陶瓷电子部件及玻璃糊剂的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种耐湿性优异的陶瓷电子部件。陶瓷电子部件(1)具备：陶瓷基体(10)、玻璃涂层(15)和端子电极(13)、(14)。内部电极(11)、(12)的端部(11a)、(12a)在表面露出。玻璃涂层(15)覆盖在陶瓷基体(10)的内部电极(11、12)所露出的部分之上。端子电极(13)、(14)设置在玻璃涂层(15)的正上方，并且由镀膜构成。玻璃涂层(15)包含玻璃介质(15)和金属粉(15a)。金属粉(15a)分散在玻璃介质(15b)中。金属粉(15a)形成导通路径。导通路径将内部电极(11)、(12)和端子电极(13)、(14)电连接。金属粉(15a)包含第1金属粉(15a1)和第2金属粉(15a2)。第1金属粉(15a1)为扁平粉。第2金属粉(15a2)为球形粉。
【专利说明】陶瓷电子部件及玻璃糊剂
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及陶瓷电子部件及玻璃糊剂。
【背景技术】
[0002]在现有技术中，在便携式电话机、便携式音乐播放器等电子设备中使用了以陶瓷电容器为代表的陶瓷电子部件。陶瓷电子部件一般具备:内部电极的端部在表面露出的陶瓷基体、和以覆盖陶瓷基体的内部电极所露出的部分的方式而配置的外部电极。外部电极例如有，如专利文献I那样对涂布导电性糊剂并烧结后的烧结金属膜实施镀敷后的外部电极、如专利文献2所记载的那样仅由镀膜形成的外部电极等。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2002 - 203737号公报
[0006]专利文献2:日本特开2004 - 327983号公报
【发明内容】
[0007]发明要解决的问题
[0008]然而，由于形成烧结金属膜之际所用的导电性糊剂的粘度高，因此烧结金属膜的厚度变厚。例如，在专利文献I中记载了 --第I以及第2电极层(烧结金属膜)的厚度约为50 μ m ~90 μ m0
[0009]另外，在由烧结金属膜形成外部电极的情况下，将导电性糊剂烧结时的烧结温度高。因此，陶瓷基体所包含的陶瓷成分和导电性糊剂中的玻璃成分相互扩散，有时会在陶瓷基体与烧结金属膜的界面处形成反应层。因此存在如下问题:镀液从形成有该反应层的部分浸入，陶瓷基体的机械强度下降这一问题；耐湿可靠性劣化这一问题。进而，如果烧结温度高，则在烧结金属膜的表面会析出玻璃成分从而产生玻璃浮起，因此还存在难以在烧结金属膜的表面形成镀膜这一问题。
[0010]因此，如专利文献2那样提出了仅由镀膜形成外部电极的方法。在仅由镀膜形成外部电极的情况下，与例如设置有通过导电性糊剂的烧结而形成的外部电极的情况相比，能够将外部电极厚度形成得较薄。
[0011]另外，由于在镀液中未包含玻璃成分，因此在陶瓷基体与镀膜的界面处不会形成反应层。由此，不易产生因形成反应层所导致的机械强度的下降、耐湿可靠性的劣化这样的问题。进而，也不会产生玻璃浮起的问题，不会产生难以形成镀膜这一问题。
[0012]但是，在通过镀敷形成外部电极的情况下，由于需要将陶瓷基体直接浸溃到镀液中，因此存在镀液从内部电极的露出部向陶瓷基体内浸入这一问题。其结果，有时耐湿性会下降。
[0013]另外，在仅由镀膜形成外部电极的情况下，由于镀膜和陶瓷基体未以化学的方式结合、只进行了物理上的结合，因此存在镀膜和陶瓷基体的密合性下降这一问题。其结果，在使用陶瓷电子部件时，水分等易于从镀膜与陶瓷基体之间进入，有时耐湿性会下降。
[0014]本发明主要目的在于提供一种在保持外部电极的厚度较薄的同时耐湿性优异的陶瓷电子部件。
[0015]用于解决问题的方法
[0016]本发明所涉及的陶瓷电子部件具备:陶瓷基体、玻璃涂层和端子电极。在陶瓷基体中，内部电极的端部在表面露出。玻璃涂层覆盖在陶瓷基体的内部电极所露出的部分之上。端子电极被设置于玻璃涂层的正上方。端子电极由镀膜构成。玻璃涂层包含玻璃介质和金属粉。金属粉形成了使内部电极和端子电极进行电连接的导通路径。金属粉分散在玻璃介质中。金属粉包含作为扁平粉的第I金属粉和作为球形粉的第2金属粉。
