技术总结
本发明涉及一种具有RRAM单元的集成电路器件和相关的形成方法。在一些实施例中，集成电路器件具有设置在下部金属互连层上方的底部电极。集成电路器件还包括具有可变电阻的电阻转换层，该电阻转换层位于底部电极上，并且顶部电极位于电阻转换层上方。集成电路器件还包括自溅射间隔件，该自溅射间隔件具有：横向部分，围绕垂直位于电阻转换层与底部蚀刻停止层之间的位置处的底部电极；和垂直部分，邻接电阻转换层和顶部电极的侧壁。集成电路器件还具有顶部蚀刻停止层，该顶部蚀刻停止层位于底部蚀刻停止层上方，邻接自溅射间隔件的侧壁，并且覆盖顶部电极。
技术研发人员：谢静佩;周仲彥;刘世昌
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510683772
技术研发日：2015.10.20
技术公布日：2016.11.23