切削残余部除去装置制造方法

切削残余部除去装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种切削残余部除去装置，其目的在于提高晶片的生产成品率。根据本发明，第一喷嘴(30)喷射流体而在切削残余部(601)与晶片列(60)之间设置间隙，保持臂(710)使切削残余部(601)旋转，而扩宽切削残余部(601)与晶片列(60)之间的间隙且使切片基座(50)与切削残余部(601)剥离，使切削残余部(601)向与切削残余部(601)分开的方向移动，从而能将切削残余部(601)从切片基座(50)除去。由此，在取出晶片(600)时，能抑制晶片(600)与切削残余部(601)接触而产生的晶片(600)的裂纹、缺口等的品质异常，进而能提高晶片的生产成品率。
【专利说明】切削残余部除去装置

【技术领域】
[0001]本发明涉及切削残余部除去装置。

【背景技术】
[0002]太阳能电池、半导体的基板材料等所用的硅晶片等晶片通过对被称作铸锭的块状物进行切片将其片状化而获得。图7表示对铸锭进行切片而获得的多张晶片(以下称作晶片列60)。在获得图7所示那样的晶片列60时，首先，利用粘接剂63将铸锭固定于被称作切片基座的保持体上，利用钢丝锯对固定于切片基座50上的铸锭进行切片而成为晶片。
[0003]图8表示一般的晶片制造方法的流程。在晶片的制造中，经由图8(a)所示的粘接工序、图8(b)所示的切片工序、图8 (c)所示的清洗工序、然后是剥离工序，而获得成为制品的晶片。
[0004]首先，在图8(a)所示的粘接工序中，利用粘接剂63使铸锭65粘接于切片基座50的粘接面55。
[0005]接着，在图8(b)所不的切片工序中，利用具备一对王棍210和钢丝220的钢丝银200等的切断装置将粘贴于切片基座50的铸锭65切断为薄片状而获得晶片列60。另外，作为切断装置的钢丝锯200例如是使用多个钢丝220 —次获得多张晶片的多钢丝锯或利用与铸锭65之间的放电现象进行熔融加工的线放电加工机等。此时，铸锭65的两端部成为相对于晶片具有足够的厚度的切削残余部601。
[0006]然后，在图8(c)所示的清洗工序中，利用清洗槽300中的水对固定于切片基座50的晶片列60进行清洗。使晶片列60与切片基座50及切削残余部601 —起浸溃于水中，利用超声波单元310对晶片列60照射超声波或利用喷流喷嘴320对晶片列60施加水的喷流，从而对晶片列60进行清洗。
[0007]然后，在剥离工序中，将晶片从切片基座50剥离。例如，在专利文献I中公开了如下的晶片剥尚方法:如图9 (a)所不，使将切削残余部601和晶片列60粘接在一起的切片基座50浸溃于包含热水或药液的剥离液15中，从而使粘接剂63软化而进行剥离。根据该方法，通过粘接剂63软化，从而切削残余部601、晶片600与切片基座50的粘接力变弱，因此，能将切削残余部601和晶片600从切片基座50剥离。被剥离的切削残余部601和晶片600落下到托盘40中而被回收。
[0008]在先技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1:日本特开平9-326374号公报
[0011]但是，在上述以往的晶片剥离方法中，例如，如图9 (b)所示，在从切片基座50剥离的切削残余部601和晶片600落下到托盘40时，切削残余部601和晶片600接触(参照符号X)，可能会使晶片600产生裂纹(参照符号Y)或产生缺口。这是由于，切削残余部601与晶片600相比相当厚且强度也较高。即，在以往的晶片剥离方法中，存在切削残余部601与晶片600接触而产生晶片600的裂纹、缺口等的品质异常、使晶片600的生产成品率降低这样的问题。


