AlGaN-GaN异质结欧姆接触制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种AlGaN-GaN异质结欧姆接触制作方法。主要解决现有技术接触电阻大、工艺复杂、成本高的问题。其制作过程为：1)在铝镓氮/镓氮异质结表面进行光刻，得到欧姆电极区上带有若干通孔的刻蚀掩膜，这些通孔露出的面积之和为欧姆电极面积的15％～45％；2)在掩膜通孔露出的铝镓氮材料上进行深度为5～15nm的刻蚀挖孔；3)在挖有孔的源、漏区铝镓氮/镓氮材料上淀积钛/铝/镍/金多层金属；4)对淀积电极金属进行800～870℃退火，形成源、漏欧姆接触电极。本发明具有工艺简单易控制、欧姆接触电阻低的优点，可用于制作高工作效率、高增益的铝镓氮/镓氮异质结高频大功率高电子器件。
【专利说明】AIGaN-GaN异质结欧姆接触制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于微电子【技术领域】，涉及半导体材料、器件制作，具体的说是一种半导体器件欧姆接触的工艺制作方法，可用于制作AlGaN/GaN异质结电子器件。
【背景技术】
[0002]近年来以SiC和GaN为代表的第三带宽禁带半导体以其大禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高饱和电子速度和异质结界面二维电子气浓度高等特性，使其受到广泛关注。在理论上，利用这些材料制作的高电子迁移率晶体管HEMT、发光二极管LED、激光二极管LD等器件比现有器件具有明显的优越特性，因此近些年来国内外研究者对其进行了广泛而深入的研究，并取得了令人瞩目的研究成果。
[0003]AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管HEMT在高温器件及大功率微波器件方面已显示出了得天独厚的优势，追求器件高频率、高压、高功率吸引了众多的研究。近年来，AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管在雷达应用的高频功率放大器方面的需求越来越迫切，怎样从材料结构和器件结构设计上进行优化和提高是现在面临的主要研究问题。要使器件应用在更大的功率下并得到更高的效率，良好的源、漏欧姆接触特性必不可少。目前，AlGaN/GaN异质结由于AlGaN具有较大的禁带宽度，比较难以寻找到合适的金属材料直接形成接触电阻较小的欧姆接触。普遍采用的方法是用低功函数的金属Ti与材料表面经退火形成合金效应，增加隧穿几率，利用隧穿来减小接触电阻，即形成低附加阻抗的欧姆接触。用于形成合金的金属成分和退火温度目前已经基本上得到共识，对于AlGaN/GaN异质结，多采用Ti/Al/Ni/Au多层金属，Ti/Al比例为1:4?1:8 ;退火工艺条件通常采用温度为 800°C?870°C，30 ?60s 的快速热退火。参见 Chaturvedi N, Zeimer U, Wurfl J,et al.Mechanismof ohmic contact formation in AlGaN/GaN high electron mobilitytransistors[J].Semicond Sci Technoi,2006,21 (22):175_179。
[0004]但是，随着进一步提高器件特性的要求，AlGaN/GaN异质结上欧姆接触的工艺也需要不断改进，以不断减小串联电阻，减小寄生效应，增大器件的放大能力和效率。目前研究者改进欧姆接触方法主要有下面几种:
[0005]1.采用离子注入的方法对源、漏电极区直接进行η型注入掺杂，增加接触层的掺杂浓度，进而提高隧穿几率和隧穿电流，达到减小欧姆接触电阻的目的。参见HaijiangYu, L.McCarthy, S.Rajan, et al, 1n Implanted AlGaN - GaN HEMTs With NonalloyedOhmic Contacts, IEEE Electron Device Letters, 2005, 26 (5):283_285。该方法米用离子注入工艺增大了接触区域的掺杂浓度，增大了载流子隧穿几率，从而减小了接触电阻。但是工艺步骤涉及离子注入，工艺较为复杂，成本较高，高能离子的注入也会引入新的材料表面损伤。而且GaN系材料中杂质的激活能很高，注入的η型掺杂离子需要1000°C以上的退火温度才能激活，该高温激活工艺对材料其他性能可能产生负面的影响。