[0017]在本发明所涉及的陶瓷电子部件的另一大的方面，其具备:内部电极的端部在表面露出的陶瓷基体、覆盖在上述陶瓷基体的上述内部电极所露出的部分之上的玻璃涂层、和设置于上述玻璃涂层的正上方且由镀膜构成的端子电极，上述玻璃涂层包含玻璃介质和分散在上述玻璃介质中的金属粉，上述金属粉形成了使上述内部电极和所述端子电极进行电连接的导通路径，上述金属粉包含:在沿着上述玻璃涂层的厚度方向形成的剖面中呈细长形状的第I金属粉；和在沿着上述玻璃涂层的厚度方向形成的剖面中、长径和短径之比(长径/短径)的平均值小于上述第I金属粉的第2金属粉。
[0018]在本发明所涉及的陶瓷电子部件的某特定方面，沿着玻璃涂层的厚度方向形成的剖面中，第I金属粉的长宽比为3.6以上。
[0019]在本发明所涉及的陶瓷电子部件的其他特定方面，金属粉中的第2金属粉的比例为5体积％?50体积％。
[0020]在本发明所涉及的陶瓷电子部件的进一步其他特定方面，金属粉中的第2金属粉的比例为8体积％?35体积％。
[0021]在本发明所涉及的陶瓷电子部件的进一步另一特定方面，导通路径中的至少一个是通过沿着玻璃涂层的厚度方向配置的多个金属粉相互接触而形成的。
[0022]在本发明所涉及的陶瓷电子部件的另外其他特定方面，金属粉不包含在内部电极中作为主成分而包含的金属作为主成分。
[0023]在本发明所涉及的陶瓷电子部件的另外另一特定方面，金属粉中的至少核部由Cu构成。
[0024]在本发明所涉及的陶瓷电子部件的进一步另外其他特定方面，玻璃涂层的厚度为I μ m ?10 μ m0
[0025]在本发明所涉及的陶瓷电子部件的进一步另外另一特定方面，导通路径分别具有多个相对较细的部分和相对较粗的部分。
[0026]在本发明所涉及的陶瓷电子部件的另外其他特定方面，镀膜的与玻璃涂层相接的部分由Cu镀膜或者Ni镀膜构成。
[0027]本发明所涉及的玻璃糊剂是用于形成玻璃涂层的玻璃糊剂，该玻璃涂层覆盖具有陶瓷基体和端子电极的陶瓷电子部件的、设置了端子电极的区域。玻璃糊剂包含玻璃和金属粉。金属粉包含第I金属粉和第2金属粉。第I金属粉是扁平粉。第2金属粉是球形粉。
[0028]在本发明所涉及的玻璃糊剂的另一大的方面，其是用于形成玻璃涂层的玻璃糊齐U，该玻璃涂层覆盖具有陶瓷基体和端子电极的陶瓷电子部件的、设置了端子电极的区域，并且该玻璃糊剂包含玻璃和金属粉，上述金属粉包含:在沿着形成上述玻璃涂层时的厚度方向形成的剖面中呈细长形状的第I金属粉；和在沿着形成上述玻璃涂层时的厚度方向形成的剖面中、长径和短径之比(长径/短径)的平均值小于上述第I金属粉的第2金属粉。
[0029]发明效果
[0030]根据本发明，能够提供在保持端子电极的厚度较薄的同时耐湿性优异的陶瓷电子部件。
【专利附图】
【附图说明】
[0031]图1是第I实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性立体图。
[0032]图2是第I实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性侧视图。
[0033]图3是图1的线II1-1II的示意性剖视图。
[0034]图4是将由图3的线IV包围的部分放大后的示意性剖视图。
[0035]图5是在第I实施方式中制作出的陶瓷电子部件的玻璃涂层与第I端子电极的示意性剖视图。
[0036]图6是烧成导电性糊剂层而成的烧结金属膜的剖面照片。
[0037]图7是图3的线VIII — VIII的示意性剖视图。
[0038]图8是用于说明测定本发明中的金属粉的长宽比的方法的示意图。
[0039]图9是图8的线IX -1X的示意性剖视图。
[0040]图10是形成有导电图案的陶瓷生片的示意性俯视图。
[0041]图11是第2实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性立体图。
[0042]图12是母层叠体的示意性俯视图。
[0043]图13是第3实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性剖视图。
