有机发光显示装置制造方法

有机发光显示装置制造方法
【专利摘要】一种具有改善的抗冲击性的有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括：底基板，包括显示区域和围绕显示区域的外围区域；多个有机发光器件，被布置在底基板的显示区域中；顶基板，对应于底基板；密封构件，被布置在底基板的外围区域中并使底基板附着到顶基板；抗冲击构件，被布置在底基板的外围区域中并与密封构件分隔开，而且从底基板向着顶基板突出。
【专利说明】有机发光显示装置
[0001] 本申请要求于2013年7月12日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0082449号 韩国专利申请的优先权和权益，通过引用将该韩国专利申请的内容全部包含于此。

【技术领域】
[0002] 本发明的多个方面针对一种有机发光显示装置，更具体地说，针对一种具有改善 的抗冲性的有机发光显示装置。

【背景技术】
[0003] 通常，通过在底基板上形成有机发光器件并且将顶基板附着到底基板使有机发光 器件被布置在其间来制造有机发光显示装置。这种有机发光显示装置被用作小型产品（诸 如移动电话）的显示单元或大型产品（诸如电视）的显示单元。
[0004] 在这种有机发光显示装置中，底基板通过密封构件被附着到顶基板。
[0005] 然而，相关领域中的这种有机发光显示装置易于被外部冲击损坏。


【发明内容】

[0006] 本发明的多个方面针对一种具有改善的抗冲性的有机发光显示装置。
[0007] 根据本发明的实施例，一种有机发光显示装置包括：底基板，具有显示区域和围 绕显示区域的外围区域；多个有机发光器件，在底基板的显示区域中；顶基板，对应于底基 板；密封构件，在底基板的外围区域中并被构造为使底基板附着到顶基板；抗冲击构件，在 底基板的外围区域中并与密封构件分隔开，抗冲击构件从底基板向着顶基板突出。
[0008] 在一个实施例中，多个有机发光器件包括多个像素电极、对应于多个像素电极的 对电极以及在多个像素电极与对电极之间并包括发射层的中间层；与对电极的厚度相对应 的间隔形成在顶基板与抗冲击构件的向着顶基板的端表面之间。
[0009] 在一个实施例中，多个有机发光器件包括多个像素电极、对应于多个像素电极的 对电极以及在多个像素电极与对电极之间并包括发射层的中间层；所述有机发光显示装置 还包括像素限定层，所述像素限定层在底基板的显示区域中并且被构造为覆盖多个像素电 极的边缘部以使多个像素电极的中央部暴露；底基板和抗冲击构件的向着顶基板的端表面 之间的距离与底基板和像素限定层的向着顶基板的端表面之间的距离相等。抗冲击构件包 括与像素限定层相同的材料。
[0010] 在一个实施例中，顶基板包括在面对底基板的表面上与抗冲击构件对应的位置处 的槽，抗冲击构件的向着顶基板的一部分位于槽内。抗冲击构件包括第一抗冲击单元和第 二抗冲击单元，第二抗冲击单元位于第一抗冲击单元上，第二抗冲击单元的至少一部分位 于顶基板的槽内。多个有机发光器件包括多个像素电极、对应于多个像素电极的对电极以 及在多个像素电极与对电极之间并包括发射层的中间层；所述有机发光显示装置还包括像 素限定层，所述像素限定层在底基板的显示区域中并且被构造为覆盖多个像素电极的边缘 部以使多个像素电极的中央部暴露；底基板和第一抗冲击单元的向着顶基板的端表面之间 的距离与底基板和像素限定层的向着顶基板的端表面之间的距离相等。第一抗冲击单元包 括与像素限定层相同的材料。
[0011] 在一个实施例中，多个有机发光器件包括多个像素电极、对应于多个像素电极的 对电极以及在多个像素电极与对电极之间并包括发射层的中间层，所述有机发光显示装置 还包括：多个薄膜晶体管，在底基板的显示区域中并被电连接到多个像素电极；电极供电 线，处于与多个薄膜晶体管的一个电极相同的层；连接单元，在抗冲击构件与底基板之间， 所述连接单元具有第一端和第二端，所述第一端处于与多个像素电极相同的层并接触对电 极，所述第二端接触电极供电线。
[0012] 在一个实施例中，电极供电线处于与多个薄膜晶体管的源/漏电极相同的层。抗 冲击构件接触电极供电线或连接单元。抗冲击构件与电极供电线、连接单元和电极供电线 下面的层中的至少一个接触。
[0013] 在一个实施例中，抗冲击构件围绕底基板的显示区域。抗冲击构件离散地位于底 基板的显示区域的周围。
[0014] 在一个实施例中，抗冲击构件包括具有第一宽度的第一部和具有小于第一宽度的 第二宽度的第二部，第一部比第二部更接近底基板。第二宽度为大约20 μ m至大约100 μ m。