[0006]2.采用对源、漏欧姆电极区材料刻蚀减薄工艺，减小源、漏接触电阻。利用等离子干法刻蚀技术，对源、漏下方的势垒层进行刻蚀，减小欧姆接触到二维电子气的距离，甚至金属直接接触到2DEG，从而减小欧姆接触电阻。参见ff.S.Lau, J.B.H.Tan, B.P.Singh,Formation of Ohmic contacts in AlGaN/GaN HEMT structures at500 °C by Ohmiccontact recess etching,Microelectronics Reliability, 2009,49:558 - 561。该方法可以减小欧姆接触电阻，甚至可以采用更低的退火温度形成较好的欧姆接触，而且该工艺较离子注入工艺简单。但是，由于AlGaN/GaN异质结中AlGaN层一般小于30nm,而干法刻蚀速率难以精确控制并且刻蚀重复性差，导致源漏区AlGaN层刻蚀深度无法精确实现。若对源、漏区域整体刻蚀深度较大，将会损害源漏区下方所有的二维电子气层，使器件电流减小，器件特性变差，因此稳定性和可重复性较差。
[0007]3.采用源、漏区刻蚀再生长η型GaN的方法降低源漏接触电阻，即先将源、漏区域进行刻蚀，然后在刻蚀掉的源、漏区域生长η型重掺杂GaN材料，再在该n_GaN之上进行欧姆接触的金属淀积。参见 Liang Pang, Hu1-Chan Seo, Patich Chapman, et al,Breakdown Voltage Enhancement of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistorsvia Selective-Area Growth for Ohmic Contacts over 1n Implantation, Journal ofELECTRONIC MATERIALS, 2010,39(5):499_503。这种方法利用n_GaN的高掺杂浓度提高电流隧穿效应，虽说可以获得很好的欧姆接触特性，但是采用再生长方法工艺复杂，既要进行刻蚀，又需要再次生长，还面临二次材料生长过程中的材料污染的可能，成本很高。
[0008]4.采用Ti/Al/Ti/Al/Ti/Al超晶格结构进行制作欧姆接触，即使用周期生长的Ti/Al/Ti/Al/Ti/Al超晶格金属层结构，代替传统Ti/Al双层金属结构，再淀积Ni/Au层，实现欧姆接触。参见 Gong RM, Wang JY, Dong ZH, et al.Analysis On The New MechanismsOf Low Resistance Stacked Ti/al Ohmic Contact Structure On AlGaN/GaN Hemts[J].Journal Of Physics D-applied Physics, 2010 (39)。但是该工艺还不够成熟,所报道的接触电阻提闻效果和工艺机理还有待进一步验证。
[0009]5.采用表面处理工艺改善欧姆接触特性，即在进行欧姆金属淀积之前，使用酸、碱溶液以及等离子体处理半导体的接触面，去除接触界面的氧化层和损伤层，以使得淀积金属后能获得更好的欧姆接触效果。参见Selvanatiand D, Mohammed F M, Bae J O, et al,Investigation of surface treatment schemes on n-type GaN andAl0.2Ga0.8N[J].JVST,2005, B23(6):2538_2544。这种工艺进行表面处理能去除氧化层和损伤层，粗糙化接触表面，以达到更好的金属、半导体接触效果，并且可能引入N空位，N空位在GaN或AlGaN材料中可以起到类似施主的作用，因此可以改善欧姆接触效果。但是该工艺对欧姆接触的改善程度有限，通常需要与其他方法配合使用。
