半导体用复合基板的操作基板的制作方法

半导体用复合基板的操作基板的制作方法
【专利摘要】半导体用复合基板包括操作基板(11)、以及在操作基板(11)的表面直接或介由接合层键合的施主基板。操作基板(11)由绝缘性多晶材料形成，操作基板(11)的表面(15)的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，操作基板的表面形成有凹部(6)。
【专利说明】半导体用复合基板的操作基板

【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体用复合基板的操作基板。

【背景技术】
[0002] 以往，将被称为石英上硅（SOQ)、玻璃上硅（SOG)、蓝宝石上硅（SOS)的操作基板、 由透明?绝缘基板构成的S0I，或GaN、ZnO、金刚石、AlN等的透明宽能隙半导体键合至硅等 的施主基板中，得到贴合晶片是已知的。从操作基板的绝缘性?透明性，期待将SOQ、S0G、 SOS等应用于投影机、高频装置等中。且期待将宽能隙半导体薄膜与操作基板复合化得到的 贴合晶片应用于高性能激光和功率器件等中。
[0003] 这样的半导体集成电路用复合基板由操作基板、施主基板构成，一般操作基板和 施主基板由单晶材料构成。以往，在底座基板上通过外延生长形成硅层的方法是主流，但近 年来已研发出直接键合形成的方法，从而改善半导体装置的性能。（专利文献1、2、3)S卩，这 样的操作基板和施主基板介由接合层和粘合层键合，或直接键合。此外，随着键合技术的进 步，也提出了石英、玻璃、氧化铝的蓝宝石以外的各种材质构成的操作基板。（专利文献4、 5、6、7)。
[0004] 现有技术文献
[0005](专利文献1)日本专利特开平08-512432
[0006](专利文献2)日本专利特开2003-224042
[0007](专利文献3)日本专利特开2010-278341
[0008](专利文献 4)W0 2〇10/128666Al
[0009](专利文献5)日本专利特开平05-160240
[0010](专利文献6)日本专利特开平05-160240
[0011](专利文献7)日本专利特开2008-288556


【发明内容】

[0012] 为了尽可能使与施主基板键合用的操作基板的分子间力所产生的键合力最大化， 通过CMP等进行高精度研磨，使其Ra值为5nm以下是最好的。
[0013] 然而，完成该操作后的复合基板在各种半导体工艺的过程中，有时会被暴露于近 l〇〇〇°C的温度环境下。因此，当功能层和支撑基板以及接合层为不同的材料时，会由于各种 材料的热膨胀差而产生基板剥离等的问题。为此，为使分子间力所产生的键合力最大化、最 好是保持操作基板表面的Ra值低的同时，能够承受键合后的高温工艺的热应力。
[0014] 本发明的课题在于提供一种可以与施主基板键合、且对键合后的高温工艺的热应 力具有高耐久性的半导体用复合基板的操作基板。
[0015] 本发明的半导体用复合基板的操作基板，操作基板由绝缘性多晶材料形成，操作 基板表面的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，操作基板表面形成有凹部。
[0016] 此外，本发明的半导体用复合基板的操作基板，含所述操作基板以及与操作基板 的所述表面直接键合或介由接合层键合的施主基板。
[0017] 操作基板为蓝宝石基板时，其表面可以是非常平滑的，但键合后的复合基板经过 高温处理后，由于操作基板与施主基板之间的热膨胀差异，容易产生裂纹和剥离。
[0018] 因此，本发明人的操作基板由多晶材料形成。这里，多晶材料具有多个微细颗粒粘 结而成的微细结构。本发明人在这样的多晶材料成型后，在其表面通过适当的精密研磨加 工，使Ra足够小的同时，通过在表面相邻的晶粒之间，使微细晶粒的脱落或积极利用结晶 内部存在的气泡，得到残留微细凹部的结构。
[0019] 这样，通过使晶粒的表面在微观观察时是光滑的，从而可以与施主基板键合。与此 同时，通过在操作基板表面形成微细凹部相邻的晶粒间残留的微细结构，在该凹部中填充 接合层和粘合层，可预期有很强的锚定效应，可以防止由于热膨胀差产生的裂纹和剥离。