[0044]图14是第4实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性立体图。
【具体实施方式】
[0045]以下，针对实施了本发明的优选方式的一例进行说明。其中，下述的实施方式只是简单的例示。本发明并不受下述实施方式的任何限定。
[0046]另外，在实施方式等中，所参照的各附图中，实质上具有同一功能的构件利用同一符号进行参照。另外，实施方式等中所参照的附图只是示意性记载，在附图中被绘制的物体的尺寸比率等有时不同于现实物体的尺寸比率等。即便在各附图之间，有时物体的尺寸比率等也不同。具体物体的尺寸比率等应该参考以下的说明来进行判断。
[0047](第I实施方式)
[0048]图1是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性立体图。图2是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的示意性侧视图。图3是图1的线III 一 III的示意性剖视图。图4是将由图3的线IV包围的部分放大后的示意性剖视图。图5是在本实施方式中制作出的陶瓷电子部件的玻璃涂层与第I端子电极的示意性剖视图。图7是图3的线VII1- VIII的示意性剖视图。
[0049]首先，参照图1?图7，对陶瓷电子部件I的构成进行说明。
[0050]如图1?图3以及图7所示，陶瓷电子部件I具备陶瓷基体10。陶瓷基体10包含与陶瓷电子部件I的功能相应的适当的陶瓷材料。具体而言，在陶瓷电子部件I为电容器的情况下，能够由电介质陶瓷材料形成陶瓷基体10。作为电介质陶瓷材料的具体例,例如可以举出BaTi03、CaT13> SrT13> CaZrO3等。需要说明的是，在陶瓷基体10包含电介质陶瓷材料的情况下，也可以在陶瓷基体10中根据所期望的陶瓷电子部件I的特性，以上述陶瓷材料作为主成分，并适当地添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类化合物等副成分。
[0051]陶瓷基体10的形状没有特别限定。在本实施方式中，陶瓷基体10被形成为长方体状。如图1~图3所示，陶瓷基体10具有沿着长度方向L以及宽度方向W延伸的第I以及第2主面10a、10b。如图1、图2以及图7所示，陶瓷基体10具有沿着厚度方向T以及长度方向L延伸的第I以及第2侧面10c、10d。另外，如图2、图3以及图7所示，陶瓷基体10具备沿着厚度方向T以及宽度方向W延伸的第I以及第2端面10e、10f。
[0052]需要说明的是，在本说明书中，“长方体状”包含角部、棱线部被圆滑化后的长方体。即，“长方体状”的构件意味着具有第I以及第2主面、第I以及第2侧面、和第I以及第2端面的构件整体。另外，也可在主面、侧面、端面的一部分或者全部具有凹凸等。
[0053]陶瓷基体10的尺寸没有特别限定，但是陶瓷基体10在将陶瓷基体10的厚度尺寸设为Dt、长度尺寸设为队、宽度尺寸设为Dw时，也可以是满足Dt < Dw < DL,(l/5)Dff≤Dt≤(1/2)DW，或者Dt < 0.3mm这样的薄型的陶瓷基体。具体而言，可以为0.05mm ^ Dt < 0.3mm、
0.4mm ^ Dl ^ 1mm、0.3mm < Dw < 0.5mm。
[0054]如图3以及图7所示，在陶瓷基体10的内部，大致矩形状的多个第I以及第2内部电极11、12沿着厚度方向T等间隔地交替配置。第I以及第2内部电极11、12的端部11a、12a在陶瓷基体10的表面露出。具体而言，第I内部电极11的一侧的端部Ila在陶瓷基体10的第I端面1e露出。第2内部电极12的一侧的端部12a在陶瓷基体10的第2端面1f露出。
[0055]第I以及第2内部电极11、12分别与第I以及第2主面10a、10b大致平行。第I以及第2内部电极11、12在厚度方向T上，隔着陶瓷层1g而相互对置。
[0056]需要说明的是，陶瓷层1g的厚度没有特别限定。陶瓷层1g的厚度例如能够设为0.5μπι~ΙΟμπι。第I以及第2内部电极11、12各自的厚度也没有特别限定。第I以及第2内部电极11、12各自的厚度例如能够设为0.2μπι~2μπι。
