一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板以及液晶显示器的制造方法
【专利摘要】本实用新型属于液晶显示领域，提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板以及液晶显示器。在本实用新型中，所述像素电极和所述源极通过设置在第二绝缘层上的至少两个跳孔进行电性连接，可以避免在蚀刻所述源极上绝缘层的时候将所述源极覆盖造成像素电极与源极接触不良影响显示效果的问题。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本实用新型属于液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板 以及液晶显示器。 一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板以及液晶显示器
【背景技术】
[0002] 薄膜晶体管（TFT，Thin Film Transistor)主要应用于控制和驱动液晶显示器、有 机发光二极管显示器的子像素，是平板显示领域中最重要的电子器件。
[0003] 目前，平板显示领域的发展日新月异，现在已初步分化为两个主要的产品应用方 向：一个是小尺寸显示屏，应用于移动终端设备；另一个是大尺寸显示屏应用于电视机领 域。在上述两种产品应用中，显示屏实现更高像素密度、更高刷新频率以及更低功耗是行业 的发展趋势，但是，目前的薄膜晶体管在形成源极上的绝缘层时容易将源极完全覆盖，以致 薄膜晶体管上的像素电极无法与源极电性连接，造成不良品和次品出现，影响显示效果或 者不显示。 实用新型内容
[0004] 本实用新型提供了一种薄膜晶体管，旨在解决现有薄膜晶体管中像素电极与源极 易接触不良，影响显示效果的问题。
[0005] 为了解决上述技术问题，本实用新型是这样实现的：一种薄膜晶体管，包括栅极、 源极、漏极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层以及像素电极；
[0006] 所述第一绝缘层位于所述栅极上，所述有源层位于所述第一绝缘层上并位于所述 栅极的上方，所述源极和所述漏极分别位于所述有源层上，所述第二绝缘层位于所述源极 和所述漏极的中间以及所述源极和所述漏极上面，所述像素电极位于所述第二绝缘层上；
[0007] 所述第二绝缘层位于所述源极上面的部分蚀刻至少两个跳孔，所述像素电极通过 所述跳孔与所述源极电性连接。
[0008] 进一步地，所述第二绝缘层位于所述源极上面的部分蚀刻的跳孔数量为两个，分 别为第一跳孔和第二跳孔。
[0009] 进一步地，所述第一跳孔和所述第二跳孔的形状为倒圆台型。
[0010] 进一步地，所述第一跳孔的下底面边沿与所述第二跳孔的下底面边沿的最近距离 大于等于任一所述两个跳孔的下底面直径。
[0011] 进一步地，所述至少两个跳孔中至少一个跳孔蚀刻至所述源极中。
[0012] 本实用新型还提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板和上述所述的薄膜晶体 管，所述薄膜晶体管位于所述基板上方。
[0013] 进一步地，本实用新型还提供了一种液晶显示器，所述液晶显示器包括上述所述 的薄膜晶体管阵列基板。
[0014] 在本实用新型中，所述像素电极和所述源极通过设置在第二绝缘层上的至少两个 跳孔进行电性连接，可以避免在蚀刻所述源极上绝缘层的时候将所述源极覆盖造成像素电 极与源极接触不良影响显示效果的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 图1为本实用新型提供的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。
[0016] 图2是本实用新型第一实施例提供的薄膜晶体管阵列基板沿A-A方向的剖面结构 示意图；
[0017] 图3是本实用新型第二实施例提供的薄膜晶体管阵列基板沿A-A方向的剖面结构 示意图。
【具体实施方式】
[0018] 为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施 例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释 本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0019] 图1示出了本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的示意结构，为了便于 说明，仅列出与本实用新型实施例相关的部分，详述如下：
[0020] 本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板包括基板和薄膜晶体管，薄膜晶体 管位于基板上方。
[0021] 如图1-3所示，本实用新型实施例提供的薄膜晶体管1包括栅极11、源极12、漏极 13、第一绝缘层14、有源层15、第二绝缘层16以及像素电极17 ;
