示出了荧光膜140的器件覆盖部分146覆盖了发光器件封装件100中的发光器件130的上表面130A和侧表面130B，但本申请的技术构思不限于此。
[0037]突光膜140的第一填充部分142、第二填充部分144和器件覆盖部分146 —体地连接。然而，本申请的技术构思不限于此。在另一实施例中，荧光膜140的第一填充部分142、第二填充部分144和器件覆盖部分146可以断续方式地连接。例如，发光器件130的侧表面130B的至少一部分可不由荧光膜140覆盖。
[0038]在另一实施例中，突光膜140由磷光体和聚合物树脂形成。突光膜140中的聚合物树脂的含量可大于磷光体的含量。例如，荧光膜140可含有约30至45体积百分比的磷光体和约55至70体积百分比的聚合物树脂，但本申请不限于此。
[0039]在另一实施例中，荧光膜140可由磷光体、填充剂元素和聚合物树脂形成。在荧光膜140中，聚合物树脂的含量可大于磷光体的含量。此外，填充剂元素的含量可小于磷光体的含量。例如，荧光膜140可含有约30至45体积百分比的磷光体、约2至20体积百分比的填充剂元素和约40至55体积百分比的聚合物树脂。然而，磷光体、填充剂元素和聚合物树脂的含量不限于此。
[0040]荧光膜140中含有的磷光体可包括将波长转换为黄色、红色或绿色波长中的任一种的材料。磷光体可由可通过转换从发光器件130发射的光产生白光的突光物质形成。磷光体的类型可由发光器件130发射的光的波长确定。
[0041]磷光体可由钇铝石榴石(YAG)系列、铽铝石榴石(TAG)系列、硅酸盐系列、硫化物系列、氮化物系列和量子点的荧光材料之一形成。例如，磷光体可由Y3Al5O12 = Ce3+(YAG = Ce)、M2Si5N8IEu2+ (其中 Eu2+离子用作活化剂)、MS (M 是碱土金属)、CaAlSiN3 = Eu3+、(Sr, Ca)AlSiN3:Eu、Ca3(Sc1Mg)2Si3O12:Ce 或 CaSc2Si3O12:Ce、CaSc2O4:Ce 形成。
[0042]量子点的突光材料可由CdSe、CdTe、ZnSe、CdSe、InGap或InP元素等形成。磷光体可具有约5至90 μ m的粒度。
[0043]当荧光膜140中包括填充剂元素时，填充剂元素可具有约5至90 μ m的粒度。当在荧光膜140中包括填充剂元素时，第一过孔112和第二过孔114在背面IlOB处的入口可容易由第一填充部分142和第二填充部分144阻挡。填充剂元素可由Ti02、Si02、Al203、AlN和它们的组合形成。
[0044]荧光膜140中包括的聚合物树脂可由透明树脂形成。例如，荧光膜140中包括的聚合物树脂可由环氧树脂、硅树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯、聚氨酯或苯代三聚氰胺树脂形成。
[0045]可通过喷涂工艺和随后的硬化工艺形成荧光膜140，所述喷涂工艺喷射包括树脂、磷光体、填充剂元素和溶剂的磷光体混合物。在用于形成荧光膜140的喷涂工艺中，磷光体混合物喷射在第一过孔112和第二过孔114的内侧以及安装表面IlOA上。磷光体混合物涂布在第一过孔112和第二过孔114内的第一电极层122和第二电极层124上。此时，荧光混合物中包括的磷光体元素可聚积在第一过孔112和第二过孔114在背面IlOB处的入口周围，从而可容易阻挡第一过孔112和第二过孔114在背面IlOB处的入口。
[0046]绝缘膜150、第一电极层122和荧光膜140的第一填充部分142在第一过孔112的内侧按照所列的次序填充在封装件衬底110的倾斜侧壁IlOS上。绝缘膜150、第二电极层124和荧光膜140的第二填充部分144在第二过孔114的内侧按照所列的次序填充在封装件衬底110的倾斜侧壁IlOS上。