【发明内容】
[0010]本发明的目的在于针对上述已有技术的不足，提供一种改进的AlGaN/GaN异质结欧姆接触制作方法，以减小接触电阻和工艺复杂度，降低成本，提高器件的稳定性以及工艺的可重复性。
[0011]为实现上述目的，本发明的技术方案包括如下步骤:
[0012](I)对AlGaN/GaN材料进行清洗；
[0013](2)在清洗后的AlGaN/GaN材料表面的源、漏欧姆电极区进行光刻，制作带有很多通孔的光刻胶掩膜，这些通孔的面积之和为欧姆接触电极总面积的15%?45% ;通孔中露出AlGaN材料；
[0014](3)利用干法刻蚀对光刻胶掩膜通孔中露出的AlGaN材料进行刻蚀，得到源、漏欧姆电极区挖有很多孔的AlGaN材料，挖孔深度为5?15nm ;刻蚀完成后去除光刻胶掩膜；
[0015](4)在挖孔的整个源、漏欧姆电极区域的AlGaN材料之上，淀积Ti/Al/Ni/Au多层金属，并进行800?870°C退火30?60s，形成源、漏欧姆接触电极。
[0016]上述步骤(I)中的对AlGaN/GaN材料进行清洗，按如下步骤进行:
[0017]先将AlGaN/GaN异质结材料放置于1: 5的HF溶液中浸泡30s，去除表面氧化层；
[0018]再将AlGaN/GaN异质结材料放置于丙酮、乙醇有机溶剂中超声清洗，去除表面沾污,并用去离子水冲洗5分钟。
[0019]上述步骤(3)中的干法刻蚀，其工艺条件如下:
[0020]采用RIE反应离子刻蚀，反应气体为Cl2,其流量40sccm，
[0021]反应室压强为10mT，
[0022]电极功率为50W，
[0023]刻蚀速率为0.5nm/s。
[0024]上述步骤(4)中的多层金属淀积，是通过电子束蒸发设备进行的，工艺条件为:
[0025]蒸发前真空度达到10_7Tor以下,金属蒸发速率为0.3nm/s。
[0026]上述步骤(4)中淀积Ti/Al/Ni/Au多层金属，其厚度分别是:Ti为20?30nm，Al为 150 ?250nm, Ni 为 40 ?60nm, Au 为 60 ?lOOnm。
[0027]上述步骤(4)中的退火，使用设备为RTP快速热退火炉，按如下步骤进行:
[0028]首先，向退火炉中通入IOmin的N2来排除空气；
[0029]然后，20°C /s的速率升温至所设定的温度；
[0030]最后，以3L/s的速率向退火炉中通入N2，按所设定的时间进行退火。
[0031]本发明具有如下优点:
[0032]I)本发明由于在源、漏欧姆接触电极区挖孔，孔的侧面区域增加了欧姆金属材料与半导体表面的接触面积，影响势垒形状，增大了形成隧穿电流的可能，因此可以减小欧姆接触电阻。
[0033]2)本发明由于其所挖的孔具有一定深度，使得淀积金属后，孔中金属到二维电子气的距离减小，从而减小了欧姆接触电阻。
[0034]3)本发明只用在传统工艺的基础上增加一次光刻和刻蚀工艺，因此工艺相对比较简单，并且兼容后续的其他工艺，没有稳定性问题。
[0035]4)本发明只是刻蚀了 AlGaN在源、漏端的部分区域，对二维电子气影响小；并且即使刻蚀深度有偏差，也不会完全破坏源、漏电极下方二维电子气，保证了器件形成的源、漏电流的稳定。
【专利附图】
【附图说明】
[0036]图1为本发明器件的制作工艺流程示意图；
[0037]图2为采用本发明的工艺制作完成的欧姆接触与传统欧姆接触的电阻数据对比图；
[0038]图3为采用本发明的工艺制作完成的欧姆接触与传统欧姆接触的源漏电流对比 图。
【具体实施方式】
[0039]本发明给出如下三种实施例:
[0040]实施例1:制作孔深度为5nm,金属Ti/Al/Ni/Au厚度为20nm/150nm/40nm/60nm的欧姆接触。
[0041]参照图1，本实例的实现步骤如下:
[0042]步骤1.对AlGaN/GaN异质结材料样品进行清洗。
