一种PGaN基LED外延片的制作方法
【专利摘要】一种PGaN基LED外延片，包括在蓝宝石衬底上依次生长的uGaN层，nGaN层，缓冲层，InGaN/GaN 多量子阱层和GaN基LED所需的PA1GaN 和PGaN，其特征在于：在所述PGaN层上还生长有一层P-GaN，所述PGaN层为在800～1200℃生长的PGaN层，所述P-GaN层为在850～1250℃生长的P-GaN层，其厚度在0～300 ? 之间；本实用新型的一种PGaN基LED外延片，其通过PGaN层叠加的生长方式降低阻抗，扩散电流方向，提高了发光效率，并可以获取高质量的InGaN/GaN 多量子阱的LED 外延片，对现有生长工艺无冲突，且结构紧凑。
【专利说明】 —种PGaN基LED外延片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及光电【技术领域】，具体地说是一种PGaN基LED外延片。
【背景技术】
[0002]LED具有体积小、坚固耐用、发光波段可控性强、光效高、低热损耗、光衰小、节能、环保等优点，受到了广泛的应用，照明领域对LED提出越来越高的要求，提高亮度和降低生产成本是LED行业的追求；PGaN型结构及其生长方式是提高GaN基LED效率的关键，但是PGaN因为其欧姆接触阻抗高而往往导致发光效率差，对LED行业来说，寻求新结构和优化现有结构以提闻发光效率仍是一项急需解决的技术问题。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种PGaN基LED外延片，通过PGaN叠加的生长方式降低阻抗，扩散电流，有效提高了发光效率。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采取的技术方案是:一种PGaN基LED外延片，包括在蓝宝石衬底上依次生长的UGaN层、nGaN层、缓冲层、InGaN/GaN多量子阱层和GaN基LED所需的PAlGaN层和PGaN层，在所述PGaN层上还生长有P-GaN层，所述PGaN层为在800?1200°C生长的PGaN层，其厚度在O?300A之间，所述P-GaN层为在850?1250°C生长的P-GaN层，其厚度在O?300A之间。
[0005]本实用新型的有益效果是:本实用新型的一种PGaN基LED外延片，通过PGaN层叠加的生长方式降低阻抗，扩散电流方向，有效提高了发光效率，并获取高质量的InGaN/GaN多量子阱的LED外延片，对现有生长工艺无冲突，且实施方便，结构紧凑。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型的结构示意图。图中:
[0007]1.监宝石衬底，2.uGaN层，3.nGaN层，4.缓冲层，5.1nGaN/GaN多里子讲层，6.PAlGaN 层，7.PGaN 层，8.P-GaN 层。
【具体实施方式】
[0008]参照说明书附图对本实用新型作进一步详细的说明:
[0009]如图1所示，一种PGaN基LED外延片，包括在蓝宝石衬底I上依次生长的uGaN层2、nGaN层3、缓冲层4、InGaN/GaN多量子阱层5和GaN基LED所需的PAlGaN层6和PGaN层7，在所述PGaN层7上还生长有P-GaN层8，优选的，所述PGaN层7是在在800?1200°C温度下生长的，其中Mg掺杂IE 18/cm2，厚度在O?300A之间；所述P-GaN层8是在850?1250°C温度环境中生长的，其中Mg掺杂lE20/cm2，厚度在O?300A之间。
[0010]本实用新型提供的一种促进电流扩散的PGaN基LED外延片，其通过PGaN叠加生长扩散电流，提高了发光效率，并获取高质量的InGaN/GaN多量子阱的LED外延片。
[0011]除说明书所述技术特征外，均为本专业技术人员已知技术。
【权利要求】
1.一种PGaN基LED外延片，包括在蓝宝石衬底上依次生长的uGaN层、nGaN层、缓冲层、nGaN/GaN多量子阱层和GaN基LED所需的PAlGaN层和PGaN层，其特征在于:在所述PGaN层(7)上还生长有P-GaN层(8)，所述PGaN层(7)为在800?1200°C生长的PGaN层(7),其厚度在0?300A之间，所述P-GaN层(8)为在850?1250°C生长的Ρ-GaN层(8)，其厚度在0?300A之间。
【文档编号】H01L33/14GK204257686SQ201420828798
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月24日 优先权日:2014年12月24日
【发明者】邓顺达, 林溪汉, 林政德 申请人:冠铨（山东）光电科技有限公司