[0047]荧光膜140的第一填充部分142和第二填充部分144阻挡了在背面IlOB处的入口 El和E2，所述入口 El和E2分别由在第一过孔112和第二过孔114的内侧处的、邻近封装件衬底110的背面IlOB的入口的那部分的第一电极层122和第二电极层124限定。荧光膜140的第一填充部分142和第二填充部分144可仅填充安装表面IlOA的入口 E3和E4的一部分，所述入口 E3和E4分别由在第一过孔112和第二过孔114的内侧处的、邻近封装件衬底110的安装表面IlOA的入口的那部分的第一电极层122和第二电极层124限定。结果，荧光膜140的第一填充部分142和第二填充部分144可分别具有凹陷的上表面。虽然未示出，但是在一些实施例中，荧光膜140的第一填充部分142和第二填充部分144可在第一过孔112和第二过孔114内侧处完全填充封装件衬底110的安装表面IlOA处的入口 E3和E4。
[0048]在第一过孔112和第二过孔114的背面IlOB处的入口 El和E2由第一填充部分142和第二填充部分144阻挡，并且因此在形成透镜单元170的过程中，用于形成透镜的液体树脂不会通过第一过孔112和第二过孔114泄漏至封装件衬底110的背面110B，如将参照图5G至图5H所描述的那样。
[0049]根据本申请，当形成荧光膜140的器件覆盖部分146时，可同时形成荧光膜140的第一填充部分142和第二填充部分144。因此，不需要用于形成第一填充部分142和第二填充部分144的分离的过程，并且可通过简单的过程有效地阻挡第一过孔112和第二过孔114。
[0050]透镜单元170形成在封装件衬底110的安装表面IlOA上。透镜单元170覆盖发光器件130、第一过孔112、第二过孔114和荧光膜140。透镜单元170包括部分突出至第一过孔112的内侧的第一局部突起部分172、部分突出至第二过孔114的内侧的第二局部突起部分174和用于控制来自发光器件130的光的光强分布的凸透镜单元176。第一局部突起部分172覆盖第一过孔112内的荧光膜140的第一填充部分142。第二局部突起部分174覆盖第二过孔114内的荧光膜140的第二填充部分144。透镜单元170的凸透镜单元176的上部被示为具有圆顶形，但本申请不限于此。例如，透镜单元170可根据光路而具有多种外形，诸如凹形、凹凸形等。
[0051]透镜单元170由透光材料形成。在一些实施例中，透镜单元170可由硅树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、含氟树脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺、玻璃、硅胶或者它们的组合形成。
[0052]可通过压缩成型、注射成型或转移成型形成透镜单元170，但本申请不限于此。在一些实施例中，可通过将用于形成透镜的液体树脂通过喷枪施加在发光器件130上来形成透镜单元170。在其它实施例中，可在发光器件130上形成模制透镜(未示出)，并且可通过将用于形成透镜的液体树脂注射到由模制透镜限定的空间中来形成透镜单元170。
[0053]在第一过孔112和第二过孔114的内侧没有被荧光膜140的第一填充部分142和第二填充部分144阻挡的情况下，当在封装件衬底110的安装表面IlOA上施加用于形成透镜的液体树脂以进行模制来形成透镜单元170时，用于透镜的树脂会通过第一过孔112和第二过孔114泄漏至封装件衬底110的背面110B。结果，封装件衬底110的背面IlOB的下部以及用于形成透镜的模制设备会被污染。然而，根据本申请的发光器件封装件100，第一过孔112和第二过孔114中的每一个的内侧被荧光膜140的第一填充部分142和第二过孔114阻挡。因此，当用于透镜的液体树脂施加在封装件衬底110的安装表面IlOA上以进行模制时，即使用于形成透镜的树脂流入第一过孔112和第二过孔114中，通向封装件衬底110的背面IlOB的流动路径也被荧光膜140的第一填充部分142和第二填充部分144所阻挡，并且因此树脂没有泄漏至封装件衬底Iio的背面110B。
[0054]图2是示出根据本申请的另一个实施例的发光器件封装件200的构造的示图。在图2中，与图1中使用的相同的附图标记指代相同的元素，并且因此将省略对它们的描述。
[0055]参见图2，发光器件封装件200具有与图1中示出的发光器件封装件100的构造相同的构造。然而，发光器件封装件200还包括在发光器件130和荧光膜240之间的区域中覆盖发光器件130的侧表面130B的反射膜280。
