显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种具有散热功能的显示装置。

背景技术：

目前各种各样的散热材料已经广泛运用在各行业，不同类型的散热材料具有不同的性能。目前的散热膜主要由金属或者石墨制成，金属由于其良好的导热性，由其制成的散热材料具有优良的散热性能；而石墨由于其良好的延展性，由其制成的散热材料具有优良的可塑性。由上述两种材质按照现有散热膜的制作方法，制作出的散热膜片，均以不透明膜片为主。虽然，散热膜片广泛运用于显示产品中，但不透明或半透明的散热膜是不可用于显示产品的出光面。

自主发光的显示装置按照显示装置发光方向的不同可以分为顶发光模式和底发光模式，用上述不透明或半透明的散热膜对显示装置进行散热时，只能将散热膜设置在显示装置的非出光面，这样，显示装置出光面产生的热量只能从显示装置的非出光面传递出去，该显示装置出光面的热量不能够及时的传递出去，影响该显示装置的正常工作，会导致显示装置加速老化，影响显示装置的工作寿命。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种具有透明散结构的显示装置。

一种显示装置，包括依次设置在基板上的薄膜晶体管、阳极层、有机功能层、阴极层和封装层，所述有机功能层包括有机发光层，所述显示装置还包括设置在所述封装层和有机发光层之间或所述有机发光层和基板之间的呈网格状并且其网格线宽度不影响可视出光元件的显示的透明散热层。

在其中一个实施例中，所述显示装置的出光方向朝向所述封装层时，所述透明散热层设置在所述封装层和有机发光层之间。

在其中一个实施例中，所述显示装置的出光方向朝向所述基板时，所述透明散热层设置在所述有机发光层和基板之间。

在其中一个实施例中，所述网格线的宽度不大于75微米。

在其中一个实施例中，所述相邻网格的高度相同或不同。

在其中一个实施例中，所述相邻网格的密度相同或不同。

在其中一个实施例中，所述透明散热层的材料包括石墨烯或钻石或碳纳米管或金属，所述金属包括银或铜或金或铝或铂。

在其中一个实施例中，所述有机功能层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层，所述空穴注入层和空穴传输层设置在所述阳极层和所述有机发光层之间，所述电子传输层和电子注入层设置在所述阴极层和所述有机发光层之间。

在其中一个实施例中，所述网格线的正投影处于所述有机发光层之间的非发光区域内。

在其中一个实施例中，所述网格的宽度与所述有机发光层的非发光区域的宽度相同。

上述显示装置在所述封装层和有机发光层之间或所述有机发光层和基板之间设置有透明散热层，所述透明散热层成网格状，且网格线的宽度不大于75微米。一般情况下，在显示装置中不大于75微米的暗线，肉眼是不可见的。所以该散热结构具有透明的功能，适合设置在显示装置的出光方向侧，将热量传递到外界。

上述透明散热层通过改变网格的高度或者密度来控制散热的方向，来解决显示装置局部发热严重的问题。

附图说明

图1为现有技术中显示装置的剖视图；

图2为本发明中的第一实施方式中透明散热层的俯视图；

图3为图2中的一个网格的示意图；

图4为本发明中的第二实施方式中透明散热层的俯视图；

图5为图4中的一个网格的示意图；

图6为本发明中的具有不同高度的网格的透明散热层的示意图；

图7为本发明中的具有不同密度的网格的透明散热层的示意图；

图8为标准RBG像素排布的示意图。

具体实施方式

图1为现有技术中AMOLED的基本结构的剖视图，AMOLED100一般包括依次设置在基板110上的薄膜晶体管120、有机发光二极管130、封装层140，有机发光二极管130包括阳极层131、有机功能层132和阴极层133。有机功能层132包括有机发光层1321。为了提高有机发光二极管130的发光效率，有机功能层132还包括依次设置在有机发光层1321和阳极层131之间的空穴传输层1322、空穴注入层1324，依次设置在有机发光层1321和阴极层133之间的电子传输层1323、电子注入层1325。

根据AMOLED100的发光方向的不同可以分为顶发光AMOLED和底发光AMOLED。顶发光AMOLED中的阴极层133为透明层或半透明层，而阳极层131为反射层，该AMOLED的出光方向侧为从阳极层131反射后朝向阴极层133，即有机功能层132产生的光线经过阴极层133出射。底发光AMOLED中的基板110和阳极层131为透明的或半透明的，阴极层133为反射层，该AMOLED的出光方向侧为从阴极层133反射后朝向基板110，即有机功能层132产生的光线经过阳极层131出射。

