一种三维集成电路组件的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及集成电路结构【技术领域】，尤其涉及一种三维集成电路组件，包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层，所述金属层上成型有集成线路，所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀成型于所述塑胶层上，与现有技术相比，本实用新型的结构简单，塑胶层、金属层的原料来源广泛，制备工艺成熟，制作的三维集成电路组件性能优异，无需使用昂贵的进口设备，且成品率大大提高，降低了生产成本，可大规模工业化生产。
【专利说明】 一种三维集成电路组件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路结构【技术领域】，尤其涉及一种三维集成电路组件。
【背景技术】
[0002]电子电器和机电产品制造工艺和相应的材料技术进步的方向是柔性、环保、环境友好、节能。德国开发出在塑胶表面形成精密和紧密的导电图案的技术，电子元器件可以直接焊接在塑胶外壳或者内壳上，形成无印刷电路板的电子、电器和机电一体化产品，称之为立体电路。
[0003]与传统的二维集成电路相比，三维集成电路的结构具有明显的优越性，且应用也更加广泛，然而现有的三维集成电路的结构较为复杂，原料内含有金属种子，来源少，成本高，只有使用昂贵的进口设备才能生产且成品率低，因此应用受到限制。
[0004]因此，急需提供一种三维集成电路组件，以解决现有技术的不足。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的是提供一种三维集成电路组件，结构简单，原料来源广泛，成品率高，成本低。
[0006]为了实现上述目的，本实用新型采用如下的技术方案:
[0007]—种三维集成电路组件，包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层，所述金属层上成型有集成线路，所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀成型于所述塑胶层上。
[0008]具体地，所述金属层为铜膜层。
[0009]具体地，所述塑胶层为热塑塑胶层。
[0010]具体地，所述集成线路通过激光机切割而成型于所述金属层上。
[0011 ] 具体地，所述抗氧化层为镍抗氧化层。
[0012]具体地，所述抗氧化层通过化学镀成型于所述金属层上。
[0013]具体地，所述塑胶层上开设有一个凹槽，所述金属层设于所述凹槽内，所述塑胶层的两侧还开设有安装孔。
[0014]具体地，所述金属层的厚度介于l-20um之间。
[0015]具体地，所述抗氧化层的厚度介于l-20um之间。
[0016]本实用新型公开了一种三维集成电路组件，包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层，所述金属层上成型有集成线路，所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀设于所述塑胶层上，与现有技术相比，本实用新型的三维集成电路组件结构简单，塑胶层、金属层的原料来源广泛，制备工艺成熟，制作的三维集成电路组件性能优异，无需使用昂贵的进口设备，且成品率大大提高，降低了生产成本，可大规模工业化生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1是本实用新型的三维集成电路组件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明，这是本实用新型的较佳实施例。
[0019]实施例1
[0020]一种三维集成电路组件，包括塑胶层1、金属层2及设于所述金属层上的抗氧化层3，所述金属层2上成型有集成线路，所述金属层2通过真空溅射、打印或者化学镀成型于所述塑胶层I上。
[0021]具体地，所述金属层2为铜膜层，所述金属层的厚度介于l_20um之间，所述塑胶层I为热塑塑胶层。
[0022]所述真空溅射的方法是以塑胶层I为载体，真空镀膜机的高能离子束在高真空度下轰击铜靶，在塑胶层I上形成1-20 μ m厚的铜膜层；
[0023]所述打印的方法是以塑胶层I为载体，纳米铜导电墨水为原料，通过打印机在塑胶层I上打印上一层厚度为1-20 μ m的铜膜层；
[0024]所述化学镀的方法是以塑胶层I为载体，在PH 11-13，温度40_70°C下，超声机的功率为50-250W、频率为20-80KZ，镍镀液包含硫酸镍、氯化镍及硼酸；镀铜液包含乙醛酸、硫酸铜、乙二胺四乙酸、联吡啶及聚乙二醇和苯基聚氧乙烯醚磷酸钠，将塑胶层I置于上述铜镀液中反应5-20min，即可在塑胶层I上镀一层厚度为1_20 μ m抗氧化镍层或者铜膜层。
[0025]具体地，所述集成线路通过激光机切割而成型于所述金属层2上，激光机上装载设计好的CAD文档，激光机选择性扫描铜膜层，将铜膜层上除设计好的集成线路4的其它铜膜层切割掉，保留剩下的铜膜层为集成线路；激光机选用近红外或者紫外激光机，激光机的电磁射线的波长为248nm、308nm、355nm、532nm、1064nmnm,所述激光机的功率400W内。
[0026]具体地，所述抗氧化层3为镍抗氧化层。
[0027]具体地，所述抗氧化层3通过化学镀成型于所述金属层2上。
[0028]具体地，所述塑胶层I上开设有一个凹槽11，所述金属层2设于所述凹槽11内，所述塑胶层I的两侧还开设有安装孔12。
[0029]具体地，所述金属层2的厚度介于l-20um之间。
[0030]具体地，所述抗氧化层3的厚度介于l-20um之间。
[0031]本实用新型公开了一种三维集成电路组件，包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层，所述金属层上成型有集成线路，所述抗氧化层上还设有增厚金属层，所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀设于所述塑胶层上，与现有技术相比，本实用新型的三维集成电路组件结构简单，塑胶层、金属层原料来源广泛，制备工艺成熟，制作的三维集成电路组件性能优异，无需使用昂贵的进口设备，且成品率大大提高，降低了生产成本，可大规模工业化生产。
[0032]将上述结构的三维集成电路板组件进行相关的性能测试，结果如下:线路剥离强度> 3.0N/mm2 ;在380°C测试耐热性，每次10s，测试三次，不起泡不分层；耐浸焊性300°C，> 60s ;阻燃性符合GB/T13557-92标准。
[0033]最后应当说明的是以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
【权利要求】
1.一种三维集成电路组件，其特征在于:包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层，所述金属层上成型有集成线路，所述金属层通过真空溅射、打印或者化学镀成型于所述塑胶层上。
2.根据权利要求1所述的三维集成电路组件，其特征在于:所述金属层为铜膜层。
3.根据权利要求1所述的三维集成电路组件，其特征在于:所述塑胶层为热塑塑胶层。
4.根据权利要求1所述的三维集成电路组件，其特征在于:所述集成线路通过激光机切割而成型于所述金属层上。
5.根据权利要求1所述的三维集成电路组件，其特征在于:所述抗氧化层为镍抗氧化层。
6.根据权利要求5所述的三维集成电路组件，其特征在于:所述抗氧化层通过化学镀成型于所述金属层上。
7.根据权利要求1所述的三维集成电路组件，其特征在于:所述塑胶层上开设有一个凹槽，所述金属层设于所述凹槽内，所述塑胶层的两侧还开设有安装孔。
8.根据权利要求1或2所述的三维集成电路组件，其特征在于:所述金属层的厚度介于l_20um之间。
9.根据权利要求1或5-6任一项所述的三维集成电路组件，其特征在于:所述抗氧化层的厚度介于l-20um之间。
【文档编号】H01L23/48GK204155924SQ201420488847
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年8月27日 优先权日:2014年8月27日
【发明者】严文华 申请人:广东佳禾声学科技有限公司