[0015] 在一个实施例中，抗冲击构件在垂直于底基板的平面上具有像"山"的截面形状。
[0016] 在一个实施例中，抗冲击构件包括第一端表面、第二端表面和第三端表面，第一端 表面、第二端表面和第三端表面面向顶基板并彼此间隔开，底基板与第一端表面之间的第 一距离比底基板与第二端表面之间的第二距离以及底基板与第三端表面之间的第三距离 中的每一个距离都长。第二端表面比第一端表面更接近底基板的显示区域，第三端表面比 第一端表面更接近密封构件。
[0017] 在一个实施例中，密封构件的接触顶基板的部位的向着显示区域的端部与抗冲击 构件的中央之间的距离在150 μ m以内。

【专利附图】

【附图说明】
[0018] 通过参照附图对本发明的示例实施例进行更详细描述，本发明的以上及其它特征 和增强将变得更清楚，在附图中：
[0019] 图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置的示意性的剖视图。
[0020] 图2和图3是示出当不存在抗冲击构件时顶基板通过外部冲击而移动的示意图。
[0021] 图4是示出在图1的有机发光显示装置中顶基板通过外部冲击而移动的示意图。
[0022] 图5是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的剖视图。
[0023] 图6是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的剖视图。
[0024] 图7是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的剖视图。
[0025] 图8是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的剖视图。
[0026] 图9是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的剖视图。
[0027] 图10是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的平面剖视图。
[0028] 图11是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的平面剖视图。

【具体实施方式】
[0029] 如这里所使用的，术语"和/或"包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组 合。当诸如"......中的至少一个"的表述放在一系列元件（要素）之后时，其修饰整个系列 的元件（要素），而不是修饰所述系列中的单个元件（要素）。此外，描述本发明的实施例 时"可以"的使用涉及了"本发明的一个或更多的实施例"。
[0030] 现在将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例实施例。然 而，本发明可以以许多不同的形式实施，不应被解释为限制于这里阐述的实施例；相反，提 供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充 分传达发明的构思。在附图中，为清晰起见，夸大了层和区域的厚度。
[0031] 在下面的实施例中，X轴、y轴和Z轴不限于正交坐标系中的三个坐标轴并且可具 有更广泛的含义。例如，X轴、y轴和Z轴可以是彼此垂直或可以表示彼此不垂直的三个方 向。
[0032] 还将要理解的是，当层被称作"在"另一层或基板"上"时，该层可以直接在所述另 一层或基板上，或者也可以存在中间层。
[0033] 图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置的示意性的剖视图。如图1所示， 根据本实施例的有机发光显不装置包括底基板110、位于底基板110上的多个有机发光器 件200、顶基板300、密封构件400和抗冲击构件185。
[0034] 底基板110包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。底基板110可由 包括玻璃材料、金属和塑料材料的各种材料中的任意材料形成。多个薄膜晶体管TFT1位于 底基板110的显示区域DA中，电连接到多个薄膜晶体管TFT1的有机发光器件200也位于 该区域。也就是说，多个有机发光器件200也位于底基板110的显示区域DA中。有机发光 器件200与多个薄膜晶体管TFT1之间的电连接可被理解为多个像素电极210与多个薄膜 晶体管TFT1之间的电连接。这里，薄膜晶体管TFT2可位于底基板110的外围区域PA中。 薄膜晶体管TFT2例如可以是用于控制施加到显示区域DA的电信号的电路单元的一部分。