[0057]第I以及第2内部电极11、12能够由适当的导电材料构成。第I以及第2内部电极11、12例如能够由N1、Cu、Ag、Pd、Au等金属、或者由包含这些金属中的一种的例如Ag —Pd合金等合金构成。
[0058]如图4所示，在陶瓷基体10的表面之上设置有玻璃涂层15。玻璃涂层15覆盖在陶瓷基体10的第I以及第2内部电极11、12所露出的部分之上。具体而言，玻璃涂层15被设置于陶瓷基体10的第I以及第2端面10e、10f之上、第I以及第2主面1a以及1b在长度方向L上的两端部分之上、和第I以及第2侧面10c、10d在长度方向L上的两端部分之上。
[0059]如图5以及图6所示，在玻璃涂层15中，玻璃介质15b和金属粉15a被粘合。换句话说，玻璃涂层15是玻璃介质15b和金属粉15a进行粘合而一体化的复合膜。玻璃涂层15中的玻璃介质15b，是形成玻璃介质15b的玻璃粉在软化点以上被热处理而熔融之后，进行凝固而一体化的介质。由此，玻璃介质15b以填埋金属粉15a之间的间隙的方式存在。同样地，形成玻璃介质15b的玻璃粉进行凝固而一体化的结果是，玻璃介质15b密封了陶瓷基体10的表面。由此，陶瓷基体10和玻璃涂层15在密合的状态下被粘合。另外，陶瓷基体10的表面的玻璃介质15b致密，耐湿性提高。
[0060]玻璃涂层15中的玻璃介质15b的比例优选为35体积％?75体积％，更优选为40体积％?50体积％。在玻璃涂层15中的玻璃介质15b的比例低于35体积％的情况下，有时玻璃涂层15的存在所产生的陶瓷电子部件I的耐湿性的提高效果会变小。另外，在玻璃涂层15中的玻璃介质15b的比例超过75体积％的情况下，有时难以在玻璃涂层15的正上方形成第I以及第2端子电极13、14。构成玻璃介质15b的玻璃，例如优选包含:选自B2O3以及S12中的I种以上的网眼形成氧化物；和选自A1203、ZnO、CuO, Li2O, Na2O, K2O, MgO,CaO, BaO, ZrO2以及T12中的I种以上的网眼修饰氧化物。
[0061]构成玻璃介质15b的玻璃,优选包含与玻璃涂层15的金属粉15a相同的金属的氧化物作为网眼修饰氧化物。由此，玻璃涂层15中的玻璃粉容易被玻璃涂层15中的金属粉15a润湿。
[0062]构成玻璃介质15b的玻璃中，优选包含S12最多。S12占玻璃整体的比例优选为35mol% 以上。
[0063]在玻璃涂层15中，金属粉15a被分散于玻璃介质15b中。金属粉15a包含第I金属粉15al和第2金属粉15a2。金属粉15a优选由第I金属粉15al和第2金属粉15a2构成。
[0064]第I金属粉15al为扁平粉。第I金属粉15al，在沿着玻璃涂层15的厚度方向T的剖面中为细长形状。需要说明的是，本说明书中所谓的“细长形状”是具有长径和短径的形状。第I金属粉15al，优选在沿着玻璃涂层15的厚度方向T的剖面中为扁平状、鳞片状、棒状和针状中的至少一种。
[0065]在沿着玻璃涂层15的厚度方向T的剖面中，第I金属粉15al的长宽比优选为3.6以上。需要说明的是，在本说明书中，长宽比是指金属粉15a的长径和短径之比。
[0066]需要说明的是，本发明中所谓的“金属粉的长宽比”是如下进行测定所得的值。首先，从陶瓷电子部件I的棱线部、朝向将图8所示的第I端子电极13的第3部分13c表面的对角连结的线IX — IX进行研磨，如图9所示那样使玻璃涂层15的剖面露出。然后，如图9所示，将该剖面沿着线IX -1X的方向进行4等分，在其边界的3个部位以倍率5000倍、加速电压15kV对玻璃涂层15进行SEM观察。然后，在各个部位的SEM观察中，针对视野为30 μ mX 30 μ m内包含的所有金属粉15a，在露出了各直径的剖面上进行测定，将其中的最大值选择为长径。然后，将沿着与选择出的金属粉15a的长径的轴相正交的轴的厚度的最大值选择为短径。所获得到的长径除以短径，从而算出金属粉15a的长宽比。同样地，如图9的箭头所示那样，在第2端子电极14的第3部分14c侧的玻璃涂层15中，也算出金属粉15a的长宽比。将在第I以及第2端子电极13、14侧的双方的玻璃涂层15中算出的合计6个金属粉15a的长宽比的平均值设为本发明中的金属粉15a的长宽比。需要说明的是，在SEM观察中，在多个金属粉15a在各自的长径的方向上相接触从而以I个一体式金属粉15a那样被观察情况下，将这种多个金属粉15a的一体化物整体的长径设为I个金属粉15a的长径。