【专利附图】

【附图说明】
[0020] 图I(a)为多晶材料的加工工序示意图，图I(b)为本发明的操作基板的表面状态 的示意图。
[0021] 图2为本发明的操作基板的表面的照片。
[0022] 图3 (a)表不多晶材料组成的空白基板12,图3 (b)表不对空白基板12进行精密研 磨加工得到的基材1，图3(C)表示进一步研磨加工基材1得到的操作基板11，图3(d)表示 操作基板11上介由接合层16键合施主基板17得到的复合基板20A，图3 (e)表示在操作基 板11上直接键合施主基板17得到的复合基板20B。
[0023] 图4(a)表示在操作基板11上介由接合层16键合施主基板17得到的复合基板 20A的微细结构的示意图，图4(b)表示操作基板11上直接键合施主基板17得到的复合基 板20B微细结构的示意图。
[0024] 图5(a)、（b)、（C)分别表示凹部的平面形状的示例图。
[0025] 图6表示操作基板的表面形成的凹部的深度的分布图。
[0026] 图7表示操作基板的表面形成的凹部的直径的分布图。

【具体实施方式】
[0027] 本发明的实施方式
[0028] 以下，适当参照附图，进一步对本发明进行说明。
[0029] 首先，如图3(a)所示，准备多晶材料构成的空白基板12。空白基板12的表面12a、 12b可以是磨削面，也可以是烧制面（烧制后未加工面）。
[0030] 多晶材料具有多个微细颗粒粘结而成的微细结构。多晶材料如图I(a)所示，由晶 粒3无规则排列构成。通过对空白基片12的表面12a进行精密研磨加工，各晶粒3沿着平 面切削，分别具有平坦面的、研磨后的晶粒2露出表面。这种研磨后的晶粒2的表面平滑。
[0031] 此处，基材1的表面5残留的晶粒2之间残留凹部，此时，在凹部中残留大部分被 研磨消失的微细颗粒4。然后，对该基材1的表面5进一步精密研磨，当晶粒2的露出面的 表面中心线平均粗糙度Ra进一步增加时，残留在这些晶界的微细颗粒4脱落，成功残留凹 部6 (图I(b)、图3 (c))。基材1的表面5上残存的各个晶体的边缘部分，由于颗粒4小，与 其它晶粒的密合性弱，通过进一步研磨能够容易地除去。这样不进行图案化等处理能够形 成大量表面凹部。此外通过使材料的晶粒尺寸为15μm以上，晶体内部容易产生气泡，可以 在研磨加工后的表面形成凹部。
[0032]S卩，通过除去残留晶粒形成凹部时，晶粒间的晶界上可以形成凹部。此外，由控制 晶粒尺寸产生的气泡形成凹部时，由于晶粒内部存在气泡，可以在研磨后的表面上于晶粒 内形成凹部。
[0033] 这样得到的操作基板11中，表面15的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以 下，由操作基板表面的晶粒4的脱落引起的凹部6沿着相邻的晶粒2的晶界形成。
[0034] 图1(b)的示意图所示的表面用图2的照片表示。图2的照片中，暗的部分是颗粒 2的露出面2a，细长的亮线表示晶界，圆凹痕表示凹部6。
[0035] 得到操作基板11之后，可以在操作基板11的表面15键合施主基板17。图3(d) 和图4(a)的例子中，在操作基板11的表面15上介由接合层16键合施主基板17。此时，由 于操作基板11的表面微观观察为平滑，可以提高与施主基板的键合强度。此外，还知道了 由于接合层16的材质如16a那样进入凹部6内，可以起到一种锚定效应，从而能够抑制由 于操作基板和施主基板之间的热膨胀差异引起的剥离。
[0036] 此外，图3(e)和图4(b)的例子中，操作基板11的表面15上直接键合施主基板17。 此时，由于操作基板11的表面微观观察为平滑，可以提高其与施主基板的键合强度。另外， 还知道了由于施主基板的材质如17a那样进入凹部6内，可以起到一种锚定效应，从而能够 抑制由于操作基板和施主基板之间的热膨胀差异引起的剥离。
[0037] 以下，对本发明的各个结构要素作进一步说明。
[0038](半导体用复合基板）
[0039] 本发明的复合基板可以用于投影机、高频器件、高性能激光、功率器件等的半导体 中，特别是半导体回路基板中。
[0040] 复合基板包括本发明的操作基板和施主基板。