[0035] 薄膜晶体管TFT1或薄膜晶体管TFT2包括半导体层130、栅电极150和源/漏电极 170,其中，半导体层130包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。在底基板110上，由氧化 硅或氮化硅形成的缓冲层120可位于底基板110上以使底基板110的顶表面平坦或阻止杂 质渗透到半导体层130内，半导体层130可位于缓冲层120上。
[0036] 栅电极150位于半导体层130上。根据施加到栅电极150的信号，源/漏电极170 与半导体层130电连通。栅电极150可形成为包括从铝（A1)、钼（Pt)、钯（Pd)、银（Ag)、镁 (Mg)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)、钥（Mo)、钛（Ti)、钨（W)、 铜（Cu)中考虑到与相邻层的附着性、将在其上堆叠的层的表面平坦性以及加工性能而选 择的至少一种的单层或多层。这里，为了保证半导体层130与栅电极150之间的绝缘，由氧 化硅和/或氮化硅形成的栅极绝缘层140可被插入半导体层130与栅电极150之间。
[0037] 层间绝缘层160可位于栅电极150上，其中层间绝缘层160可形成为包括氧化硅 或氮化硅的单层或多层。
[0038] 源/漏电极170位于层间绝缘层160上。通过在层间绝缘层160和栅极绝缘层 140中形成的接触孔，源/漏电极170电连接到半导体层130。源/漏电极170可形成为包 括从铝（A1)、钼（Pt)、钯（Pd)、银（Ag)、镁（Mg)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、铬（Cr)、 锂（Li)、钙（Ca)、钥（Mo)、钛（Ti)、钨（W)、铜（Cu)中考虑到导电性而选择的至少一种的单 层或多层。
[0039] 为了保护具有如上所述结构的薄膜晶体管TFT1和/或薄膜晶体管TFT2,可布置作 为覆盖薄膜晶体管TFT1和/或薄膜晶体管TFT2的保护层的第一绝缘层181。第一绝缘层 181可由诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成。尽管图1示出了第一绝缘层181 具有单层结构，但可在其中做出各种适当的修改，例如，第一绝缘层181可具有多层结构。
[0040] 如果必要，第二绝缘层182可位于第一绝缘层181上。例如，如图1所示，如果有 机发光器件200位于薄膜晶体管TFT1上，则第二绝缘层182可被布置为用于使覆盖薄膜晶 体管TFT1的第一绝缘层181的顶表面基本平坦的平坦层。第二绝缘层182可由丙烯酸基 有机材料或苯并环丁烯（BCB)形成。尽管图1示出了第二绝缘层182具有单层结构，但其 中可进行各种修改，例如，第二绝缘层182可具有多层结构。
[0041] 在底基板110的显示区域DA中，有机发光器件200位于第二绝缘层182上，有机 发光器件200包括像素电极210、对电极230和位于像素电极210与对电极230之间并包括 发射层的中间层220。
[0042] 暴露薄膜晶体管TFT1的源/漏电极170中的至少一个的开口形成在第一绝缘层 181和第二绝缘层182中，接触源/漏电极170中的一个并电连接到薄膜晶体管TFT1的像 素电极210位于第二绝缘层182上。像素电极210可形成为（半）透明电极或反射电极。 当像素电极210形成为（半）透明电极时，像素电极210可由例如IT0、IZ0、Zn0、In 203、IG0 或ΑΖ0形成。当像素电极210形成为反射电极时，像素电极210可包括由Ag、Mg、Al、Pt、 Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成的反射层，并包括由ITO、IZO、ZnO、ln203、IG0或AZO 形成的层。然而本发明不限于此，可以在其中做出各种修改。例如，像素电极210可由各种 其它合适的材料中的任意材料形成并且可具有单层结构或多层结构。
[0043] 第三绝缘层183可位于第二绝缘层182上。第三绝缘层183是像素限定层并通过 具有对应于各自子像素的开口来限定像素，即，开口至少暴露了像素电极210的中心部位。 此外，在如图1中所示的情况下，第三绝缘层183通过增加像素电极210的端部与像素电极 210上的对电极230之间的距离来防止在像素电极210的端部形成电弧。第三绝缘层183 可由例如聚酰亚胺的有机材料形成。
