1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层、第二蚀刻停止层、第一蚀刻停止层和图案化的掩膜层；
步骤S2：以所述图案化的掩膜层为掩膜蚀刻所述第一蚀刻停止层、所述第二蚀刻停止层和所述层间介电层，以形成接触孔开口；
步骤S3：去除所述掩膜层和所述第一蚀刻停止层；
步骤S4：对所述接触孔开口的侧壁进行第一次等离子体处理，以去除所述侧壁上的聚合物，其中所述第一次等离子体处理的温度为80-150℃；
步骤S5：去除所述第二蚀刻停止层；
步骤S6：对所述接触孔开口的侧壁进行第二次等离子体处理，以去除所述侧壁上剩余的聚合物，其中所述第二次等离子体处理的温度为80-150℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6包括：
步骤S61：选用N2和He等离子体对所述侧壁进行处理，以去除所述聚合物中的F；
步骤S62：选用NH3和Ar等离子体对所述侧壁进行处理，以改善所述侧壁的倾斜角度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S62中，在NH3和Ar等离子体处理之后，所述侧壁的倾斜角度为97.6°-68.4°。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，选用N2等离子体对所述侧壁进行处理，以去除碳聚合物。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一次等离子处理和所述第二次等离子处理中低偏置功率为50-100w。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一次等离子处理和所述第二次等离子处理中等离子体流量为200-400sccm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一次等离子处理和所述第二次等离子处理中压力为100-120mT。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述掩膜层包括抗反射层和无定形碳。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中包括灰化步骤。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次等离子处理 和所述第二次等离子处理在与所述接触孔开口蚀刻同类型的单独腔室内进行。
11.一种如权利要求1至10之一所述方法制备得到的半导体器件。
12.一种电子装置，包括如权利要求11所述的半导体器件。