本发明披露的显示装置包括上述AMOLED，还包括透明散热层，所述透明散热层设置于所述有机发光层1321的上侧或下侧。当所述显示装置的出光方向朝向所述封装层140时，所述透明散热层设置在所述封装层140和有机发光层1321之间，具体的，所述透明散热层可设于所述阴极层133的上表面，或者设于所述阴极层133与所述电子注入层1325之间，也可设置于所述电子注入层1325与所述电子传输层1323之间，也可设置于所述电子传输层1323与有机发光层1321之间。当所述显示装置的出光方向朝向所述基板110时，所述透明散热层设置在所述有机发光层1321和基板110之间，具体的，所述透明散热层可设于所述有机发光层1321和所述空穴传输层1322之间，也可设置于所述空穴传输层1322与所述空穴注入层1324之间，也可设置于所述空穴注入层1324与所述阳极层131之间，也可设置于所述阳极层131的下表面。该透明散热层具有透明和散热的功能因此并不会影响该显示装置的出射的光线，并能够及时的传递该显示装置产生的热量。

以下结合实施例具体说明该透明散热层的结构。

图2为本发明第一实施方式中的透明散热层的俯视示意图，图3为图2中的一个网格的示意图。请参考图2，透明散热层200具有一定的厚度，透明散热层200由具有良好导热性能的导热材料制作而成，这些导热材料包括但不限于石墨烯或钻石或碳纳米管或金属；金属包括但不限于银或铜或金或铝或铂。透明散热层200具有网格210，网格210的横截面的形状为正六边形，每两个网格210共用一条边，每个网格210相邻的设置有六个网格210，网格210依此方式排列延伸。在此需要说明的是，图2仅仅是该透明散热层200的示意图，其网格210的数量以及网格210之间的大小关系，并不以该图为实际数量和尺寸关系，这本领域技术人员应当知晓。请参考图3，网格210内部具有上下贯通的通孔211，并形成有厚度均一致的网格线212，该网格线212具有一定的宽度，并且该网格线212的宽度不大于75微米，因为在一般情况下，在显示装置中不大于75微米的暗线，肉眼是不可见的。这样，光线就可以从通孔211内穿过，并且肉眼不会观察到网格线212，从而，该透明散热层200具有透明散热的功能。网格210具有一定的高度，网格210的高度即为透明散热层200的厚度，网格210的高度和网格线212的宽度以及两者的比例可以根据实际散热需求来设置。

图4为本发明中第二实施方式中透明散热层的俯视图，图5为图4中的一个网格的示意图。请参考图4，在本实施方式中，透明散热层300中的网格310的横截面的形状为矩形，每两个网格310共用一条边，每个网格310相邻的设置有四个网格310，网格310依此方式排列延伸。请参考图5，网格310具有通孔311，网格线312的宽度不大于75微米。在此需要说明的是，图4仅仅是该透明散热层300的示意图，其网格310的数量以及网格310之间的大小关系，并不以该图并不以该图为实际数量和尺寸关系，这本领域技术人员应当知晓。

在此说明的是透明散热层中的网格的横截面的形状不仅限于上述的形状，还可以为三角形、正多边形、任意多边形、圆形等，这些形状可以根据实际情况的需要来确定。

由于透明散热层的散热性能能够通过改变网格的高度或者密度来进行改变。在此可以设计具有按照一定方向进行散热的透明散热层。以下均以网格的横截面形状为六边形的透明散热层来进行说明。

请参考图6，图6为具有不同高度的网格的透明散热层的示意图。透明散热层400中的网格410的截面形状、大小均相同，而网格410的高度不同。网格410的高度沿着第一方向依次降低，该第一方向平行于网格410延伸的平面。在本实施方式中，该第一方向为Y轴的反方向，网格410的高度沿着Y轴的反方向以一定的比例降低。在本实施例中，网格410的高度比较高的地方散热性能要高于网格410的高度比较低的地方，所以网格410高度较高的地方可以适用于温度相对较高的地方，有利于温度的散发。

请参考图7，图7为具有不同密度的网格的透明散热层的示意图。透明散热层500中的网格510的高度均相同，而网格510的截面的大小不同，因为网格510均是彼此相互连接，而从网格510的密度不同。网格510的密度沿着第二方向依次降低，该第二方向平行于网格510延伸的平面。在本实施例中，该第二方向即为X轴的反方向，即网格510的密度沿着X轴的反方向以一定的比例降低。网格510的密度比较高的地方散热性能要高于网格510的密度比较低的地方，所以网格510密度较高的地方可以适用于温度相对较高的地方，有利于温度的散发。

当然透明散热层还可以同时利用网格的高度和密度来控制散热的方向。网格的高度在第三方向依次降低，而网格的密度在第四方向依次降低。该第三方向和第四方向平行于网格延伸的平面。这些网格的高度变化的第三方向和网格的密度变化的第四方向可以为同一方向，也可以为不同方向。上述方向的具体实现方式，本领域技术人员可以根据实际情况来确定。

以下来具体说明透明散热层与AMOLED之间的位置关系。在AMOLED中，有机发光层形成相应的像素和子像素。像素与像素之间存在着像素间非发光区域，每个像素的子像素之间也存在着子像素间非发光区域。在工业制造中，子像素之间的非发光区域的宽度一般为10微米至15微米，而像素之间的非发光区域的宽度要大于子像素之间的非发光区域的宽度。这些非发光区域的宽度较小，仅凭肉眼是观察不到的。