[0043]1.1)将AlGaN/GaN异质结材料样品放置于1:5的HF溶液中浸泡30s，去除表面氧化层；
[0044]1.2)将AlGaN/GaN异质结材料样品放置于丙酮、乙醇有机溶剂中超声清洗,去除表面沾污，并用去离子水冲洗5分钟。
[0045]步骤2.欧姆电极区挖孔。
[0046]2.1)用甩胶机以5000转/min的转速在清洗后的AlGaN/GaN异质结材料样品表面甩0.6 μ m的正胶EPI621，再将甩好胶的AlGaN/GaN异质结材料放入温度为110°C的高温烘箱中烘干lmin，然后采用NSR1755I7A光刻机进行曝光，最后显影，获得欧姆电极区域带有若干通孔的光刻胶掩膜，这些通孔的面积之和为欧姆接触电极总面积的45% ；
[0047]2.2)米用RIE等尚子体干法刻蚀机，在Cl2气的等尚子体环境下，米用50W的刻蚀功率，以0.5nm/s的速率刻蚀光刻胶掩膜通孔中露出的AlGaN材料，在源、漏欧姆电极区的AlGaN材料上挖出若干深度为5nm的孔；
[0048]2.3)完成刻蚀后将AlGaN/GaN异质结材料样品放在，先用丙酮溶液超声清洗3分钟，然后用乙醇溶液超声清洗3分钟，最后在去离子水中冲洗3分钟，将刻蚀使用的光刻胶掩膜完全去除。
[0049]步骤3.源、漏欧姆接触电极制作。
[0050]3.1)先用甩胶机以2000转/min的转速，在整个AlGaN材料表面甩厚度为0.35 μ m的剥离胶PMGI SF6，再以5000转/min的转速，在剥离胶PMGI SF6的上面甩厚度为0.6 μ m的正胶EPI621 ；
[0051]3.2)将甩好胶的AlGaN/GaN异质结材料放入温度为110°C的高温烘箱中烘干lmin,然后采用NSR1755I7A光刻机进行曝光，最后显影，得到只露出带孔的AlGaN电极区域的光刻胶掩模；
[0052]3.3)采用0hmiker-50电子束蒸发台以0.3nm/s的蒸发速率,在带孔的AlGaN材料上进行源漏电极金属的淀积，源漏电极金属依次选用Ti/Al/Ni/Au，其中Ti厚度为20nm，Al厚度为150nm, Ni厚度为40nm, Au厚度为60nm ；
[0053]3.4)完成电极金属的淀积后，将AlGaN/GaN异质结材料放在剥离液中水浴加热5分钟，再用丙酮溶液超声清洗3分钟，然后用乙醇溶液超声清洗3分钟，最后在去离子水中冲洗3分钟，将淀积金属使用的光刻胶掩膜和多余的金属完全去除。
[0054]步骤4.退火形成欧姆接触。
[0055]将制作好源漏电极金属的AlGaN/GaN异质结材料放入RTP500快速热退火炉中，先通入IOmin的N2来排除空气，然后以20°C /s的速率升温至800°C，再以3L/s的速率向退火炉中通入N2，在800°C的N2氛围中进行60s的快速热退火，对欧姆接触金属进行合金，完成源、漏电极的制作，即S、D电极的制作。
[0056]实施例2:制作孔深度为 10nm，金属 Ti/Al/Ni/Au 厚度为 25nm/200nm/50nm/80nm的欧姆接触。
[0057]参照图1，本实例的实现步骤如下:
[0058]步骤一.对AlGaN/GaN异质结材料进行清洗。
[0059]本步骤与实施例1中的步骤I相同。
[0060]步骤二.欧姆电极区挖孔。
[0061](2a)在清洗后的AlGaN/GaN异质结材料表面甩0.6 μ m的正胶EPI621，所用甩胶机转速为5000转/min，再用温度为110°C的高温烘箱将甩好胶的AlGaN/GaN异质结材料烘干lmin，然后采用NSR 1755I7A光刻机进行曝光，最后显影，获得欧姆电极区域分布有若干通孔的光刻胶掩膜，这些通孔的面积之和为欧姆接触电极总面积的30% ；
[0062](2b)用RIE等离子体干法刻蚀机对光刻胶掩膜通孔中露出的AlGaN材料进行刻蚀，刻蚀气体为Cl2，刻蚀功率为50W，速率刻蚀为0.5nm/s，在源、漏欧姆电极区的AlGaN材料上挖出若干深度为IOnm的孔；
[0063](2c)刻蚀完成后将AlGaN/GaN异质结材料依次放在丙酮溶液、乙醇溶液中分别超声清洗3分钟，最后在去离子水中冲洗3分钟，完全去除刻蚀步骤中使用的光刻胶掩膜。
