1.一种有机单晶薄膜晶体管，包括基底；以及自下而上依次层叠于所述基底上的栅电极、绝缘层；间隔形成于所述绝缘层表面的源电极、漏电极；其特征在于，还包括：
修饰层，形成于所述绝缘层表面；有源层，形成于所述修饰层表面，且材质为晶体取向一致的有机单晶薄膜。
2.根据权利要求1所述的有机单晶薄膜晶体管，其特征在于，所述有机单晶薄膜的原料为共轭稠环芳香化合物。
3.根据权利要求2所述的有机单晶薄膜晶体管，其特征在于，所述共轭稠环芳香化合物选自2，8-辛基二氧杂蒽嵌蒽、5，11-辛基二氧杂蒽嵌蒽、1，7-二辛基二氧杂蒽嵌蒽、1，7-二(4-己基苯基)二氧杂蒽嵌蒽中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的有机单晶薄膜晶体管，其特征在于，所述修饰层的原料为硅烷。
5.根据权利要求4所述的有机单晶薄膜晶体管，其特征在于，所述硅烷选自苯基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、六甲基二硅胺烷、含氟烷基三氯硅烷中的任意一种。
6.一种如权利要求1-5任一所述的有机单晶薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、在基底上逐层制备栅极、绝缘层，及间隔设置于所述绝缘层表面的源电极、漏电极；
B、在所述绝缘层表面制备修饰层；
C、利用溶液法在所述修饰层表面，形成一有机单晶薄膜作为有源层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述有源层采用提拉成膜法进行制备，制备方法具体为：
将所述有机单晶薄膜的原料溶于有机溶剂中，形成浓度为1mg/mL～6mg/mL的提拉成膜溶液；其中，所述有机溶剂选自三氯甲烷、甲苯、四氢呋喃中的任意一种；
令所述步骤B的所述修饰层的表面垂直于所述提拉成膜溶液的液面浸没于所述提拉成膜溶液中，然后沿着固定的方向以25μm/s～500μm/s的提拉速度缓 慢提出；
在80℃以下真空退火10min～60min，得到厚度为20nm～60nm的有机单晶薄膜。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述有源层采用浇注成膜法进行制备，制备方法具体为：
将所述有机单晶薄膜的原料溶于有机溶剂中，形成浓度为0.5mg/mL～1mg/mL的浇注成膜溶液；其中，所述有机溶剂选自三氯甲烷、甲苯、邻二氯苯中的任意一种；
所述浇注成膜溶液过滤后，滴涂于所述修饰层上；
溶剂退火10min～30min，在所述修饰层表面得到厚度为20nm～60nm的有机单晶薄膜；其中，所述溶剂退火采用的溶剂选自二氯甲烷、三氯甲烷、四氢呋喃中的任意一种。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述有机单晶薄膜的原料为共轭稠环芳香化合物。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述共轭稠环芳香化合物选自2，8-辛基二氧杂蒽嵌蒽、5，11-辛基二氧杂蒽嵌蒽、1，7-二辛基二氧杂蒽嵌蒽、1，7-二(4-己基苯基)二氧杂蒽嵌蒽中的任意一种。
11.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述修饰层的原料为硅烷。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷选自苯基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、六甲基二硅胺烷、含氟烷基三氯硅烷中的任意一种。