请参考图8，图8为标准RBG像素排布的示意图。该标准中包含了若干个像素610，像素610的形状大体呈矩形，而每个像素610包括了三个子像素，子像素的形状大体也呈矩形，三个子像素分别为红611、绿612和蓝613三原色，当然三个子像素的位置可以任意排列，并不以图8中的排列方式排布。像素与像素之间存在着像素间非发光区域，子像素与子像素之间存在着子像素间非发光区域。当然像素610和子像素的形状并不局限于矩形，还可以是正六边形、三角形、圆形、不规则多边形等等。

在此以图8中所示的标准RBG像素排布来说明其与透明散热层之间的位置关系。

透明散热层的网格壁的正投影落入AMOLED的非发光区域，即网格壁在非发光区域的正上方或正下方，该非发光区域可以为像素间非发光区域或子像素非发光区域，由于像素间或者子像素间非发光区域的宽度很小，网格壁的厚度也很小，所以在AMOLED中形成的暗线，人眼无法识别。并且网格的通孔的形状与像素或子像素的形状、大小相适配，以保证足够多的光能够透过透明散热层，以提高光透过率。

网格壁的正投影可以位于子像素间非发光区域，也可以位于像素间非发光区域。而网格的通孔的正投影可以包括一个子像素(红或绿或蓝色)或一个像素或者多个像素。在工业制造中，一般像素和子像素的大小已经确定，可以通过改变网格的通孔的大小来改变网格的通孔的正投影所覆盖的像素或者子像素的数量。

在本实施方式中，透明散热层的通孔的正投影正好包括一个子像素，而网格壁的正投影正好投射在相应的像素间非发光区域或者子像素间非发光区域。

现在，由结合图1来说明透明散热层在AMOLED中层与层之间的结构。

当AMOLED为顶发光时，有机发光层1321产生的光线透过阴极层133，发射出去，从而透明散热层可以设置在有机发光层1321与阴极133的之间的任何一层。透明散热层通过蒸镀的方法来形成。

本实施方式中，通过多次蒸镀的方来来沉积不同形状的网格的透明散热层，而透明散热层的厚度可以根据蒸镀的时间来确定。当然，可以根据透明散热层厚度的不同来确定蒸镀的次数。如网格的截面形状为矩形的透明散热层，可以利用两次蒸镀的方法来形成该透明散热层，第一次蒸镀时蒸镀第一方向上的网格壁，而第二次蒸镀时蒸镀第二方向上的网格壁，第一方向和第二方向相互垂直，上述两个方向上的网格壁相互交叉从而形成具有复数横截面形状为矩形的网格的透明散热层。当网格的截面形状为正六边形的透明散热层，可以利用三次蒸镀的方法来形成该透明散热层，第一次蒸镀时蒸镀第一方向上的网格壁，第二次蒸镀时蒸镀第二方向上的网格壁，第三次蒸镀时蒸镀第三方向上的网格壁，该三个方向之间的夹角为60度，该三个方向上的网格壁相互交叉从而形成具有复数横截面形状为正六边形的网格的透明散热层。当然，网格的截面形状为其他形状时，本领域的普通技术人员，无需通过创造性劳动即可通过适当的蒸镀次数来形成所需的截面形状的网格的透明散热层。

现在以透明散热层设置在有机发光层1321与电子传输层1323之间为例来说明制造方法。当在基板110上沉积有机发光层1321后，通过预先设置好的掩膜板，在有机发光层1321上通过蒸镀的方法来沉积相应的透明散热层。当在有机发光层1132上沉积有所需的透明散热层后，在该透明散热层上继续沉积完成AMOLED的其他层的沉积。当透明散热层设置于有机发光层1321与阴极层133之间的其他层与层之间时，本技术人员应当知晓，在此不再赘述。

当AMOLED为底发光时，有机发光层1321产生的光线透过基板110，发射出去，从而透明散热层可以设置在有机发光层1321与基板110的之间的任何一层。透明散热层通过蒸镀的方法来形成。透明散热层也可以设置在薄膜晶体管120的各个层之间。当透明散热层设置在有机发光层1132与阳极层131之间时，可以通过蒸镀的方式沉积，其沉积方式同上述AMOLED为顶发光时沉积透明散热层相似；当透明散热层设置在薄膜晶体管120与阳极层131之间时，透明散热层在本实施方式中可以通过蒸镀或者刻蚀的方法得到；当透明散热层位于薄膜晶体管120各层之间或者薄膜晶体管120与基板110之间时，可以通过刻蚀的方法制造得到。

当然，本实施方式中，通过蒸镀方法来得到透明散热层时，也通过多次蒸镀的方来来沉积不同形状的网格的透明散热层，而透明散热层的厚度可以根据蒸镀的时间来确定。其蒸镀方法如前所述，在此不再赘述。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。