[0056]关于荧光膜240的细节与图1的荧光膜140的细节相类似，不同的是，荧光膜240包括:第一填充部分242和第二填充部分244，其用于填充第一过孔112和第二过孔114每一个的内部空间的至少一部分；器件覆盖部分246，其覆盖发光器件130的至少一部分；以及反射膜覆盖部分248，其覆盖反射膜280。荧光膜240的第一填充部分242、第二填充部分244、器件覆盖部分246和反射膜覆盖部分248 —体地连接。在一些实施例中，荧光膜240可具有以断续方式连接的形状。例如，覆盖反射膜280的反射膜覆盖部分248的厚度可小于荧光膜240的其它部分的厚度。在其它实施例中，可在荧光膜240中覆盖反射膜280的那部分上形成用于暴露反射膜280的开口。
[0057]反射膜280可形成为在封装件衬底110的安装表面IlOA上覆盖第一电极层122和第二电极层124的一部分以及发光器件130的侧表面130B。
[0058]在一些实施例中，反射膜280可包括低折射率树脂和分布在低折射率树脂中的光发射填充剂。朝着反射膜280的光可被反射膜280中的光发射填充剂反射。低折射率树脂可由环氧树脂形成。光发射填充剂可由诸如TiO2或SiO2的光反射性氧化物形成。在另一个实施例中，反射膜280可仅由低反射率树脂形成。这里，来自发光器件130的光可根据光的入射角传播至低反射率树脂的内侧或者可沿着发光器件130的方向反射。
[0059]图3是示出根据本申请的另一个实施例的发光器件封装件300的构造的剖视图。在图3中，与图1中使用的相同的附图标记指代相同的元素，并且因此这里将省略对它们的描述。
[0060]参见图3，发光器件封装件300具有与图1中示出的发光器件封装件100的构造相同的构造。然而，设置用于分别电连接第一电极层122和第二电极层124的第一导线362和第二导线364以替代发光器件封装件300的第一导电接合层162和第二导电接合层164。发光器件130的阴电极和阳电极中的一个可通过第一导线362与第一电极层122电连接。此外，发光器件130的阴电极和阳电极中的另一个可通过第二导线364与第二电极层124电连接。
[0061]第一导线362和第二导线364可分别由Au、Al、Cu或者它们的组合形成。
[0062]发光器件130按照芯片连接工艺设置在封装件衬底110的安装表面IlOA上。发光器件130可安装在第一电极层122和第二电极层124中的至少一个上。图3示出了发光器件130安装在第一电极层122上，但本申请不限于此。例如，发光器件130可安装在第二电极层124上，并可按照其与第一电极层122和第二电极层124重叠的方式安装。
[0063]发光器件130可通过接合层390固定在封装件衬底110上。接合层390可由基于聚合物的芯片连接粘合剂形成。在另一个实施例中，接合层390可由聚酰亚胺或环氧树脂形成。
[0064]第一导线362和第二导线364中的每一个的至少一部分被荧光膜340覆盖。荧光膜340的细节与图1的荧光膜140的细节相类似，不同的是，荧光膜340包括:第一填充部分342和第二填充部分344，其分别填充第一过孔112和第二过孔114的内部空间的至少一部分；器件覆盖部分346,其覆盖发光器件130的至少一部分；以及线覆盖部分348,其覆盖第一导线362和第二导线364的至少一部分。荧光膜340的第一填充部分342、第二填充部分344、器件覆盖部分346和线覆盖部分348 —体地连接。
[0065]图4是示出根据本申请的另一个实施例的发光器件封装件400的构造的剖视图。在图4中，与图1中使用的相同的附图标记指代相同的元素，并且因此这里将省略对它们的描述。
[0066]参见图4，发光器件封装件400总体具有与图1中示出的发光器件封装件100的构造相同的构造，不同的是，设置导电接合层462和导线464以将发光器件130的两个电极分别电连接至第一电极层122和第二电极层124。发光器件130的阴电极和阳电极中的一个可通过导电接合层462与第一电极层122电连接。在另一个实施例中，可省略导电接合层462,并且发光器件130的阴电极和阳电极中的一个可直接接触第一电极层122。发光器件130的阴电极和阳电极中的另一个可通过导线464电连接至第二电极层124。
