Oled 显示基板、显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种OLED显示基板、显示装置，属于显示领域。所述OLED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容，所述存储电容的第一电极为掺杂后的所述薄膜晶体管的有源层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。本实用新型的技术方案能够降低显示基板的功耗，并能够简化OLED显示基板的制作工艺，降低OLED显示基板的制作成本。
【专利说明】OLED显示基板、显示装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及显示领域，特别是涉及一种0LED显示基板、显示装置。
【背景技术】
[0002] 低温多晶娃技术（LowTemperaturePoly_silicon，LTPS)最初是日本北美的技术 企业为了降低Note-PC显示屏的能耗，令Note-PC显得更薄更轻而研发的技术，大约在九十 年代中期这项技术开始走向试用阶段。由LTPS衍生的新一代有机发光液晶面板0LED也于 1998年正式走上实用阶段，它的最大优势在于超薄、重量轻、低耗电，同时其自身发光的特 点，因而可以提供更艳丽的色彩和更清晰的影像，而更为重要的是，生产成本只有普通液晶 面板的 1/3。AM_OLED(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode)是有源矩阵有机 发光二极体面板，相比传统的液晶面板，AM-0LED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广 等特点。
[0003] 传统AM-0LED采用2T1C(两个晶体管和一个电容）驱动方式，其中一个开关晶体 管，一个驱动晶体管和一个存储电容，到扫描线有效时，开关晶体管打开，将数据信号存储 到存储电容；存储电容存储的电压信号控制驱动晶体管的导通，将输入的数据电压信号转 换成0LED发光需要的电流信号来显示不同的灰阶。因目前LTPS制程采用的镭射退火技术， 制作的晶体管的阈值电压（Vth)在空间上存在不均匀的特性，致使各个驱动晶体管阈值电 压（Vth)存在较大的差异。
[0004] 现在应用于AM-0LED的LTPS显示基板采用PM0S结构，传统的2T1C结构可以实现 显示，但是由于多晶硅均匀性不好，Vth的波动幅度较大，从而2T1C结构的显示容易发生显 示Mura(亮度不均匀），为了改善像素显示，开发了 6T1C结构或者6T2C结构，6T1C的结构 能够有效的避免Vth波动的影响，改善显示品质。但是6T1C结构增加了制程复杂度，降低 了产能和良率。
[0005] 另外，现有0LED显示基板的存储电容的一个电极采用掺杂后的有源层形成，另一 个电极采用栅金属层形成，接内部电压的电源电极（ELVDD)通过过孔与形成存储电容其中 一个电极的栅金属层图形连接，由于存储电容充电时通常会有瞬间的大电流，为防止大电 流通过单个过孔，通常在一个像素区域设计2个到3个过孔连接栅金属层图形和ELVDD，增 加了过孔不良的概率；同时由于为了保证存储电容的大小，形成存储电容其中一个电极的 栅金属层图形的面积比较大，与源漏金属层图形有很大的交叉面积，在栅金属层图形和源 漏金属层之间形成了电容，造成了很大的负载，增加了整个显示基板的功耗。 实用新型内容
[0006] 本实用新型要解决的技术问题是提供一种0LED显示基板、显示装置，能够降低显 示基板的功耗，并能够简化0LED显示基板的制作工艺，降低0LED显示基板的制作成本。
[0007] 为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供技术方案如下：
[0008] 一方面，提供一种0LED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个薄 膜晶体管和至少一个存储电容，所述存储电容的第一电极为掺杂后的所述薄膜晶体管的有 源层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。
[0009] 进一步地，所述OLED显示基板还包括：
[0010] 位于所述有源层和所述电源电极之间的所述薄膜晶体管的栅电极，所述栅电极与 所述有源层之间间隔有栅绝缘层，所述栅电极与所述电源电极之间间隔有中间绝缘层。
[0011] 进一步地，所述电源电极与所述薄膜晶体管的源电极、漏电极位于同一层。
[0012] 进一步地，所述OLED显示基板还包括：
[0013] 位于所述源电极、漏电极和电源电极之上的平坦层。
[0014] 进一步地，所述OLED显示基板还包括：
[0015] 位于所述平坦层上的阳极、有机发光层和阴极，所述阳极通过所述平坦层中的过 孔与所述漏电极电性连接。
[0016] 进一步地，所述有源层为采用多晶硅制成。
[0017] 本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述的OLED显示基板。
[0018] 本实用新型的实施例具有以下有益效果：