[0064]步骤三.制作源、漏欧姆接触电极。
[0065](3a)先在整个AlGaN材料表面甩厚度为0.35 μ m的剥离胶PMGI SF6，所用甩胶机的转速为2000转/min，再在剥离胶PMGI SF6的上面以5000转/min转速甩厚度为0.6 μ m的正胶EPI621 ；
[0066](3b)用温度为110°C的高温烘箱将甩好胶的AlGaN/GaN异质结材料烘干lmin，然后采用NSR1755I7A光刻机进行曝光，最后显影，得到的光刻胶掩模只露出带孔的AlGaN电极区域；
[0067](3c)用0hmiker-50电子束蒸发台以0.3nm/s蒸发速率,在带孔的AlGaN表面依次淀积25nm的T1、200nm的Al、50nm的N1、80nm的Au作为电极；
[0068](3d)淀积电极金属后,先用剥离液浸泡淀积了金属的AlGaN/GaN异质结材料,并水浴加热5分钟，然后依次用丙酮溶液和乙醇溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行3分钟的超声清洗，最后用去离子水冲洗3分钟，去除AlGaN/GaN异质结材料表面的光刻胶掩膜和多余的金属。
[0069]步骤四.退火形成欧姆接触。
[0070]用RTP500快速热退火炉对制作好电极金属的AlGaN/GaN异质结材料进行退火，先排除空气，即通入IOmir^AN2，然后升温至840°C，速率为20°C /s，然后向退火炉中通入N2,速率为3L/s，使制作好源漏电极金属的AlGaN/GaN异质结材料在840°C的N2氛围中快速热退火45s，退火后欧姆接触金属形成合金，完成源、漏电极的制作，即S、D电极的制作。
[0071]实施例3:制作孔深度为 15nm,金属 Ti/Al/Ni/Au 厚度为 30nm/250nm/60nm/100nm,的欧姆接触。
[0072]参照图1，本实例的实现步骤如下:
[0073]步骤A.对AlGaN/GaN异质结材料进行清洗。[0074]本步骤与实施例1中的步骤I相同。
[0075]步骤B.欧姆电极区挖孔。
[0076](BI)将清洗后的AlGaN/GaN异质结材料放入甩胶机，调整甩胶机转速为5000转/min,在清洗后的AlGaN/GaN异质结材料表面甩正胶EPI621，胶厚为0.6 μ m，再在高温烘箱中，以110°C的温度将甩好胶的AlGaN/GaN异质结材料烘干lmin，然后采用NSR1755I7A光刻机进行曝光，最后显影，获得欧姆电极区域带有若干通孔的光刻胶掩膜，这些通孔的面积之和为欧姆接触电极总面积的15% ；
[0077](B2)将带有光刻胶掩膜的AlGaN/GaN异质结材料放入RIE等离子体干法刻蚀机，采用50W的刻蚀功率，通入Cl2气体，以0.5nm/s的速率刻蚀光刻胶掩膜通孔中露出的AlGaN材料，在源、漏欧姆电极区的AlGaN材料上挖出若干深度为15nm的孔；
[0078](B3)完成刻蚀后，将刻蚀后的AlGaN/GaN异质结材料直于超声波环境中，用丙丽溶液清洗3分钟，然后用乙醇溶液清洗3分钟，最后离开超声波环境，用去离子水冲洗3分钟，除去AlGaN/GaN异质结材料上光刻胶掩膜。
[0079]步骤C.源、漏欧姆接触电极制作。
[0080](Cl)将挖过孔的AlGaN/GaN异质结材料放入甩胶机，调整甩胶机的转速为2000转/min,在整个AlGaN材料表面甩剥离胶PMGI SF6，厚度为0.35 μ m,再调整甩胶机的转速为5000转/min,在剥离胶PMGI SF6的上面甩正胶EPI621，厚度为0.6 μ m ；
[0081 ] (C2)在高温烘箱中以110°C的温度将甩好胶的AlGaN/GaN异质结材料烘干lmin，然后使用NSR1755I7A光刻机进行曝光，最后显影，得到只露出带孔的AlGaN电极区域的光刻胶掩模；
[0082](C3)将带有掩膜的AleaN/GaN异质结材料放入0hmike,-50电子束蒸发台，以0.3nm/s的蒸发速率,在带孔的AlGaN材料表面进行Ti/Al/Ni/Au源漏电极金属的淀积,金属厚度为 30nm/250nm/60nm/100nm ；