[0041] 对施主基板的材质无特别限定，优选从硅、氮化铝、氮化镓、氮化锌以及金刚石组 成的群组中选择，对施主基板的厚度无特别限定，通常的SEMI/JEIDA标准附近的厚度从操 作的关系来说处理简单。
[0042] 施主基板具有上述材质，其表面也可以具有氧化膜。通过氧化膜进行离子注入时， 可以得到抑制注入离子的沟道效应的效果。氧化膜的厚度优选为50?500nm。具有氧化膜 的施主基板也属于施主基板，没有特别区分时，称为施主基板。
[0043](操作基板）
[0044] 对操作基板的厚度无特别限定，通常的SEMI/JEIDA标准附近的厚度从操作的关 系来说处理简单。
[0045] 操作基板的材质为多晶材料。对多晶材料无特别限定。优选从氧化硅、氧化铝、氮 化铝、碳化硅、氮化硅、赛隆和氮化镓组成的群组中选择。
[0046] 多晶材料的晶体粒径优选5μm以上，这样，容易抑制晶粒的脱落现象。晶体粒径 过小时，脱粒显著，凹部数变多，容易影响后面形成的半导体的特性。从这点来说，多晶材料 的晶体粒径进一步优选15μm以上。
[0047] 此外，多晶材料的晶体粒径优选200μm以下，这样可以抑制凹部的直径过大。
[0048] 另外，构成操作基板的多晶材料的相对密度从相对半导体的后处理的耐久性和防 止污染的观点，优选98 %以上，进一步优选99 %以上。
[0049](透光性氧化铝陶瓷）
[0050] 作为多晶材料，特别优选使用透光性氧化铝陶瓷。理由在于为得到非常致密的烧 结体，即使凹部形成部分产生应力集中，操作基板的开裂和裂纹也难以出现。
[0051] 对透光性氧化铝基板的成型方法无特别限定，可以为刮刀法、挤出法、凝胶浇铸法 等任意的方法。特别优选基板通过凝胶浇铸法制造。优选的实施方式中，浇注含陶瓷粉末、 分散介质以及胶凝剂的浆液，该浆液通过凝胶化得到成型体，并烧制该成型体。
[0052] 特别优选在纯度99. 9%以上（优选99. 95%以上）的高纯度氧化铝粉末中添加 150?IOOOppm的助剂作为原料使用。作为这种高纯度氧化铝粉末，可以示例大明化学工业 株式会社制造的高纯度氧化铝粉末。
[0053] 作为所述助剂，优选氧化镁，也可以示例ZrO2、Y2O3、La2O3、Sc2O3。
[0054] 优选的实施方式中，透光性氧化铝基板中氧化铝以外的杂质含量为0. 2质量％以 下，这样可以抑制半导体污染，本发明是特别有效的。
[0055] 对原料粉末的平均粒径（一次粒径）没有特别的限制，考虑低温烧制的致密化，优 选0. 5μm以下，进一步优选0. 4μm以下，更进一步优选0. 4μm以下。进一步优选原料粉 末的平均粒径为〇.3μπι以下。对该平均粒径的下限没有特别的限定。原料粉末的平均粒 径可以通过利用SEM(扫描电子显微镜）直接观察原料粉末来测定。
[0056] 此外，此处的平均粒径是指SEM照片（倍率：Χ30000。任意的两个视场）上不包括 二次凝集粒子的一次粒子的（最长轴线长度+最短轴线长度）/2的值的η= 500平均值。
[0057] 凝胶浇铸法，可以示例以下方法。
[0058] (1)将无机粉末连同凝胶剂聚乙烯醇、环氧树脂、酚醛树脂等的预聚物与分散剂同 时分散在分散介质中，制成浆料，浇注后，通过交联剂进行三维交联凝胶化，从而固化浆料。
[0059] (2)通过使具有反应性官能团的有机分散介质与胶凝剂化学键合，固化浆料。
[0060] (操作基板表面的微细结构）
[0061] 本发明中，操作基板的表面的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下。大于 该值时，由于分子间力，施主基板的键合强度降低。从本发明的观点，进一步优选3nm以下， 最优选Inm以下。此外，其为通过原子力电子显微镜拍摄表面的各个晶粒2 (参照图I(b)) 的露出面2a，通过后述的方法计算得到的数值。
[0062] 本发明中，由操作基板表面的晶粒脱落形成凹部。在形成多晶材料的晶粒2露出 表面的露出面2a间露出晶界，凹部6在该晶界生成。因此，凹部6不受微观表面的中心线 平均粗糙度Ra的直接影响。