[0019] 上述方案中，OLED显示基板存储电容的电极分别由电源电极和掺杂后的有源层 形成，相比较于现有技术中利用掺杂后的有源层和栅金属层图形形成存储电容的电极而 言，大幅减少了栅金属层图形的面积，从而减少了栅金属层图形与源漏金属层图形的交叉 面积，减少了显示基板的负载，降低了显示基板的功耗；另外，由于栅金属层图形的面积大 幅减少，因此，在利用栅金属层形成栅电极之后，可以直接以栅电极为掩膜对有源层进行掺 杂，不必额外进行一次专门的构图工艺来对有源层进行掺杂，简化了 OLED显示基板的制作 工艺，降低了 OLED显示基板的制作成本；进一步地，由于不需要利用栅金属层图形来形成 存储电容的电极，因此，不必再设计连接栅金属层图形和电源电极的过孔，减少了过孔不良 的概率。
【专利附图】
【附图说明】
[0020] 图1为本实用新型实施例的OLED显示基板形成有源层后的平面示意图；
[0021] 图2为图1的A-A'处截面示意图；
[0022] 图3为本实用新型实施例的OLED显示基板形成栅电极后的平面示意图；
[0023] 图4为图3的A-A'处截面示意图；
[0024] 图5为本实用新型实施例的OLED显示基板形成中间绝缘层后的平面示意图；
[0025] 图6为图5的A-A'处截面示意图；
[0026] 图7为本实用新型实施例的OLED显示基板形成源电极和漏电极后的平面示意 图；
[0027] 图8为图7的A-A'处截面示意图；
[0028] 图9为本实用新型实施例的OLED显示基板形成平坦层后的平面示意图；
[0029] 图10为图9的A-A'处截面示意图；
[0030] 图11为本实用新型实施例的OLED显示基板形成阳极后的平面示意图；
[0031] 图12为图11的A-A'处截面示意图；
[0032] 图13为图11的B-B'处截面示意图；
[0033] 图14为本实用新型一实施例的OLED显不基板的像素结构不意图；
[0034] 图15为本实用新型实施例的OLED显示基板的电路结构示意图；
[0035] 图16为本实用新型实施例的OLED显示基板的信号时序图；
[0036] 图17为现有OLED显示基板的平面示意图；
[0037] 图18为图17的A-A'处截面示意图。
[0038] 附图标记
[0039] 1基板，2有源层，3栅绝缘层，4栅电极，5发射电极，6复位端，7中间绝缘层，8源 电极和漏电极，9电源电极，10数据线，11平坦层，12阳极，13公共电极，14栅金属层图形。
【具体实施方式】
[0040] 为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图 及具体实施例进行详细描述。
[0041] 实施例一
[0042] 本实施例提供了一种OLED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个 薄膜晶体管和至少一个存储电容，其中，所述存储电容的第一电极为掺杂后的所述薄膜晶 体管的有源层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。
[0043] 本实施例的OLED显示基板存储电容的电极分别由电源电极和掺杂后的有源层形 成，相比较于现有技术中利用掺杂后的有源层和栅金属层图形形成存储电容的电极而言， 大幅减少了栅金属层图形的面积，从而减少了栅金属层图形与源漏金属层图形的交叉面 积，减少了显示基板的负载，降低了显示基板的功耗；另外，由于栅金属层图形的面积大幅 减少，因此，在利用栅金属层形成栅电极之后，可以直接以栅电极为掩膜对有源层进行掺 杂，不必额外进行一次专门的构图工艺来对有源层进行掺杂，简化了 OLED显示基板的制作 工艺，降低了 OLED显示基板的制作成本；进一步地，由于不需要利用栅金属层图形来形成 存储电容的电极，因此，不必再设计连接栅金属层图形和电源电极的过孔，减少了过孔不良 的概率。
[0044] 进一步地，所述OLED显示基板还包括：
[0045] 位于所述有源层和所述电源电极之间的所述薄膜晶体管的栅电极，所述栅电极与 所述有源层之间间隔有栅绝缘层，所述栅电极与所述电源电极之间间隔有中间绝缘层。
[0046] 进一步地，所述电源电极与所述薄膜晶体管的源电极、漏电极位于同一层。
[0047] 进一步地，所述OLED显示基板还包括：
[0048] 位于所述源电极、漏电极和电源电极之上的平坦层。
[0049] 进一步地，所述OLED显示基板还包括：
[0050] 位于所述平坦层上的阳极、有机发光层和阴极，所述阳极通过所述平坦层中的过 孔与所述漏电极电性连接。
[0051] 进一步地，为了保证OLED显示基板的性能，所述有源层为采用多晶硅制成。
[0052]实施例二
[0053] 本实施例提供了一种显示装置，包括如实施例一所述的OLED显示基板。所述显示 装置可以为：显示面板、电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产 品或部件。
[0054] 实施例三
[0055] 本实施例还提供了一种上述OLED显示基板的制作方法，所述制作方法包括：
[0056] 提供一基板；
[0057] 在所述基板上形成有源层的图形；
[0058] 在形成有所述有源层的图形的基板上形成栅绝缘层；
[0059] 在所述栅绝缘层上形成栅电极的图形，以栅电极的图形为掩膜，对所述有源层进 行掺杂，利用掺杂后的所述有源层形成所述存储电容的第一电极；