[0067]导电接合层462可由Au、Sn、Pb、Ag、In、Ge、Si或者它们的组合形成。例如，导电接合层462可由Au-Sn合金、Pb-Ag-1n合金、Pb-Ag-Sn合金、Pb-Sn合金、Au-Ge合金、Au-Si合金或Au形成。导线464可由Au、Al、Cu或者它们的组合形成。
[0068]导线464的至少一部分由荧光膜440覆盖。荧光膜440的细节总体与图1的荧光膜140的细节相同，不同的是，荧光膜440包括:第一填充部分442和第二填充部分444，其填充第一过孔112和第二过孔114每一个的内部空间的至少一部分；器件覆盖部分446，其覆盖发光器件130的至少一部分；以及线覆盖部分448，其覆盖导线464的至少一部分。荧光膜440的第一填充部分442、第二填充部分444、器件覆盖部分446和线覆盖部分448 —体地连接。
[0069]图5A至图51是按照处理顺序示出根据本申请的一个实施例的制造发光器件封装件的方法的剖视图。作为一个实例，图5A至图51示出了制造图2中示出的发光器件封装件200的工艺。在图5A至图51中，与图1和图2中使用的相同的附图标记指代相同的元素，并且因此这里将省略对它们的描述。
[0070]参见图5A，在制备封装件衬底110之后，形成从封装件衬底110的安装表面IlOA穿透至背面IlOB的多个过孔112和114。
[0071]多个过孔112和114包括第一过孔112和第二过孔114。第一过孔112和第二过孔114的内部空间由倾斜侧壁IlOS限定。
[0072]为了形成第一过孔112和第二过孔114，封装件衬底110的一个区域可沿着与从封装件衬底110的主表面延伸的方向垂直的方向被激光钻孔、干蚀刻或湿蚀刻。通过在蚀刻封装件衬底110的同时调整蚀刻速度和蚀刻方向，可将倾斜侧壁IlOS设为具有这样的形状，其中倾斜侧壁IlOS从封装件衬底110的安装表面IlOA聚拢在背面IlOB上。倾斜侧壁IlOS的倾角Θ可在约45°和约85°之间。
[0073]参见图5B，绝缘膜150形成在封装件衬底110的暴露的表面上。封装件衬底110的安装表面110A、背面IlOB和倾斜侧壁IlOS可分别由绝缘膜150覆盖。
[0074]在另一个实施例中，为了形成绝缘膜150，可使用热氧化工艺、低压化学气相沉积(LPCVD)工艺或等离子体增强CVD (PE⑶V)工艺。绝缘膜150可由二氧化硅、氮化硅、碳化硅、类金刚石碳(DLC)、超纳米微晶金刚石(UNCD)或氮化铝形成。例如，当封装件衬底110由硅形成时，为了形成绝缘膜150，封装件衬底110的暴露的表面可通过热氧化工艺氧化，以形成由二氧化硅膜形成的绝缘膜150。
[0075]在另一个实施例中，可省略形成绝缘膜150的过程。例如，当封装件衬底110由陶瓷或塑料形成时，可省略绝缘膜150。
[0076]参见图5C，第一电极层122、第二电极层124和传导层126形成在封装件衬底110上。
[0077]第一电极层122、第二电极层124和传导层126可分别使用电镀工艺、丝网印刷工艺或溅射工艺。第一电极层122、第二电极层124和传导层126可由相同的材料形成。在另一个实施例中，为了形成第一电极层122、第二电极层124和传导层126，首先形成覆盖封装件衬底110上的一些区域的掩模图案，然后用于形成第一电极层122、第二电极层124和传导层126的导电材料在封装件衬底110上形成在未由掩模图案覆盖的区域上，并且去除掩模图案以保留第一电极层122、第二电极层124和传导层126。
[0078]参见图5D，利用共晶芯片连接工艺，通过第一导电接合层162和第二导电接合层164，将发光器件130倒装芯片安装在封装件衬底110的安装表面IlOA上。
[0079]参见图5E，在封装件衬底110上形成覆盖发光器件130的侧表面130B的反射层280。[0080]参见图5F，利用喷涂工艺将荧光膜240形成在封装件衬底110和发光器件130上。
[0081]荧光膜240包括:第一填充部分242和第二填充部分244，其填充第一过孔112和第二过孔114每一个的内部空间的至少一部分；器件覆盖部分246，其覆盖发光器件130的至少一部分；以及反射膜覆盖部分248，其覆盖反射膜280。图5F示出了荧光膜240的第一填充部分242、第二填充部分244、器件覆盖部分246和反射膜覆盖部分248 —体地连接，但本申请不限于此。在另一个实施例中，荧光膜240包括第一填充部分242、第二填充部分244和器件覆盖部分246，但可具有这样的形式:荧光膜240包括以断续方式连接的第一填充部分242、第二填充部分244和器件覆盖部分246。在另一个实施例中，可不形成荧光膜240的反射膜覆盖部分248。反射膜280的至少一部分可不由荧光膜240覆盖。
