Oled显示面板制造方法及薄膜晶体管阵列基板制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种OLED显示面板制造方法及薄膜晶体管阵列基板制造方法。薄膜晶体管阵列基板制造方法包括以下步骤：E、在玻璃基板上形成栅极线材料层；F、针对栅极线材料层实施光罩制程，以形成栅极线和备用修补线；G、按先后顺序在栅极线以及备用修补线的表面上形成半导体层和金属层；H、在金属层的上表面上形成透明电极层；I、在透明电极层上形成配向膜层。本发明能提高OLED显示面板的制造良率。
【专利说明】
OLED显示面板制造方法及薄膜晶体管阵列基板制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及OLED显示面板制造领域，特别涉及一种OLED显示面板制造方法及薄膜晶体管阵列基板制造方法。
【背景技术】
[0002]传统的薄膜晶体管阵列基板的制造过程中一般都需要在玻璃基板上设置栅极线，由于各种因素的影响，该栅极线很容易出现断线缺陷，在这种情况下，薄膜晶体管阵列基板会出现质量问题，从而导致传统的薄膜晶体管阵列基板的制造过程的良率降低。
[0003]故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种OLED显示面板制造方法及薄膜晶体管阵列基板制造方法，其能提尚OLED显不面板的制造良率。
[0005]为解决上述问题，本发明的技术方案如下:
一种OLED显示面板制造方法，所述方法包括以下步骤:A、形成彩色滤光片基板;B、形成薄膜晶体管阵列基板;C、将所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板叠加组合为一体，以形成液晶盒;D、在所述液晶盒内注入液晶分子;其中，所述步骤B包括:bl、在玻璃基板上形成栅极线材料层;b2、针对所述栅极线材料层实施光罩制程，以形成栅极线和与所述栅极线对应的备用修补线，所述备用修补线与所述栅极线平行设置，所述备用修补线与所述栅极线具有预定间距;b3、按先后顺序在所述栅极线以及所述备用修补线的表面上形成半导体层和金属层;b4、在所述金属层的上表面上形成透明电极层，所述透明电极层与所述栅极线在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上具有重叠部分;b5、在所述透明电极层上形成配向膜层;其中，所述半导体层与所述金属层均设置于所述栅极线与所述透明电极层之间，并且在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上，所述半导体层与所述金属层部分或全部位于所述重叠部分中，所述金属层在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上位于所述半导体层的上方;所述备用修补线用于在所述栅极线出现断线缺陷部的情况下，与所述栅极线中被所述断线缺陷部分隔的两部分连接，以修补所述栅极线。
[0006]在上述OLED显示面板制造方法中，所述栅极线和所述半导体层之间还包括第一绝缘层，所述金属层和所述透明电极层之间还包括第二绝缘层，所述步骤B还包括:b6、在形成所述栅极线和所述备用修补线后，在所述栅极线和所述备用修补线的表面上形成第一绝缘层。
[0007]在上述OLED显示面板制造方法中，在所述步骤b6之后，所述步骤B还包括:b7、在所述金属层的上表面上形成所述第二绝缘层。
[0008]在上述OLED显示面板制造方法中，所述步骤b4为:在所述第二绝缘层的上表面上形成所述透明电极层。
[0009]在上述OLED显示面板制造方法中，所述半导体层为非晶硅层。
[0010]—种薄膜晶体管阵列基板制造方法，所述方法包括以下步骤:E、在玻璃基板上形成栅极线材料层;F、针对所述栅极线材料层实施光罩制程，以形成栅极线和与所述栅极线对应的备用修补线，所述备用修补线与所述栅极线平行设置，所述备用修补线与所述栅极线具有预定间距;G、按先后顺序在所述栅极线以及所述备用修补线的表面上形成半导体层和金属层;H、在所述金属层的上表面上形成透明电极层，所述透明电极层与所述栅极线在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上具有重叠部分;1、在所述透明电极层上形成配向膜层;其中，所述半导体层与所述金属层均设置于所述栅极线与所述透明电极层之间，并且在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上，所述半导体层与所述金属层部分或全部位于所述重叠部分中，所述金属层在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上位于所述半导体层的上方;所述备用修补线用于在所述栅极线出现断线缺陷部的情况下，与所述栅极线中被所述断线缺陷部分隔的两部分连接，以修补所述栅极线。
[0011]在上述薄膜晶体管阵列基板制造方法中，所述栅极线和所述半导体层之间还包括第一绝缘层，所述金属层和所述透明电极层之间还包括第二绝缘层，所述方法还包括以下步骤:J、在形成所述栅极线和所述备用修补线后，在所述栅极线和所述备用修补线的表面上形成第一绝缘层。
[0012]在上述薄膜晶体管阵列基板制造方法中，在所述步骤J之后，所述方法还包括以下步骤:K、在所述金属层的上表面上形成所述第二绝缘层。
[0013]在上述薄膜晶体管阵列基板制造方法中，所述步骤H为:在所述第二绝缘层的上表面上形成所述透明电极层。
[0014]在上述薄膜晶体管阵列基板制造方法中，所述半导体层为非晶硅层。