[0060] 在形成有所述栅电极的基板上形成中间绝缘层；
[0061] 在所述中间绝缘层上形成所述电源电极的图形，利用所述电源电极形成所述存储 电容的第二电极。
[0062] 本实施例分别由电源电极和掺杂后的有源层形成OLED显示基板存储电容的电 极，相比较于现有技术中利用掺杂后的有源层和栅金属层图形形成存储电容的电极而言， 大幅减少了栅金属层图形的面积，从而减少了栅金属层图形与源漏金属层图形的交叉面 积，减少了显示基板的负载，降低了显示基板的功耗；另外，由于栅金属层图形的面积大幅 减少，因此，在利用栅金属层形成栅电极之后，可以直接以栅电极为掩膜对有源层进行掺 杂，不必额外进行一次专门的构图工艺来对有源层进行掺杂，简化了 OLED显示基板的制作 工艺，降低了 OLED显示基板的制作成本；进一步地，由于不需要利用栅金属层图形来形成 存储电容的电极，因此，不必再设计连接栅金属层图形和电源电极的过孔，减少了过孔不良 的概率。
[0063] 进一步地，所述在所述基板上形成有源层的图形包括：
[0064] 在所述基板上沉积非晶硅层，对所述非晶硅层进行激光晶化，形成多晶硅层；
[0065] 通过一次构图工艺利用所述多晶硅层形成所述有源层的图形。
[0066] 进一步地，所述在所述中间绝缘层上形成所述电源电极的图形包括：
[0067] 通过一次构图工艺利用源漏金属层形成所述电源电极和源电极、漏电极。
[0068] 实施例四
[0069] 下面结合附图对本实施例的OLED显示基板进行详细说明：
[0070] 如图17和18所示，现有OLED显示基板的存储电容的一个电极采用掺杂后的有源 层2形成，另一个电极为由栅金属层形成，接内部电压的电源电极（ELVDD)9通过过孔与形 成存储电容Cst其中一个电极的栅金属层图形14连接，由于存储电容充电时通常会有瞬间 的大电流，为防止大电流通过单个过孔，通常在一个像素区域设计2个到3个过孔连接栅金 属层图形14和电源电极9,增加了过孔不良的概率；同时由于为了保证存储电容的大小，形 成存储电容其中一个电极的栅金属层图形14的面积比较大，与源漏金属层图形有很大的 交叉面积，在栅金属层图形14和源漏金属层之间形成了电容，造成了很大的负载，增加了 整个显示基板的功耗；另外，有源层2采用多晶硅制成，多晶硅仍是本征态，迀移率很低，不 能作为存储电容的电极，需要对有源层2进行掺杂来形成存储电容的电极，但是由于栅金 属层图形14的面积比较大，有源层2的大部分区域被栅金属层图形14所遮挡，因此不能以 栅金属层图形2为掩膜对有源层2进行掺杂，需要进行额外的构图工艺来专门对有源层2 进行掺杂，增加了OLED显示基板制作工艺的复杂性，提高了OLED显示基板的制作成本；另 夕卜，如图17所示，与源漏金属层图形交叉的栅金属层图形14与形成T1和T2的栅金属层图 形之间的间距很小，工艺波动很可能导致这两个栅金属层图形相连，使得T1、T2失效，导 致出现显示不良。
[0071] 为了解决上述问题，本实施例提供了一种OLED显不基板，该OLED显不基板的制作 方法具体包括以下步骤：
[0072] 步骤1:提供一基板1，并在基板1上形成有源层2;
[0073] 基板1可以为石英基板或玻璃基板，具体地，基板1可以为厚度在0. 4-0. 7mm 之间的玻璃基板。对基板1进行清洗，待基板1洁净无尘后采用CVD(ChemicalVapor Deposition，化学气相沉积）方法在基板1上沉积一层厚度为
【权利要求】
1. 一种OLED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个薄膜晶体管和至少 一个存储电容，其特征在于，所述存储电容的第一电极为掺杂后的所述薄膜晶体管的有源 层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。
2. 根据权利要求1所述的0LED显示基板，其特征在于，所述0LED显示基板还包括： 位于所述有源层和所述电源电极之间的所述薄膜晶体管的栅电极，所述栅电极与所述 有源层之间间隔有栅绝缘层，所述栅电极与所述电源电极之间间隔有中间绝缘层。
3. 根据权利要求1所述的0LED显示基板，其特征在于，所述电源电极与所述薄膜晶体 管的源电极、漏电极位于同一层。
4. 根据权利要求3所述的0LED显示基板，其特征在于，所述0LED显示基板还包括： 位于所述源电极、漏电极和电源电极之上的平坦层。
5. 根据权利要求4所述的0LED显示基板，其特征在于，所述0LED显示基板还包括： 位于所述平坦层上的阳极、有机发光层和阴极，所述阳极通过所述平坦层中的过孔与 所述漏电极电性连接。
6. 根据权利要求1-5中任一项所述的0LED显示基板，其特征在于，所述有源层为采用 多晶硅制成。
7. -种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的0LED显示基板。
【文档编号】H01L27/32GK204216048SQ201420791318
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年12月12日 优先权日:2014年12月12日
【发明者】张金中, 肖昂 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司