[0067]第I金属粉15al的平均粒径优选为0.5μπι?ΙΟμπι。需要说明的是，在本发明中，金属粉15a的平均粒径是指，利用前述的方法来测定6个金属粉15a的各自的长径以及短径、将这6个金属粉15a的长径和短径全部进行合计所获得的值的平均值(用12去除而获得的值)。
[0068]第2金属粉15a2为球形粉。就第2金属粉15a2而言，在沿着玻璃涂层15的厚度方向T的剖面中，作为长宽比的长径和短径之比(长径/短径)的平均值小于上述第I金属粉15al。这时，第2金属粉15a2容易进入多个第I金属粉15a的间隙。其结果，可以更切实地使多个第I金属粉15al彼此电连接。也就是说，可以更切实地提高玻璃涂层15的电连接性。
[0069]第2金属粉15a2的长宽比优选小于3.6,更优选为1.5以下。这时，第2金属粉15a2容易进入多个第I金属粉15a的间隙。其结果，可以更切实地使多个第I金属粉15al彼此电连接。也就是说，可以更切实地提高玻璃涂层15的电连接性。
[0070]第2金属粉15a2的平均粒径优选为0.2μπι?1.7μπι。更优选为0.2μπι?L O μ m。
[0071 ] 金属粉15a中的第2金属粉15a2的比例优选为5体积％?50体积％,更优选为8体积％?35体积％。在第2金属粉15a2的比例过少的情况下，玻璃涂层15中的金属粉15a彼此之间的接触部分变少，有时玻璃涂层15的电连接性会下降。另外，在第2金属粉15a2的比例过多时，第I金属粉15al不易位于玻璃涂层15的表面，由构成后述的第I及第2端子电极13、14的镀膜所形成玻璃涂层15的覆盖率有时会变小。
[0072]玻璃涂层15中的金属粉15a的比例优选为25体积％?65体积％，更优选为50体积％?60体积％。金属粉15a例如由Cu、N1、Ag、Pd, Au等金属、或者包含这些金属中的至少一种的Ag - Pd合金等合金构成。金属粉15a优选不包含在第I以及第2内部电极11、12中作为主成分而包含的金属作为主成分。需要说明的是，在金属粉15a包含有作为第I以及第2内部电极11、12的主成分而包含的金属的情况下，该金属的比例优选为金属粉15a的整体的10体积％以下。另外，金属粉15a的核部优选由Cu构成。
[0073]玻璃涂层15不同于烧成导电性糊剂层而成的、由烧结金属以及玻璃构成的烧结金属膜。在玻璃涂层15中，穿过金属粉15a之间而形成了连续的玻璃介质15b,与之相对，在烧结金属膜中，形成有金属的基质。另外，在玻璃涂层15中，并非将金属粉15a全部一体式烧结，而是以玻璃介质15b将金属粉15a之间连结的方式存在，与之相对，如图6的照片所示那样，在烧结金属膜中，由于金属粉进行烧结，因此玻璃成分从烧结金属膜中、向烧结金属膜与陶瓷基体的界面被挤出，因而玻璃存在于烧结金属膜与陶瓷基体的界面处。另外，虽然在图6中无法确认，但是还存在如下情况:由于金属粉烧结，因此玻璃从烧结金属膜中向烧结金属膜的表面被挤出，从而有时玻璃也存在于烧结金属膜的表面。在烧成导电性糊剂层而成的烧结金属膜中，实质上所有的金属粉被烧结，并且实质上已经没有残留未烧结的金属粉。
[0074]金属粉15a形成了分别对第I以及第2内部电极11、12和第I以及第2端子电极13、14进行电连接的导通路径。导通路径中的至少一个是通过沿着玻璃涂层15的厚度方向T配置的多个金属粉15a相互接触而形成的。
[0075]在玻璃涂层15的厚度方向T的剖面上，构成导通路径的金属粉15a的表面也可以为非直线状。导通路径也可以分别具有多个相对较细的部分和相对较粗的部分。
[0076]形成导通路径的第I金属粉15al的长径优选为玻璃涂层15的厚度以上。形成导通路径的第I金属粉15al的长径更优选为玻璃涂层15的厚度的1.5倍以上。
