技术领域本发明涉及一种等离子体处理装置。
背景技术：
等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质，它广泛存在于宇宙中，常被视为是除去固、液、气外，物质存在的第四态。目前，等离子体装置一般的是在密封容器中设置两个电极形成电场，用真空泵实现一定的真空度，随着气体愈来愈稀薄，分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长，受电场作用，他们发生碰撞而形成离子体，这些离子的活性很高，其能量足以破坏几乎所有的化学键，在任何暴露的材料表面引起化学反应，从而使材料表面的结构、成分和基团发生变化，得到满足实际要求的表面。等离子体反应速度快、处理效率高，而且改性仅发生在材料表面，对材料内部本体材料的性能没有影响，是理想的表面改性手段。现有技术中，电极在放电发热，使得容器腔体的温度慢慢升高，若温度过高不仅会影响设备的本身性能，也会损坏产品。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种等离子体处理装置。为了达到上述目的，本发明的技术方案如下：本发明提供一种等离子体处理装置，包括反应箱、电极组件、高频电源和物料板，反应箱上设置有抽真空口和进气口，电极组件包括至少一组电极管，每组电极管沿反应箱的长度方向和反应箱的高度方向设置于反应箱内部，每组电极管分别与高频电源的正极、负极电连接，电极管内设置有绝缘层且电极管与冷却水源连通，物料板水平设置于每组电极管之间。本发明电极管与冷却水源连通，直接对电极管降温，相较于现有技术，降温效果更佳，避免电极管升温对设备造成损坏，也避免反应箱内升温损坏产品。在上述技术方案的基础上，还可做如下改进：作为优选的方案，上述的电极管包括一个折弯管或多个相连的折弯管。采用上述优选的方案，折弯管使得生成的电场范围更大，从而提高等离子体处理面积，保证等离子体处理的质量。作为优选的方案，沿反应箱长度方向、沿反应箱高度方向设置的电极管交错与高频电源的正极、负极电连接。采用上述优选的方案，沿反应箱长度方向、沿反应箱高度方向设置的电极管之间都生成电场，进一步增加电场范围，提高等离子体处理面积，保证等离子体处理的质量。作为优选的方案，还设置有安装板，安装板沿反应箱的高度方向水平设置于反应箱内，电极组件设置于安装板上，物料板水平设置于每二个安装板之间。采用上述优选的方案，电极组件设置于安装板上，便于电极组件的安装和排布，提高结构的稳定性。作为优选的方案，上述的电极组件穿设于反应箱的箱体壁上并与冷却水源和高频电源电连接，电极组件与冷却水源的连接处设置有绝缘密封件。采用上述优选的方案，绝缘密封件连接电极组件和冷却水源，既保证反应箱的密封性能，又保证电极组件的绝缘性能，保证设备的安全使用。附图说明图1为本发明一种实施方式的结构示意图。图2为本发明一种实施方式的结构示意图。其中，10.反应箱，20.电极管，30.安装板。具体实施方式下面结合附图详细说明本发明的优选实施方式。为了达到本发明的目的，如图1-2所示，在本发明的其中一种实施方式中提供一种等离子体处理装置，包括反应箱10、电极组件、高频电源和物料板，反应箱10上设置有抽真空口和进气口，电极组件包括三组电极管20，每组电极管20沿反应箱10的高度方向设置于反应箱10内部，每组电极管20分别与高频电源的正极、负极电连接，电极管20内设置有绝缘层且电极管20与冷却水源连通，物料板水平设置于每组电极管20之间。本实施方式中电极管20与冷却水源连通，直接对电极管20降温，相较于现有技术，降温效果更佳，避免电极管20升温对设备造成损坏，也避免反应箱10内升温损坏产品。本实施方式上述的电极管20包括三个相连的折弯管，折弯管使得生成的电场范围更大，从而提高等离子体处理面积，保证等离子体处理的质量。本实施方式中还设置有安装板30，安装板30沿反应箱10的高度方向水平设置于反应箱10内，电极组件设置于安装板30上，物料板水平设置于每二个安装板30之间，电极组件设置于安装板30上，便于电极组件的安装和排布，提高结构的稳定性。为了进一步地优化本发明的实施效果，在本发明的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，沿反应箱10长度方向、沿反应箱10高度方向设置有二组电极管20，沿反应箱10长度方向、沿反应箱10高度方向设置的电极管20交错与高频电源的正极、负极电连接。采用上述优选的方案，沿反应箱10长度方向、沿反应箱10高度方向设置的电极管20之间都生成电场，进一步增加电场范围，提高等离子体处理面积，保证等离子体处理的质量。为了进一步地优化本发明的实施效果，在本发明的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，上述的电极组件穿设于反应箱的箱体壁上并与冷却水源和高频电源电连接，电极组件与冷却水源的连接处设置有绝缘密封件。采用上述优选的方案，绝缘密封件连接电极组件和冷却水源，既保证反应箱的密封性能，又保证电极组件的绝缘性能，保证设备的安全使用。以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。