RRAM器件的制作方法

技术特征：

1.一种集成电路器件，包括：

底部电极，覆盖下部层间介电(ILD)层；

底部蚀刻停止层，横向地围绕所述底部电极；

电阻转换层，具有可变电阻，所述电阻转换层设置在所述底部电极上方；

顶部电极，设置在所述电阻转换层上方；

自溅射间隔件，具有：横向部分，在垂直位于所述电阻转换层与所述底部蚀刻停止层之间的位置处围绕所述底部电极；和垂直部分，邻接所述电阻转换层的侧壁和所述顶部电极的侧壁；以及

顶部蚀刻停止层，设置在所述底部蚀刻停止层上方，沿着所述自溅射间隔件的侧壁延伸，并且延伸至所述顶部电极的顶面上方。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述自溅射间隔件具有的厚度在约至约的范围内。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述自溅射间隔件包括正硅酸乙酯(TEOS)或富含硅的氧化物(SRO)。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述底部电极具有平坦的表面和小于所述顶部电极宽度的宽度。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

下部金属互连层和设置在所述下部金属互连层上的第一通孔，两者均被所述下部ILD层围绕，其中，所述底部电极邻接所述第一通孔。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述自溅射间隔件还与所述底部蚀刻停止层的顶面、所述底部电极的上部侧壁和所述电阻转换层的底面邻接。

7.一种集成电路器件，包括：

衬底，包括具有源极区域和漏极区域的晶体管；

下部金属互连层，设置在所述衬底上方，被下部层间介电(ILD)层围绕，并且通过一系列的接触件和通孔电连接至所述晶体管的所述漏极区域；

上部金属互连层，设置在所述下部金属互连层上方并且被上部层间介电(ILD)层围绕；以及

阻变式随机存储器(RRAM)单元，设置在所述下部金属互连层与所述上部金属互连层之间，包括：

底部电极，电连接至所述下部金属互连层；

电阻转换层，设置在所述底部电极上；

顶部电极，设置在所述电阻转换层上并且电连接至所述上部金属互连层；和

自溅射间隔件，具有：横向部分，围绕所述底部电极；和垂直部分，覆盖所述电阻转换层的侧壁和所述顶部电极的侧壁。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，还包括：

第一通孔，将所述底部电极与所述下部金属互连层电连接；

第二通孔，将所述顶部电极与所述上部金属互连层电连接；

底部蚀刻停止层，设置在所述自溅射间隔件与所述下部ILD层之间；以及

顶部蚀刻停止层，设置在所述底部蚀刻停止层上方，沿着所述自溅射间隔件的外部侧壁延伸，并且覆盖所述顶部电极。

9.一种形成包括RRAM单元的集成电路器件的方法，包括：

在衬底上方形成间隔件材料；

形成延伸穿过所述间隔件材料的底部电极；

在所述底部电极上方形成电阻转换层，并且在所述电阻转换层上方形成顶部电极；以及

对未被所述电阻转换层覆盖的所述间隔件材料进行溅射蚀刻，使所述间隔件材料的原子被轰击出来，随后将所述原子重新沉积到所述电阻转换层的侧壁和所述顶部电极的侧壁上，以形成覆盖所述电阻转换层的侧壁和所述顶部电极的侧壁的自溅射间隔件。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述电阻转换层和所述顶部电极包括：

在所述底部电极和所述间隔件材料上方形成顶部电极层和电阻转变材 料；

按照光刻胶掩模来图案化硬掩模；

按照经过图案化的所述硬掩模来图案化所述顶部电极层，以形成所述顶部电极；以及

对所述电阻转变材料进行溅射蚀刻，以形成所述电阻转换层。