技术总结
一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部；在所述鳍部侧壁表面以及半导体衬底表面形成第一半导体层；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部侧壁的第一半导体层；在高于隔离层的部分鳍部上形成第二半导体层，所述第二半导体层覆盖鳍部的顶部表面以及部分第一半导体层；在所述第二半导体层表面形成第三半导体层，所述第三半导体层的载流子迁移率大于鳍部的载流子迁移率，且所述第一半导体层、第二半导体层的晶格常数介于鳍部与第三半导体层之间。上述方法可以提高形成的半导体结构的性能。
技术研发人员：张海洋;王彦
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510136674
技术研发日：2015.03.26
技术公布日：2016.11.23