【发明内容】

[0012]因此，本发明是为了解决上述课题而做成的，其目的在于抑制晶片的裂纹、缺口的品质异常的广生、进而提闻晶片的生广成品率。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]本发明的切削残余部除去装置从利用粘接剂粘接有晶片列和切削残余部的切片基座除去所述切削残余部，所述晶片列通过对铸锭进行切片而形成，所述切削残余部配备于所述铸锭的端部，所述切削残余部除去装置的特征在于，具备:槽，其储存液体；保持构件，其保持所述切片基座；保持臂，其保持所述切削残余部且使所述切屑残余部移动；第一喷嘴，其向所述晶片列中的位于与所述切削残余部相邻位置的晶片的、与所述切削残余部对置的面喷射流体；旋转机构，其保持所述切削残余部，使所述切削残余部以所述切削残余部与所述切片基座的粘接部位为轴向从所述晶片列离开的方向旋转；移动机构，其使所述切削残余部向从所述切片基座离开的方向移动。
[0015]发明效果
[0016]根据本发明，第一喷嘴喷射流体而在切削残余部与晶片列之间设置间隙，利用保持臂使切削残余部移动，从而能将切削残余部从切片基座除去。由此，在取出晶片时，能抑制晶片与切削残余部接触而广生的晶片的裂纹、缺口等的品质异常，进而能提闻晶片的生产成品率。

【专利附图】

【附图说明】
[0017]图1的(a)是本发明的实施方式I涉及的切削残余部除去装置的主视图，(b)是从正下方观察该切削残余部除去装置A-A面的剖视图。
[0018]图2表示该切削残余部除去装置的各工序，(a)是表示保持工序的图，(b)是表示喷射工序的图，(C)是表不旋转工序的图，(d)是表不移动工序的图。
[0019]图3的(a)是本发明的实施方式2涉及的切削残余部除去装置的主视图，(b)是从正下方观察该切削残余部除去装置A-A面的剖视图。
[0020]图4表示该切削残余部除去装置的各工序，(a)是表示保持工序的图，(b)是表示喷射工序的图，(C)是表不旋转工序的图，(d)是表不移动工序的图。
[0021]图5的(a)是本发明的实施方式3涉及的切削残余部除去装置的主视图，(b)是从正下方观察该切削残余部除去装置A-A面的剖视图。
[0022]图6表示该切削残余部除去装置的各工序，(a)是表示保持工序的图，(b)是表示喷射工序的图，(C)是表不旋转工序的图，(d)是表不移动工序的图。
[0023]图7是表不粘接于切片基座的晶片列及切削残余部的立体图。
[0024]图8表不一般的晶片制造方法的各工序，(a)是表不粘接工序的图，(b)是表不切片工序的图，(C)是表示清洗工序的图。
[0025]图9的(a)是表示以往的晶片剥离装置的概要的图，(b)是表示在该晶片剥离装置中晶片产生了品质异常的状态的图。
[0026]符号说明
[0027]10槽
[0028]20保持构件
[0029]30第一喷嘴
[0030]50切片基座
[0031]60晶片列
[0032]63粘接剂
[0033]65铸锭
[0034]70第二喷嘴
[0035]80蒸汽喷嘴
[0036]600晶片
[0037]601切削残余部
[0038]602切削面
[0039]710保持臂
[0040]711吸附垫

【具体实施方式】
[0041 ] 以下，参照【专利附图】

【附图说明】本发明的实施方式。
[0042](实施方式I)
[0043]晶片是通过对铸锭进行切片而形成的，在被切片而成的铸锭的端部形成有切削残余部。晶片及切削残余部例如经由图8的(a)所示的粘接工序和图8的(b)所示的切片工序而形成。
[0044]从铸锭切片而成的晶片600及切削残余部601各自的一个侧面通过粘接剂63与切片基座50粘接在一起，晶片600分别平行地排列而形成晶片列60。另外，切削残余部601形成于铸锭65的端部，晶片列60被两个切削残余部601夹着。
