技术特征：
技术总结
集成电路管芯包括通过从沟道材料下方去除子鳍状物材料的一部分形成的用于晶体管的具有沟道材料的四栅极器件纳米线(例如，将成为MOS器件的沟道的单个材料或叠置体)，其中，子鳍状物材料生长在纵横比捕获(ART)沟槽中。在一些情形下，在形成这些纳米线时，可以去除沟道下方的有缺陷的鳍状物材料或区域。这种去除隔离了鳍状物沟道、去除了鳍状物缺陷和漏电路径，并形成了具有其上可形成栅极材料的四个暴露表面的沟道材料的纳米线。
技术研发人员：G·杜威;M·V·梅茨;J·T·卡瓦列罗斯;W·拉赫马迪;T·加尼;A·S·默西;C·S·莫哈帕特拉;S·K·加德纳;M·拉多萨夫列维奇;G·A·格拉斯
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2014.12.26
技术公布日：2017.09.26