[0063] 操作基板表面凹部6的直径，优选95 %以上数量的凹部分布在10μm以下，进一步 优选分布在8μm以下。凹部的数量的5%以上分布在直径大于10μm时，表面的Ra值显著 恶化，为导致分子间力键合强度降低的主要原因。
[0064] 且操作基板的接合面中凹部直径的分布通过1000倍的激光显微镜进行测定。具 体的，以能将凹部整体包括在内的最小圆的直径为凹部直径。测定视场为200μmX200μm， 通过测定该视场中含有的凹部直径判断。单个视场中含有的凹部的数量少时，观察多个视 场，测定凹部的总数为100以上。
[0065] 另外，操作基板的接合面中凹部直径的平均值优选为5μπι以下，进一步优选3μπι 以下。但操作基板的接合面中的凹部直径的平均值通过上述方法测定其分布之后，算出其 直径的平均值。
[0066] 如上，通过减小操作基板的接合面的凹部直径，可以抑制施主基板的放热特性和 操作基板的绝缘性产生的影响。
[0067] 此外，操作基板的接合面中的凹部直径，优选凹部数量的95%以上分布在0. 5μm 以上。
[0068] 另外，操作基板的接合面中的凹部直径的平均值优选LOym以上，进一步优选 1. 5μm以上。
[0069] 这样，通过增大操作基板表面的凹部直径，所述抑制由于热膨胀差异产生剥离的 效果更显著。进一步凹部直径小于0. 5μm时，由于粘合层难以进入凹部，难以获得锚定效 应。
[0070] 从这个观点来说，从通过锚定效应增加粘合力的观点，直径0. 5μm以上的凹部的 密度优选为每Icm2的表面面积为50个以上，进一步优选为200个以上。此外，从抑制凹部 太多导致热传导恶化等对半导体产生影响的观点，直径〇. 5μm以上的凹部的密度优选为 每Icm2的表面面积为4500个以下，进一步优选为2000个以下。
[0071] 另外，操作基板表面的凹部的深度优选凹部数量的95%以上分布在Ιμπι以下。进 一步优选0. 6μm以下。凹部数量的5%以上分布在深度大于1μm时，粘合层难以进入凹部 内部，可能会导致热传导性能恶化。
[0072] 操作基板的接合面的凹部的深度分布通过干涉仪（ZYG0社制NewView7100、物 镜X50、变焦镜XI)进行测定。具体的，观察到的凹部的最深的值为该凹部的深度。观察 视场为140μmX110μm，该视场中含有的凹部深度通过Rt值（PV值测定）测定判断。单一 视场中含有的凹部数量少时，观察多个视场，测定的凹部的总数为100以上。
[0073] 此外，操作基板的接合面的凹部深度的平均值优选0.8μπι以下，进一步优选 0· 5μm以下。
[0074] 如此，通过减小操作基板表面凹部的深度，可以抑制凹部周边的应力集中导致的 操作基板的强度恶化。
[0075] 另，操作基板表面的凹部的深度优选凹部数量95%以上在0.05μm以下。
[0076] 另，操作基板的接合面的凹部的深度的平均值优选0.Iym以上，进一步优选 0· 2μm以上。
[0077] 这样，通过增大操作基板表面的凹部的深度，本发明的效果更为显著。
[0078] 俯视观察时，操作基板的接合面的凹部的轮廓形状相比带角形状，优选曲线为主 体的形状。即，俯视观察时，操作基板的接合面的凹部的轮廓形状优选平滑曲线，优选无角 部。
[0079] 此处，"平滑的曲线"是数学上的定义。即，虽然连续曲线通常含有尖锐点（尖锐）， 不含这样的尖锐点，整个长度可以进行微积分的连续曲线称为"平滑曲线"。换言之，连续曲 线上的任意点可以进行微积分的曲线称为"可微分曲线"或"平滑曲线"。
[0080] 凹部的轮廓含角部时，角部的应力集中容易产生裂纹等，可能导致基板强度恶化， 而凹部的轮廓为平滑的曲线时，可以抑制这种裂纹。
[0081] 作为这种平滑曲线的举例，特别优选圆形和椭圆形。
[0082] 例如，图5(a)例中，表面15形成的凹部6的轮廓6a为圆形或椭圆形。此夕卜，图 5(b)例中，表面15形成的凹部6A的轮廓6a虽为平滑的曲线，但是异形。
[0083] 图5 (c)例中，表面15形成的凹部6B的轮廓6a为多边形，例如长方形，具有角部 6b〇
[0084] 具有上述光滑曲线形状的轮廓的凹部可以通过对研磨加工时形成的脱粒面进行 CMP加工得到。
[0085] (操作基板的表面处理）