[0044] 有机发光器件200的中间层220可包括小分子材料或聚合物材料。如果中间 层220包括小分子材料，则中间层220可形成为以堆叠结构包括空穴注入层（HIL)、空穴 传输层（HTL)、发射层（EML)、电子传输层（ETL)和电子注入层（EIL)，其中小分子材料 可包括各种适合的材料中的任意材料，该各种适合的材料包括铜酞菁（CuPc)、Ν，Ν' -二 (萘-1-基）-Ν，Ν' -二苯基联苯胺（ΝΡΒ)和三-8-羟基喹啉铝（Alq3)。这些层可通过例如 真空沉积形成。
[0045] 如果中间层220包括聚合物材料，则中间层220可大体具有包括HTL和EML的结 构。这里，通过丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像（LITI)，可使HTL由PED0T形成，可使 EML由诸如聚对苯撑乙烯（PPV)基材料或聚芴基材料的聚合物材料形成。
[0046] 然而，本发明不限于此，中间层220可具有各种其它合适的结构中的任意结构。
[0047] 对电极230位于显示区域DA上方，其中如图1中所示，对电极230可被布置为覆 盖显示区域DA。也就是说，对电极230可与多个有机发光器件200 -体化并且可分别对应 于多个像素电极210 (例如，作为连续的层）。对电极230可形成为（半）透明电极或反射 电极。如果对电极230形成为（半）透明电极，则对电极230可包括由诸如Li、Ca、LiF/ Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物的具有小的功函数的金属形成的层，并包括由ITO、IZO、 Ζη0、Ιη203形成的（半）透明层。如果对电极230形成为反射电极时，则对电极230可包括 由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物形成的层。然而本发明不限于此，可以在 其中做出各种修改。
[0048] 顶基板300与底基板110对应并且可由包括玻璃材料、金属和塑料材料的各种合 适的材料中的任意材料形成。底基板110和顶基板300可通过密封构件400彼此附着。密 封构件400可包括玻璃料或环氧树脂。然而，本发明不限于此。密封构件400位于底基板 110的外围区域PA中。
[0049] 类似于密封构件400,抗冲击构件185位于底基板110的外围区域PA中并从底基 板110向顶基板300突出。然而，抗冲击构件185位于与密封构件400分隔开的位置。
[0050] 图2和图3是示出当不存在抗冲击构件185时顶基板300被外部冲击移动的示意 图。如图2和图3所示，如果不存在抗冲击构件185,则当施加外部冲击时，有机发光显示装 置的顶基板300如图2和图3中的附图标记300a和300b所示振动。由于振动剧烈，会发 生包括在顶基板300处产生裂纹的问题。特别是，由于作为像素限定层的第三绝缘层183 位于显示区域DA中，在显示区域DA中不会发生问题。然而，因外部冲击造成的顶基板300 的振动可能会大到足以在外围区域PA中形成裂纹。
[0051] 例如，当有机发光显示装置被布置在便携式移动设备并且该便携式移动设备掉到 地上时，冲击施加到有机发光显示装置的角部或边缘。这样的冲击会导致外围区域PA中的 顶基板300的剧烈振动，在顶基板300处会形成裂纹，并且顶基板300的裂纹会延伸到显示 区域DA。
[0052] 然而，如作为示出了在图1的有机发光显示装置中顶基板因外部冲击而移动的示 意图的图4所示，抗冲击构件185位于根据本实施例的有机发光显示装置中的外围区域PA 中，因此可有效地减小因外部冲击导致的顶基板300的振动。其结果是，可显著地降低因外 部冲击导致的损坏到顶基板300的可能性。也就是说，当顶基板300因外部冲击沿朝向底 基板110的方向振动时，顶基板300接触抗冲击构件185,因此顶基板300的振动可被有效 地减小。其结果是，因外部冲击导致的顶基板300的振动可被减小，从而显著地降低损坏到 顶基板300的可能性。
[0053] 并且，抗冲击构件185的向着顶基板300的端部可以接触顶基板300或如图1所示 可以不接触顶基板300。也就是说，间隔185d可形成在抗冲击构件185的向着顶基板300 的端部与顶基板300之间。
[0054] 如上所述，作为像素限定层的第三绝缘层183存在于显示区域DA中，抗冲击构件 185的形状可类似于第三绝缘层183的形状。更详细地说，当形成第三绝缘层183时可一起 (同时）形成抗冲击构件185。在这种情况下，抗冲击构件185可包括与第三绝缘层183相 同的材料。
