技术总结
本发明提供一种半导体装置，其能够软化高速二极管的开关波形。该半导体装置具有电流在纵向上流动的PiN型的二极管结构，在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域内，改变浓度地配置有多个载流子蓄积层(N+层)。从器件中央侧朝向端部侧配置积蓄层，积蓄层的浓度从器件中心侧至端部侧阶段性地升高。可利用多个载流子蓄积层来控制耗尽层的扩展方向，从而能够软化开关波形。
技术研发人员：森川直树
受保护的技术使用者：三垦电气株式会社
文档号码：201510323730
技术研发日：2015.06.12
技术公布日：2016.12.07