半导体背面用切割带集成膜的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料，黑色颜料的使用量为相对于着色剂总量的80重量％以上，其中半导体背面用膜的可见光透过率为1％以下，其中半导体背面用膜的、在温度85℃和湿度85％RH的气氛下静置168小时时的吸湿度为1重量％以下，其中所述半导体背面用膜在切割带的压敏粘合剂层的整个表面上形成。2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中所述黑色颜料为炭黑。3.根据权利要求1或2所述的半导体背面用切割带集成膜，其用于倒装芯片安装的半导体器件。4.一种生产半导体器件的方法，所述方法包括：将工件粘贴至根据权利要求1至3任一项所述的半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜上，切割所述工件以形成芯片形工件，将所述芯片形工件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离，和将所述芯片形工件通过倒装芯片接合固定至被粘物。5.一种倒装芯片安装的半导体器件，其使用根据权利要求1至3任一项所述的半导体背面用切割带集成膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的倒装芯片型半导体背面用膜。