[0077]玻璃涂层15的厚度优选为I μ m?10 μ m。在玻璃涂层15的厚度小于I μ m的情况下，因玻璃涂层15的存在所产生的陶瓷电子部件I的耐湿性的提高效果有时会变小。在玻璃涂层15的厚度超过10 μ m的情况下，玻璃涂层15中所包含的玻璃的绝对量变多。于是，构成第I以及第2内部电极11、12的成分易于向玻璃涂层15的熔融的玻璃中液相扩散。在这种情况下，第I以及第2内部电极11、12的前端变细，在第I以及第2内部电极11、12与陶瓷层1g之间产生间隙，从而有时陶瓷电子部件I的耐湿性会下降。
[0078]玻璃涂层15的厚度例如可以如下测定:沿着陶瓷电子部件I的第I侧面10c，朝向宽度方向W进行剖面研磨直至陶瓷电子部件I的中央部(1/2W)为止，利用光学显微镜观察位于所得剖面中的端子电极的端面中央部的玻璃涂层15的厚度。
[0079]需要说明的是，第I以及第2内部电极11、12的一部分也可以从陶瓷基体10的表面突出并侵入玻璃涂层15，但优选不贯穿玻璃涂层15。
[0080]第I端子电极13被设置于玻璃涂层15的正上方。第I端子电极13通过形成于玻璃涂层15的导通路径而与第I内部电极11电连接。第I端子电极13具备:在第I主面1a之上形成的第I部分13a、在第2主面1b之上形成的第2部分13b、在第I端面1e之上形成的第3部分13c、在第I侧面1c之上形成的第4部分13d、和在第2侧面1d之上形成的第5部分13e。
[0081]第2端子电极14被设置于玻璃涂层15的正上方。第2端子电极14通过被形成于玻璃涂层15的导通路径而与第2内部电极12电连接。第2端子电极14具备:在第I主面1a之上形成的第I部分14a、在第2主面1b之上形成的第2部分14b、在第2端面1f之上形成的第3部分14c、在第I侧面1c之上形成的第4部分14d、和在第2侧面1d之上形成的第5部分He。
[0082]第I以及第2端子电极13、14由镀膜构成。镀膜优选由选自Cu、N1、Sn、Pd、Au、Ag、Pt、Bi以及Zn中的至少一种金属、或者包含这些金属中的至少一种的合金构成。第I以及第2端子电极13、14分别可以仅由I层的镀膜构成，也可以由2层以上的镀膜构成。例如，可以为Ni — Sn的2层构造、或Cu — Ni — Sn的3层构造。需要说明的是，如图5所示，在本实施方式中，第I以及第2端子电极13、14通过由Cu构成的第I层13p、由Ni构成的第2层13q、以及由Sn构成的第3层13r而构成。
[0083]玻璃涂层15和第I端子电极13以及玻璃涂层15和第2端子电极14的合计厚度优选为15 μ m?25 μ m。
[0084]下面，对本实施方式的陶瓷电子部件I的制造方法的一例进行说明。
[0085]首先，准备包含用于构成陶瓷基体10的陶瓷材料的陶瓷生片20 (参照图10)。然后，如图10所示，通过在该陶瓷生片20之上涂布导电性糊剂，从而形成导电图案21。需要说明的是，导电性糊剂的涂布例如能够利用丝网印刷法等各种印刷法来进行。导电性糊剂除了导电性微粒之外，还可以包含公知的粘结剂、溶剂。
[0086]然后，使未形成有导电图案21的多片陶瓷生片20、形成有与第I或者第2内部电极11、12对应的形状的导电图案21的陶瓷生片20、以及未形成有导电图案21的多片陶瓷生片20按该顺序进行层叠，并在层叠方向上进行压制，由此制作母层叠体。
[0087]然后，在母层叠体之上沿着虚拟的切割线切割母层叠体，由此由母层叠体制作多个未加工的陶瓷层叠体。
[0088]需要说明的是，母层叠体的切割能够通过切块、冲切来进行。也可对未加工的陶瓷层叠体实施滚磨等使棱线部、角部圆滑化。
[0089]然后，进行未加工的陶瓷层叠体的烧成。在该烧成工序中，第I以及第2内部电极
11、12被烧成。烧成温度可以根据所使用的陶瓷材料、导电性糊剂的种类而适当设定。烧成温度，例如可以设为900°C?1300°C。