[0082]为了形成荧光膜240，可将磷光体混合物喷射到封装件衬底110和发光器件130上。在另一个实施例中，磷光体混合物可含有树脂、磷光体和溶剂。在另一个实施例中，磷光体混合物可含有树脂、磷光体、填充剂元素和溶剂。
[0083]在利用喷涂工艺形成荧光膜240的同时，可将磷光体混合物喷射到安装表面110以及第一过孔112和第二过孔114每一个的内侧上。在第一过孔112和第二过孔114的内侦牝随着磷光体混合物涂布在第一电极层122和第二电极层124上，构成磷光体混合物的磷光体元素和/或填充剂元素聚积在具有相对小的入口的背面IlOB的入口周围，结果，第一过孔112和第二过孔114的背面IlOB的入口可被磷光体混合物阻挡。此时，磷光体粒子和/或填充剂粒子的粒度大于聚合物树脂的粒度，因此磷光体粒子和/或填充剂粒子可在第一过孔112和第二过孔114的背面IlOB的入口周围聚积在第一过孔112和第二过孔114的内侧，从而第一过孔112和第二过孔114可被容易地阻挡。磷光体粒子和/或填充剂粒子之间的间隙可由聚合物树脂填充。
[0084]磷光体混合物和荧光膜240的详细构造总体与图1的荧光膜140相同。
[0085]参见图5G，将用于形成透镜的液体树脂170A施加在封装件衬底110上形成了荧光膜240之处。
[0086]在另一个实施例中，用于形成透镜的液体树脂170A可由硅树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、含氟树脂、聚碳酸酯、聚酰胺或者它们的组合形成。
[0087]参见图5H，利用封装件衬底110上的模具510使液体树脂170A (参见图5G)成型并硬化，并且透镜单元170形成在封装件衬底110上。
[0088]在液体树脂170A将压力施加至模具510以使液体树脂170A成型的同时，液体树脂170A可流入第一过孔112和第二过孔114中。此时，第一过孔112和第二过孔114的背面IlOB的入口由荧光膜240阻挡，因此即使液体树脂170A流入第一过孔112和第二过孔114中，液体树脂170A也不会泄漏至封装件衬底110的背面110B。因此，可防止污染封装件衬底110的背面IlOB的下部和用于形成透镜的模制设备。
[0089]参见图51，在去除模具510之后，沿着剖切线X切割其中形成有透镜单元170的所得产品，以将封装件衬底110分为多个芯片。多个芯片可分别构成如图2所示的发光器件封装件200。
[0090]在参照图5A至图51描述的制造发光器件封装件200的方法中示出了使用压缩成型工艺形成透镜单元170的情况。然而，本申请不限于此。例如，可利用诸如注射成型、转移成型等多种成型工艺来形成透镜单元170。[0091]已参照图5A至图51描述了制造图2中示出的发光器件封装件200的方法，但是对于本领域普通技术人员来说，在利用参照图5A至图51描述的本申请的技术构思中，可容易形成图1、图3和图4中示出的发光器件封装件100、300和400。
[0092]根据本申请的发光器件封装件包括荧光膜，其包括填充了穿透封装件衬底的过孔的内部空间的至少一部分的填充部分。过孔中的封装件衬底的背面的入口由荧光膜的填充部分阻挡。因此，当用于形成透镜的液体树脂成型以在封装件衬底的安装表面上形成透镜单元时，即使用于形成透镜的液体树脂流入过孔中，邻近封装件衬底的背面的过孔的入口由荧光膜的填充部分阻挡，因此用于形成透镜的液体树脂也不会泄漏至封装件衬底的背面。具体地说，根据本申请的技术构思，在形成覆盖荧光膜的器件覆盖部分的同时，荧光膜的填充部分可与器件覆盖部分同时形成，因此不需要用于形成荧光膜的填充部分的分离的过程。因此，可通过简单的过程有效地阻挡穿透封装件衬底的过孔，并当形成透镜单元时，用于形成透镜的树脂不会通过穿透封装件衬底的过孔泄漏至封装件衬底的背面，并且用于形成透镜的树脂不会污染封装件衬底的背面的下部和用于形成透镜的模制设备。