[0045]本发明的特征在于在剥离晶片时预先除去切削残余部。图1表示本实施方式涉及的切削残余部除去装置。如图1的(a) (b)所示，切削残余部除去装置701具备储存水的槽10、保持切片基座50的保持构件20、喷射水的第一喷嘴30和保持切削残余部601的保持臂710。
[0046]切削残余部601及晶片列60粘接于被保持构件20保持的切片基座50，晶片列60的各晶片600各自的至少一部分浸溃于槽10的水中。通过将各晶片600浸溃于槽10的水中，能防止晶片600干燥而污垢固着，而且，槽10的水能缓冲晶片600彼此的冲撞，从而抑制对晶片600造成损伤。
[0047]第一喷嘴30向与切削残余部601相邻的晶片600的、与切削残余部601对置的面喷射水，而使粘接于切片基座50的切削残余部601与晶片列60之间产生间隙。
[0048]S卩，切削残余部601由于相对于晶片600具有足够的厚度，因此，与切片基座50粘接的粘接面积较大，由此，粘接部位的刚性较高，从而，不易以与切片基座50粘接的粘接部位为轴进行旋转。另一方面，晶片600的粘接面积较小，因此，粘接部位的刚性较低，从而，能利用喷流的水使晶片600以与切片基座50粘接的粘接部位为轴进行旋转。
[0049]因此，通过对与切削残余部601相邻的晶片600的、与切削残余部601对置的面施加水的喷流，该喷流进入切削残余部601与晶片列60之间而使与切削残余部601相邻的晶片600向与切削残余部601分开的方向旋转，从而能在切削残余部601与晶片列60之间产生间隙。
[0050]保持臂710具有吸附垫711，吸附垫711对粘接于切片基座50的切削残余部601的与切削面602相反的面进行吸附保持。另外，保持臂710具有力点部712及支点轴750。力点部712及支点轴750作为保持臂710所配备的旋转机构及移动机构发挥作用。支点轴750位于切片基座50与切削残余部601的粘接部位的延长线上，通过对力点部712施加晶片列60的排列方向上的力，从而保持臂710能使切削残余部601以切片基座50与切削残余部601的粘接部位为轴进行旋转。而且，保持臂710利用其移动机构的功能，能在利用吸附垫711吸附保持切削残余部601的状态下使切削残余部601平行移动。
[0051]接着，参照图2的(a)?图2的(d)说明本实施方式涉及的切削残余部除去方法。需要说明的是，在图2的(a)?(d)中，仅图示切削残余部601的一方，但相反面也同样。
[0052]首先，在图2的(a)所示的保持工序中，在切片基座50被保持构件20保持的状态下，保持臂710的吸附垫711吸附切削残余部601的与切削面602相反的面，从而保持臂710对切削残余部601进行保持。
[0053]接着，在图2的(b)所示的喷射工序中，第一喷嘴30向箭头31的方向喷射水，对与切削残余部601相邻的晶片600的、与切削残余部601对置的面喷出水的喷流。在该喷流作用下，与切削残余部601相邻的晶片600以与切片基座50粘接的粘接部位为轴向从切削残余部601离开的方向(箭头610的方向)旋转，在切削残余部601与晶片列60之间产生间隙。以后，一直到图2的(d)所示的移动工序完毕，第一喷嘴30持续进行水的喷流，从而维持切削残余部601与晶片列60之间的间隙。
[0054]接着，在图2的(C)所示的旋转工序中，对保持臂710的力点部712沿箭头740的方向施加力。于是，保持臂710以支点轴750为旋转轴向箭头760的方向旋转。即，被保持臂710保持的切削残余部601以切削残余部601与切片基座50的粘接部位为轴向从晶片列60离开的方向(箭头760的方向)旋转。由此，能使切削残余部601与晶片列60之间的间隙进一步扩宽，且能将切削残余部601的至少一部分从切片基座50剥离。