[0090]然后，通过浸溃等方法，在烧成后的陶瓷层叠体之上涂布玻璃糊剂。然后，通过对玻璃糊剂进行热处理，由此使玻璃熔融从而一体化，并通过使其冷却从而形成玻璃介质15b，通过与金属粉15a粘合从而形成玻璃涂层15。在玻璃涂层15的形成中所使用的玻璃糊剂包含玻璃、金属粉15a、粘合剂、溶剂等。在此，玻璃优选使用粒径小于金属粉15a的玻璃粉。热处理温度优选为玻璃粉软化的温度以上的温度、且为金属粉15a不会烧结的温度。热处理温度例如优选设为600°C?750°C。在热处理温度低于600°C的情况下，由于玻璃没有软化，因此有时与陶瓷基体10的粘接性会变低。在热处理温度超过750°C的情况下，陶瓷基体10与玻璃涂层15开始反应，存在有玻璃涂层15消失的可能性。另外，由于陶瓷基体10的陶瓷成分扩散到玻璃涂层15的玻璃中，因此在陶瓷基体10的表面附近形成反应层，有时陶瓷基体10的机械强度会下降。推测其原因在于，由于反应层容易被镀液溶解，因此在玻璃涂层15上形成镀膜时所产生化学侵蚀作用。
[0091]然后，在玻璃涂层15之上实施镀敷，由此形成第I以及第2端子电极13、14。通过以上操作，可以制造陶瓷电子部件I。
[0092]接着，在本实施方式中，实际制作陶瓷电子部件I的样品的例子如下所示。
[0093]陶瓷基体的尺寸(设计值):LXWXT=1.0mmX0.5mmX0.11mm
[0094]陶瓷材料=BaT13
[0095]陶瓷部的厚度(设计值):0.9 μ m
[0096]内部电极的材料:Ni
[0097]内部电极的厚度(设计值):0.6μπι
[0098]内部电极的合计片数:45
[0099]烧成条件:在1200°C下保持2小时
[0100]陶瓷电子部件的容量:0.47 μ F
[0101]陶瓷电子部件的额定电压:6.3V
[0102]玻璃涂层15的厚度(设计值):8 μ m
[0103]玻璃涂层15中所包含的第I和第2金属粉15al、15a2:Cu粉
[0104]玻璃涂层中的第I金属粉的长宽比:8
[0105]玻璃涂层中的第2金属粉的长宽比:1.5
[0106]第I金属粉(扁平粉)的平均粒径(原料值(仕込々値)):以D5tl值计为3.5μπι
[0107]第2金属粉(球形粉)的平均粒径(原料值):以D5tl值计为0.5 μ m
[0108]玻璃糊剂中的玻璃粉的主成分:硼娃酸玻璃
[0109]玻璃糊剂中的玻璃的软化点:600°C
[0110]玻璃粉的平均粒径:I μ m
[0111]玻璃涂层中的第I和第2金属粉的合计与玻璃之比:52.5体积％/47.5体积％ (由样品检测)
[0112]玻璃糊剂中的固体成分中的玻璃粉末的比例:57.5体积％/42.5体积％ (原料值)
[0113]热处理的条件:680°C
[0114]镀膜:在玻璃涂层15之上，形成Cu膜(厚度4 μ m)、Ni膜(厚度3 μ m)、Sn膜(厚度4 μ m)。
[0115](镀膜的覆盖率的测定)
[0116]分别各制作20个玻璃涂层15中的第I和第2金属粉15al、15a2的体积比例如下表1所述的陶瓷电子部件I的样品。测定在制造各样品时，将Cu镀膜的形成条件设定为电流值3A、90分钟情况下的玻璃涂层15上的Cu镀膜的覆盖率(％)。结果示于表1。
[0117]Cu镀膜的覆盖率(％)如下操作进行测定。在各样品的第I主面中的第I端子电极的中央部的SEM观察(2000倍、加速电压15kV)中，对反射电子像进行数字化处理，针对20个样品分别求出将视野50 μ mX 50 μ m设为100%时的Cu镀膜所占面积的比例(％)，并将其平均值作为覆盖率(％)。另外，第I和第2金属粉15al、15a2的长宽比是通过上述测量方法而求出的值。
[0118]另外，第I金属粉和第2金属粉的比例可以如下算出。首先，沿着长度方向L对样品的LT面进行剖面研磨，直至样品的中央(W尺寸的1/2)为止，使端子电极的剖面露出。接着，在倍率5000倍、加速电压15kV的条件下，对位于一侧端子电极的端面中央部的30 μ mX 30 μ m的视野中的玻璃涂层进行SEM观察。然后，在SEM观察中，将剖面的长宽比(长径/短径)的值(长宽比的计算方法如上述方法所述)大于3.5的金属粉定义为第I金属粉，计算第I金属粉和第2金属粉的数量比率。在5个样品中通过上述方法计算，表1表示其平均值。
[0119](O Ω放电中的Cap的测量)
