技术总结
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层、第二蚀刻停止层、第一蚀刻停止层和图案化的掩膜层；步骤S2：以所述图案化的掩膜层为掩膜蚀刻所述第一蚀刻停止层、所述第二蚀刻停止层和所述层间介电层，以形成接触孔开口；步骤S3：去除所述掩膜层和所述第一蚀刻停止层；步骤S4：对接触孔开口的侧壁进行第一次等离子体处理，以去除所述侧壁上的聚合物，其中所述第一次等离子体处理的温度为80-150℃；步骤S5：去除所述第二蚀刻停止层；步骤S6：对所述接触孔开口的侧壁进行第二次等离子体处理，以去除所述侧壁上剩余的聚合物，其中所述第二次等离子体处理的温度为80-150℃。
技术研发人员：张海洋;黄敬勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510245871
技术研发日：2015.05.14
技术公布日：2017.01.04