[0015]相对现有技术，本发明能提尚OLED显不面板的制造良率。
[0016]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【附图说明】
[0017]图1是本发明的OLED显示面板制造方法的流程图。
[0018]图2是图1中形成薄膜晶体管阵列基板的步骤的流程图。
【具体实施方式】
[0019]参考图1和图2，图1是本发明的OLED显不面板制造方法的流程图。图2是图1中形成薄膜晶体管阵列基板的步骤的流程图。
[0020]本发明的OLED显示面板制造方法包括以下步骤:
A(步骤101)、形成彩色滤光片基板。
[0021]B(步骤102)、形成薄膜晶体管阵列基板。
[0022]C(步骤103)、将所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板叠加组合为一体，以形成液晶盒。
[0023 ] D (步骤104 )、在所述液晶盒内注入液晶分子。
[0024]其中，所述步骤B(步骤102)包括:
bl (步骤1021)、在玻璃基板上形成栅极线材料层。
[0025]b2(步骤1022)、针对所述栅极线材料层实施光罩制程，以形成栅极线和与所述栅极线对应的备用修补线，所述备用修补线与所述栅极线平行设置，所述备用修补线与所述栅极线具有预定间距。
[0026]b3(步骤1024)、按先后顺序在所述栅极线以及所述备用修补线的表面上形成半导体层和金属层。
[0027]b4(步骤1026)、在所述金属层的上表面上形成透明电极层，所述透明电极层与所述栅极线在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上具有重叠部分。
[0028]b5(步骤1027)、在所述透明电极层上形成配向膜层。
[0029]其中，所述半导体层与所述金属层均设置于所述栅极线与所述透明电极层之间，并且在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上，所述半导体层与所述金属层部分或全部位于所述重叠部分中，所述金属层在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上位于所述半导体层的上方。
[0030]所述备用修补线用于在所述栅极线出现断线缺陷部的情况下，与所述栅极线中被所述断线缺陷部分隔的两部分连接，以修补所述栅极线。
[0031]在本发明的OLED显示面板制造方法中，所述栅极线和所述半导体层之间还包括第一绝缘层，所述金属层和所述透明电极层之间还包括第二绝缘层，所述步骤B(步骤102)还包括:
b6(步骤1023)、在形成所述栅极线和所述备用修补线后，在所述栅极线和所述备用修补线的表面上形成第一绝缘层。
[0032]在本发明的OLED显示面板制造方法中，在所述步骤b6(步骤1023)之后，所述步骤B(步骤102)还包括:
b7(步骤1025)、在所述金属层的上表面上形成所述第二绝缘层。
[0033]在本发明的OLED显示面板制造方法中，所述步骤b4(步骤1026)为:
在所述第二绝缘层的上表面上形成所述透明电极层。
[0034]在本发明的OLED显示面板制造方法中，所述半导体层为非晶硅层。
[0035]所述液晶盒的边缘部还设置有框胶。所述框胶用于对所述液晶盒进行密封，以将所述液晶分子限制在所述液晶盒内，以及防止所述液晶从所述液晶盒中泄漏。
[0036]所述框胶包括液晶注入接口，所述液晶注入接口为孔洞，所述孔洞贯穿所述框胶。
[0037]所述步骤C(步骤103)包括:
Cl、将所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板叠加组合为一体；c2、在所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间设置第一框胶材料；c3、在所述第一框胶材料内放置预定模具，其中，所述预定模具贯穿所述第一框胶材料，所述预定模具用于在所述框胶内形成所述孔洞；
c4、对所述第一框胶材料进行固化，以形成所述框胶； c5、从所述框胶中取出所述预定模具。
[0038]所述孔洞内设置有第一卡设部和第二卡设部，所述第一卡设部位于所述孔洞靠近所述液晶盒内用于容纳所述液晶分子的液晶分子容纳空间的一侧，所述第二卡设部位于所述孔洞的中部。
[0039]所述预定模具具有第一塑造部和第二塑造部，所述第一塑造部与所述第一卡设部对应，所述第二塑造部与所述第二卡设部对应，所述第一塑造部用于在所述第一框胶材料固化的过程中塑造所述第一卡设部，所述第二塑造部用于在所述第一框胶材料固化的过程中塑造所述第二卡设部。
[0040]在所述步骤D之后，所述方法还包括以下步骤:
在所述孔洞内放置挡隔片，所述挡隔片卡设于所述第一卡设部，所述挡隔片位于所述孔洞靠近所述液晶分子容纳空间的一侧。所述挡隔片用于封堵所述孔洞，以使所述液晶分子容纳空间密闭。所述挡隔片包括第一表面和第二表面，所述第一表面朝向所述液晶分子容纳空间，所述第二表面背向所述液晶分子容纳空间。所述第二表面上设置有筋条阵列，所述筋条阵列包括至少两筋条，所述筋条竖立于所述第二表面上。
[0041]向所述孔洞放置巩固支架，所述巩固支架与所述第二卡设部相卡设。所述筋条与所述巩固支架交错，即，所述筋条嵌入到所述巩固支架内。
[0042]向所述孔洞注入第二框胶材料，以使所述第二框胶材料填充所述孔洞，并且所述第二框胶材料与所述巩固支架、所述筋条混合为一体。
[0043]对所述孔洞内的所述第二框胶材料进行固化，以形成封堵胶，所述封堵胶用于对所述孔洞进行封堵。具体地，向所述孔洞内的所述第二框胶材料照射紫外线，以使所述第二框胶材料固化。