[0055]接着，在图2的(d)所示的移动工序中，保持臂710维持使切削残余部601旋转的状态且使切削残余部601向沿着切削残余部601的切削面602且从切片基座50离开的方向(箭头770的方向)平行移动。由此，切削残余部601从切片基座50完全地分离，从而能仅将切削残余部601从切片基座50除去。
[0056]然后，使用片状装置(分离器)从切片基座50—片一片地取出晶片600，进行清洗、干燥、检查而成为制品。
[0057]根据实施方式1，在第一喷嘴30喷射水而在切削残余部601与晶片列60之间设置间隙的期间，保持臂710使切削残余部601旋转，从而使切削残余部601与晶片列60之间的间隙扩宽且将切片基座50与切削残余部601剥离，使切削残余部601向沿着切削残余部601的切削面602的方向移动，从而能仅将切削残余部601从切片基座50除去。由此，在取出晶片600时，能抑制晶片600与切削残余部601接触而引起的晶片600的裂纹、缺口等的品质异常。
[0058]假设想要在晶片600与切削残余部601相接近的状态下使切削残余部601移动时，与切削残余部601接近的晶片600追随切削残余部601的移动而从切片基座50落下，
可能产生品质异常。
[0059]但是，在本实施方式中，利用第一喷嘴30进行的水的喷射和保持臂710的旋转来在切削残余部601与晶片列60之间充分地设置间隙，因此，在切削残余部601移动时，能防止晶片600追随切削残余部601的移动而从切片基座50落下，能抑制品质异常。
[0060]另外，在不使切削残余部601旋转而拉伸除去的情况下，与使其旋转而剥离的情况相比较，需要更大的力。对粘接剂63施加这样的大的力时，在拉伸粘接剂63时，晶片600与切片基座50的粘接部位也被剥离，晶片600从切片基座50落下，可能产生晶片600的品质异常。
[0061]但是，在本实施方式中，由于使切削残余部601以与切片基座50粘接的粘接部位为轴进行旋转而进行剥离，因此，与拉伸切削残余部601而将其从切片基座50除去的情况相比，能以较少的力可靠地除去切削残余部601。因此，能维持晶片600与切片基座50的粘接，且能仅除去切削残余部601，能抑制晶片600的品质异常。
[0062]另外，在切削残余部601旋转后，只要是从切片基座50离开的方向，可以向任一方向移动，但在使切削残余部601移动时，在使切削残余部601移动的方向上产生水流，在该水流较大的情况下，由于水流，晶片600可能从切片基座50落下，可能产生晶片600的品质异常。
[0063]但是，在本实施方式中，由于使切削残余部601向沿着切削面602的方向移动，因此，能将使切削残余部601移动而产生的水流抑制为最小限度，从而能防止因这样的水流而使晶片600从切片基座50落下，能抑制品质异常的产生。
[0064]根据以上，通过防止晶片600从切片基座50落下且仅将切削残余部601从切片基座50除去，能抑制晶片600与切削残余部601接触而产生的裂纹、缺口等的品质异常，进而能提闻晶片600的生广成品率。
[0065]晶片600例如是作为太阳能电池、半导体的基板使用的硅晶片等。晶片600例如是厚度200 μ m左右、一边的长度为156_见方的切片状。切削残余部601为与晶片600相同的材料，一边的长度也相同，但厚度相对于晶片600而言足够厚,例如为1.5?3.0_。
[0066]切片基座50是在为了对铸锭65进行切片而获得晶片列60时用于固定铸锭65的板状的构件。切片基座50的材料没有特别限定，可以是碳材料等导电性材料，可以是玻璃等绝缘无机材料，也可以是环氧树脂等有机材料。另外，在本实施方式中，作为将铸锭65粘贴于切片基座50的粘接剂63，使用了环氧粘接剂，但不限定于此。