[0055] 在这一点上，底基板110和抗冲击构件185的向着顶基板300的端部之间的距离 可以与底基板110和作为像素限定层的第三绝缘层183的向着顶基板300的端部之间的 距离相等。在这种情况下，作为像素限定层的第三绝缘层183上的对电极230接触顶基板 300,与对电极230的厚度相对应的间隔185d形成在顶基板300与抗冲击构件185的向着 顶基板300的端部之前。这里，由于对电极230的厚度为约1000 A (非常小），因此抗冲 击构件185的向着顶基板300的端部可被视为或认为（几乎）接触顶基板300。
[0056] 并且，如图1所示，电极供电线190和连接单元192可插入抗冲击构件185和底基 板110之间。电极供电线190可位于与包括在多个薄膜晶体管TFT1和TFT2中的电极中的 任意一个电极相同的层。例如，电极供电线190可位于与包括在多个薄膜晶体管TFT1和 TFT2中的源/漏电极170相同的层。在这种情况下，电极供电线190可在形成源/漏电极 170时一起（例如，同时）形成，其中电极供电线190和源/漏电极170可由相同的材料形 成。连接单元192的第一端部192a可位于与多个像素电极210相同的层并可接触对电极 230,而第二端部192b可接触电极供电线190。连接单元192可与多个像素电极210-起 (例如，同时）形成，其中连接单元192和多个像素电极210由相同的材料形成。
[0057] 如上所述，抗冲击构件185位于底基板110的外围区域PA中。外围区域PA是不 显示图像的死区。死区越小则显示区域DA变得越大，因此可以实施具有更大的显示区域DA 的高质量的有机发光显示装置。
[0058] 如果抗冲击构件185位于电极供电线190与密封构件400之间，则外围区域PA必 然变得更大。然而，在根据本实施例的有机发光显示装置中，抗冲击构件185位于电极供电 线190和/或连接单元192上。也就是说，电极供电线190和连接单元192被插入抗冲击 构件185与底基板110之间。其结果是，可以实施顶基板300较少可能被外部冲击损坏并 且死区小的高质量的有机发光显示装置。
[0059] 尽管图1示出了抗冲击构件185接触电极供电线190和连结构件192,但抗冲击构 件185可仅接触电极供电线190或连接构件192。此外，抗冲击构件182的一部分可接触位 于电极供电线190下面的层（例如，层间绝缘层160)。也就是说，抗冲击构件185可与电极 供电线190、连接单元192和位于电极供电线190下面的层中的一个接触。
[0060] 并且，密封构件400的接触顶基板300的部位的向着显示区域DA的端部与抗冲击 构件185的中央之间的距离d可以在150 μ m以内。如以上参照图2至图4所描述的，如果 因外部冲击造成顶基板300在显示区域DA的外部振动，则通过减小顶基板300的振动降低 了损坏顶基板300的可能性。如果密封构件400与抗冲击构件185之间的距离太长，则密封 构件400与抗冲击构件185之间的区域中的顶基板300的振动会大到足以损坏顶基板300。 因此，有必要限制密封构件400与抗冲击构件185之间的距离。具体来说，由于需要减小顶 基板300的振动，因此有必要限制密封构件400的接触顶基板300的部位的向着显示区域 DA的端部与抗冲击构件185的中央之间的距离d。
[0061] 通过反复试验，如果该距离d超过150μπι，则考虑到有机发光显示装置中使用的 顶基板300的一般厚度，密封构件400与抗冲击构件185之间的区域中的顶基板300被损 坏的可能性迅速增加。因此，在一个实施例中，密封构件400的接触顶基板300的部位的向 着显示区域DA的端部与抗冲击构件185的中央之间的距离d在150 μ m以内（即，150 μ m 或小于150 μ m)。
[0062] 图5是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示例性的剖视图。根据本 实施例的有机发光显示装置除了抗冲击构件185的形状之外与根据上面参照图1描述的前 述实施例的有机发光显示装置相同。
[0063] 根据本实施例的有机发光显示装置的抗冲击构件185包括具有第一宽度Wa的第 一部185a和具有小于第一宽度Wa的第二宽度Wb的第二部185b。这里，抗冲击构件185具 有第一部185a比第二部185b更接近底基板110的结构。这里，如图5所示，作为像素限定 层的第三绝缘层183可具有与抗冲击构件185类似的形状。即，第三绝缘层183包括第一 部183a和宽度小于第一部183a的第二部183b。这里，抗冲击构件183具有第一部183a比 第二部183b更接近底基板110的结构。