[0083](C4)淀积电极金属完成后，将AlGaN/GaN异质结材料放在剥离液中水浴加热5分钟，然后放置于超声波环境中，先用丙酮溶液清洗3分钟，再用乙醇溶液清洗3分钟，最后离开超声波环境，用去离子水冲洗3分钟,除去淀积金属时在AlGaN/GaN异质结材料制作的光刻月父掩I旲，剥尚多余的金属。
[0084]步骤D.退火形成欧姆接触。
[0085]在放入制作好源漏电极金属的之后，向RTP500快速热退火炉中通入IOmin的N2来排除空气，然后以20°C /s的速率升温至870°C，再以3L/s的速率向退火炉中通入N2，在8700C的N2氛围中进行的快速热退火，时间为30s，使AlGaN/GaN异质结材料上的欧姆接触金属形成合金，完成源、漏电极的制作，即S、D电极的制作。
[0086]本发明的效果可通过以下测试结果进一步说明:
[0087]测试1，对本发明实施例1制作完成后的源、漏欧姆接触电极进行传输线模型的接触电阻测试，得到欧姆接触电阻与常规欧姆接触电阻的比较结果，如图2所示。
[0088]从图2可见，本发明制作的源、漏欧姆接触电极，其欧姆接触电阻从常规的
0.43 Ω mm 下降到了 0.21 Ω mm。
[0089]测试2，对本发明实施例1制作完成后的源、漏欧姆接触电极进行了电极间饱和电流测试，得到电极间饱和电流与常规电极间饱和电流的比较结果，如图3所示。[0090]从图3可见，本发明制作的源、漏欧姆接触电极，其电极间饱和电流从常规的800mA/mm 上升到了 950mA/mm。
【权利要求】
1.一种AlGaN-GaN异质结上欧姆接触制作方法，包括如下步骤: (1)对AlGaN/GaN材料进行清洗； (2)在清洗后的AlGaN/GaN材料表面的源、漏欧姆电极区进行光刻，制作带有很多通孔的光刻胶掩膜，这些通孔的面积之和为欧姆接触电极总面积的15%?45% ;通孔中露出AlGaN材料； (3)利用干法刻蚀对光刻胶掩膜通孔中露出的AlGaN材料进行刻蚀，得到源、漏欧姆电极区挖有很多孔的AlGaN材料，挖孔深度为5?15nm ;刻蚀完成后去除光刻胶掩膜； (4)在挖孔的整个源、漏欧姆电极区域的AlGaN材料之上，淀积Ti/Al/Ni/Au多层金属，并进行800?870°C退火30?60s，形成源、漏欧姆接触电极。
2.根据权利要求书I中所述的方法，其中所述步骤(I)中的对AlGaN/GaN材料进行清洗，按如下步骤进行: 先将AlGaN/GaN异质结材料放置于1:5的HF溶液中浸泡30s，去除表面氧化层； 再将AlGaN/GaN异质结材料放置于丙酮、乙醇有机溶剂中超声清洗，去除表面沾污，并用去离子水冲洗5分钟。
3.根据权利要求书I中所述的方法，其中所述步骤(3)中的干法刻蚀，工艺条件如下: 采用RIE反应离子刻蚀，反应气体为Cl2，其流量40SCCm， 反应室压强为10mT， 电极功率为50W， 刻蚀速率为0.5nm/s。
4.根据权利要求书I中所述的方法，其中所述步骤(4)中的多层金属淀积，是通过电子束蒸发设备进行的，工艺条件如下: 蒸发前真空度达到KT7Tor以下,金属蒸发速率为0.3nm/s。
5.根据权利要求书I中所述的方法，其中所述步骤(4)中淀积Ti/Al/Ni/Au多层金属，其厚度分别是:Ti为20?30nm，Al为150?250nm，Ni为40?60nm，Au为60?lOOnm。
6.根据权利要求书I中所述方法，其中所述步骤(4)中的退火，使用设备为RTP快速热退火炉，按如下步骤进行: 首先，向退火炉中通入IOmin的N2来排除空气； 然后，20°C /s的速率升温至所设定的温度； 最后，以3L/s的速率向退火炉中通入N2，按所设定的退火时间进行退火。
【文档编号】H01L21/28GK103972069SQ201410193498
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年5月8日 优先权日:2014年5月8日
【发明者】王冲, 钟仁骏, 陈冲, 何云龙, 郑雪峰, 马晓华, 郝跃 申请人:西安电子科技大学