有机单晶薄膜晶体管及其制备方法与流程

文档序号:11837180阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种有机单晶薄膜晶体管,包括在基底上逐层形成的栅电极、绝缘层;间隔形成于绝缘层表面的源电极、漏电极;形成于绝缘层表面的修饰层及形成于修饰层表面且在源电极、漏电极之间的有源层,其中,有源层的材质为晶体取向一致的有机单晶薄膜。本发明还公开了其制备方法,包括步骤:A、在基底上逐层制备栅极、绝缘层,及间隔设置于绝缘层表面的源电极、漏电极;B、在绝缘层表面制备修饰层;C、利用溶液法在修饰层表面,形成一有机单晶薄膜作为有源层;其中,有源层为由取向一致的有机单晶组成的有机单晶薄膜。根据本发明的有机单晶薄膜晶体管不仅有利于载流子的传输、提高晶体管性能,还能够实现大面积的快速制备。

技术研发人员:周春山;谢美兰;崔铮
受保护的技术使用者:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
文档号码:201510149241
技术研发日:2015.03.31
技术公布日:2016.11.23

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