Qd-led像素显示器件、制作方法及显示面板的制作方法

文档序号:7042901阅读:558来源:国知局
Qd-led像素显示器件、制作方法及显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明涉及半导体【技术领域】,尤其涉及一种QD-LED像素显示器件、制作方法及显示面板。本发明具有如下优点或者有益效果:本发明将无机量子点材料应用到OLED中作为发光层形成一种新型的QD-LED像素显示器件,并将其应用于显示面板中,其发光波长覆盖波长范围广,可以制备出可见光区域任何颜色的器件,可以提高显示屏幕的NTSC,稳定性优于有机EL器件,且机械强度增加;此外,采用无机材料作为电子传输层,使得本发明QD-LED像素显示器件的封装标准远低于OLED,大幅缩减封装成本和工序,且色纯度高。
【专利说明】QD-LED像素显示器件、制作方法及显示面板
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体【技术领域】,尤其涉及一种QD-LED像素显示器件、制作方法及显示面板。
【背景技术】
[0002]近年来,量子点(Quantum Dot, QD) LED技术得到广泛发展,量子点是一种尺寸在2~20nm半导体纳米晶体材料,是由CdSe (S/Te)、ZnSe (S)等元素组成。在传统的半导体中,电子和空穴可用波函数来描述,在量子点限制系统中,波函数被限制在一个很小的区域中,导致载流子能量升高。当限制程度提高时,这个能量会增加,对量子点来说,限制程度由量子点的粒径决定,当量子点尺寸减小时,电子与空穴波函数增加,也就是说电子与空穴辐射复合所产生的能量将随着量子点尺寸的减小而增加。
[0003]现在LTPS技术成为制备高画质显示器的前提条件,很多机构都在开发OLED显示屏,通常使用的OLED发光层材料为有机发光材料,且OLED器件层次结构多为有机材料,其发光波长覆盖波长范围较窄,色域(NTSC)较小,稳定性和色纯度均不高,此外,封装成本较高、工序较复杂。
[0004]中国专利(
【发明者】翟保才 申请人:上海和辉光电有限公司
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