[0120]使用LCR测试仪(安捷伦科技公司制)，对各样品的Cap的初期值进行测定。接着，反复进行施加20V的电压(5秒X 5次)和放电，然后再次测定Cap。将反复进行电压施加.放电后的Cap值比Cap的初期值下降5%以上的样品评价为NG。结果示于表1。
[0121][表1]
[0122]
【权利要求】
1.一种陶瓷电子部件，其具备: 内部电极的端部在表面露出的陶瓷基体、 覆盖在所述陶瓷基体的所述内部电极所露出的部分之上的玻璃涂层、和 设置于所述玻璃涂层的正上方且由镀膜构成的端子电极， 所述玻璃涂层包含玻璃介质和分散在所述玻璃介质中的金属粉，所述金属粉形成了使所述内部电极和所述端子电极进行电连接的导通路径， 所述金属粉包含作为扁平粉的第I金属粉和作为球形粉的第2金属粉。
2.一种陶瓷电子部件，其具备: 内部电极的端部在表面露出的陶瓷基体、 覆盖在所述陶瓷基体的所述内部电极所露出的部分之上的玻璃涂层、和 设置于所述玻璃涂层的正上方且由镀膜构成的端子电极， 所述玻璃涂层包含玻璃介质和分散在所述玻璃介质中的金属粉，所述金属粉形成了使所述内部电极和所述端子电极进行电连接的导通路径， 所述金属粉包含:在沿着所述玻璃涂层的厚度方向形成的剖面中呈细长形状的第I金属粉；和在沿着所述玻 璃涂层的厚度方向形成的剖面中、长径和短径之比即长径/短径的平均值小于所述第I金属粉的第2金属粉。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其中，沿着所述玻璃涂层的厚度方向形成的剖面中，所述第I金属粉的长宽比为3.6以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述金属粉中的所述第2金属粉的比例为5体积％~50体积％。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述金属粉中的所述第2金属粉的比例为8体积％~35体积％。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述导通路径中的至少一个是通过沿着所述玻璃涂层的厚度方向配置的多个所述金属粉相互接触而形成的。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述金属粉不包含在所述内部电极中作为主成分而包含的金属作为主成分。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述金属粉中的至少核部由Cu构成。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述玻璃涂层的厚度为I μ m ~10 μ m0
10.根据权利要求1~9中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述导通路径分别具有多个相对较细的部分和相对较粗的部分。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述镀膜的与所述玻璃涂层相接的部分由Cu镀膜或者Ni镀膜构成。
12.—种玻璃糊剂，其用于形成玻璃涂层，所述玻璃涂层覆盖具有陶瓷基体和端子电极的陶瓷电子部件的、设置了端子电极的区域， 所述玻璃糊剂包含玻璃和金属粉， 所述金属粉包含作为扁平粉的第I金属粉和作为球形粉的第2金属粉。
13.一种玻璃糊剂，其用于形成玻璃涂层，所述玻璃涂层覆盖具有陶瓷基体和端子电极的陶瓷电子部件的、设置了端子电极的区域， 所述玻璃糊剂包含玻璃和金属粉， 所述金属粉包含:在沿着形成所述玻璃涂层时的厚度方向形成的剖面中呈细长形状的第I金属粉；和在沿着形成所述玻璃涂层时的厚度方向形成的剖面中、长径和短径之比即长径/短径的平均值小 于所述第I金属粉的第2金属粉。
【文档编号】H01B1/16GK104078235SQ201410116438
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年3月26日 优先权日:2013年3月26日
【发明者】西坂康弘, 松野悟, 喜住哲也, 冈部洋子 申请人:株式会社村田制作所