[0067]另外，为了使第一喷嘴30对与切削残余部601相邻的晶片600的、与切削残余部601对置的面施加水的喷流，并使该喷流进入切削残余部601与晶片列60之间，优选第一喷嘴30相对于晶片列60的排列方向倾斜地保持。图1的(b)所示的第一喷嘴的倾斜角度720优选为30°以上60°以下，例如为45°。另外，来自第一喷嘴30的水的喷出量为例如
1.4?1.6L/min为好，以避免由于来自第一喷嘴30的水的喷流而使晶片600彼此冲撞，而导致晶片600从切片基座50落下。
[0068]需要说明的是，在本实施方式中，说明了保持臂710的吸附垫711对切削残余部601进行吸附而使保持臂710保持切削残余部601的情况，但不限于此，保持臂710也可以利用吸附以外的方法保持切削残余部601。
[0069](实施方式2)
[0070]在实施方式I中，说明了具备槽10、保持构件20、第一喷嘴30和保持臂710的切削残余部除去装置701，在实施方式2中，对于在实施方式I的结构的基础上还具备喷射水的第二喷嘴70的切削残余部除去装置702进行说明。
[0071]如图3的(a)、(b)所示，本实施方式涉及的切削残余部除去装置702在保持臂710上具有第二喷嘴70，第二喷嘴70构成为与保持臂710成为一体而进行动作。
[0072]另外，本实施方式涉及的切削残余部除去方法与实施方式I同样地具有图4的(a)所示的保持工序、图4的(b)所示的喷射工序、图4的(c)所示的旋转工序、图4的(d)所示的移动工序，但在图4的(b)的喷射工序中，在第一喷嘴30喷射水的同时第二喷嘴70也喷射水这一点与实施方式I不同。
[0073]如图4的(C)所示，保持臂710使切削残余部601旋转时，在旋转的方向上产生水流(箭头760的方向)。而且，由于产生的水流，可能导致晶片600旋转而接近切削残余部601或晶片600较大旋转而导致晶片600从切片基座50落下，从而产生品质异常。
[0074]根据实施方式2，第二喷嘴70与保持臂710成为一体而进行动作，因此，第二喷嘴70产生喷流，该喷流的产生方向为使因切削残余部601的旋转而产生的水流缓和的方向(箭头71的方向)。具体而言，第二喷嘴70使具有与切削残余部601的旋转方向相反的方向的分量的方向上产生喷流。由此，能防止晶片600旋转，抑制晶片600的品质异常。
[0075]如前所述，第二喷嘴70用于缓和在切削残余部601旋转时产生的水流(箭头760的方向)，因此，应对与切削残余部601的切削面602垂直的方向施加水的喷流。但是，当与切削残余部601的切削面602垂直地赋予水的喷流时，水的喷流被切削残余部601遮挡，从而无法对与切削残余部601相邻的晶片600施加水的喷流。因此，通过将第二喷嘴70相对于晶片列60的排列方向稍微倾斜地保持，对与切削残余部601相邻的晶片600施加水的喷流，从而能有效地抑制由于切削残余部601旋转时产生的水流而使晶片600旋转，更优选。
[0076]因此，第二喷嘴70的倾斜角度730优选为小于第一喷嘴30的倾斜角度720的角度(优选晶片600的与切削残余部601对置的面和第二喷嘴70的喷射方向所成的角中的锐角大于晶片600的与切削残余部601对置的面和第一喷嘴30的喷射方向所成的角中的锐角)。倾斜角度730具体而言优选为25°以下5°以上，例如为20° (参照图3的(b))。另外，来自第二喷嘴70的水的喷出量与第一喷嘴30同样地为例如1.4?1.6L/min为好，以避免晶片600彼此冲撞而导致晶片600从切片基座50落下。