[0064] 如上所述，抗冲击构件185可以与作为像素限定层的第三绝缘层183 -起（例如， 同时）形成，其中，抗冲击构件185和作为像素限定层的第三绝缘层183可由相同的材料形 成。如有必要，作为像素限定层的第三绝缘层183可具有这样的形状，S卩，向着顶基板300 的部位的宽度小于向着底基板110的部位的宽度，使得第三绝缘层的侧表面具有弯曲的或 弧形的表面。这里，由于抗冲击构件185以具有与作为像素限定层的第三绝缘层183相似 的结构形成，因此可显著提高其制造的简易性。
[0065] 这里，如果中间层220的至少一部分通过LITI形成并且来自供体膜的物质附着到 作为像素限定层的第三绝缘层183的顶表面，则作为像素限定层的第三绝缘层183可具有 这样的形状，即，向着顶基板300的部位的宽度小于向着底基板110的部位的宽度，从而第 三绝缘层的侧表面具有如图5中所示的弯曲的或弧形的表面以使来自供体膜的物质的附 着性降低或最小化。
[0066] 并且，抗冲击构件185的第二部185b的第二宽度Wb，S卩，在第二部185b的向着第 一部185a的端部处的第二宽度Wb可形成为大约20 μ m至大约100 μ m。如果第二宽度Wb 小于20 μ m，则第二部185b的第二宽度Wb变得太小而无法提供或保持充分的耐久性，因此 第二部185b会变得脆弱。此外，如果抗冲击构件185位于电极供电线190上方以减小死区， 则难以使第二宽度Wb大于100 μ m。
[0067] 图6是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的剖视图。根据本实施例的 有机发光显示装置除了抗冲击构件185在垂直于底基板110的平面（ ZX平面）上具有像 "山"的截面形状之外，与根据上面参照图1描述的前述实施例的有机发光显示装置相同。
[0068] 也就是说，抗冲击构件185包括面向顶基板300并彼此隔开的第一端表面185esl、 第二端表面185es2和第三端表面185es3。这里，底基板110与第一端表面185esl之间的 第一距离比底基板110与第二端表面185es2之间的第二距离以及底基板110与第三端表 面185es3之间的第三距离中的每一个距离都长。此外，第二端表面185es2位于比第一端 表面185esl更接近显示区域DA处，第三端表面185es3位于比第一端表面185esl更接近 密封构件400处。
[0069] 当外部冲击被施加到顶基板300时，具有如上所述形状的抗冲击构件185可有效 地吸收通过顶基板300传递到抗冲击构件185的冲击。也就是说，通过第一端表面185esl 传递到抗冲击构件185的冲击被传递到第二端表面185es2或第三端表面185es3,并且，由 于第二端表面185es2和第三端表面185es3附近的部位是自由端，因此相应的端部可以振 动而不将冲击传递到其它组件并有效地吸收冲击。这里，尽管在图6中未示出，但作为像素 限定层的第三绝缘层183的向着顶基板300的部位可具有与抗冲击构件185的向着顶基板 300的部位的形状相同的形状或相似的形状。
[0070] 如作为根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的剖视图的图7 所示，抗冲击构件185的在第二端表面185es2附近且在第二端表面185es2以下的部位可 与在第一端表面185esl附近且在第一端表面185esl以下的部位或在第三端表面185es3 附近且在第三端表面185es3以下的部位分隔开，并且还可位于连接单元192上。
[0071] 图8是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的剖视图。顶基板 300在顶基板300的面对底基板110的表面上的对应于抗冲击构件185的位置具有槽300c， 抗冲击构件185的向着顶基板300的部位位于顶基板300的槽300c内，除此之外，根据本 实施例的有机发光显示装置与根据上面参照图1描述的前述实施例的有机发光显示装置 相同。这种情况下，抗冲击构件185可接触顶基板300。
[0072] 当外部冲击被施加到顶基板300时，如上所述的结构可通过抗冲击构件185有效 地防止顶基板300振动。具体地说，由于抗冲击构件185位于顶基板300的槽300c内，抗 冲击构件185不仅可以防止顶基板300的振动，而且可直接吸收施加到顶基板300的外部 冲击。