[0022] 第一绝缘层14位于栅极11上，有源层15位于第一绝缘层14上并位于栅极11的 上方，源极12和漏极13分别位于有源层15上，第二绝缘层16位于源极12和漏极13的中 间以及源极12和漏极13的上面，像素电极17位于所述第二绝缘层16上；
[0023] 第二绝缘层16位于源极12上面的部分蚀刻至少两个跳孔，像素电极17通过该跳 孔与源极12电性连接；
[0024] 薄膜晶体管1中栅极11位于基板21上方。
[0025] 作为本实用新型一实施例，蚀刻的跳孔数量为两个，分别为第一跳孔K1和第二跳 孔K2。
[0026] 在本实用新型实施例中，像素电极17通过跳孔K1和K2与源极12进行电性连接， 跳孔K1和K2中的电性填充材料是与形成像素电极17的电极材料一起溅射上去的，在本实 用新型实施例中，跳孔的数量仅列举了两个，还可以是三个、四个等多个。
[0027] 如图2所示，作为本实用新型一实施例，第一跳孔K1和第二跳孔K2的形状为倒圆 台型。
[0028] 在本实用新型实施例中，圆台型为上底面圆直径小于下底面圆直径，本实用新型 实施例提供中跳孔蚀刻成倒圆台型，即下底面在上，上底面在下，形成倒圆台的跳孔，电性 连接材料填充在该倒圆台型的跳孔中，由于是下底面在上，直径较大，电性连接材料更容易 溅射到跳孔中。
[0029] 在本实用新型实施例中，倒圆台型便于电性填充材料。
[0030] 作为本实用新型一实施例，第一跳孔K1的下底面边沿与第二跳孔K2的下底面边 沿的最近距离大于等于任一跳孔的下底面直径。
[0031] 如图2所示，在本实用新型实施例中，第一跳孔K1的下底面和第二跳孔K2的下底 面位于同一平面，第一跳孔Κ1下底面的边沿与第二跳孔Κ2下底面的边沿有一定的距离，该 距离大于等于跳孔直径最大的一个跳孔直径。
[0032] 如图3所示，作为本实用新型一实施例，蚀刻的跳孔中至少有一个跳孔蚀刻至源 极12中，本实用新型实施例以第一跳孔Κ1蚀刻至源极12中进行举例，但并不限于只有第 一跳孔Κ1或只是第一跳孔Κ1蚀刻至源极12中。
[0033] 在本实用新型实施例中，将跳孔蚀刻至源极12中，可以增加像素电极17与源极12 的电性接触面积，从而增加连接的可靠性。
[0034] 如图3所示，第一跳孔Κ1下阴影部分表示的是跳孔Κ1蚀刻到源极12里面去的部 分，在本实用新型实施例中，并不限于只是Κ1蚀刻至源极12中，Κ2也可以蚀刻至源极12 中，也可以Κ1和Κ2同时都蚀刻至源极12中，当跳孔的数量为多个时，其中的至少1个或全 部都可以蚀刻到源极12中。
[0035] 进一步地，本实用新型实施例还提供了一种液晶显示器，该液晶显示器包括上述 薄膜晶体管阵列基板2。
[0036] 在本实用新型实施例中，所述像素电极和所述源极通过设置在第二绝缘层上的至 少两个跳孔进行电性连接，可以避免在蚀刻所述源极上绝缘层的时候将所述源极覆盖造成 像素电极与源极接触不良影响显示效果的问题。
[0037] 以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本 实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型 的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、第一绝缘层、 有源层、第二绝缘层以及像素电极； 所述第一绝缘层位于所述栅极上，所述有源层位于所述第一绝缘层上并位于所述栅极 的上方，所述源极和所述漏极分别位于所述有源层上，所述第二绝缘层位于所述源极和所 述漏极的中间以及所述源极和所述漏极上面，所述像素电极位于所述第二绝缘层上； 所述第二绝缘层位于所述源极上面的部分蚀刻至少两个跳孔，所述像素电极通过所述 跳孔与所述源极电性连接。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层位于所述源极上面 的部分蚀刻的跳孔数量为两个，分别为第一跳孔和第二跳孔。
3. 如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一跳孔和所述第二跳孔的形 状为倒圆台型。
4. 如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一跳孔的下底面边沿与所述 第二跳孔的下底面边沿的最近距离大于等于任一所述两个跳孔的下底面直径。
5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少两个跳孔中至少一个跳孔 蚀刻至所述源极中。
6. -种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，其特征在于，所述基板还包括如权利要求1-5 任一项所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述基板上方。
7. -种液晶显示器，其特征在于，所述液晶显示器包括如权利要求5所述的薄膜晶体 管阵列基板。
【文档编号】H01L27/02GK203895467SQ201420254477
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年5月16日 优先权日:2014年5月16日
【发明者】王士敏, 赵约瑟, 张超, 李绍宗 申请人:深圳莱宝高科技股份有限公司