[0077]另外，切削残余部601与晶片600之间的距离越近，使切削残余部601旋转时产生的水流对晶片600的影响越强，因此，在图4的(c)所示的旋转工序开始时，期望从第二喷嘴70向晶片600喷射比较强的喷流。另一方面，随着进行旋转工序，由切削残余部601的旋转产生的水流的影响逐渐变小，因此，优选以追随切削残余部601的旋转的方式使向晶片600喷射的来自第二喷嘴70的喷流较弱。这是由于:过强的喷流会导致晶片600的品质异常。因此，在图4的(c)所示的旋转工序中，应利用第二喷嘴70抵消的水流的强度期望控制为在开始时最强、随着切削残余部601由于旋转而与晶片600之间的距离变宽而变弱。该控制通过使第二喷嘴70与切削残余部601的旋转同步地移动而能实现。而且，第二喷嘴70的同步移动通过将第二喷嘴70设于保持臂710能实现。
[0078]需要说明的是，在本实施方式中，说明了第二喷嘴70设于保持臂710的情况，但不限于此，只要第二喷嘴70与切削残余部601的旋转同步地移动，则也可以分开地设置。
[0079](实施方式3)
[0080]在实施方式I中，说明了具备槽10、保持构件20、第一喷嘴30和保持臂710的切削残余部除去装置701，但在实施方式3中，对于在实施方式I的结构的基础上还具备作为使粘接剂63软化的软化机构的蒸汽喷嘴80的切削残余部除去装置703进行说明。另外，本实施方式中的切削残余部除去装置703也可以还具备在实施方式2中说明的第二喷嘴70。
[0081]如图5的(a)、(b)所示，蒸汽喷嘴80位于切削残余部601的与切削面602相反侦牝构成为向粘接剂63的、切片基座50与切削残余部601的粘接部位喷射水蒸气而进行加热。
[0082]另外，本实施方式涉及的切削残余部除去方法与实施方式I同样地具有图6的(a)所示的保持工序、图6的(b)所示的喷射工序、图6的(c)所示的旋转工序、图6的(d)所示的移动工序，但在图6的(b)所示的喷射工序中，在第一喷嘴30喷射水的同时或之后、且在图6的(c)所示的旋转工序之前，蒸汽喷嘴80喷嘴水蒸气而对粘接剂63进行加热这一点与实施方式I不同。
[0083]另外，在将切削残余部601从切片基座50除去之后，如图6的(d)所示，迅速地使蒸汽喷嘴80的喷射停止。这是由于:对晶片600与切片基座50的粘接部位持续地施加水蒸气时，该粘接部位的粘接剂63软化而粘接力变弱，可能导致晶片600落下。关于除此以外的结构，与实施方式I相同，因此省略。
[0084]需要说明的是，在图5及图6中，图示了具备第二喷嘴70的切削残余部除去装置703，但也可以不具备第二喷嘴70。
[0085]在实施方式3中，作为粘接剂63使用了环氧粘接剂，因此，粘接剂63被加热至80°C?100°C左右而软化。由于切削残余部601与切片基座50的粘接部位的软化，该粘接部位的粘接力较弱，因此，在使切削残余部601旋转而将切削残余部601从切片基座50剥离时，能以比实施方式I小的力可靠地将切削残余部601从切片基座50剥离。
[0086]当以较大的力将切削残余部601从切片基座50除去时，可能发生该力传递至晶片600与切片基座50的粘接部位，导致晶片600从切片基座50剥离而落下，产生晶片600的品质异常。
[0087]但是，在本实施方式中，通过使切削残余部601与切片基座50的粘接部位软化，该部位的粘接力变弱，因此能以较少的力除去切削残余部601，能更可靠地防止晶片600从切片基座50落下，从而能抑制晶片600的品质异常。
[0088]需要说明的是，只要是使粘接剂63软化的机构，不限定于蒸汽喷嘴，但作为软化机构，像本实施方式这样采用蒸汽喷嘴特别优选。