[0073] 这里，底基板110和第三绝缘层183的向着顶基板300的端表面之间的距离与底 基板110和抗冲击构件185的向着顶基板300的端表面之间的距离不同。然而，如果通过 使用双色调掩膜（two-tone mask)来形成抗冲击构件185和作为像素限定层的第三绝缘层 183,则抗冲击构件185和作为像素限定层的第三绝缘层183可一起（例如，同时）由相同 的材料形成。这里，抗冲击构件185可以以不同的操作形成而不考虑第三绝缘层183的形 成。
[0074] 此外，如作为根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的剖视图的 图9中所示，当形成作为像素限定层的第三绝缘层183时，可一起（例如，同时）由相同的 材料形成第一抗冲击单元1851，接着可以在第一抗冲击单元1851上进一步形成第二抗冲 击单元1852,从而抗冲击构件185包括第一抗冲击单元1851和第二抗冲击单元1852,并且 第二抗冲击单元1852的一部分位于顶基板300的槽300c内。在这种情况下，底基板110 和第一抗冲击单元1851的向着顶基板300的端表面之间的距离可与底基板110和作为像 素限定层的第三绝缘层183的向着顶基板300的端表面之间的距离相等。第二抗冲击单元 1852可由与第一抗冲击单元1851相同或不同的有机/无机材料形成。
[0075] 图10是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的平面剖视图。 如图10所示，抗冲击构件185可围绕底基板110的显示区域DA。此外，如作为根据本发明 的另一实施例的有机发光显示装置的示意性的平面剖视图的图11所示，抗冲击构件185可 离散地位于底基板110的显示区域DA的周围。在这种情况下，可以节约用于形成抗冲击构 件185的材料。
[0076] 上述实施例可彼此组合（结合）。例如，如图8或图9所示，抗冲击构件185的向 着顶基板300的端部的一部分位于顶基板300的槽300c内，抗冲击构件185的向着顶基板 300的端部可具有如图1所示的简单的突起形状、如图5所示的弯曲突起形状或如图6或图 7所示的像"山"的形状。
[0077] 根据本发明以上实施例，可实施一种具有提高了抗冲击性的有机发光显示装置。 然而，本发明不限于此。
[0078] 虽然已经参照本发明的示例实施例具体地示出和描述了本发明，但本领域普通技 术人员将要理解的是，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的 情况下，可在其中做出形式和细节上的各种改变。
【权利要求】
1. 一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括： 底基板，具有显示区域和围绕显示区域的外围区域； 多个有机发光器件，在底基板的显示区域中； 顶基板，对应于底基板； 密封构件，在底基板的外围区域中并被构造为使底基板附着到顶基板；以及 抗冲击构件，在底基板的外围区域中并与密封构件分隔开，抗冲击构件从底基板向着 顶基板突出。
2. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中， 所述多个有机发光器件包括多个像素电极、对应于所述多个像素电极的对电极以及在 所述多个像素电极与对电极之间并包括发射层的中间层； 与对电极的厚度相对应的间隔形成在顶基板与抗冲击构件的向着顶基板的端表面之 间。
3. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中， 所述多个有机发光器件包括多个像素电极、对应于所述多个像素电极的对电极以及在 所述多个像素电极与对电极之间并包括发射层的中间层； 所述有机发光显示装置还包括像素限定层，所述像素限定层在底基板的显示区域中并 且被构造为覆盖所述多个像素电极的边缘部以使所述多个像素电极的中央部暴露； 底基板和抗冲击构件的向着顶基板的端表面之间的距离与底基板和像素限定层的向 着顶基板的端表面之间的距离相等。
4. 根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，抗冲击构件包括与像素限定层相 同的材料。
5. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中， 顶基板在面对底基板的表面上与抗冲击构件对应的位置具有槽， 抗冲击构件的向着顶基板的一部分位于槽内。