[0093]图6是示出包括根据本申请的一个实施例的发光器件封装件的调光系统600的示图。
[0094]参见图6,调光系统600包括布置在结构610上的发光模块620和电源630。
[0095]发光模块620包括多个发光器件封装件624。多个发光器件封装件624包括参照图1至图4描述的发光器件封装件100、200、300和400中的至少一个。
[0096]电源630包括用于接收电力的接口 632，和用于控制提供至发光模块620的电力的功率控制器634。接口 632可包括阻挡过电流的熔丝和阻挡有害电磁波的电磁波屏蔽滤波器。功率控制器634可包括:整流器，当交流电作为电源被输入时该整流器将交流电转换为直流电；平流单元；以及恒压控制器，其用于转换适于发光模块620的电压。电源630可包括:反馈电路装置，其将多个发光器件封装件624中的每一个的发光量与预设发光量进行比较；以及存储器装置，其用于存储诸如期望的亮度和显色性等的信息。
[0097]调光系统600可用作室内灯(interior street lamp)、诸如用在显示装置(诸如包括图像面板的液晶显示器(LCD)设备)中的背光单元、灯和平面光源装置；或者可用作室外照明装置，诸如广告牌和路标。此外，调光系统600可用在用于多种交通工具(诸如汽车、船和飞机)、电子装置(诸如TV和冰箱)或医疗设备等的多种照明装置中。
[0098]图7是包括根据本申请的一个实施例的发光器件封装件的光学处理系统700的框图。
[0099]参见图7，光学处理系统700包括照相系统710、光源系统720和数据处理和分析系统730。
[0100]照相系统710可布置为在直接接触对象或与对象间隔开预定距离的状态下直接朝向用于光学处理的对象。在另一个实施例中，用于光学处理的对象可为诸如皮肤或治疗部位的生物组织。照相系统710通过导光器712连接至光源系统720。导光器712可包括用于光学传输的光纤导光器或液体导光器。
[0101]光源系统720通过导光器712供应照射到用于光学处理的对象上的光。光源系统720包括参照图1至图4的发光器件封装件100、200、300和400中的至少一个。在另一个实施例中，可在光源系统720中产生紫外线，并且紫外线可辐射至诸如皮肤或病变部位的生物组织。
[0102]照相系统710通过线缆714连接至数据处理和分析系统730。从照相系统710输出的图像信号可通过线缆714传输至数据处理和分析系统730。数据处理和分析系统730包括控制器732和监视器734。从照相系统710传输的图像信号可被处理、分析并存储在数据处理和分析系统730中。
[0103]图7的光学处理系统700可应用于多种领域，诸如皮肤诊断、医疗设备、消毒器、清洁装置、外科用品、化妆装置、照明装置和信息感测装置。
[0104]虽然上面已经描述了认为是最佳的模式和/或其它实例，但是应该理解，可在其中作出多种修改，并且本文公开的主题内容可按照多种形式和实例实施，并且所述教导可用于许多应用中，本文仅描述了其中的一些。权利要求意图要求落入本教导的真实范围内的任何和所有应用、修改形式和变形形式。
【权利要求】
1.一种发光器件封装件，包括: 封装件衬底，其中形成有过孔； 电极层，其穿过所述过孔并沿着所述封装件衬底的两个表面延伸； 发光器件，其布置在所述封装件衬底上并连接至所述电极层；以及 荧光膜，其包括: 第一部分，其填充所述过孔的内部空间的至少一部分，以及 第二部分，其覆盖所述发光器件的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述荧光膜从所述第一部分一体地连接至所述第二部分。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述荧光膜的第一部分位于在所述过孔的内侧阻挡所述过孔的入口的位置处。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装件，还包括: 透镜单元，其覆盖所述发光器件和所述过孔， 其中，所述透镜单元包括突出至所述过孔的内侧并覆盖所述荧光膜的第一部分的局部突起单元。
