1.一种半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具有电流在纵向上流动的PiN型的二极管的结构，在耗尽层的外侧的漂移区域内配置有多个杂质浓度比所述漂移区域高的载流子蓄积层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
从器件中央侧朝向器件端部侧配置载流子蓄积层，该载流子蓄积层的杂质浓度从所述器件中央侧朝向所述器件端部侧阶段性地升高。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述载流子蓄积层是长条状的形状，且相互平行地排列。
4.根据权利要求1、2或3所述的半导体装置，其特征在于，
在阳极扩散层与载流子蓄积层之间局部地存在结晶缺陷层。