6. 根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中， 抗冲击构件包括第一抗冲击单元和第二抗冲击单元， 第二抗冲击单元位于第一抗冲击单元上， 第二抗冲击单元的至少一部分位于顶基板的槽内。
7. 根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中， 所述多个有机发光器件包括多个像素电极、对应于所述多个像素电极的对电极以及在 所述多个像素电极与对电极之间并包括发射层的中间层； 所述有机发光显示装置还包括像素限定层，所述像素限定层在底基板的显示区域中并 且被构造为覆盖所述多个像素电极的边缘部以使所述多个像素电极的中央部暴露； 底基板和第一抗冲击单元的向着顶基板的端表面之间的距离与底基板和像素限定层 的向着顶基板的端表面之间的距离相等。
8. 根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，第一抗冲击单元包括与像素限定 层相同的材料。
9. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中， 所述多个有机发光器件包括多个像素电极、对应于所述多个像素电极的对电极以及在 所述多个像素电极与对电极之间并包括发射层的中间层， 所述有机发光显示装置还包括： 多个薄膜晶体管，在底基板的显示区域中并被电连接到所述多个像素电极； 电极供电线，处于与所述多个薄膜晶体管的一个电极相同的层；以及 连接单元，在抗冲击构件与底基板之间，所述连接单元具有第一端和第二端，所述第一 端处于与所述多个像素电极相同的层并接触对电极，所述第二端接触电极供电线。
10. 根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，电极供电线处于与所述多个薄膜 晶体管的电极中的源/漏电极相同的层。
11. 根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，抗冲击构件接触电极供电线或连 接单元。
12. 根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，抗冲击构件与电极供电线、连接 单元和电极供电线下面的层中的至少一个接触。
13. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，抗冲击构件围绕底基板的显示区 域。
14. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，抗冲击构件离散地位于底基板的 显示区域的周围。
15. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，抗冲击构件包括具有第一宽度的 第一部和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部， 第一部比第二部更接近底基板。
16. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，第二宽度为20μπι至ΙΟΟμπι。
17. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，抗冲击构件在垂直于底基板的平 面上具有像"山"的截面形状。
18. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，抗冲击构件包括第一端表面、第 二端表面和第三端表面，第一端表面、第二端表面和第三端表面面向顶基板并彼此间隔开， 底基板与第一端表面之间的第一距离比底基板与第二端表面之间的第二距离以及底 基板与第三端表面之间的第三距离中的每一个距离都长。
19. 根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中， 第二端表面比第一端表面更接近底基板的显示区域， 第三端表面比第一端表面更接近密封构件。
20. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，密封构件的接触顶基板的部位的 向着显示区域的端部与抗冲击构件的中央之间的距离在150 μ m以内。
【文档编号】H01L51/52GK104282837SQ201410213789
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年5月20日 优先权日:2013年7月12日
【发明者】曹成豪, 全容济 申请人:三星显示有限公司