[0086] 通过研磨加工空白基板12,可以得到本发明的操作基板表面。作为这样的研磨加 工，可以示例如下。
[0087] 首先，对空白基板的表面通过GC(绿色碳）进行研磨加工，得到基础加工面。然后， 使用粒径大的金刚石磨粒进行研磨加工。此时，金刚石研磨加工时，用粒径1?6μm的粒 径的金刚石磨粒进行中间加工，可以任意形成凹部。对这样形成的中间加工面，使用胶体二 氧化硅等进行精加工，可以得到微观面粗糙度5nm以下，且表面有效地形成凹部。
[0088](键合方式）
[0089] 此外，对键合时使用的技术无特别限定，例如可以通过表面活化直接键合，使用粘 合层的基板键合技术。
[0090] 直接键合中，优选使用通过界面活化低温键合技术。可以在约KT6Pa的真空状态 下通入Ar气进行表面活化后，在常温下使Si等单晶材料介由SiO2等的粘合层与多晶材料 键合。
[0091] 作为粘合层的举例，除通过树脂粘合以外，可以使用Si02、Al203、SiN。操作基板为 高纯度氧化铝时，优选将Al2O3的非晶膜作为其粘合膜。即，通过非晶层和多晶层的热膨胀 系数的差异，可以期待提高操作基板上形成的非晶膜的锚定效应，以提高粘着强度。进一 步，非晶膜的表面通过CMP加工得到Ra<Inm左右的面，故可以期待通过与高平坦度基板 的分子间力来提高键合强度。这样的非晶膜可以通过蒸镀法、离子镀法、CVD法这些公知的 成膜法形成。
[0092] 实施例
[0093] 为确认本发明的效果，制作使用透光性氧化铝陶瓷的操作基板11。
[0094] 首先，制作透光性氧化铝陶瓷制的空白基板12。
[0095] 具体的，混合以下成分，配制浆料。
[0096] (原料粉末）
[0097] ?比表面积3. 5?4. 5m2/g、平均一次粒径0. 35?0. 45μm的α-氧化铝粉末1〇〇 重量份
[0098] ·MgO(氧化镁）0· 025重量份
[0099] ·ZrO2 (氧化锆）0· 040重量份
[0100] ·Υ2〇3(三氧化二钇）0.0015重量份
[0101] (分散介质）
[0102] ?戊二酸二甲酯27重量份
[0103] ?乙二醇0.3重量份
[0104] (胶凝剂）
[0105] MDI树脂4重量份
[0106] (分散剂）
[0107] 高分子表面活性剂3重量份
[0108] (催化剂）
[0109] N,N-二甲基氨基己醇0· 1重量份
[0110] 将上述的混合物组成的楽料在错合金制的t旲具中，在室温下铸造成型之后，在室 温下放置1小时。然后在40°C下放置30分钟，进行固化后脱模。进一步，在室温、然后在 90°C下分别放置2小时，得到板状的粉末成型体。
[0111] 将得到的粉末成型体在大气中，ll〇〇°C下预烧（初步烧制）后，在氢气3 :氮气1的 气氛下，在1700?1800°C下进行烧制，然后在同样条件下进行退火处理，得到多晶材料构 成的空白基板12。当希望气泡显著时，通过在烧制温度1500?1700°C的条件下，1400°C? 烧制温度之间进行迅速升温（l〇〇(TC/小时以上），气泡的排出差，可以使气泡大量地滞留 在空白材料内部。
[0112] 制作的空白基板12进行高精度研磨加工。首先，通过绿色碳进行双面研磨加工调 整形状之后，通过金刚石浆料对表面12a进行单面研磨加工。金刚石的粒径为3μm时，可 以容易地形成微细晶粒4和凹部6。为得到最终的面粗糙度，使用胶体二氧化硅进行CMP研 磨加工。这样，得到具有图1(b)以及图2所示的表面形状的操作基板11。
[0113] 对于得到的操作基板，对表面15的各个晶粒表面进行微观观察时的表面中心线 平均粗糙度的测定，结果是不足lnm。且测定通过以下方法进行。
[0114]各个晶粒表面的面粗糙度通过微观观察时，使用AFM(AtomicForceMicroscope： 原子力显微镜）在10μm视场范围观察表面形状。
[0115] 另一方面，测定表面的脱粒或气泡产生的表面凹凸形状时，使用通过AEM广视场 (>70μm视场范围）测定表面形状测定的RT值计量（PV值测量）。
[0116] 此外，对得到的操作基板，测定表面存在的直径0. 5μm以上凹部的密度为500个 /cm2，且测定按照以下进行。