[0044]所述孔洞的内壁还设置有环状褶皱，所述环状褶皱环绕所述孔洞所对应的中心轴，所述封堵胶的至少一部分与所述环状褶皱相耦合，即所述封堵胶的至少一部分与所述环状褶皱相嵌套。所述封堵胶与所述环状褶皱用于共同提高所述孔洞的密封性。
[0045]所述预定模具还具有第三塑造部，所述第三塑造部，所述第三塑造部与所述环状褶皱对应，所述第三塑造部用于在所述第一框胶材料固化的过程中塑造所述环状褶皱。
[0046]综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【主权项】
1.一种OLED显示面板制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤: A、形成彩色滤光片基板； B、形成薄膜晶体管阵列基板； C、将所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板叠加组合为一体，以形成液晶盒； D、在所述液晶盒内注入液晶分子； 其中，所述步骤B包括: bl、在玻璃基板上形成栅极线材料层； b2、针对所述栅极线材料层实施光罩制程，以形成栅极线和与所述栅极线对应的备用修补线，所述备用修补线与所述栅极线平行设置，所述备用修补线与所述栅极线具有预定间距； b3、按先后顺序在所述栅极线以及所述备用修补线的表面上形成半导体层和金属层；b4、在所述金属层的上表面上形成透明电极层，所述透明电极层与所述栅极线在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上具有重叠部分；b5、在所述透明电极层上形成配向膜层； 其中，所述半导体层与所述金属层均设置于所述栅极线与所述透明电极层之间，并且在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上，所述半导体层与所述金属层部分或全部位于所述重叠部分中，所述金属层在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上位于所述半导体层的上方； 所述备用修补线用于在所述栅极线出现断线缺陷部的情况下，与所述栅极线中被所述断线缺陷部分隔的两部分连接，以修补所述栅极线。2.根据权利要求1所述的OLED显示面板制造方法，其特征在于，所述栅极线和所述半导体层之间还包括第一绝缘层，所述金属层和所述透明电极层之间还包括第二绝缘层，所述步骤B还包括: b6、在形成所述栅极线和所述备用修补线后，在所述栅极线和所述备用修补线的表面上形成第一绝缘层。3.根据权利要求2所述的OLED显示面板制造方法，其特征在于，在所述步骤b6之后，所述步骤B还包括: b7、在所述金属层的上表面上形成所述第二绝缘层。4.根据权利要求3所述的OLED显示面板制造方法，其特征在于，所述步骤b4为: 在所述第二绝缘层的上表面上形成所述透明电极层。5.根据权利要求1所述的OLED显示面板制造方法，其特征在于，所述半导体层为非晶硅层。6.—种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤: E、在玻璃基板上形成栅极线材料层； F、针对所述栅极线材料层实施光罩制程，以形成栅极线和与所述栅极线对应的备用修补线，所述备用修补线与所述栅极线平行设置，所述备用修补线与所述栅极线具有预定间距； G、按先后顺序在所述栅极线以及所述备用修补线的表面上形成半导体层和金属层； H、在所述金属层的上表面上形成透明电极层，所述透明电极层与所述栅极线在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上具有重叠部分； 1、在所述透明电极层上形成配向膜层； 其中，所述半导体层与所述金属层均设置于所述栅极线与所述透明电极层之间，并且在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上，所述半导体层与所述金属层部分或全部位于所述重叠部分中，所述金属层在垂直于所述薄膜晶体管阵列基板所在的平面的方向上位于所述半导体层的上方； 所述备用修补线用于在所述栅极线出现断线缺陷部的情况下，与所述栅极线中被所述断线缺陷部分隔的两部分连接，以修补所述栅极线。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述栅极线和所述半导体层之间还包括第一绝缘层，所述金属层和所述透明电极层之间还包括第二绝缘层，所述方法还包括以下步骤: J、在形成所述栅极线和所述备用修补线后，在所述栅极线和所述备用修补线的表面上形成第一绝缘层。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，在所述步骤J之后，所述方法还包括以下步骤: K、在所述金属层的上表面上形成所述第二绝缘层。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤H为: 在所述第二绝缘层的上表面上形成所述透明电极层。10.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述半导体层为非晶硅层。
【文档编号】H01L27/12GK105914214SQ201610417313
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年6月15日
【发明人】袁蕾, 崔亚军
【申请人】深圳爱易瑞科技有限公司