[0089]例如，作为软化机构，代替蒸汽喷嘴80，也可以考虑采用喷射干燥了的高温气体的机构、喷射高温的液体例如热水的机构，但当喷射干燥了的高温气体时，可能发生晶片干燥而污垢固着于晶片的情况，另外，当喷射热水时，可能发生该热水与槽10的水混合而使槽10的水的温度上升，热经由晶片600传递至粘接剂63而使粘接剂63的切片基座50与晶片列60的粘接部位软化，导致晶片600落下的情况。
[0090]通过采用喷射水蒸气的蒸汽喷嘴80作为软化机构，能抑制晶片600的干燥，防止污垢固着于晶片600。
[0091]另外，通过以各晶片600的一部分浸溃于槽10的水中、粘接剂63与槽10的水非接触的方式利用保持构件20保持切片基座50，从而不会由于软化机构的作用而使槽10的内部的水的温度上升，因此，能防止晶片600落下。
[0092]另外，在本实施方式中，说明了作为粘接剂63而使用环氧粘接剂的情况，但不限于此。另外，软化机构不限于对粘接剂63进行加热的机构，例如也可以喷射与粘接剂的种类相应的溶剂等而使粘接剂软化。
[0093]需要说明的是，在实施方式I?3中，说明了槽10储存水，但储存于槽10中的液体只要是防止晶片600的干燥、缓冲晶片600彼此的冲撞的液体即可，不限定于水。另外，说明了第一喷嘴及第二喷嘴喷射水的情况，但第一喷嘴及第二喷嘴只要喷射流体即可，不限定于喷射水。例如，可以喷射不活性气体等气体，也可以喷射水以外的液体。
[0094]工业上的可利用性
[0095]本发明的切削残余部除去装置及切削残余部除去方法例如适合用于太阳能电池用基板等所用的晶片的制造等。
【权利要求】
1.一种切削残余部除去装置，其从利用粘接剂粘接有晶片列和切削残余部的切片基座除去所述切削残余部，所述晶片列通过对铸锭进行切片而形成，所述切削残余部配备于所述铸锭的端部， 所述切削残余部除去装置的特征在于，具备: 槽，其储存液体； 保持构件，其保持所述切片基座； 保持臂，其保持所述切削残余部且使所述切屑残余部移动； 第一喷嘴，其向所述晶片列中的位于与所述切削残余部相邻位置的晶片的、与所述切削残余部对置的面喷射流体； 旋转机构，其保持所述切削残余部，使所述切削残余部以所述切削残余部与所述切片基座的粘接部位为轴向从所述晶片列离开的方向旋转； 移动机构，其使所述切削残余部向从所述切片基座离开的方向移动。
2.根据权利要求1所述的切削残余部除去装置，其中， 所述移动机构使所述切削残余部向沿着所述切削残余部的切削面且从所述切片基座离开的方向移动。
3.根据权利要求2所述的切削残余部除去装置，其中， 该切削残余部除去装置还具备与所述切削残余部的旋转同步地进行移动的第二喷嘴。
4.根据权利要求3所述的切削残余部除去装置，其中， 与所述切削残余部对置的所述面和所述第二喷嘴的喷射方向所成的锐角大于与所述切削残余部对置的所述面和所述第一喷嘴的喷射方向所成的锐角。
5.根据权利要求4所述的切削残余部除去装置，其中， 所述保持构件以所述晶片列浸溃于所述槽的液体中、且所述粘接剂与所述槽的液体非接触的方式保持所述切片基座。
6.根据权利要求5所述的切削残余部除去装置，其中， 该切削残余部除去装置还具备使所述切削残余部与所述切片基座之间的所述粘接剂软化的软化机构。
7.根据权利要求6所述的切削残余部除去装置，其中， 所述第一喷嘴在所述旋转机构使所述切削残余部旋转的期间喷射流体。
8.根据权利要求1?7中任一项所述的切削残余部除去装置，其中， 所述移动机构在所述旋转机构使所述切削残余部进行的旋转完毕之后使所述切削残余部移动。
【文档编号】H01L21/301GK104183476SQ201410065865
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年2月26日 优先权日:2013年5月28日
【发明者】中村浩二郎, 吉野道朗, 古重彻 申请人:松下电器产业株式会社