[0117] 测定表面存在的凹部的密度时，使用微分干涉光学显微镜（500倍）与光纤灯从基 板的侧面照射观察。观察视场为500μmX500μm，基板平面等间隔分为3X3的9点，各个 点为1个视场，算出测定结果的平均值。通过光纤灯照射基板侧面能有效地清楚观察表面 上形成的微细凹部。
[0118] 且基板表面的凹凸密度可以通过中间加工使用的金刚石浆料的粒径的变化进行 控制。例如金刚石浆料的粒径为1μm时，能够确认显著生成凹部密度为1000个/cm2。
[0119] 此外，测定得到的操作基板的接合面中存在的凹部的深度时，在IOOnm左右存在 峰值。且测定使用干涉仪（140μmX110μm视场）测定RT值计量（PV值测定）。
[0120] 该凹部深度的分布如图6所示。其结果是，凹部数量的95%的深度分布在0. 05μm 以上，或分布在1. 〇μm以下。另外，凹部深度的平均值为0. 3μm。
[0121] 另外，这些凹部的外形轮廓为圆形或椭圆形。其凹部的直径分布如图7所示。其 结果是，凹部数量的95%的直径分布在0. 5μm以上，或分布在10μm以下。此外，凹部直径 的平均值为2. 5μm。
[0122] 在得到的操作基板表面上形成作为与Si薄板（施主基板）的粘合层的SiO2层。 制膜方法使用等离子CVD法，制膜后进行CMP研磨（化学机械研磨），最终的SiO2层的膜 厚为100nm。其后，通过等离子体活化法将Si薄板（施主基板）和SiO2层直接键合，制作 Si-SiO2-操作基板构成的复合基板。其后，通过对Si层研磨加工进行薄板加工，使Si层的 厚度为500nm。
[0123] 对得到的复合基板在1000°C下进行30分钟的热处理的结果，确认键合状态未发 生改变，裂纹、剥离等少，形成的微细孔能产生充分的锚定效应。
[0124] (实施例2?10)
[0125] 制作与实施例1同样的凹部大小、深度、密度的复合基板，进行评价，结果如表1、 表2所示。
[0126] (比较例）
[0127] 为了比较无凹凸基板的贴合强度，作为操作基板，在Si基板上直接键合作为功能 层的LT(钽酸锂）制作复合基板。LT表面Ra:0. 5nm、PV值：2nm、得到无物理高低差的表 面。将该操作基板直接与Si构成的施主基板通过表面活化法键合贴合，通过研磨加工使其 膜厚为20μπι。得到的基板使用金刚石刀片切割加工，可以观察到部分键合界面的剥离现 象。裂纹、剥离发生率如表2所示。
[0128] 表 1
[0129]

【权利要求】
1. 一种半导体用复合基板的操作基板，其特征在于，所述操作基板由绝缘性多晶材料 形成，所述操作基板表面的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，所述表面形成有 凹部。
2. 根据权利要求1所述的操作基板，其特征在于，直径0. 5 y m以上的凹部的密度为每 lcm2所述表面中50个以上、4500个以下。
3. 根据权利要求1或2所述的操作基板，其特征在于，所述凹部的深度的平均值为 0. lym 以上、0. 8iim 以下。
4. 根据权利要求1?3任一项所述的操作基板，其特征在于，俯视所述操作基板的所述 表面时，所述凹部的外侧轮廓为圆形或椭圆形。
5. 根据权利要求1?4任一项所述的操作基板，其特征在于，所述凹部的直径的平均值 为1 y m以上、5 u m以下。
6. 根据权利要求1?5任一项所述的操作基板，其特征在于，所述绝缘性多晶材料由氧 化铝、碳化硅、氮化铝或氮化硅构成。
7. 根据权利要求6所述的操作基板，其特征在于，所述绝缘性多晶材料为透光性氧化 铝陶瓷。
8. -种半导体用复合基板，其特征在于，包括权利要求1?7任一项所述的操作基板， 以及在所述操作基板的所述表面直接或介由接合层键合的施主基板。
9. 根据权利要求8所述的半导体用复合基板，其特征在于，所述接合层由A1203构成。
【文档编号】H01L21/02GK104364905SQ201480001476
【公开日】2015年2月18日 申请日期:2014年3月26日 优先权日:2013年3月27日
【发明者】井出晃启, 岩崎康范, 宫泽杉夫 申请人:日本碍子株式会社