5.根据权利要求1 所述的发光器件封装件，其中，所述荧光膜包括: 第一体积百分比的磷光体， 第二体积百分比的聚合物树脂，所述第二体积百分比大于所述第一体积百分比，以及 第三体积百分比的填充剂粒子，所述第三体积百分比小于所述第一体积百分比。
6.根据权利要求5所述的发光器件封装件，其中，所述填充剂粒子由Ti02、SiO2,Al2O3和AlN中的至少一种形成。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述封装件衬底具有在其中布置所述发光器件的安装表面以及与所述安装表面相对的背面，并且 其中，所述过孔位于所述背面的入口小于所述过孔位于所述安装表面的入口。
8.根据权利要求7所述的发光器件封装件，其中，所述封装件衬底包括限制所述过孔的倾斜侧壁。
9.根据权利要求8所述的发光器件封装件，其中，所述倾斜侧壁从所述安装表面朝着所述背面聚拢。
10.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述发光器件布置在不与所述过孔重叠的位置处。
11.根据权利要求1所述的发光器件封装件，还包括: 反射膜，其在所述发光器件和所述荧光膜之间的空间中覆盖所述发光器件的侧壁。
12.一种发光器件封装件，包括: 封装件衬底，其包括安装表面、与所述安装表面相对的背面以及第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和第二过孔分别由从所述安装表面延伸至所述背面的倾斜侧壁限定； 第一电极层，其穿过所述第一过孔并沿着所述安装表面和所述背面延伸； 第二电极层，其穿过所述第二过孔并沿着所述安装表面和所述背面延伸； 发光器件，其布置在所述封装件衬底的安装表面上的第一电极层和第二电极层中的至少一个上；以及荧光膜，其包括: 第一部分，其填充所述第一过孔的内部空间的至少一部分， 第二部分，其填充所述第二过孔的内部空间的至少一部分，以及 第三部分，其覆盖所述发光器件的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的发光器件封装件，其中，所述发光器件在所述安装表面上布置在与所述第一过孔和所述第二过孔间隔开的位置处。
14.根据权利要求12所述的发光器件封装件，还包括: 第一导电接合层，其形成在所述发光器件和所述第一电极层之间；以及 第二导电接合层，其形成在所述发光器件和所述第二电极层之间。
15.根据权利要求12所述的发光器件封装件，还包括: 导线，其连接在所述第一电极层和所述第二电极层中的至少一个与所述发光器件之间， 其中，所述荧光膜还包括覆盖所述导线的至少一部分的第四部分。
16.—种调光系统,包括: 发光模块；以及 电源，其用于接收电力并且将电力供应至所述发光模块； 其中，所述发光模块包括一个或多个发光器件封装件，每个封装件包括: 封装件衬底，其中形成有过孔； 电极层，其穿过所述过孔并沿着所述封装件衬底的两个表面延伸； 发光器件，其布置在所述封装件衬底上并连接至所述电极层；以及 荧光膜，其包括: 第一部分，其填充所述过孔的内部空间的至少一部分，以及 第二部分，其覆盖所述发光器件的至少一部分。
17.根据权利要求16所述的调光系统，其中，所述荧光膜从所述第一部分一体地连接至所述第二部分。
18.根据权利要求16所述的调光系统，其中，所述荧光膜的第一部分位于在所述过孔的内侧阻挡所述过孔的入口的位置处。
19.根据权利要求16所述的调光系统，还包括: 透镜单元，其覆盖所述发光器件和所述过孔， 其中，所述透镜单元包括突出至所述过孔的内侧并覆盖所述荧光膜的第一部分的局部突起单元。
20.根据权利要求16所述的调光系统，其中，所述荧光膜包括: 第一体积百分比的磷光体， 第二体积百分比的聚合物树脂，所述第二体积百分比大于所述第一体积百分比，以及 第三体积百分比的填充剂粒子，所述第三体积百分比小于所述第一体积百分比。
【文档编号】H01L33/48GK104009142SQ201410059748
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年2月21日 优先权日:2013年2月22日
【发明者】李相炫, 甘东爀, 龙戡翰, 洪镇基, 黄圣德 申请人:三星电子株式会社